「First layer」を含む例文一覧(24472)
＜前へ 1 2 .... 64 65 66 67 68 69 70 71 72 .... 489 490 次へ＞- Because of keeping a first through-hole 16 located at the central portion, the polishing layer 13 prevents the peeling of the polishing layer 13 from the backing layer 14 due to the deformation of the polishing layer 13.
研磨層１２は、中央部に第１貫通孔１６が形成されているので、研磨層１３の変形による研磨層１３と下地層１４との剥離を防止する。 - 特許庁 - A size of the opening measured on a face of the second insulation layer facing the first insulation layer is made smaller than a size of the opening measured on a face of the first insulation layer facing the second insulation layer.
そして、第１絶縁層に向かう第２絶縁層の一面で測定される開口部の大きさが、第２絶縁層に向かう第１絶縁層の一面で測定される開口部の大きさより小さく形成される。 - 特許庁 - Next, the first layer 41 and the second layer 42 are formed into a reticulated structure by removing parts of the first layer 41 and the second layer 42 formed in the part other than the groove 31 on the outer surface of the core material 3.
次に、芯材3の外表面の溝31以外の部分に形成された第1の層41及び第2の層42の部分を除去することにより、第1の層41及び第2の層42を前記網目構造をなすものとする。 - 特許庁 - The second low-resistance layer 111 is made of a dislocation layer of C54 or the like in which the lattice structure of the first low-resistance layer 111a is dislocated by thermal energy, and it is lower in electric resistance than the first low-resistance layer 111a.
第２低抵抗層１１１は、第１低抵抗層１１１ａの格子構造が熱エネルギーによって転位してなるＣ５４等の転位層であり、第１低抵抗層１１１ａより電気抵抗が低い。 - 特許庁 - The low-refractive-index layer has a refractive index lower than a refractive index of the first semiconductor layer, and partially covers the light extraction surface, and a part or all of the low-refractive-index layer is embedded in the first semiconductor layer.
前記低屈折率層は、前記第１半導体層の屈折率よりも低い屈折率を有し、前記光取り出し面を部分的に覆い、一部または全部が前記第１半導体層に埋め込まれている。 - 特許庁 - Then, a laminated body of the first Si layer 21, the first SiGe layer 22 and the peeled second Si layer 23a is connected and integrated on a silicon oxide film 3 as a peeled epitaxial layer.
すると、シリコン酸化膜３上には被剥離エピタキシャル層部分として、第一のＳｉ層２１、第一のＳｉＧｅ層２２及び剥離した第二のＳｉ層２３ａの積層体が結合・一体化された状態となる。 - 特許庁 - A plane layer 46 for connecting a plurality of vias 42 formed in a first insulation layer 36 with copper plating posts 50 formed on the surface of a second insulation layer 36 is formed on the surface of the first insulation layer 36.
第１絶縁層３６の表面に、第１絶縁層３６に形成された複数のビア４２と第２絶縁層３６の表面に形成される銅めっきポスト５０とを接続するためプレーン層４６を形成する。 - 特許庁 - An active layer includes a first active layer 1 containing AlGaInAs and a second active layer 2 that is located closer to an output side of an optical signal than to the first active layer 1 and contains GaInAsP.
活性層には、ＡｌＧａＩｎＡｓを含有する第１の活性層１と、第１の活性層１よりも光信号の出力側に位置し、ＧａＩｎＡｓＰを含有する第２の活性層２と、が設けられている。 - 特許庁 - A plain layer 46 is formed on a surface of a first insulating layer 36 in order to connect a plurality of vias 42 formed in the first insulating layer 36 with a copper plating post 50 formed on a second insulating layer 48.
第１絶縁層３６の表面に、第１絶縁層３６に形成された複数のビア４２と第２絶縁層４８に形成される銅めっきポスト５０とを接続するためプレーン層４６を形成する。 - 特許庁 - Furthermore, the first protective layer 8 and the second protective layer are formed to almost the same film thickness, and the first lubrication layer 9 and the second lubrication layer are formed to almost the same film thickness.
さらには、第１の保護層８の膜厚と第２の保護層の膜厚とを互いにほぼ等しくするとともに、第１の潤滑層９の膜厚と第２の潤滑層の膜厚とを互いにほぼ等しくする。 - 特許庁 - A first magnetization fixed layer is deposited to have an amorphous structure, and then a first tunnel barrier layer, a magnetization free layer, and a second tunnel barrier layer are deposited thereon to have a polycrystalline structure containing crystal grains.
第１磁化固定層をアモルファス構造となるように成膜を行い、その上に第１トンネルバリア層、磁化自由層、第２トンネルバリア層を結晶粒を含んだ多結晶構造を有した状態で成膜を行う。 - 特許庁 - This ceramic multilayered substrate 10 is provided with (a) a first insulation layer 13, (b) a second insulation layer 14 arranged in contact with the first insulation layer 13, and (c) wiring electrodes 16 embedded only in the second insulation layer 14.
セラミック多層基板１０は、（ａ）第１の絶縁層１３と、（ｂ）第１の絶縁層１３に接して配置された第２の絶縁層１４と、（ｃ）第２の絶縁層１４のみに埋設された配線電極１６とを備える。 - 特許庁 - A lattice constant of the first nitride semiconductor constituting the second semiconductor layer 102 is small than that of the second nitride semiconductor constituting the third semiconductor layer 103, while a band-gap energy of the first nitride semiconductor constituting the second semiconductor layer 102 is larger than that of the second nitride semiconductor constituting the third semiconductor layer 103.
また、第２半導体層１０２を構成する第１窒化物半導体は、第３半導体層１０３を構成する第２窒化物半導体より格子定数が小さくバンドギャップエネルギーが大きい。 - 特許庁 - Since the first combustible fiber layer 131 is a fiber layer of combustible and sustainably combustible polyester fibers, the first combustible fiber layer 131 receives heat of the combustion of the second combustible fiber layer 132 and is burnt, and the combustion is sustained.
第１可燃繊維層１３１は、可燃性と燃焼持続性のポリエステル繊維の繊維層であるので、第２可燃繊維層１３２の燃焼に伴う熱を受けて燃焼し、その燃焼を持続させる。 - 特許庁 - While the first electrode catalytic layer 2a and the second electrode catalytic layer 2b are stacked in a membrane thickness direction, the water-retaining properties of the first electrode catalytic layer 2a and the second electrode catalytic layer 2b are different.
第１の電極触媒層２ａと第２の電極触媒層２ｂとが、膜厚方向に積層されているとともに、第１の電極触媒層２ａと第２の電極触媒層２ｂとの含水性が異なる。 - 特許庁 - The C component D is disposed between a first layer including the underbalanced transmission line UL and a second layer which is disposed opposite to the first layer through a dielectric layer and which contains the balanced transmission line BL.
Ｃ成分Ｄは、前記不平衡伝送線路ＵＬを含む第１層と、前記第１層に誘電体層を介して対向配置されており、前記平衡伝送線路ＢＬを含む第２層との間に設けられている。 - 特許庁 - The first conductor layer 10 of the gate electrode 4 contacts the surface of the gate oxide layer 22 in a first portion 40, and the second conductor layer 12 contacts the surface of the gate oxide layer in a second portion 42.
ゲート電極４の第１導電体層１０はゲート酸化物層２２表面の第１部分４０と接触しており、第２導電体層１２はゲート酸化物層の表面の第２部分４２と接触している。 - 特許庁 - The band gap of the second drift layer 12 is then reduced, gradually from the value of the band gap of the first drift layer 11, from the side of the first drift layer 11 to the side of the p^+ type drain layer 10.
そして、第２のドリフト層１２のバンドギャップは、第1のドリフト層１１側からｐ＋型ドレイン層１０側にかけて、第1のドリフト層１１のバンドギャップの値から徐々に小さくなることを特徴としている。 - 特許庁 - The electromagnetic wave shielding body comprises a first base layer, a carbon felt stacked on the first base layer, a second base layer stacked on the carbon felt, and a shield cloth stacked on a surface of the second base layer.
第１下地層と、この第1下地層の上方に積層されるカーボンフェルトと、このカーボンフェルトに積層される第２下地層と、この第２下地層の表面に積層されるシールドクロスからなることを特徴とする。 - 特許庁 - The first polysilicon layer and the second polysilicon layer having different crystal properties has been converted from an amorphous silicon layer of the first region and an amorphous silicon layer of the second region by a single crystallization process.
違う結晶特性を有する第１多結晶シリコン層と第２多結晶シリコン層は、単一結晶化工程により、第１領域の非晶質シリコン層と第２領域の非晶質シリコン層から転化された。 - 特許庁 - A third spacer layer 34 is formed on the first spacer layer, the second spacer layer, the first field plate, the gate, and the second field plate, and a third field plate 36 is formed on the third spacer layer and connected to the source.
第３のスペーサ層３４が、第１のスペーサ層、第２のスペーサ層、第１のフィールドプレート、ゲート、および第２のフィールドプレート上にあり、第３のフィールドプレート３６が、第３のスペーサ層上にあり、ソースに接続される。 - 特許庁 - Because of this surface treatment of the first resin layer 32, the bonding between the first resin layer 32 and the barrier layer 36 is retained firm even if an inorganic material with low compatibility with resin is used in the barrier layer 36.
この第１樹脂層３２の表面加工により、樹脂との親和性が低い無機材料をバリア層３６に用いているにも関わらず、第１樹脂層３２とバリア層３６との結合は強固に保たれる。 - 特許庁 - The first semiconductor layer has a first electric resistance value and covers at least parts of the surface of the insulating layer, and the second semiconductor layer has a second electric resistance value and covers at least parts of the surface of the insulating layer.
該第一半導体層は第一電気抵抗値を具え、少なくとも該絶縁層の部分表面を覆い、該第二半導体層は第二電気抵抗値を具え、少なくとも該絶縁層の部分表面を覆蓋する。 - 特許庁 - The sealing body is constituted by laminating at least a first rubber layer and a second rubber layer, in which fluororubber is compounded, and the first rubber layer and the second rubber layer are subjected to vulcanization bonding, so that gas permeability is low and heat resistance characteristic is superior.
少なくとも第１のゴム層とフッ素ゴムを配合した第２のゴム層とを積層してなり、第１のゴム層と第２のゴム層が加硫接合しているので、ガス透過性が低く、耐熱特性が良好である。 - 特許庁 - A p-type second drift layer 9 is formed, which is diffused into the epitaxial silicon layer 2 deeper than the first drift layer 6 and is extended to the lower left of the LOCOS film 4 from the lower portion of the first drift layer 6.
第１のドリフト層６より深くエピタキシャル・シリコン層２の中に拡散され、第１のドリフト層６の下方からＬＯＣＯＳ膜４の左側下方へ延びるＰ型の第２のドリフト層９が形成されている。 - 特許庁 - A balun includes a first metallic layer 210, a second metallic layer 220, a third metallic layer 230, a first dielectric layer 240 disposed between the second and third metallic layers, and a dielectric substrate 250.
バランは、第一の金属層２１０と、第二の金属層２２０と、第三の金属層２３０と、第二および第三の金属層間に配された第一の誘電体層２４０と、誘電体基板２５０と、を有する。 - 特許庁 - To provide a method of manufacturing electroforming mold by which the need of precise mask positionings when a first pattern layer and a second pattern layer are formed is eliminated and the displacement of the first pattern layer and the second pattern layer is hardly caused.
１層目のパターンを形成するときと２層目のパターンを形成するときのマスクの正確な位置合わせが不要となり、しかも、１層目のパターンと２層目のパターンの位置ずれがほとんど生じることがない。 - 特許庁 - Since the first frame-shaped metallization layer 104 is thin, bleeding is minimized and a gap 109 can be ensured, and bonding strength of the frame-shaped metallization layer can be assured by the second frame-shaped metallization layer 105 which covers a part of the first frame-shaped metallization layer 104.
第１枠状メタライズ層104が薄いためにじみを抑制してギャップ109を確保でき、第１枠状メタライズ層104の一部を覆う第２枠状メタライズ層105により枠状メタライズ層の接合強度を確保できる。 - 特許庁 - The polymer-polymer bonding can promote the mechanical joint of the first layer and the second layer to the graphite sheet and promote the provision of heat conduction between the first layer and the second layer.
このポリマー−ポリマー接合は、第１の層および第２の層をグラファイト・シートに機械的に接合することを促進することができ、第１の層と第２の層との間に熱伝導を提供することを促進することができる。 - 特許庁 - The area of the region of the second electrode overlapping the light-emitting layer when viewed from the stacking direction from the first semiconductor layer to the second semiconductor layer is larger than the contact area of the contact portion with the first semiconductor layer.
第１半導体層から第２半導体層へ向かう積層方向にみたときに発光層と重なる第２電極の領域の面積は、接触部の第１半導体層との接触面積よりも大きい。 - 特許庁 - A thermal barrier coating system includes a substrate, a first transition metal layer on the substrate, a bond coat on the first transition metal layer, a second transition metal layer on the bond coat, and an optional ceramic topcoat on the second transition metal layer.
基材、基材の上の第１遷移金属層、第１遷移金属層の上のボンドコート、ボンドコートの上の第２遷移金属層および第２遷移金属層の上の任意のセラミックトップコートを含むサーマルバリアコーティングシステム。 - 特許庁 - The semiconductor laser comprises an MQW active layer formed on a first conductivity type clad layer formed on a first conductivity type substrate, and a second conductivity type clad layer formed on the active layer.
本発明の半導体レーザでは、第１導電型基板上に形成された第１導電型のクラッド層上にＭＱＷ活性層が形成され、その上に第２導電型の第１クラッド層が形成されている。 - 特許庁 - The reinforcing cloth 3 has a first layer 3a which includes a binder and a second layer 3b which either includes no binders or includes less amount of binders than the first layer, and the second layer 3b is arranged at the pad body 2 side.
該補強布３は、バインダーを含む第１層３ａとバインダーを含まないか又は第１層よりもバインダー含有量が少ない第２層３ｂとを有しており、該第２層３ｂがパッド本体２側に配置されている。 - 特許庁 - This electromagnetic wave shielding film comprises a first layer film and a second layer film formed on the surface of a molded plastic product, wherein the first layer film consists of a Cu material, and the second layer film consists of a Sn-Cu-Ni alloy or a Sn-Cu-chromium (Cr) alloy.
プラスチック成形品の表面に形成された第１層被膜および第２層被膜であり、該第１層被膜の材質はCu、第２層被膜の材質は、Sn-Cu-Ni合金またはＳn-Cu-クロム(Cr)合金である。 - 特許庁 - The semiconductor device comprises: a first insulating layer; a substrate including the first insulating layer and stacked second insulating layers; a semiconductor element provided on the opposite side to the side of the first insulating layer on which the second insulating layers are provided; circuit patterns provided between the first insulating layer and the second insulating layer; and potential parts provided between the first insulating layer and the second insulating layer.
実施形態によれば、半導体装置は、第１の絶縁層と、前記第１の絶縁層と積層された第２の絶縁層と、を有する基板と、前記第１の絶縁層の前記第２の絶縁層が設けられた側とは反対側に設けられた半導体素子と、前記第１の絶縁層と、前記第２の絶縁層と、の間に設けられた回路パターンと、前記第１の絶縁層と、前記第２の絶縁層と、の間に設けられた電位部と、を備える。 - 特許庁 - The floor laying material 1 has the carpet 11 to which a backing layer 12 is applied; a first felt layer 13 adhered to a desired area on the backing layer 12 side of the carpet 11; and a second felt layer 14 adhered to a back surface of the first felt layer 13.
フロア敷設材１は、裏打ち１２が施されたカーペット１１と、カーペット１１の裏打ち１２側の所望の領域に貼着された第１のフェルト層１３と、第１のフェルト層１３の裏面に貼着された第２のフェルト層１４とを有する。 - 特許庁 - In a four-layer board, a circuit pattern 1 of a first conductor layer of an inner layer and a circuit pattern 2 of a second conductor layer are made the same circuit pattern when viewed from the same direction, and a first insulating layer 5 between both of the layers is thinned.
４層基板において内層の第１の導体層の回路パターン１と第２の導体層の回路パターン２を同一方向から見て同一回路パターンとし、かつ両層間の第１の絶縁層１の厚みを薄くしたことを特徴とする。 - 特許庁 - A dummy layer is formed on an element separating area in a logical operation circuit by patterning a stopper layer and a first conductive layer in a memory area as well as the stopper layer and the first conductive layer in a logical operation circuit area.
メモリ領域内のストッパ層と第１導電層とをパターニングするとともに、ロジック回路領域内のストッパ層と第１導電層とをパターニングすることにより、ロジック回路内の前記素子分離領域上にダミーゲート層を形成する。 - 特許庁 - An n-type AlGaAs clad layer of a first semiconductor laser 39 to be formed previously on an n-type GaAs buffer layer 22 is formed in the double-layer structure of the secondn-type Al_xGa_1-xAs (x = 0.500) clad layer 23 and the first n-type Al_xGa_1-xAs (x = 0.425) clad layer 24.
ｎ型ＧaＡsバッファ層２２上に先に形成する第１半導体レーザ３９のｎ型ＡlＧaＡsクラッド層を、第２ｎ型Ａl_xＧa_1-xＡs(ｘ＝０.５００)クラッド層２３と第１ｎ型Ａl_xＧa_1-xＡs(ｘ＝０.４２５)クラッド層２４との２層構造に成す。 - 特許庁 - The cushioning member 30 includes a first layer 31 arranged at an internal wall side of the hard disk drive device 12, a second layer 32 arranged at the hard disk drive device 12 side, and a third layer 33 arranged between the first layer 31 and the second layer 32.
緩衝部材３０は、ハードディスクドライブ本体１２の内壁側に配置された第１層３１、ハードディスクドライブ本体１２側に配置された第２層３２、第１層３１と第２層３２との間に配置された第３層３３とを備えている。 - 特許庁 - The non-magnetic seed layer has a first seed layer of an Ni alloy having an fcc structure, and a second seed layer of an Ni alloy having an fcc structure and formed between the first seed layer and the non-magnetic intermediate layer.
非磁性シード層は、ｆｃｃ構造を有するＮｉ合金で形成された第１のシード層と、第１のシード層と非磁性中間層との間に設けられておりｆｃｃ構造を有するＮｉ合金で形成された第２のシード層を有する。 - 特許庁 - The thickness shows that the layer includes at least a first layer of the electricigenic microbes directly contacting the anode, and a second layer of the electricigenic microbes directly contacting the first layer to allow the second layer to indirectly contact the anode.
この厚さは、該層に、少なくとも、上記アノードに直接接触するelectricigenic微生物の第１層と、第２層が上記アノードと間接的に接触するように上記第１層へ直接接触するelectricigenic微生物の第２層と、が含まれることを示す。 - 特許庁 - The layer has, for example, a first thermosensitive recording layer and a second thermosensitive recording layer laminated on the first layer, and the second layer contains a polyvinyl alcohol or a modified polyvinyl alcohol and the absorber.
感熱記録層は、例えば、感熱記録層が、第一感熱記録層と該第一感熱記録層上に積層された第二感熱記録層とからなり、第二感熱記録層がポリビニルアルコールまたは変性ポリビニルアルコールおよび紫外線吸収剤を含有する。 - 特許庁 - In a sensor substrate 1 to which a columnar phosphor is deposited, a moisture-proof layer is made of a first hot-melt resin 8a, a second hot-melt layer 8b is formed on the first hot-melt resin, and a reflective layer 9 and a reflective layer protective layer 10 are provided.
柱状蛍光体を蒸着したセンサ基板１に対し、第１のホットメルト樹脂８ａで防湿層を形成し、第２のホットメルト層８ｂを第１のホットメルト樹脂上に形成し、反射層９、反射層保護層１０を設ける。 - 特許庁 - Since the interval of the first free layer and the stopper layer can be increased by the second free layer, Ru in the stopper layer can be prevented from adhering to the tunnel insulating film, and thereby prevented from appearing on the interface of the first free layer.
第１自由層とストッパー層との間隔を第２自由層により大きくできるため、ストッパー層のＲｕがトンネル絶縁膜に付着することを防止でき、ストッパー層のＲｕが第１自由層の界面に現れることを防止できる。 - 特許庁 - To protect a quantum well layer and a barrier layer against damage by a method wherein an In-containing first nitride semiconductor layer is formed, a substrate is made to rise in temperature as a second another nitride semiconductor layer is formed, an In-free third nitride semiconductor layer is formed, and a first to a third process are successively carried out.
結晶成長によりインジウムを含む半導体層を安定に形成する、例えば良好な活性層を備えた窒化物レーザを製造できる、インジウムを含む窒化物半導体結晶の成長方法を提供する。 - 特許庁 - The first layer 31 has 68 to 74% of a width dimension D1 in contrast with a section width SW, and then the relation of; the width dimension of the first layer 31 > the width dimensions of the second layer 32 > the width dimensions of the third layer 33 > the width dimensions of the fourth layer 34 is established.
セクション幅ＳＷ対比で、６８〜７４％の幅寸法Ｄ１を第１層３１が有し、第１層３１の幅寸法＞第２層３２の幅寸法＞第３層３３の幅寸法＞第４層３４の幅寸法の関係とされる。 - 特許庁 - Then, a first undercoating layer 27a, a first overcoating layer 27b, a second undercoating layer 28a, a second overcoating layer 28b and a clear layer 29 are successively formed on the surface of the base material 26, and thereafter, are dried and a coated film is formed on the surface of the base material 26.
そして、素材２６の表面に、順次、第１下塗り層２７ａ、第１上塗り層２７ｂ、第２下塗り層２８ａ、第２上塗り層２８ｂおよびクリア層２９を形成したのちに乾燥して、素材２６の表面に塗装膜を形成した。 - 特許庁 - The multilayer light diffusion laminate board comprises: a first resin layer 1; a second resin layer 2 provided on the first resin layer; a microlens film layer 4 provided on the second resin layer; and the plurality of hollows 5 that extends in parallel to each other.
複数層からなる光拡散積層板であって、その構造は第一樹脂層１、該第一樹脂層上に第二樹脂層２、第二樹脂層上にマイクロレンズフィルム層４、及び複数個の互いに平行に延在する中空部５からなる。 - 特許庁 - A copper wiring layer is laminated on the upper surface of the first copper diffusion-preventing layer in a width slightly smaller than the width of the first copper diffusion-preventing layer, and a second metal diffusion-preventing layer is provided thereon so as to cover the whole surface of the copper wiring layer.
次に、その第１の銅拡散防止層上面に第１の銅拡散防止層の幅より僅かに狭い銅配線層を積層し、銅配線層の全表面を覆うように、第２の金属拡散防止層を設ける方法である。 - 特許庁
- 特許庁
- Copyright © Japan Patent office. All Rights Reserved.
