「First layer」を含む例文一覧(24476)
＜前へ 1 2 .... 59 60 61 62 63 64 65 66 67 .... 489 490 次へ＞- The spacer layer includes copper current confined paths extending between the first magnetic layer and the second magnetic layer in the matrix of magnesium oxide.
スペーサ層は、第１の磁性層と第２の磁性層との間に延在する銅電流狭窄を酸化マグネシウムの母材中に含む。 - 特許庁 - A first sacrificial layer 103 is provided on an area to be a microstructure on a substrate 101, and a structure layer 105 is provided above the layer.
基板１０１上の微小構造体となる領域に第１の犠牲層１０３、その上に構造層１０５が設けられる。 - 特許庁 - The p-side contact layer includes a plurality of protrusions protruding in a first direction toward the p-type semiconductor layer from the n-type semiconductor layer.
ｐ側コンタクト層は、ｎ形半導体層からｐ形半導体層に向かう第１方向に突出した複数の突起部を含む。 - 特許庁 - The substrate layer is transparent to the working laser beam, and the first functional layer of an electrode layer, is able to absorb this working laser beam.
基板層は、作用レーザービームに対して透過であり、電極層の第一機能層は、この作用レーザービームを吸収することができる。 - 特許庁 - In addition, a second nitrogen-enriched layer having higher nitrogen content than the first nitrogen-enriched layer is formed on a surface layer part of each ball 4.
さらに、玉４の表層部には第１の窒素富化層よりも窒素含有量の多い第２の窒素富化層が形成されている。 - 特許庁 - This manufacturing method for the gas seal material includes a process of putting the polyamide film layer between the first rubber layer and the second rubber layer.
また、第一ゴム層と第二ゴム層との間にポリアミド系フィルム層を挟む工程を含むガス用シール材の製造方法である。 - 特許庁 - The optical layer includes a first optical layer and a second optical layer formed respectively on both main surfaces of the wavelength selective reflection film.
光学層が、波長選択反射膜の両主面にそれぞれ形成された第１の光学層、および第２の光学層を備える。 - 特許庁 - In the first formation step, a nitride semiconductor layer including at least one layer of Al_xGa_(1-x)N layer 14 is formed on a substrate 11.
第１形成工程では、基板１１上に、Ａｌ_xＧａ_(1-x)Ｎ層１４を少なくとも一層含む窒化物半導体層を形成する。 - 特許庁 - A metal foil 2 having different kinds of metal that becomes an etching stopper layer is prepared between a first conductive layer 3 and a second conductive layer 1.
第一の導電層３と第二の導電層１の間にエッチングストッパー層となる異種金属を有する金属箔２を用意する。 - 特許庁 - A semiconductor light-emitting element includes a substrate layer, a first semiconductor layer, a light-emitting part, and a second semiconductor layer.
実施形態によれば、下地層と、第１半導体層と、発光部と、第２半導体層と、を含む半導体発光素子が提供される。 - 特許庁 - A dielectric layer is interposed between the metallization levels, and the first stop layer 23 is put between the dielectric layer and the second metallization level.
誘電体層はメタライゼーションレベルの間に置かれ、第１のストップ層は誘電体層および第２のメタライゼーションレベルの間に置かれる。 - 特許庁 - A semiconductor memory device comprises: a substrate; a wiring layer; a memory layer; a circuit layer; and first and second contact wiring.
実施形態によれば、基板、配線層、メモリ層、回路層及び第１、第２コンタクト配線を含む半導体記憶装置が提供される。 - 特許庁 - The semiconductor wafer 20 is produced by successively forming a first titanium layer 24, aluminum layer 26, and second titanium layer 28 on a base substrate 22.
半導体ウェーハ２０は、ベース基板２２上に第１チタン層２４、アルミ層２６、第２チタン層２８を順次成膜したものである。 - 特許庁 - The ink acceptable layer 34A comprises a first layer containing a hyperfine polymeric particle 38 and a second layer containing a hollow bead 36.
インク受容層３４Ａは、超微細高分子粒子３８を含む第１の層と、中空ビーズ３６を含む第２の層とを含んで成る。 - 特許庁 - The first electrode 202 contacts the dielectric material layer 204, the spacer material layer 206 and the phase-change layer 208.
第１の電極２０２は、誘電体材料層２０４、スペーサ材料層２０６、および相変化材料層２０８に接触している。 - 特許庁 - The first p-type group III nitride semiconductor layer 27 is provided between the second p-type group III nitride semiconductor layer 29 and the active layer 25.
第１ｐ型III族窒化物半導体層２７は第２ｐ型III族窒化物半導体層２９と活性層２５との間に設けられる。 - 特許庁 - A semiconductor device is provided with an active layer (activate layer) 105 comprising a first semiconductor layer that is formed on a sapphire substrate 101.
半導体装置は、サファイア基板１０１上に形成された第１の半導体層よりなる能動層（活性層）１０５を備えている。 - 特許庁 - This catalyst for cleaning exhaust gas includes a first catalyst layer 2, a transfer inhibitory layer 3 and a second catalyst layer 4 formed in that order on the surface of a base 1.
基材１の表面に、第１触媒層２、移動抑制層３及び第２触媒層４がこの順で形成されている。 - 特許庁 - The external electrode 16A comprises: fired electrode layers 18A_1-18A_5; a resin electrode layer; a first plated layer; and a second plated layer.
外部電極１６Ａは、焼付電極層１８Ａ_１〜１８Ａ_５と、樹脂電極層と、第１めっき層と、第２めっき層とを有する。 - 特許庁 - A light emitting region sandwiched between a layer of a first conductive type layer and a second conductive type layer is disposed in the resonant cavity.
第１の導電型の層と第２の導電型の層との間に挟まれた発光領域は、共振空洞内に配置される。 - 特許庁 - The method for fabricating a photomask includes the steps of: providing a film stack having a molybdenum layer and a light-shielding layer in a processing chamber; pattering a first resist layer on the light-shielding layer; etching the light-shielding layer using the first resist layer as an etch mask; and etching the molybdenum layer using the patterned light-shielding layer and the patterned first resist layer as a composite mask.
フォトマスクを製作するための方法は、モリブデン層と光遮断層とを有するフィルムスタックをプロセスチャンバに提供するステップと、該光遮断層上に第１のレジスト層をパターニングするステップと、該第１のレジスト層をエッチングマスクとして使用して該光遮断層をエッチングするステップと、該パターニングされた光遮断層および該パターニングされた第１のレジスト層を複合マスクとして使用して該モリブデン層をエッチングするステップとを含む。 - 特許庁 - Adhesive strength for the magnetic layer 12 is secured by the first protection layer 13, and wear resistance is obtained by the second protection layer 13B.
第１の保護層１３Ａにより磁性層１２との密着性が確保され、第２の保護層１３Ｂにより耐摩耗性が得られる。 - 特許庁 - At a first message source, a first message in a first data flow is received from a first messaging layer, data wrapped in a first data message reconfigurable iterator is provided from the first message source to a first table in the primary data flow, and a first constrained view is provided at the first table.
第１のメッセージソースで、第１のメッセージングレイヤから第１のデータフローの第１のメッセージを受け、第１のメッセージソースから、第１のデータメッセージ再構成可能なイテレータで包まれたデータを、第１のデータフローの第１のテーブルに提供し、第１のテーブルで、第１の圧迫されたビューを提供する。 - 特許庁 - An oxidized layer 8 is first formed on the surface of the non-oxide material 1.
酸化物でない素材１の表面に酸化層８を形成する。 - 特許庁 - The etching stopper layer 12 includes a first element and a second element.
エッチングストッパ層１２は、第１の元素と、第２の元素とを含有する。 - 特許庁 - A first conductive write line (310) is electrically connected to the reference layer (320).
第１の書込み導線(310)が基準層(320)に電気的に接続される。 - 特許庁 - The Al composition of the first AlGaN layer 25 is largest in the first conductive type clad region 13, and the Al composition of the second AlGaN layer 27 is smaller than the Al composition of the first AlGaN layer 25.
第１のＡｌＧａＮ層２５のＡｌ組成は第１導電型クラッド領域１３において最も大きく、第２のＡｌＧａＮ層２７のＡｌ組成は第１のＡｌＧａＮ層２５のＡｌ組成よりも小さい。 - 特許庁 - A core material comprising a first core material and a second core material is used to form a thick layer part comprising the first core material and second core material, and a thin layer part comprising the first core material and thinner in thickness than the thick layer part.
第１の芯材と第２の芯材とを含む芯材を用いて、第１の芯材と第２の芯材とを含む厚層部と、第１の芯材を含みかつ厚層部よりも厚さが薄い薄層部とを形成する。 - 特許庁 - Second insulating layers 37 exist at both sides of the first insulating layer 36.
第１の絶縁層36の両側に第２の絶縁層37が存在する。 - 特許庁 - The second diffusion layer 52 is formed so as to be brought into contact with first and second offset layers 50a and 50b via the first diffusion layer 54.
第２の拡散層５２は、第１の拡散層５４を介して第１及び第２のオフセット層５０ａ、５０ｂと接するように設けられる。 - 特許庁 - A module board 2 allows a first main surface to face the front of the second dielectric layer 34, and is accommodated into the opening of the first dielectric layer 33.
モジュール基板２は、第１主表面を第２誘電体層３４の表面に向け、第１誘電体層３３の開口部に収納される。 - 特許庁 - The base fabric layer comprises a first fabric and a second fabric.
このベースファブリック層は、第一ファブリックと第二ファブリックとを含んでなる。 - 特許庁 - At least one welding portion joins the first engagement face to the second engagement face and joins the first barrier layer to the second barrier layer.
少なくとも一つの溶着部が、第一係合面を第一係合面に結合させ、第一バリアー層を第二バリアー層に結合させる。 - 特許庁 - The first insulating resin layer 4 is arranged by, for example, injection molding.
第１絶縁樹脂層４は、例えば、射出成型により設けられる。 - 特許庁 - The inorganic EL element 10 includes a first laminated body 20, a second laminated body 30, a first pasting layer 28, and a second pasting layer 38.
無機ＥＬ素子１０は、第１の積層体２０、第２の積層体３０、第１の貼合層２８、および第２の貼合層３８を備える。 - 特許庁 - Plasma etching treatment is applied to the upper surface of the first ferromagnetic layer.
第１の強磁性層の上面はプラズマエッチ処理がなされている。 - 特許庁 - A GaAs core semiconductor layer 10 is provided on the first portion 5a of the first clad layer 5 and is butt jointed to the activated area 9.
ＧａＡｓコア半導体層１０は、第１のクラッド層５の第１の部分５ａに設けられており、活性領域９にバットジョイントする。 - 特許庁 - Then, a first N+-type embedded layer 31 is formed between the substrate 22 and the first epitaxial layer 23, and a second N--type buried layer 33 is formed between the first and second epitaxial layers 23 and 24.
そして、基板２２と第１のエピタキシャル層２３との間に第１のＮ＋型の埋め込み層３１を形成し、第１および第２のエピタキシャル層２３、２４との間にＮ−型の第２の埋め込み層３３形成している。 - 特許庁 - Next, a second inductive layer 16 is stuck on a part exposing the first conductive pattern 15 and the first inductive material layer 12.
次に、第二の誘電層１６を第一の導電性パターン１５及び第一の誘電材料層１２を露出した部分の上に付着する。 - 特許庁 - The sacrifice carrier structure comprises a first layer, a filler material on the first layer, and a mask on the filler material comprising at least one opening.
犠牲キャリア構造は、第１層、第１層上の充填物質、及び少なくとも１つの開口を持つ充填物質上のマスクを含む。 - 特許庁 - The wiring layer 10 has a via plug 12a (first conductive plug).
配線層１０は、ビアプラグ１２ａ（第１の導電プラグ）を有している。 - 特許庁 - The first glass substrate 2 and the second glass substrate 3 are sealed with a spacer 6, a first sealing layer 7, and a second sealing layer 8 disposed therebetween.
第１のガラス基板２と第２のガラス基板３との間は、スペーサ６と第１の封着層７と第２の封着層８とで封着される。 - 特許庁 - The first wiring layer (the first scanning line 24) and the second wiring layer (the second scanning line 25) are electrically connected and function as scanning lines.
１層目の配線層（第１走査線２４）と２層目の配線層（第２走査線２５）は電気的に接続され、走査線として機能する。 - 特許庁 - A method of forming the sensor has a step of forming a first-type epitaxial layer 3 on a first-type semiconductor substrate 1, and a step of forming an embedded barrier layer 5 in the first-type epitaxial layer 3.
このセンサを形成する方法は、第１型の半導体基板上に第１型のエピタキシャル層を形成する段階と前記第１型のエピタキシャル層内に埋没バリヤ層を形成する段階とを具備する。 - 特許庁 - On the first spacer 12, an uncured seal layer 13 is formed.
第１のスペーサ１２上には未硬化のシール層１３が形成される。 - 特許庁 - An active layer is formed in a part of a periphery of the first semiconductor.
活性層は第１半導体の周囲の一部に形成されている。 - 特許庁 - The current diffusion layer has a first conductivity type impurity density.
電流拡散層は、第１の導電形の不純物濃度を有する。 - 特許庁 - The thin film pattern 102-1 of the first layer is arranged at an optional position.
１層目の薄膜パターン１０２−１は任意の位置に配置される。 - 特許庁 - Then a surface layer (13a) of the first conductive film (13) is removed.
次に、第１の導電膜（１３）の表面層（１３ａ）を除去する。 - 特許庁 - To provide housing facility ensuring tight housing from an upper layer housing space to a lower layer housing space in order and first-in first-out rule.
上位段の格納空間から下位段の格納空間へと順に密に格納でき、先入れ先出しを行える格納設備を提供する。 - 特許庁
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