「First layer」を含む例文一覧(24472)

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  • The liquid crystal layer is disposed between the first substrate and the second substrate.
    液晶層は第１の基板と第２の基板との間に配置される。 - 特許庁
  • A front lens 20 of the lighting fixture for vehicle 10 is a two-color molded lens wherein a first-placed first resin layer 21 and a post-placed second resin layer 23 on the surface of the first resin layer 21 are molded in layers.
    車両用灯具１０の前面レンズ２０は、先打ちされた第１樹脂層２１と、該第１樹脂層２１の表面上に後打ちされた第２樹脂層２３とが積層成形された二色成形レンズである。 - 特許庁
  • The first metal layer is formed on the upper surface of the semiconductor substrate.
    第１金属層は、半導体基板の上面に形成されている。 - 特許庁
  • The first electrode is provided on a second main surface of the semiconductor layer.
    第１の電極は半導体層の第２の主面に設けられた。 - 特許庁
  • The lattice parameter of the first silicon layer 3 is identical to the lattice parameter of the material constituting a suspended beam, after the first silicon layer 3 has been eliminated.
    第１シリコン層３の格子パラメータは、第１シリコン層３の除去後、サスペンデッドビームを構成する材料の格子パラメータと同一である。 - 特許庁
  • The concentration of the element in an interface region IFR containing an interface 25 between the first metallic layer and the second semiconductor layer is set to be higher than a first metallic internal region 51c separated from the interface in the first metallic layer.
    第１金属層と第２半導体層との界面２５を含む界面領域ＩＦＲにおける前記元素の濃度は、第１金属層のうちの界面から離れた第１金属内部領域５１ｃよりも高い。 - 特許庁
  • Specifically, the second groove is provided so as to pierce the first semiconductor layer.
    特に、前記第１半導体層を貫通させて第２の溝を設ける。 - 特許庁
  • After a first capping layer is formed thereon, the substrate is heated at a first temperature so as to form a metallic silicide on the upper part of the gate layer.
    金属層の上部に第１キャッピング層を形成した後、基板を第１温度で加熱してゲート層の上部に金属シリサイドを形成する。 - 特許庁
  • A space is formed between the piezoelectric resonator 6 and the protective cover 3 by a first adhesion layer 4 and a first space forming layer 5.
    圧電共振子６と保護カバー３との間には、第１接着層４及び第１空間形成層５によって空間が形成されている。 - 特許庁
  • The second surface and first surface each lie on both sides of the base layer.
    第二表面と第一表面はそれぞれベース層の両側にある。 - 特許庁
  • At a stage when a first conductor layer 12 is formed, capacitance is measured between the wiring pattern 22 of the first conductor layer and the inspection pad 16.
    第１導体層１２を形成した段階で、第１導体層の配線パターン２２と検査パッド１６の間で静電容量を測定する。 - 特許庁
  • In the second etching step, a first conductivity type semiconductor layer 12 can be processed in a processing condition adequate to form a first conductivity type clad layer 22.
    第２のエッチングでは、第１導電型クラッド層２２の形成に適切な加工条件で第１導電型半導体層１２を加工できる。 - 特許庁
  • The carbon layer 22 is composed of carbon powder and a first binding material.
    カーボン層２２は、カーボン粉末および第１の結着材で構成される。 - 特許庁
  • The first and second electrode layer are formed of the same material.
    第１及び第２の電極層は同一材料で形成されている。 - 特許庁
  • The first bank forming material is organic material and a second bank layer 36 is made of a fluorine type resin material coating the first bank layer 35.
    第１のバンク形成材料は有機材料であり、第２バンク層３６は第１バンク層３５を被覆するフッ素系の樹脂材料からなる。 - 特許庁
  • A pillar is placed on the thin silicon layer near the first mirror.
    第１のミラーの近くの薄いシリコン層上に、支柱が配置される。 - 特許庁
  • A first insulating layer 41 is formed on a suspension body 10 and a wiring pattern W1 is formed on the first insulating layer 41.
    サスペンション本体部１０上に第１の絶縁層４１が形成され、第１の絶縁層４１上に配線パターンＷ１が形成される。 - 特許庁
  • Thus, a covered layer 8A is formed on the first outer surface 21B.
    以上により、第一外面２１Ｂに被覆層８Ａが形成される。 - 特許庁
  • The nitride semiconductor crystal has a first layer made of a nitride semiconductor of first kind and a second layer laminated on the first layer and made of a nitride semiconductor of second kind.
    前記窒化物半導体結晶は、第１種類の窒化物半導体で構成された第１層と、前記第１層の上方に積層されているとともに第２種類の窒化物半導体で構成された第２層を備えている。 - 特許庁
  • (d) The first etching mask layer 12 is removed by wet etching processing.
    第１エッチングマスク層１２をウェットエッチング処理により除去する（ｄ）。 - 特許庁
  • Thereafter, a first dielectric layer is formed in a second portion of a substrate, and a second dielectric layer is formed overlying the first dielectric layer in the second portion of the substrate and overlying a first portion of the substrate.
    その後、基板の第２の部分内に第１の誘電体層が形成され、基板の第２の部分内の第１の誘電層及び基板の第１の部分の上を覆うように、第２の誘電体層が形成される。 - 特許庁
  • The patterned first silicon layer is irradiated and melted with a laser beam for the crystallization of the first silicon layer.
    パターニングされた第１のシリコン層にレーザビームを照射し、照射したレーザビームで第１のシリコン層を溶融して、第１のシリコン層を結晶化する。 - 特許庁
  • A mask pattern, defining a first opening portion, is formed on the conductive layer.
    第１開口部を定義するマスクパターンを導電層上に形成する。 - 特許庁
  • The advertisement display process displays informational content on a first layer.
    この広告表示方法は、第１のレイヤに情報コンテンツを表示する。 - 特許庁
  • Second wiring 52 is formed on a face of the first insulating layer 61.
    第２配線５２は、第１絶縁層６１の面上に形成される。 - 特許庁
  • The inhibition layer has an opening, inhibits crystal growth, and contains the first atom, and the first crystal layer is formed in the opening.
    阻害層は開口を有し、阻害層は結晶成長を阻害し、阻害層は第１原子を含み、第１結晶層は、開口に形成される。 - 特許庁
  • It is possible to perform fine adjustment of image quality of an image obtained from the first layer 110.
    第１のレイヤ110から得られる画像の画質を微調整できる。 - 特許庁
  • The surface of the first cleaning roll is formed of a fiber layer.
    第１クリーニングロールは表面が繊維層によって形成されている。 - 特許庁
  • Moreover, a first window layer 22 and a second window layer 23 are provided at the area near a first end surface 20 and a second end surface 21 which are provided opposed with each other.
    更に、互いに向き合う第１端面２０および第２端面２１近傍に第１窓層２２および第２窓層２３を有している。 - 特許庁
  • A large amount of reflectors are mixed with the first resin layer 13.
    また、第１樹脂層１３には多量の反射材が混合されている。 - 特許庁
  • Then a plated layer is formed to also cover the exposed parts of the first and second electrodes.
    そしてこれらの露出部上にもメッキ層９，１０を形成する。 - 特許庁
  • Its surface is covered with a conductive first metal covering layer 25.
    その表面を導電性のある第一金属被覆層２５で被覆する。 - 特許庁
  • The first InP layer 13 is provided on an InP substrate 21.
    第１のＩｎＰ層１３は、ＩｎＰ基板２１上に設けられている。 - 特許庁
  • The impurity concentration of the first diffusion layer 54 is higher than that of the substrate 6.
    第１の拡散層５４の不純物濃度が基板６より濃い。 - 特許庁
  • The third terminal communicates with the first plane-like metal layer 110.
    第３端子は第１平面状金属層１１０に連絡している。 - 特許庁
  • The second terminal communicates with a first plane-like metal layer 110.
    第２端子は第１平面状金属層１１０に連絡している。 - 特許庁
  • Electrically conductive particles are mixed into the plastic material of the first layer.
    電気導電性粒子が第一層のプラスチック物質に混合される。 - 特許庁
  • The second layer of material has sufficient rigidity to keep the first layer in the first undeployed shape prior to the fastener being deployed.
    第２の材料層は、ファスナが配置される前に、第１の未配置形状に第１の材料層を維持するのに十分な剛性を有している。 - 特許庁
  • The channel region 110 comprises a first semiconductor layer 103b doped with impurities of a second conductivity which is different from the first conductivity and a second semiconductor layer 104b located between the first semiconductor layer 103b and the gate insulating film 106.
    チャネル領域110は、第１導電型とは異なる第２導電型の不純物がドープされた第１半導体層103b、および、第１半導体層103bおよびゲート絶縁膜106との間に位置する第２半導体層104bを含む。 - 特許庁
  • The anode electrode is Schottky-coupled to the first semiconductor diffusion layer.
    アノード電極は、第１半導体拡散層とショットキー接合されている。 - 特許庁
  • Furthermore, a bottom gate electrode is provided under the first oxide semiconductor layer, and the first oxide semiconductor layer may has a multilayer structure.
    第１酸化物半導体層下にボトムゲート電極が更に備えられ、第１酸化物半導体層は多層構造を有することができる。 - 特許庁
  • First, the upper layer microlens collects a light flux with a pixel as an unit.
    まず、上層マイクロレンズは、画素単位の受光光束を集光する。 - 特許庁
  • The semiconductor crystal is provided with a first layer constituted of a first kind of a nitride semiconductor and a second layer, laminated on the first layer and constituted of a second kind of a nitride semiconductor.
    窒化物半導体結晶は、第１種類の窒化物半導体で構成された第１層と、第１層の上方に積層されているとともに第２種類の窒化物半導体で構成された第２層を備えている。 - 特許庁
  • The masking tape 4 has a first tape 1 at the lower layer side, a second tape 2 at the upper layer side and a release paper 3 sticking to the first tape 1.
    マスキングテープ４は、下層側の第１テープ１と、上層側の第２テープ２と、第１テープ１に貼着された離型紙３とを有する。 - 特許庁
  • An amount of impurities of a first conductivity type in the first epitaxial layer is smaller than an amount of impurities of a second conductivity type in the second epitaxial layer.
    前記第１のエピタキシャル層の第１の導電型不純物は、前記第２のエピタキシャル層の第２の導電型不純物よりも少ない。 - 特許庁
  • A passivation layer 34 is laminated on the first electrode and second electrode.
    第１電極および第２電極にパシベーション層３４を積層する。 - 特許庁
  • A reactive layer is formed on the substrate having the first mask patterns.
    前記第１マスクパターンを有する基板上に反応膜を形成する。 - 特許庁
  • A lamination 7 is formed by laminating a first photoelectric conversion layer 4 and a second photoelectric conversion layer 5 on the separated first electrode 2 one by one.
    分離した第１電極２の上に順次第１光電変換層４および第２光電変換層５を積層して積層体７とする。 - 特許庁
  • The contact electrode penetrates the contact part insulation layer along the first axis.
    コンタクト電極はコンタクト部絶縁層を第１軸に沿って貫通する。 - 特許庁
  • At first, an ion implantation process is carried out to form an ion separation layer 20.
    先ずイオン注入処理を施しイオン分離層２０を形成する。 - 特許庁
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