「First layer」を含む例文一覧(24472)
＜前へ 1 2 .... 67 68 69 70 71 72 73 74 75 .... 489 490 次へ＞- A first buried layer 11 and a second buried layer 12 are formed on a semiconductor substrate SB so that the first buried layer 11 and the second buried layer 12 are located in the prescribed range of a border between the semiconductor substrate SB and an epitaxial layer EL, and moreover, an epitaxial layer EL is formed thereon.
第１の埋め込み層１１と第２の埋め込み層１２が半導体基板ＳＢとエピ層ＥＬの境界の所定範囲に存在するように、半導体基板ＳＢの上に第１の埋め込み層１１と第２の埋め込み層１２を形成し、さらにそれら上にエピ層ＥＬを積層形成する。 - 特許庁 - The silver halide photosensitive material includes a red-sensitive silver halide emulsion layer, a first intermediate layer, a green-sensitive silver halide emulsion layer, a second intermediate layer and a blue-sensitive silver halide emulsion layer in this order on a support body, and the first intermediate layer contains a chelating agent.
支持体上に、順に、赤感性ハロゲン化銀乳剤層、第一中間層、緑感性ハロゲン化銀乳剤層、第二中間層および青感性ハロゲン化銀乳剤層を有し、第一中間層がキレート化剤を含有することを特徴とするハロゲン化銀写真感光材料。 - 特許庁 - An organic layer in which at least a hole transport layer 14 and an organic luminous layer (electron transporting luminous layer) 15 are laminated is formed between a first electrode 12 and a second electrode 16, and the organic layer is connected to the first electrode 12 via an opening of an insulating layer 13.
第１の電極１２と第２の電極１６との間に、少なくともホール輸送層１４と有機発光層（電子輸送性発光層）１５とが積層された有機層が形成され、その有機層を絶縁層１３の開口部を介して第１の電極１２に接続させる。 - 特許庁 - The composite layer includes a liquid absorbable layer 13, a first unabsorbable layer with perforation lines 7a, 7b, 7c stuck on the top face of the layer 13 through the first adhesive agent 12 and a second unabsorbable layer stuck on the bottom face of the layer 13 through a second adhesive.
複合層は、吸液性層１３と、第１接着剤１２を介して吸液性層１３の上面に貼り合わされた、ミシン目７ａ、７ｂ及び７ｃを有する第１非吸液性層と、第２接着剤を介して吸液性層１３の下面に貼り合わされた第２非吸液性層とからなる。 - 特許庁 - The first metal layer 602 and the second metal layer or the insulation layer 603 are patterned, by using a mask pattern in which the position of the mask pattern to pattern the first metal layer 602 and the second metal layer or the insulation layer 603 is shifted to the position 614 of the gap.
第一の金属層６０２と第二の金属層又は絶縁層６０３をパターニングするためのマスクパターンの位置がギャップの位置６１４に対してずれたマスクパターンを用いて、第一の金属層６０２と第二の金属層又は絶縁層６０３をパターニングされる。 - 特許庁 - In the semiconductor stack structure 20, a columnar mesa 14 is formed by part of the first conductivity type layer 11 and the light absorbing layer 12, and in the light absorbing layer 12 or between the first conductivity type layer 11 and the light absorption layer 12, an oxidation layer 19 is provided.
半導体積層構造２０のうち第１導電型層１１の一部と、光吸収層１２とにより柱状のメサ部１４が構成されており、光吸収層１２の内部に、または第１導電型層１１と光吸収層１２との間に酸化層１９が設けられている。 - 特許庁 - For the inorganic EL element provided with a first electrode, a first insulating layer, a light-emitting layer, a second insulating layer, and a second electrode on a substrate, a barrier layer is formed between the second insulating layer and the second electrode, and damage of the second insulating layer is restrained in formation of the second transparent electrode.
基板上に、第１電極、第１絶縁層、発光層、第２絶縁層、および第２電極を備えた無機ＥＬ素子であって、第２絶縁層と第２電極との間にバリア層を形成し、第２透明電極の形成時における第２絶縁層のダメージを抑制した無機ＥＬ素子。 - 特許庁 - A thermal transfer film is provided with a base 2, a first bonding layer 3 formed on one face of the base 2, a dye layer 4 formed on the first bonding layer 3, a second bonding layer 5 formed on the other face of the base 2 and a back coat layer 6 formed on the second bonding layer 5.
基材と、上記基材の一方の面上に形成された第１の接着層と、上記第１の接着層上に形成された染料層と、上記基材の他方の面上に形成された第２の接着層と、上記第２の接着層上に形成されたバックコート層とを備える。 - 特許庁 - A structure of a contact layer possessed by a nitride semiconductor laser is made a double layer structure (p-InGaN first contact layer and a p-GaN second contact layer), and a lattice constant of the p-GaN second contact layer is made smaller than that of the p-InGaN first contact layer.
本発明に係る窒化物半導体レーザが有するコンタクト層の構造を２層構造（ｐ−ＩｎＧａＮ第１コンタクト層およびｐ−ＧａＮ第２コンタクト層）とし、ｐ−ＧａＮ第２コンタクト層の格子定数をｐ−ＩｎＧａＮ第１コンタクト層の格子定数よりも小さくする。 - 特許庁 - The solar cell is also provided with a compound layer 20 containing a group Ia element and Al in at least one interlayer selected from among the interlayers between the substrate 11 and the first conductive layer 13, between the first conductive layer 13 and the light absorbing layer 14, and between the light absorbing layer 14 and the second conductive layer 17.
基板１１と第１の導電層１３との間、第１の導電層１３と光吸収層１４との間、および光吸収層１４と第２の導電層１７との間から選ばれる少なくとも１つの層間に、Ｉａ族元素とＡｌとを含む化合物層２０を備える。 - 特許庁 - As a recording layer with a thickness of 2-4 nm, a first reaction layer the main component of which is Si, a second reaction layer the main component of which is Cu, and a barrier layer the constitutent of which comprises an element which does not form an alloy with Si and Cu and are provided between the first reaction layer and the second reaction layer.
記録層として、主成分がＳｉである第１反応層、主成分がＣｕである第２反応層および第１反応層と第２反応層の間に構成元素がＳｉ及びＣｕと合金を形成しない元素からなる厚み２ｎｍ以上４ｎｍ以下のバリア層を設ける。 - 特許庁 - A semiconductor laser 30 has a structure A including an active layer 36 and a second conductivity type semiconductor layer 37 becoming a clad layer, and a structure B including a first conductivity type semiconductor layer on the first conductivity type semiconductor layer 31 which becomes a clad layer on a high resistance semiconductor substrate 20.
半導体レーザ３０は、高抵抗半導体基板２０上のクラッド層となる第１導電型半導体層３１の上に、活性層３６及びクラッド層となる第２導電型半導体層３７を含む構造部Ａと、第１導電型の半導体層を含む構造部Ｂとを有する。 - 特許庁 - A germanium light receiver is equipped with at least: a first germanium layer 102 formed on a silicon layer 101; a second germanium layer 103 formed on the first germanium layer 102; and a silicon cap layer 104 formed on the second germanium layer 103 while covering the top surface thereof.
シリコン層１０１の上に形成された第１ゲルマニウム層１０２と、第１ゲルマニウム層１０２の上に形成された第２ゲルマニウム層１０３と、第２ゲルマニウム層１０３の上に第２ゲルマニウム層１０３の上面を覆って形成されたシリコンキャップ層１０４とを少なくとも備える。 - 特許庁 - The electronic element has a PN junction formed by joining a first semiconductor layer and a second semiconductor layer together, wherein the first semiconductor layer is an oxide semiconductor layer formed of a copper oxide, and the second semiconductor layer is an oxide semiconductor layer formed of a rare earth iron oxide.
第１の半導体層と第２の半導体層とを接合させて形成したＰＮ接合を備えた電子素子において、第１の半導体層を、酸化銅で形成した酸化物半導体層とし、第２の半導体層を、希土類鉄酸化物で形成した酸化物半導体層とする。 - 特許庁 - The external base layer is formed with two layers: a first external base layer 7 made of polycrystal silicon germanium and a second external base layer 8 whose etching rate differs from that of the first layer, the shape of the external base layer is subject to patterning and thereafter the second external base layer 8 is selectively removed by etching.
外部ベース層を、多結晶シリコンゲルマニウムからなる第１の外部ベース層７と、第１の層とはエッチングレートの異なる第２の外部ベース層８の２層から形成し、外部ベース部分の形状をパターニング後、第２の外部ベース層８をエッチングにより選択的に除去する。 - 特許庁 - A channel layer 14, a first electron supply layer 15, a field intensity reducing layer 16, a first contact layer 17, a recess stopper layer 50, and a second contact layer 18 are sequentially laminated on compound semiconductor substrates 11, 12, and 13.
ヘテロ接合型化合物半導体電界効果トランジスタは、化合物半導体基板１１，１２，１３上にチャネル層１４、第１の電子供給層１５、電界強度緩和層１６、第１のコンタクト層１７、リセスストッパ層５０及び第２のコンタクト層１８が順次積層されて構成されている。 - 特許庁 - In the composite sound-absorbing material of inorganic fiber and organic fiber which has composite three-layer structure has a second layer sandwiched in between first and third layers, the first layer and the third layer comprise PET organic fiber layers, and the second layer is formed of an aluminum fiber layer.
第１層と第３層との間に第２層をサンドイッチ状に挟着した複合三層構造の吸音材であって、第１層および第３層はＰＥＴ有機繊維層からなり、かつ、第２層はアルミニウム繊維層からなる無機繊維と有機繊維の複合吸音材およびその製造方法である。 - 特許庁 - The external electrode 5 has an underlying metal layer 5a which closely contacts with the base body 2 and electrically connected with the leading terminals 4a, a first plated metal layer 5b to protect the underlying metal layer, and a second plated metal layer 5c to improve solder wettability with the first plated metal layer to protect the underlying metal layer 5a.
この外部電極５は、電子部品素体２に密着し引出端部４ａと電気的に接続する下地金属層５ａと、該下地金属層５ａを保護する第一のメッキ金属層５ｂと半田濡れ性を向上させる第二のメッキ金属層５ｃとを有する。 - 特許庁 - One of the relation between the magnetization direction of a film of the storage layer which faces the first intermediate layer and the magnetization direction of the first pinned layer, and the relation between the magnetization direction of a film of the storage layer which faces the second intermediate layer and the second pinned layer is parallel relation and the other is antiparallel relation.
記憶層の第１中間層と面する膜の磁化方向と第１固着層の磁化方向との関係と、記憶層の第２中間層と面する膜の磁化方向と第２固着層との磁化方向との関係と、の一方が平行で他方が反平行となる。 - 特許庁 - In the selective reflection layer 4, a first layer in close contact with the medium 3 is a film layer 4c of ITO as one kind of transparent conductive oxide, and a low-refraction film layer 4a and a high-refraction film layer 4b are formed alternately on the first layer to actualize desired optical characteristics.
選択性反射層４は、媒質３に密着した第１層が透明導電性酸化物の一種であるＩＴＯの膜層４ｃであり、その上に低屈折膜層４ａと高屈折膜層４ｂとを交互に形成して所望の光学特性を実現する。 - 特許庁 - In the printed material 5, the thickness of the light shielding layer 532 is unequal according to the unevenness of first image layer 52, whereby the plane of the intermediate layer 53 which comes into contact with the second image layer 54 is flat and the unevenness of the first image layer 52 is prevented in the second image layer 54.
印刷物５では、遮光層５３２の厚さが第１画像層５２の凹凸に合わせて不均一であることにより、中間層５３の第２画像層５４に接する面が平らであり、第１画像層５２の凹凸が第２画像層５４に現れることが防止または抑制される。 - 特許庁 - In a part where the first part 13A of the upper magnetic pole layer 13 and a lower magnetic pole layer 8 oppose each other through a recording gap layer 9, the first part 13A, the recording gap layer 9 and a part of the lower magnetic pole layer 8 on the recording gap layer 9 side are set equal to one another in width.
上部磁極層１３の第１の部分１３Ａと下部磁極層８とが記録ギャップ層９を介して対向する部分では、第１の部分１３Ａ、記録ギャップ層９および下部磁極層８の記録ギャップ層９側の一部の幅が等しくされている。 - 特許庁 - When the crystallized silicon layer is formed, a first polycrystalline layer 1x is formed on a substrate body 10d, a metal catalyst layer 8 is formed on the first polycrystalline silicon layer 1x, and an amorphous silicon layer 4x is formed on the metal catalyst layer 8.
結晶化シリコン層を形成するにあたって、基板本体１０ｄ上に第１多結晶シリコン層１ｘを形成した後、第１多結晶シリコン層１ｘ上に金属触媒層８を形成し、金属触媒層８上に非結晶シリコン層４ｘを形成する。 - 特許庁 - The information recording medium includes: a substrate 2, a recording layer 8, a first backing layer 3 formed of a soft magnetic material; and a second backing layer 4 whose compensation temperature is signal reproduction temperature, and the first backing layer 3, the second backing layer 4 and the recording layer 8 are layered in this order on the substrate 2.
基板２と記録層８と軟磁性体より形成される第１の裏打ち層３と補償温度が信号再生温度である第２の裏打ち層４とを、基板２上に第１の裏打ち層３、第２の裏打ち層４、記録層８の順に積層して設ける。 - 特許庁 - In a portion where the first portion 13A of the upper magnetic pole layer 13 and a lower magnetic pole layer 8 are confronted with a recording gap layer 9 therebetween, the widths of the first portion 13A, of the recording gap layer 9 and of a portion of the lower magnetic pole layer 8 at a side of the recording gap layer 9 are made equal.
上部磁極層１３の第１の部分１３Ａと下部磁極層８とが記録ギャップ層９を介して対向する部分では、第１の部分１３Ａ、記録ギャップ層９および下部磁極層８の記録ギャップ層９側の一部の幅が等しくされている。 - 特許庁 - Each unit electrostatic capacity 21 is equipped with a first electrode layer of impurity diffused layer formed inside the silicon substrate, a second electrode layer of conductive polysilicon layer, and a dielectric layer of silicon oxide interposed between the first and second electrode layer.
各単位静電容量部２１は、シリコン基板１０内に形成された不純物拡散層からなる第１の電極層と、導電性ポリシリコン層からなる第２の電極層と、第１の電極層および第２の電極層の間に配置された酸化シリコン層からなる誘電体層とを有する。 - 特許庁 - A first metal layer 31a is formed on a counter insulation layer 22, a second metal layer 32a is formed on the frame body part 14 separated from the silicon wafer of a functional layer and the first metal layer 31a is bonded to the second metal layer 32a by eutectic bonding or diffusion bonding.
対向絶縁層２２に第１の金属層３１ａが形成され、機能層のシリコンウエハから分離された枠体部１４に第２の金属層３２ａが形成され、第１の金属層３１ａと第２の金属層３２ａとが共晶接合または拡散接合で結合されている。 - 特許庁 - A first base material 31 and the medium to be printed 33 are layered via a first pressure-sensitive adhesive layer 32 in the first small-wound tape 11.
第１小巻テープ１１では、第１粘着剤層３２を介して第１基材３１と被印字媒体３３とが積層される。 - 特許庁 - Each of the first portions has a portion overlapping the contact surface between the first contact portion and the first semiconductor layer when viewed from the stack direction.
第１部分は、積層方向にみたときに、第１接触部における第１半導体層との接触面と重なる部分を有する。 - 特許庁 - Each separator is provided with a first separator element facing to a first electrode layer of a first unit cell among two adjacent unit cells.
各セパレータは、隣り合う２つの単セルのうちの第１の単セルの第１の電極層に対向する第１のセパレータ要素を備える。 - 特許庁 - The end of the first interior channel formation member is in contact with a surface on the first separator side of a diffusion layer on the first separator side.
第１の内部流路形成部材の端部は第１のセパレータ側の拡散層の第１のセパレータ側の表面に接触している。 - 特許庁 - A first base material 31 and the medium to be printed 33 are layered via a first pressure-sensitive adhesive layer 32 in the first small-wound tape 11.
第１小巻テープ１１では、第１粘着剤層３２を介して第１基材３１と被印字媒体３３とが積層されている。 - 特許庁 - A first base material 31 and the medium 33 to be printed are layered via a first pressure-sensitive adhesive layer 32 in the first small-wound tape 11.
１小巻テープ１１では、第１粘着剤層３２を介して第１基材３１と被印字媒体３３とが積層されている。 - 特許庁 - The disinfecting layer 71, disposed on one outer surface, includes a first component for disinfection and a first binder for bonding the first component.
除菌層７１は、一方の外表面に設けられ、除菌用の第１成分と、第１成分を接着する第１バインダーとを含む。 - 特許庁 - A first internal electrode 21 included in the first electrode layer 20 is electrically connected to first and second terminal electrodes 1 and 2.
第１の電極層２０に含まれる第１の内部電極２１は、第１及び第２の端子電極１、２と電気的に接続される。 - 特許庁 - The remote end of this stack includes a first SOI region with a first semiconductor layer of a certain thickness having a first surface orientation.
このスタックの遠位端は、第１表面配向を有するある厚さの第１半導体層を伴う第１のＳＯＩ領域を含む。 - 特許庁 - The first semiconductor layer has the first region 2 of a first conduction type, and the second region 3 of a first conduction type formed on the first region 2 and having impurity concentration lower than that of the first region 2.
第１半導体層は、第１導電型の第１領域２と、該第１領域２の上に形成され、第１領域２よりも不純物濃度が低い第１導電型の第２領域３とを有している。 - 特許庁 - The first control layer 117 includes a lower layer 117a, an intermediate layer 117b formed on the lower layer 117a having lower impurity concentration compared with the lower layer 117a, and an upper layer 117c formed on the intermediate layer 117b having higher-impurity concentration, as compared with the intermediate layer 117b.
第１のコントロール層１１７は、下層１１７ａと、下層１１７ａの上に形成され、下層１１７ａと比べて不純物濃度が低い中層１１７ｂと、中層１１７ｂの上に形成され、中層１１７ｂと比べて不純物濃度が高い上層１１７ｃとを有している。 - 特許庁 - The synthetic resin molding has a three-layer structure composed of a front surface layer 5 formed of the first synthetic resin composition 2, a back surface layer 6 formed of the second synthetic resin composition 3 and the interlayer layer sheet 1 formed in an interface between the front surface layer 5 and the back surface layer 6 and integrated with the front surface layer 5 and the back surface layer 6.
第１の合成樹脂組成物２よりなる表面層５と、第２の合成樹脂組成物３よりなる裏面層６と、表面層５と裏面層６との界面に設けられて表面層５及び裏面層６と一体となった界面層シート１の３層構造となっている。 - 特許庁 - This antenna substrate is equipped with: a conductor layer; a first soft magnetic layer arranged on the conductor layer; a patch layer where a plurality of conductor patches are two-dimensionally arranged on the soft magnetic layer; and a dielectric layer located on the patch layer when the conductor layer side is set on a lower side and having a mounting surface for an antenna pattern.
アンテナ基板が、導体層と、導体層上に配置される第１の軟磁性層と、軟磁性層上に複数の導体パッチが２次元的に配列されているパッチ層と、導体層側を下方としたときのパッチ層上に位置し、アンテナパターンの搭載面を有する誘電体層と、を備える。 - 特許庁 - The first reflection layer 3 has a layer essentially comprising titanium oxide, the second reflection layer 5 has a layer essentially comprising titanium oxide, the third reflection layer 7 has an alloy layer essentially comprising silver, and the fourth reflection layer 9 has an alloy layer essentially comprising aluminum.
第１の反射層３は酸化チタンを主成分とする層を有し、第２の反射層５は酸化チタンを主成分とする層を有し、第３の反射層７は銀を主成分とする合金からなる層を有し、第４の反射層９はアルミニウムを主成分とする合金からなる層を有する。 - 特許庁 - The composite film is formed of a first layer being an inner protective layer made of a thermoplastic resin material, a second layer of a metal foil layer, a third layer being an inner layer made of a thermoplastic resin material, and a fourth layer being an outer protective layer made of a thermosetting resin material.
複合フイルムは、内面側から一層目の熱可塑性樹脂材料からなる内部保護層と、二層目の金属箔層と、三層目の熱可塑性樹脂材料からなる内部層と、四層目の熱硬化性樹脂材料からなる外部保護層とで形成されている。 - 特許庁 - In a vertical magnetic recording medium provided with a magnetic layer 6 on a non-magnetic substrate 1, the magnetic layer 6 is constituted by multi-layer-laminating alternately a Co layer being a first magnetic layer 6a and a Pd layer being a second magnetic layer 6b, SiO_2 is added to the second magnetic layer 6b.
非磁性の基板１上に磁性層６を備えている垂直磁気記録媒体において、磁性層６は、第１の磁性層６ａであるＣｏ層と第２の磁性層６ｂであるＰｄ層とを交互に多層積層して構成され、第２の磁性層６ｂには、ＳｉＯ_２を添加する。 - 特許庁 - A card 10 having a concealing layer for concealing a magnetic layer 12 and a fluorescent ink printing layer for preventing forgery is provided with at least a layer constitution wherein the fluorescent ink printing layer 18 is provided on a first concealing layer 14 and a second concealing layer 15 is provided on the fluorescent ink printing layer.
磁気層１２を隠蔽する隠蔽層、偽造防止のための蛍光インキ印刷層を有しているカードにおいて、少なくとも、第１隠蔽層１４上に蛍光インキ印刷層１８、蛍光インキ印刷層上に第２隠蔽層１５を設けた層構成を有するカード１０。 - 特許庁 - Each of the well layers has a p-side interface portion including the interface between the well layer and the barrier layer at the second semiconductor layer side as viewed from the well layer, and an n-side interface portion including the interface between the well layer and the barrier layer at the first semiconductor layer side as viewed from the well layer.
前記井戸層は、前記井戸層からみて前記第２半導体層の側の前記障壁層との界面を含むｐ側界面部分と、前記井戸層からみて前記第１半導体層の側の前記障壁層との界面を含むｎ側界面部分と、を有する。 - 特許庁 - This semiconductor laser element 500 is composed by successively laminating a buffer layer 2, an undoped GaN layer 3, an n-contact layer 4, an n-crack prevention layer 5, an n-clad layer 6, a light emitting layer 7, a p-clad layer 8 and a p-first contact layer 9a on a sapphire substrate 1 whose thickness t1 is 500 μm.
半導体レーザ素子５００は、厚さｔ_1 が５００μｍのサファイア基板１上にバッファ層２、アンドープＧａＮ層３、ｎ−コンタクト層４、ｎ−クラック防止層５、ｎ−クラッド層６、発光層７、ｐ−クラッド層８およびｐ−第１コンタクト層９ａが順に積層されてなる。 - 特許庁 - In the semiconductor laser, a clad layer 2, a guide layer 3, an MQW active layer 4, a guide layer 5, a first clad layer 6, an etching stopping layer 7, and a stripe-like second clad layer 8 are successively formed on an n-type GaAs substrate 1, and current blocking layers 9 are formed on both sides of the second clad layer 8.
ｎ−ＧａＡｓ基板１上にクラッド層２、ガイド層３、ＭＱＷ活性層４、ガイド層５、第一のクラッド層６、エッチングストップ層７、ストライプ状の第二クラッド層８を順次形成しており、第二のクラッド層８の両側に電流ブロック層９を有している。 - 特許庁 - A first fuel hose 29 consists of the resin layer 31 as a barrier layer with permeability resistance to a gasoline fuel, an outer rubber layer 33 as an outer surface rubber layer outside this resin layer 31, an inner rubber layer 35 as an inner surface rubber layer inside the resin layer 31.
第１の燃料ホース２９を、ガソリン燃料に対して耐透過性を有するバリア層としての樹脂層３１と、この樹脂層３１の外側の外面ゴム層としての外ゴム層３３と、樹脂層３１の内側の内面ゴム層としての内ゴム層３５と、から構成する。 - 特許庁 - The photoelectric conversion device is provided with the photoelectric conversion element and an element isolation region disposed to a semiconductor substrate, and has a plurality of inter-layer insulating layers including a first inter-layer insulating layer disposed most closely to the semiconductor substrate and a second inter-layer insulating layer disposed covering the first inter-layer insulating layer.
光電変換装置は、半導体基板に配された光電変換素子と素子分離領域とを有し、半導体基板に最も近接して配された第１の層間絶縁層と、第１の層間絶縁層を覆って配された第２の層間絶縁層と、を含む複数の層間絶縁層とを有する。 - 特許庁 - The piezoelectric actuator 1 includes a substrate 3, a dummy layer 5 arranged on the substrate 3 and made of a ceramic material, a first electrode layer 7 arranged on the dummy layer 5, a piezoelectric layer 9 arranged on the first electrode layer 7 and made of a ceramic material, and a second electrode layer 11 arranged on the piezoelectric layer 9.
圧電アクチュエータ１は、基板３と、基板３上に配置され、セラミック材料からなるダミー層５と、ダミー層５上に配置された第１の電極層７と、第１の電極層７上に配置され、セラミック材料からなる圧電層９と、圧電層９上に配置された第２の電極層１１と、を備えている。 - 特許庁
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