「First layer」を含む例文一覧(24472)
＜前へ 1 2 .... 56 57 58 59 60 61 62 63 64 .... 489 490 次へ＞- Then, a second GaP layer 7 is formed on the first GaP layer 7a by hydride vapor phase epitaxy.
そして、第一ＧａＰ７ａ層上に第二ＧａＰ層７をハイドライド気相成長法により形成する。 - 特許庁 - A seed substance layer 110 is formed on a first substrate 100, and a multifunctional substrate grows from the seed substance layer.
最初の基板上にシード物質層が形成され、シード物質層から多機能性基板が成長する。 - 特許庁 - The electronic apparatus assembly (100) having a first layer (110) and a second layer (120) is disclosed.
第１の層（１１０）と第２の層（１２０）とを有する電子機器組立体（１００）を開示している。 - 特許庁 - The thickness H13 of the first insulating layer 13 is larger than the thickness H14 of the second insulating layer 14.
第１の絶縁層１３の厚みＨ１３は、第２の絶縁層１４の厚みＨ１４よりも大きい。 - 特許庁 - The first layer 32 has a region 32a formed between the electrode 34 and the layer 42.
第１層３２は、ゲート電極３４と第２層４２の間に形成された領域３２ａを有する。 - 特許庁 - The impurity concentration of the second semiconductor layer is higher than that of the first semiconductor layer.
前記第２半導体層の不純物濃度は、前記第１半導体層の不純物濃度よりも高い。 - 特許庁 - The second substrate 22 where the filter layer 25 is formed is stuck on a first substrate 21 with the filter layer 25 interposed.
フィルタ層25を形成した第２基板22を、フィルタ層25を介在して第１基板21と貼り合わせる。 - 特許庁 - A first layer 18a divided by the hole stopper layer 19 is grounded to an emitter electrode 21.
また、このホールストッパー層１９により分割された第１の層１８ａをエミッタ電極２１に接地する。 - 特許庁 - A resin layer 2 (first resin layer) is formed by thoroughly photocuring the photosensitive resin.
次いで、感光性樹脂を全面光硬化させることにより樹脂層２（第１の樹脂層）を形成する。 - 特許庁 - Next, a non-magnetic insulating layer 5 is formed with self-forming method on the surface of the first magnetic layer 4.
次に、第１磁性層４の表面上に自己形成法により非磁性絶縁層５を形成する。 - 特許庁 - Then, the thickness of the second multilayer wiring layer 23a is made greater than the thickness of the first multilayer wiring layer 21a.
そして、第２多層配線層２３ａの厚さを第１多層配線層２１ａの厚さより厚くする。 - 特許庁 - Then a semiconductor growth stopping mask layer 6 is formed selectively on the first electron supply layer 4.
次に、第１の電子供給層４の上に選択的に半導体成長阻止マスク層６を形成する。 - 特許庁 - Cationization agent (mass)/hot melt powder (mass) is larger in the first layer 4a than in the second layer 4b.
カチオン化剤（質量）／ホットメルトパウダー（質量）は、第１層（４ａ）の方が第２層（４ｂ）よりも大きい。 - 特許庁 - The barrier region 7a has a first semiconductor layer 9a and a second semiconductor layer 11a.
バリア領域７ａは、第１の半導体層９ａおよび第２の半導体層１１ａを有する。 - 特許庁 - The first metal film layer comprises aluminum and the second metal film layer comprises chromium 6 or silver 7.
第１の金属膜層はアルミニウムからなり、第２の金属膜層はクロム６または銀７からなる。 - 特許庁 - At least one of the first alignment layer and the second alignment layer includes a carbon nanotube structure.
前記第一配向層及び前記第二配向層の少なくとも一方は、カーボンナノチューブ構造体を含む。 - 特許庁 - The first alloy layer is put on the surface of a second alloy layer containing ≥29 (at %).
第１合金層は、２９［ａｔ％］以上のＣｒを含む第２合金層の表面に受け止められる。 - 特許庁 - Marks 1a-1f are formed in a first layer and marks 2a-2f are formed in a second layer.
１ａ〜１ｆは第１の層に形成されたマークであり、２ａ〜２ｆは第２の層に形成されたマークである。 - 特許庁 - At least one of the first conductive layer and the second conductive layer includes carbon nanotube layers.
前記第一電極及び前記第二電極の少なくとも一方は、カーボンナノチューブ構造体を有する。 - 特許庁 - A first buried layer 4a and a second buried layer 4b are formed in the extended drain region 2.
延長ドレイン領域２には、第１の埋め込み層４ａ及び第２の埋め込み層４ｂを形成する。 - 特許庁 - Consequently, the occurrence of cracks in the first clad layer 121 and the second clad layer 124 can be prevented.
従って、第一のクラッド層１２１や第二のクラッド層１２４においてクラックを防止することができる。 - 特許庁 - The thickness of a first clad layer 4 between a DBR 3 and a quantum well active layer 5 is set to 0.3 μm.
ＤＢＲ３と量子井戸活性層５との間の第１クラッド層４の層厚を０．３μｍにする。 - 特許庁 - The average grain diameter of silicon crystal grains in the first layer and the second layer is 10 μm or larger.
第一の層及び第二の層中のシリコン結晶粒の平均粒径は１０μｍ以上である。 - 特許庁 - Thus, the first conductive layer 3 and the adhesive layer 7 are integrally transcribed on the transcribed substrate 8.
これにより第一導電性層３と粘着層７が一体的に被転写基板８に転写させる。 - 特許庁 - A first conductive semiconductor layer 23 is formed on the second conductive semiconductor layer 21.
第２導電型の半導体層２１上に、第１導電型の半導体層２３が形成されている。 - 特許庁 - The second N-type semiconductor layer 32 has lower impurity concentration than the first N-type semiconductor layer 30.
第２の半導体層32の不純物濃度は、第１の半導体層30の不純物濃度よりも低い。 - 特許庁 - A second dielectric layer is formed on the first RDL and a second die is mounted on a second dielectric layer.
第２誘電層は第１ＲＤＬ上に形成され、第２ダイは第２誘電層上に取り付けられる。 - 特許庁 - In this case, the magnetic anisotropy coefficient of the first magnetic layer is larger than that of the second magnetic layer.
このとき、第１磁性層の磁気異方性係数が第２磁性層の磁気異方性係数より大きい。 - 特許庁 - A semiconductor is fabricated in a silicon substrate 7 and a first wiring layer is formed to serve as a sacrifice layer partially.
シリコン基板７に半導体を作り込み、第１の配線層を形成して一部を犠牲層とする。 - 特許庁 - A semiconductor light-emitting element comprises a structure, a first electrode layer, and a second electrode layer.
実施形態に係る半導体発光素子は、構造体と、第１電極層と、第２電極層と、を備える。 - 特許庁 - The semiconductor layer 3 is formed on the first conductive layer 2 at a bottom part of the contact hole 5.
半導体層３は、コンタクトホール５の底部において第１導電層２上に形成されている。 - 特許庁 - The fluid ejector includes a flow-path body, a first oxide layer, a membrane, and a second oxide layer.
流体吐出装置は、流路本体と、第１の酸化物層と、膜と、第２の酸化物層と、を含む。 - 特許庁 - Fineness of constitutive fibers in the first fiber layer 1 is smaller than fineness of constitutive fibers in the second fiber layer 2.
第１繊維層１の構成繊維の繊度は第２繊維層２の構成繊維の繊度よりも小さい。 - 特許庁 - In a top-layer part of the semiconductor layer 2, a first diffusion area 3 and a drain region are formed.
半導体層２の表層部には、第１拡散領域３およびドレイン領域が形成されている。 - 特許庁 - The growing base member 7 is used also as first layer A of uppermost layer of a filtering material 5 having a multilayer structure.
生育基盤部材７は、多層構造をした濾過濾材５の最上層の第１層Ａを兼用する。 - 特許庁 - Any one of the first electrode layer and the second electrode layer is an anode, and the other is a cathode.
第１電極層および第２電極層のいずれか一方が陽極で、他方が陰極である。 - 特許庁 - A spherical first semiconductor layer 1 and an element, having a second semiconductor layer 2 in its surface, are used.
球状の第１半導体１とその表面に第２半導体層２を有する素子を用いる。 - 特許庁 - A solar battery 10 has a p-type first semiconductor layer and a p-type second semiconductor layer 16.
太陽電池１０が、ｐ型の第１の半導体層とｐ型の第２の半導体層１６とを備える。 - 特許庁 - The second semiconductor layer 5 has a larger band gap than that of the first semiconductor layer 4.
第２の半導体層５は、第１の半導体層４と比べてバンドギャップが大きい半導体層である。 - 特許庁 - The second glass ceramic layer 12 has a thermal expansion coefficient smaller than that of the first glass ceramic layer 11.
第２ガラスセラミック層１２は、第１ガラスセラミック層１１より小さい熱膨張率を有している。 - 特許庁 - The elastic modulus E_T of a first rubber layer 16A is larger than the elastic modulus E_B of a second rubber layer 16B.
第１ゴム層１６Ａの弾性率Ｅ_Ｔは、第２ゴム層１６Ｂの弾性率Ｅ_Ｂよりも大きい。 - 特許庁 - A first toner layer 30 is fixed onto a substrate 20, and a second toner layer 60 is arranged above that.
基材２０上に第１トナー層３０を固着させ、その上方に第２トナー層６０を配する。 - 特許庁 - The film thickness of a thin film coil 24 in the second layer is made thicker than that of a thin film coil 21 in the first layer.
２層目の薄膜コイル２４は１層目の薄膜コイル２１よりも膜厚が厚くなっている。 - 特許庁 - The refractive index of the material of the first layer 7a is smaller than that of the material of the second layer 7b.
第１の層７ａの材料の屈折率は、第２の層７ｂの材料の屈折率よりも小さい。 - 特許庁 - By filling the rough of he first resin layer 22, a second resin layer 24 whose upper surface is flat is formed.
第１の樹脂層２２の凹凸を埋めて、上面が平坦な第２の樹脂層２４を形成する。 - 特許庁 - A portion of the surface protection layer 8 to be connected with the barrier metal layer 10 is provided with a first recess.
表面保護層８におけるバリア金属層１０との接続部には第１の凹部が設けられている。 - 特許庁 - The first metal layer 14 and the second metal layer 15 extend on the interlayer insulating film 10.
第１金属層１４および第２金属層１５は、層間絶縁膜１０上に延在している。 - 特許庁 - The coating film 6 has a 2-layer structure comprising first and second layer films 4, 5 laminated with each other.
コーティング膜６は、第１層膜４と第２層膜５とが積層された２層構造を有している。 - 特許庁 - Further, if the first and second case parts 4 and 5 are opened, a first recording layer MCDb and a second recording layer MCDe formed in each microchip MCD are broken and released from a first reflection layer MCDc and a second reflection layer MCDf, so that the fraudulence can be easily recognized.
更に、第１，２ケース部４，５を開けると、それらマイクロチップＭＣＤに形成している第１記録層ＭＣＤｂと第２反射層ＭＣＤｃや第２記録層ＭＣＤｅと第２反射層ＭＣＤｆを剥離、破損し、不正を容易に知る。 - 特許庁 - The article comprises a first outer layer (300); a second intermediate layer (200, 201); and a substrate (100); wherein the second intermediate layer (200, 201) contacts the first outer layer (300) at first interface and the substrate (100) at a second interface.
本物品は、第１の外側層（３００）と、第２の中間層（２００、２０１）と、基材（１００）とを含み、第２の中間層（２００、２０１）は、第１の界面で第１の外側層（３００）にかつ第２の界面で基材（１００）に接触している。 - 特許庁
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