「First layer」を含む例文一覧(24472)
＜前へ 1 2 .... 53 54 55 56 57 58 59 60 61 .... 489 490 次へ＞- At least one layer of the two or more information signal layers includes an inorganic recording layer 11 including an oxide of Pd, a first protective layer 12 provided for a first main surface of the inorganic recording layer, and a second protective layer 13 provided for a second main surface of the inorganic recording layer.
２以上の情報信号層のうちの少なくとも１層は、Ｐｄ酸化物を含む無機記録層１１と、無機記録層の第１の主面に設けられた第１保護層１２と、無機記録層の第２の主面に設けられた第２保護層１３とを備える。 - 特許庁 - Thereby, the upper layer part 106b and the lower layer part 106a of the first metal layer formed with a metal (Ni) of the same kind are unified, and the metal layer (first metal layer of this invention) of one layer only with especially thick part on an insulating film 110 is formed.
これにより、同種の金属（Ｎｉ）で形成されている第１金属層の上層部１０６ｂと下層部１０６ａとは一体化されて、絶縁膜１１０の上の部位が特に厚い１層の金属層（本発明の第１金属層）が形成される。 - 特許庁 - At this point, a switching mechanism 10 conducts and connects between the first electrode layer 2 of the first block BK1 and the second electrode layer 3 of a second block BK2 and an electric field occurs between the first electrode layer 2 of the first block BK1 and a first electrode layer 2 of the second block BK2, and the second block BK2 deforms similarly.
このとき、第１のブロックＢＫ１の第１の電極層２と第２のブロックＢＫ２の第２の電極層３との間が切換機構１０により導通接続され、第２のブロックＢＫ２の第１の電極層２との間に電界が発生するため、第２の第１のブロックＢＫ１も同様に変形する。 - 特許庁 - In the film-deposition method, a first layer having a surface containing the first organic compound is formed on the film-deposited substrate, a second layer having a surface containing the first organic compound is formed on the film-depositing substrate, and the surface containing the first organic compound of the first layer and the surface containing the first organic compound of the second layer are crimped to each other.
上記目的を達成するために、第１の有機化合物を含む表面を有する第１の層を被成膜基板に形成し、第１の有機化合物を含む表面を有する第２の層を成膜用基板に形成し、第１の層の第１の有機化合物を含む表面と、第２の層の第１の有機化合物を含む表面と、を圧着する。 - 特許庁 - The second layer 201 of sheet material is positioned adjacent to the first layer 200 of sheet material such that the first raised portions extend from the first base portion toward the second layer 201, and the second raised portions extend from the second base portion toward the first layer.
該シート物質の第２の層２０１は、シート物質の第１の層２００と隣接して配置され、第１のベース部分から伸びる第１の突起部分が第２の層２０１に向かって伸び、第２のベース部分から伸びる第２の突起部分が第１の層に向かって伸びる。 - 特許庁 - A second-layer wire for electrically connecting the divided secondary first-layer wires with each other is formed of a second metal including more reduction ability than that of a first metal on a surface in contact with a front layer made of the first metal on the primary first-layer wire.
分断されている第二の一層目配線を互いに電気的に接続する二層目配線を、上記第一の一層目配線における第一金属からなる表層に当接する面が該第一金属より還元力を備えた第二金属からなるように形成する。 - 特許庁 - The multilayer wiring substrate 10 has a first insulating layer 12, a first wiring pattern 14 formed on the first insulating layer 12, a second insulating layer 13 covering the first wiring pattern 14, and a second wiring pattern 14 formed on the second insulating layer 13.
多層配線基板１０は、第１の絶縁層１２と、第１の絶縁層１２上に形成された第１の配線パターン１４と、第１の配線パターン１４を覆う第２の絶縁層１３と、第２の絶縁層１３上に形成された第２の配線パターン１４とを備える。 - 特許庁 - This manufacturing method forms the first negative type resist layer having structure serving as the ink flow channel wall on a substrate having an energy generation element, forms the first photodegradable positive type resist layer to cover the first negative type resist layer, and polishes it until exposing a surface of the first negative type resist layer.
エネルギー発生素子を有する基板の上に、インク流路壁となる構造を有する第一のネガ型レジスト層を形成し、それを被覆するように第一の光崩壊性ポジ型レジスト層を形成した上で、第一のネガ型レジスト層の表面が露出するまで研磨する。 - 特許庁 - A metal-oxide-metal(MOM) capacitor of an integrated circuit is provided with a first electrode, a tantalum pentoxide layer formed on the first electrode, a first barrier layer formed on the tantalum pentoxide layer, and a second copper electrode formed on the first barrier layer.
本発明は、第１の電極と、第１の電極上に形成した五酸化タンタル層と、五酸化タンタル層上に形成した第１の障壁層と、第１の障壁層上に形成した第２の銅電極とを具備する、集積回路の金属−酸化物−金属（ＭＯＭ）コンデンサを提供する。 - 特許庁 - A semiconductor device includes the first insulating film 2, an amorphous silicon layer 4a which is formed on the first insulating film and to which nitrogen is added, a first silicon nitride layer 4b formed on the amorphous silicon layer, and the second insulating film 10 formed on the first silicon nitride layer.
第１絶縁膜２と、第１絶縁膜上に形成され、窒素が添加されたアモルファスシリコン層４ａと、アモルファスシリコン層上に形成された第１窒化シリコン層４ｂと、第１窒化シリコン層上に形成された第２絶縁膜１０と、を備えていることを特徴とする。 - 特許庁 - A composite film 100 comprises: a first heat conduction layer 110 having heat conductivity in the surface direction higher than that in the thickness direction; and a first adhesion layer 120 laminated on one surface side of the first heat conduction layer 110 and having an opening penetrating through the first adhesion layer in the thickness direction.
複合フィルム１００は、面方向の熱伝導率が厚み方向の熱伝導率より高い第１熱伝導層１１０と、第１熱伝導層１１０の一方の面側に積層されており、厚み方向に貫通する開口を有する第１接着層１２０とを備える。 - 特許庁 - The photodiode includes a first conductive layer 8 disposed above a surface of a semiconductor substrate and having a second type impurity and a second conductive layer 9 formed on the first conductive layer 8 and forming a p-n junction between it and the first conductive layer 8 by having the first type impurity.
フォトダイオードは、半導体基板の表面上方の、第２型不純物を有する第１導電層８と、第１導電層８上に形成され、第１型不純物を有することによって第１導電層８との間にｐｎ接合を形成する第２導電層９と、を備える。 - 特許庁 - A substrate 31 is etched by using a first patterned masking layer 32 to form a flask 34 in the substrate 31, a first layer 33 is deposited on the flask 34 and the first patterned masking layer 32, and the first layer 33 is patterned to form a probe tip structure.
第１のパターン化されたマスキング層（３２）を使用して基板（３１）をエッチングして基板（３１）に型枠（３４）を形成し、型枠（３４）および第１のパターン化されたマスキング層（３２）に第１の層（３３）を蒸着し、第１の層（３３）をパターン化することによりプローブチップ構造を形成した。 - 特許庁 - The double layer 1a, 1b is constituted of a first layer 1a-1, 1b-1 consisting of a first material, and a second layer 1a-2, 1b-2 consisting of a second material different from the first material and being continuously connected to the first layer 1a-1, 1b-1 acoustically.
二重層１ａ，１ｂは、第１の材料から構成された第１層１ａ−１，１ｂ−１と、その第１の材料とは異なる第２の材料から構成された構成されるとともに第１層１ａ−１，１ｂ−１に音響的に連続に接合した第２層１ａ−２，１ｂ−２とを有する。 - 特許庁 - The silicon carbide semiconductor device 10 comprises a first conductivity type hexagonal silicon carbide semiconductor substrate 1, a first conductivity type first hexagonal silicon carbide epitaxial layer 2, a first conductivity type second hexagonal silicon carbide epitaxial layer 3, a Schottky metal layer 5, and an ohmic metal layer 4.
炭化珪素半導体装置１０は、第１導電型の六方晶炭化珪素半導体基板１と、第１導電型の第１六方晶炭化珪素エピタキシャル層２と、第１導電型の第２六方晶炭化珪素エピタキシャル層３と、ショットキー金属層５と、オーミック金属層４とを備える。 - 特許庁 - The barrier layer has a first metal oxide layer (titanium oxide layer) 30 consisting of the oxide of the metal constituting the barrier layer, a metal nitride layer (titanium nitride layer) 33 consisting of the nitride of the metal constituting the barrier layer, and a second metal oxide layer (titanium oxide layer) 34 which consists of the oxide of the metal constituting the barrier layer.
バリア層は、該バリア層を構成する金属の酸化物からなる第１の金属酸化物層（酸化チタン層）３０、該バリア層を構成する金属の窒化物からなる金属窒化物層（窒化チタン層）３３、および該バリア層を構成する金属の酸化物からなる第２の金属酸化物層（酸化チタン層）３４を有する。 - 特許庁 - Concentric circular recessed and projected parts having predetermined surface roughness are formed on the surface of a substrate (glass substrate) 1, and a precoated layer 2, a seed layer 3, a substrate layer 4, a first magnetic layer 5, a spacer layer 6, a second magnetic layer 7, a protective layer 8 and a lubricant layer 9 are sequentially laminated thereon.
基板（ガラス基板）１の表面に所定の表面粗さを有する同心円状の凹凸を形成し、その上に、プリコート層２、シード層３、下地層４、第１の磁性層５、スペーサ層６、第２の磁性層７、保護層８、潤滑層９を順次積層した。 - 特許庁 - The insulator exists principally as a multilayer insulation layer of a first inorganic substance layer - an insulation layer - a second inorganic substance layer or of an inorganic substance layer - an insulation layer where the inorganic substance layer is removed at least partially, to expose the insulation layer.
該絶縁体は、第１無機物層−絶縁層−第２無機物層、又は、無機物層−絶縁層からなる層構成の積層体の絶縁層として主として存在するものであり、該無機物層の少なくとも一部が除去されて絶縁層が露出している。 - 特許庁 - This thin-film electrode layer is constituted by sequentially laminating a first substrate layer 11 made of β-Ta, a second substrate layer 12 made of Cr, a main conductive layer 13 made of Au, and a protective layer 14 constituted of a laminate layer of a Cr layer 15 and a α-TRa layer 16.
β−Ｔａからなる第１の下地層１１と、Ｃｒからなる第２の下地層１２と、Ａｕからなる主電導層１３と、Ｃｒ層１５とα−Ｔａ層１６の積層体からなる保護層１４とを順に積層形成してなる薄膜電極層。 - 特許庁 - The insulator exists principally as a multilayer insulation layer of a first inorganic substance layer - an insulation layer - a second inorganic substance layer or of an inorganic substance layer - an insulation layer, where the inorganic substance layer is removed at least partially, to expose the insulation layer.
該絶縁体は、第１無機物層−絶縁層−第２無機物層、又は、無機物層−絶縁層からなる層構成の積層体の絶縁層として主として存在するものであり、該無機物層の少なくとも一部が除去されて絶縁層が露出している。 - 特許庁 - The SyAF pinned layer 345 is formed such that a second ferromagnetic layer 3 composed of Co_75 Fe_25, a non-magnetic spacer layer 4 composed of ruthenium, and a first ferromagnetic layer 5 that is a composite layer of a Co_60Fe_20B_20 layer and a Co_75Fe_25 layer are laminated sequentially from the side of the pinning layer 2.
ＳｙＡＦピンド層３４５は、ピンニング層２の側から順に、Ｃｏ_75 Ｆｅ_25 からなる第２強磁性層３と、ルテニウムからなる非磁性スペーサ層４と、Ｃｏ_60 Ｆｅ_20 Ｂ_20 層とＣｏ_75 Ｆｅ_25 層との複合層である第１強磁性層５とが積層されたものである。 - 特許庁 - An exemplary optical back plane has a first cladding layer disposed over the top surface of a substrate and at least a first core part disposed over the first cladding layer, with the first core part having a first end and a second end.
一例の光バックプレーンは基板の上面上に設けられた第１のクラッディング層と、第１のクラッディング層上に設けられた少なくとも第１のコア部とを有し、第１のコア部は第１端部及び第２端部を有する。 - 特許庁 - A first supporting plug 22 is arranged in the first region so that the gas is charged or the first inter-layer insulation film is arranged between the first supporting plug 22 and the first connection plug, and reaches from the wiring layer to the base part, and further has a second Young's modulus.
第１支持プラグ２２は、第１接続プラグとの間に、気体が充填されるかまたは第１層間絶縁膜が配設されるように第１領域内に配設され、配線層から下地部分に達し、且つ第２ヤング率を有する。 - 特許庁 - The ear base material is covered by the first covering layer, the first covering layer is covered by the second covering layer, and the melting point of the second covering layer is higher than that of the first covering layer.
耳部を有する鉛蓄電池用負極集電体において、耳部は、耳基材、第一被覆層、及び第二被覆層を備え、耳基材は第一被覆層に被覆され、第一被覆層は第二被覆層に被覆され、第二被覆層の融点が第一被覆層の融点より高いことを特徴とする。 - 特許庁 - On a surface of a workpiece 1, plural layers including a first layer 2 to directly get in contact with the surface, and a second layer 3 thicker than the first layer are laminated in such a way that the first layer is more excellent than the second layer in adhesion to the workpiece.
該被加工物（１）の表面に、該表面と直接接触する第１の層（２）と該第1の層より厚い前記第２の層（３）とを含む複数の層を積層し、該被加工物に対する密着性において前記第１の層が前記第２の層より優れているように積層せしめる。 - 特許庁 - The vibration damping member 10 is provided with a first layer 12 made from a viscous elastic body, a second layer 14 made of metal and an intermediate layer 16, which has rigidity higher than that of the first layer 12 and lower than that of the second layer 14 and is interposed between the first and second layers 12 and 14.
制振部材１０は、粘弾性体からなる第１層１２と、金属からなる第２層１４と、第１層１２よりも高くかつ第２層１４よりも低い剛性を有して第１層１２と第２層１４との間に介在する中間層１６とを備える。 - 特許庁 - The capacitor further includes a sealing layer composed of a first sealing layer that is provided on the metallized contact surface of the capacitor element 2 and has at least a stress-relaxing function and a second sealing layer that is formed on a surface of the first sealing layer and reinforces the mechanical strength of the first sealing layer.
また、コンデンサー素子２のメタリコン面上に設けられた少なくとも応力緩和機能を有する第１の封止層と、該第１の封止層の面上に形成された前記第１の封止層の機械的強度を補強する第２の封止層とからなる封止層を設けた。 - 特許庁 - The first resin layer 21 and the second resin layer 22 are constituted by a resin material 2 having the same or different composition, and the thickness of the first resin layer 21 is smaller than that of the second resin layer 22 and is approximately a thickness at which a circuit wiring part 4 can be buried in the first resin layer 21.
第１樹脂層２１と第２樹脂層２２とは組成が同一または異なる樹脂材料２で構成され、第１樹脂層２１の厚さは、第２樹脂層２２の厚さより厚く、かつ第１樹脂層２１中に回路配線部４を埋設し得る程度のものである。 - 特許庁 - A member 40 with a functional layer includes: the support 16; a first functional layer 42 arranged on the support, and having a different wet tension from the support; and a high wet tension layer 44 arranged along the outer periphery of the first functional layer, and having a higher wet tension than the first functional layer.
また、機能層付き部材４０は、支持体１６と、支持体上に配置されてなり、支持体とぬれ張力が異なる第１機能層４２と、第１機能層の外周に沿って配置され、該第１機能層よりもぬれ張力が高い高ぬれ張力層４４と、を有する。 - 特許庁 - A first conductivity third semiconductor layer 8a is formed on the second semiconductor layer 7 and, in the third opening 5c, a first conductivity fourth semiconductor layer 9 is formed on the exposed surface of the first semiconductor layer 3 in contact with the third semiconductor layer 8a.
第２半導体層７上に第１導電型の第３半導体層８ａを形成すると共に、第３開口５ｃの内部において、第１半導体層３の露出面に第１導電型の第４半導体層９を第３半導体層８ａに接触させて形成する。 - 特許庁 - The method for manufacturing the microlens array includes a process of forming a first light-transmitting layer precursor 20 on a master plate 10, to form a first light-transmitting layer 22 and a process of forming a second light-transmitting layer precursor 24 on the first light-transmitting layer 22 to form a second light-transmitting layer 26.
マイクロレンズアレイの製造方法は、原盤１０に、第１の光透過性層前駆体２０を設けて第１の光透過性層２２を形成し、第１の光透過性層２２上に第２の光透過性層前駆体２４を設けて第２の光透過性層２６を形成することを含む。 - 特許庁 - Each corresponding layer provides a first mask layer at a side facing the conductor pattern ends (27 and 28), and widely and thinly provides a step getting over pattern 5 extended from upward of the lower layer conductor pattern ends (27 and 28) and gotten over the first mask layer on the step part of the first mask layer.
該当各層では、導体パターン端部（２７，２８）に面する側に第１マスク層を設け、当該第１マスク層の段差部分に、下層の導体パターン端部（２７，２８）上から延びて第１マスク層上に乗り越える段差乗り越しパターン５を幅広で薄厚に設ける。 - 特許庁 - The optical recording medium contains: a recording layer of recording information by utilizing holography; a first substrate; a second substrate; a first gap layer; a second gap layer; and a filter layer, and in which the composition of the first gap layer is composed of a non-thermosoftening material in which load deflection temperature is ≥70°C.
ホログラフィを利用して情報を記録する記録層と、第一の基板と、第二の基板と、第一ギャップ層と、第二ギャップ層と、フィルタ層とを有し、前記第一ギャップ層の組成物の荷重たわみ温度が、７０℃以上の非熱軟化性材料であることを特徴とする光記録媒体である。 - 特許庁 - Further, the first conductive layer and the second conductive layer are electrically connected to form a coil shape, and the first conductive layer, the second conductive layer and/or the first magnetic element are electrically connected to the outside through through-holes 16, 17 having opening parts to the external surface of the third insulating layer.
また、第一導電層と第二導電層が電気的に接続されてコイル形状をなし、第一導電層、第二導電層及び／又は第一磁性体素子が、第三絶縁層の外面へ開口部を有する貫通孔１６，１７を通じて外部と電気的に接続される構造を備える。 - 特許庁 - Then, a second organic layer containing an organic material of small molecules is deposited on the first organic layer, while contacting physically with the first organic layer, by using the solution processing so that the first organic layer is insoluble in the solution which is used for depositing the second organic layer.
次いで小さな分子の有機材料を含む第２有機層が、第１有機層と物理的に接触した第１有機層上の溶液処理を用いて堆積され、その結果、第１有機層は第２有機層を堆積するために用いられる溶液に溶解しない。 - 特許庁 - The lamination structure body has: a first conductivity type first semiconductor layer consisting of a nitride-based semiconductor; a second conductivity type second semiconductor layer consisting of a nitride-based semiconductor; and a light-emitting layer provided between the first semiconductor layer and the second semiconductor layer.
積層構造体は、窒化物系半導体からなる第１導電形の第１半導体層と、窒化物系半導体からなる第２導電形の第２半導体層と、前記第１半導体層と前記第２半導体層との間に設けられた発光層と、を有する。 - 特許庁 - In the film forming step S13, the tarnish layer having estimated characteristics is set as a first layer on the basis of the refractive index and the physical thickness of the tarnish layer, and a multilayer dielectric film is formed so that the first layer and the multilayer dielectric film formed on the first layer serve as an antireflective film.
成膜ステップＳ１３では、ヤケ層の屈折率及び物理膜厚に基づいて、この特性のヤケ層を第１層目として設定し、この第１層目とその上に形成する誘電体多層膜とで反射防止膜として機能するように、誘電体多層膜を成膜する。 - 特許庁 - The device includes: a substrate; a first electrode located on the substrate; an organic layer located on the first electrode and including an organic emission layer; and a second electrode located on the organic layer, and including a first metal layer and a second metal layer.
本発明は基板と；前記基板上に位置する第１電極と；前記第１電極上に位置し、有機発光層を含む有機膜層と；及び前記有機膜層上に位置し、第１金属層及び第２金属層を含む第２電極と；を含むことを特徴とする。 - 特許庁 - A transparent conductive layer, an anti-adsorption layer, a first semiconductor layer having a first conductivity type, a substantially intrinsic second semiconductor layer, and a third semiconductor layer having a conductivity type opposite to the first conductivity type are formed sequentially on a substrate.
基板上に、透明導電層と、吸着防止層と、第１の導電型を有する第１半導体層と、実質的に真性な第２半導体層と、前記第１の導電型とは反対の導電型を有する第３半導体層とをこの順に積層させたことを特徴とする。 - 特許庁 - Before a wiring layer is formed on a first insulating layer, the first insulating layer is exposed through a mask having a weak exposure part and strong exposure part depending on an arrangement position of a wiring path and arrangement position of a via in the wiring layer beneath the first insulating layer.
１の絶縁層の上に配線層を形成するのに先立って、当該１の絶縁層の直下の配線層における配線路の配置位置及びビアの配置位置に応じた弱露光部及び強露光部を有するマスクを介して当該１の絶縁層を露光する。 - 特許庁 - The dummy word line is electrically connected to the diffusion layer of the second conductivity type via a first interconnection layer 12, and at the same time, is connected to the well 2a region of the first conductivity type or the semiconductor substrate via an interconnection layer 14 in a layer above the first interconnection layer.
ここで、ダミーワード線は、第１の配線層１２を介して第２導電型拡散層と電気的に接続されるとともに、第１の配線層より上層の配線層１４を介して第１導電型ウェル２ａ領域または半導体基板に接続されている。 - 特許庁 - The semiconductor light-emitting element comprises an n-type first semiconductor layer, a p-type second semiconductor layer, a light-emitting part provided between the first semiconductor layer and the second semiconductor layer, and a multilayer structure provided between the first semiconductor layer and the light-emitting part.
実施形態によれば、ｎ形の第１半導体層と、ｐ形の第２半導体層と、第１半導体層と第２半導体層との間に設けられた発光部と、第１半導体層と発光部との間に設けられた多層構造体と、を備えた半導体発光素子が提供される。 - 特許庁 - This MgB_2 superconductive wire has a MgB_2 super-conductor in its center, a first metal layer on its outside, and a second metal layer on the outside of the first metal layer, and the size of the crystal grain of metal in the first metal layer and the second metal layer decreases as the location of the crystal grain approaches the interface between both metal layers.
本発明のMgB_2超電導線材は、中心のMgB_2超電導体と、その外側の第１の金属層と、その外側の第２の金属層と、を有し、第１の金属層と第２の金属層の金属の結晶粒のサイズは、両者の界面に近づくに従って小さくなっている。 - 特許庁 - The magnetoresistance effect device is provided with a first shielding layer 3 and a second shield layer 8 arranged separating by the prescribed interval, a MR element 5 arranged between the first shielding layer 3 and a second shielding layer 8, and a substrate 4 arranged between first shielding layer 3 and a MR element 5.
磁気抵抗効果装置は、所定の間隔を開けて配置された第１のシールド層３および第２のシールド層８と、第１のシールド層３と第２のシールド層８との間に配置されたＭＲ素子５と、第１のシールド層３とＭＲ素子５との間に配置された下地層４とを備えている。 - 特許庁 - A substrate 102 with a first surface includes a first adhesion promoting conductive layer 104, a crystalline orientation prompting layer 106, a second conductive layer 108, a dielectric layer 110, a third adhesion prompting layer 114, and a conductive electrode 116 on the first surface.
第１の面を有する基板１０２が、第１の面上において第１の接着促進導電層１０４と、結晶配向促進層１０６と、第２の導電１０８と、誘電層１１０と、第３の接着促進導電層１１４と、導電性電極１１６を有する。 - 特許庁 - When one of the menus included in the first menu layer is selected, the second menu layer including the sub-menus of the selected menu is formed and a ring of the second menu layer is formed outside the first menu layer while a ring of the first menu layer becomes small.
前記第１メニュー層に含まれたメニューのいずれか１つが選択されると、前記選択されたメニューの下位メニューを含む前記第２メニュー層を形成し、前記第１メニュー層のリングが小さくなりつつ、前記第１メニュー層の外側に前記第２メニュー層のリングを形成する。 - 特許庁 - This printed circuit board is provided with a first substrate layer whose elasticity is high, a second substrate layer joined on the first substrate layer whose elasticity is lower, and a flexible layer formed with flexibility by cutting a partial surface at the lower side of the first substrate layer with fixed depth.
弾性の高い第１の基板層と、この第１の基板層上に接合されたより弾性の低い第２の基板層と、前記第１の基板層の下側を一部の面を一定の深さで削除して屈曲性を持たせて形成されたフレキシブル層とを具備することを特徴とするプリント配線板。 - 特許庁 - The conductor layer 2 includes a first conductor layer 21 and a second conductor layer 22 covering the prescribed region of the first conductor and comprising a second metal which is more noble and highly corrosion resistant than the first conductor layer, and the conductor layer and a via hole conductor 4 are brought into contact with each other and electrically conducted.
導体層２を、第１導体層２１と、第１導体層の所定の領域を被覆する、第１導体層より貴で、耐食性の高い第２の金属からなる第２導体層２２とを備えた構成とし、導体層とビアホール導体４とを互いに接触させて電気的に導通させる。 - 特許庁 - A multilayer inductor 60 is provided with an inductor 64 of a first layer 64, an inductor 66 of a second layer formed on the inductor of the first layer via a first interlayer insulating film and an inductor 72 of a third layer formed on the inductor of the second layer via a second interlayer insulating film.
本多層インダクタ６０は、１層目のインダクタ６４と、第１の層間絶縁膜６６を介して１層目のインダクタ上に形成された２層面のインダクタ６８と、第２の層間絶縁膜７０を介して２層目のインダクタ上に形成された３層目のインダクタ７２とを備えている。 - 特許庁 - In the wave range of light that enters the substrate 1 and reaches the first reflection layer 5, reflectivity at an interface between the first reflection layer 5 and the second reflection layer 6 is higher than the reflectivity at an interface between the translucent conductive oxide layer 4 and the first reflection layer 5.
基板１から入射する光のうち第１の反射層５に到達する光の波長域において、第１の反射層５と第２の反射層６の界面での反射率が、透光性導電酸化物層４と第１の反射層５の界面での反射率よりも高い。 - 特許庁
- 特許庁
- Copyright © Japan Patent office. All Rights Reserved.
