「First layer」を含む例文一覧(24476)
＜前へ 1 2 .... 51 52 53 54 55 56 57 58 59 .... 489 490 次へ＞- The cover 1 for the tendon has a first layer 110 for covering the surface of the tendon 100, a second layer 120 formed on the outside of the first layer 110, and a third layer 130 formed on the outside of the second layer 120.
緊張材用被覆物１は、緊張材１００の表面を被覆する第１層１１０と、第１層１１０の外側に設けられる第２層１２０と、第２層１２０の外側に設けられる第３層１３０とを備える。 - 特許庁 - Since the first mask layer is formed to surround the second mask layer, the first mask layer and the second mask layer can be used as one continuous mask layer.
第１のマスク層及び第２のマスク層は接して形成され、第２のマスク層の周囲を囲むように第１のマスク層が形成されるので、第１のマスク層及び第２のマスク層は連続した一つのマスク層として用いることができる。 - 特許庁 - A low temperature growth buffer layer 104 and a first n-type GaN layer 105 are then sequentially grown epitaxially on the AIN layer 103, and a mask layer 106 having an opening is formed on the first n-type GaN layer 105.
次に、ＡｌＮ層１０３上に低温成長バッファ層１０４および第一のｎ型ＧａＮ層１０５を順次エピタキシャル成長させた後、第一のｎ型ＧａＮ層１０５上に開口部を有するマスク層１０６を形成する。 - 特許庁 - In the liquid crystal display device which includes a liquid crystal layer exhibiting the blue phase, a first structure body and a second structure body are provided over a first electrode layer (a pixel electrode layer) and a second electrode layer (a common electrode layer), respectively.
ブルー相を示す液晶層を含む液晶表示装置において、第１の電極層（画素電極層）上に第１の構造体、同様に第２の電極層（共通電極層）上に第２の構造体を設ける構成とする。 - 特許庁 - A laminate 1 is equipped with a base layer 2 comprising rubber or a synthetic resin, the first silicone rubber layer 4 laminated to the base layer 2 and the second silicone rubber layer 6 laminated to the first silicone rubber layer 4 and obtained by crosslinking due to hydrosilylation.
ゴムあるいは合成樹脂からなる基層と、基層の上に積層される第１のシリコーンゴム層と、第１のシリコーンゴム層の上に積層され、ヒドロシリル化による架橋により得られる第２のシリコーンゴム層、とを備える積層体とする。 - 特許庁 - The second conductor layer 29 has an electrolessly plated layer 33 formed on the first insulating layer 7 and first filled via 19, and also has an electroplated layer 37 which is formed on the electrolessly plated layer and which contains nearly uniform-sized particles.
このうち第２導体層２９は、第１樹脂絶縁層７及び第１フィルドビア１９上に形成された無電解メッキ層３３と、この上に形成され、ほぼ均一な大きさのメッキ粒子よりなる電解メッキ層３７とからなる。 - 特許庁 - The thermal expansion difference between the first layer 5 and the third layer 15 can be relaxed by the second layer 10 based on the arrangement, and for instance, the first layer 5 can be expanded comparatively freely without being restrained so much by the second layer 10.
このため、第１層５と第３層１５との熱膨張差を第２層１０で緩和することができるので、例えば第１層５を第２層１０であまり拘束しないで比較的自由に膨張させることができる。 - 特許庁 - Further, the lower magnetic pole layer is provided with an auxiliary layer 8d which consists of a high-saturation magnetic density material and is arranged between the first layer 8a of the lower magnetic pole layer and the first layer part 10 of thin film coils and forms a part of a magnetic path.
下部磁極層は、更に、高飽和磁束密度材料からなり、下部磁極層の第１の部分８ａと薄膜コイルの第１層部分１０との間に配置され、磁路の一部を形成する補助層８ｄを有している。 - 特許庁 - The protection film 21 is composed of lamination structure, a first layer 21a which is the lowermost layer is composed of silicon oxide of which the heat conductivity is ≤10 [W/mk], and a second layer 21b which is the upper layer of the first layer 21a is composed of silicon nitride having high moisture permeability resistance.
この保護膜２１は、積層構造からなり、最下層の第１層２１ａが熱伝導率１０［Ｗ／ｍ・ｋ］以下の酸化シリコンで構成され、その上部の第２層２１ｂが耐透湿性の高い窒化シリコンで構成される。 - 特許庁 - In the coating roll (11), a Ni plating layer (13) having thickness of 10-3,000 μm is formed on a surface of the roll (12) made of steel as a first layer and a Cr plating layer (14) having thickness of 10-30 μm is formed on the first layer as a second layer.
鋼製ロール（１２）表面に、第１層として厚さ１０〜３０００μｍのＮｉめっき層（１３）と、前記第１層の上に第２層として厚さ１０〜３０μｍのＣｒめっき層（１４）を形成してなる塗布ロール（１１）。 - 特許庁 - First, an amorphous Cr alloy layer containing CrTi as a first amorphous base layer 2a and an amorphous Cr alloy layer containing CrNb as a second amorphous base layer 2b are deposited to form an amorphous base layer 2.
まず、第１の非晶質下地層２ａとしてＣｒＴｉを含む非晶質Ｃｒ合金層、次に第２の非晶質下地層２ｂとして、ＣｒＮｂを含む非晶質Ｃｒ合金層を成膜し、非晶質下地層２とした。 - 特許庁 - The first layer 12 is the layer containing fine particles and binders mainly composing one of tin oxide, indium oxide, titanium oxide and zirconium oxide, and the second layer 13 is the layer provided so as to contact to the first layer 12.
第１層１２は、酸化錫、酸化インジウム、酸化ジルコニウム、酸化チタンのいずれかひとつを主成分とする微粒子及びバインダを含む層であり、第２層１３は、第１層１２に接するようにして設けられる層である。 - 特許庁 - First and second peripheral terminations 44, 46 are formed along the sides of the multi-layer structure to electrically connect the electrode layer 14 and the first transition layer electrode 26, and the electrode layer 20 and the second transition layer electrode 28.
第１及び第２の周辺終端４４，４６は、多層構造の側面に沿って形成されて、電極層１４と第１の遷移層電極２６及び電極層２０と第２の遷移層電極２８を電気的に接続している。 - 特許庁 - A first electrode layer is formed by a sputtering method using gas containing hydrogen or H_2O, an electroluminescent layer is formed on the first electrode layer, and a second electrode layer is formed on the electroluminescent layer to fabricate a display device.
水素、又はＨ_２Ｏを含むガスを用いたスパッタリング法により第１の電極層を形成し、第１の電極層上に電界発光層を形成し、電界発光層上に第２の電極層を形成し表示装置を作製する。 - 特許庁 - The package structure for photoelectric devices includes a silicon substrate 11, a first insulating layer 21A or 21B, a reflective layer 22A or 22B, a second insulating layer 23A or 23B, a first conductive layer 21, a second conductive layer 22 and a die 31A.
光電デバイス用パッケージ構造は、シリコン基板１１と、第１の絶縁層２１Ａ，２１Ｂと、反射層２２Ａ，２２Ｂと、第２の絶縁層２３Ａ，２３Ｂと、第１の導電層２１と、第２の導電層２２と、ダイ３１Ａとを備える。 - 特許庁 - Further, the apparatus includes a first layer disposed at the side of the reflective layer with a reflective index n1, and a second layer opposite to the first layer with the reflective index n2 (n2<n1), with the second electrode layer arranged as the center.
また、この第２電極層を中心として、前記反射層側に配置される屈折率ｎ１をもつ第１層、及び、当該第１層とは反対側に配置される屈折率ｎ２（ただし、ｎ２＜ｎ１）をもつ第２層、が備えられる。 - 特許庁 - The first filter layer 9 is a filter layer for softening water introduced from the water filling port 2 and the second filter layer 11 is a filter layer for applying a negative ion and a magnetic field to the water softened by the first filter layer 9.
第１フィルタ層９は、注水口２から導入される水を軟水化するフィルタ層であり、第２フィルタ層１１は、第１フィルタ層９で軟水化された水に対して、マイナスイオンと磁場とを作用させるフィルタ層である。 - 特許庁 - After a second inter layer insulating film 150 which covers the metal layer is formed on the first inter layer insulating layer 140, the second inter layer insulating film 150 on the fuse is partially removed.
第１層間絶縁膜１４０上に前記１金属層を覆う第２層間絶縁膜１５０を形成した後、ヒューズ部上の第２層間絶縁膜１５０を部分的に除去する。 - 特許庁 - A pinned layer 20 has a synthetic structure, which comprises a first ferromagnetic layer 18, a coupling layer 17 and a second ferromagnetic layer 16, which are sequentially laminated from a free layer 27 side.
ピンド層２０は、フリー層２７の側から第１強磁性層１８と結合層１７と第２強磁性層１６とが順に積層されたシンセティック構造を有するものである。 - 特許庁 - The lower layer, namely the first interconnection layer 14, functions as a layer for heat radiation and is formed so that the area becomes larger than that of a die pad section 18A composed of the upper layer, namely the second interconnection layer 18.
更に、下層の第１配線層１４は放熱用の層として機能して、上層の第２配線層１８から成るダイパッド部１８Ａよりも面積が大きく形成されている。 - 特許庁 - Next, a hole transportation layer 4, a first light emitting layer 5a, a second light emitting layer 5b, and an electron transportation layer 6 are formed on the hole injection layer 3a in this order using a vacuum evaporation.
次に、ホール注入層３ａ上に、ホール輸送層４、第１の発光層５ａ、第２の発光層５ｂおよび電子輸送層６を真空蒸着により順に形成する。 - 特許庁 - While, Shore D hardness of the first layer 18a (a B layer) and the outer layer 20 is in a range of 20 to 50 and set lower than the inner layer 16 and the second layer 18b.
その一方で、第１層１８ａ（Ｂ層）および外層２０のショアＤ硬度を２０〜５０の範囲内でかつ内層１６および第２層１８ｂに比して低く設定する。 - 特許庁 - To suppress a silicide layer from being formed deeper than a diffusion layer, even if a second silicide layer is formed on the bottom surface of a contact hole connected to a first silicide layer on the diffused layer.
拡散層上の第１のシリサイド層に接続するコンタクトホールの底面に第２のシリサイド層を形成しても、シリサイド層が拡散層より深く形成されることを抑制する。 - 特許庁 - The light-emitting device includes a semiconductor layer, a p-side electrode, an n-side electrode, a first insulating layer, a p-side wiring layer, an n-side wiring layer, and a second insulating layer.
実施形態によれば、発光装置は、半導体層と、ｐ側電極と、ｎ側電極と、第１の絶縁層と、ｐ側配線層と、ｎ側配線層と、第２の絶縁層とを備えている。 - 特許庁 - In this invention, after accumulating a core layer 12 on an under clad layer 11, a first over clad layer 1 having the same quality of material as that of the under clad layer 11 is accumulated on the core layer 12.
本発明にあっては、アンダークラッド層１１上にコア層１２を堆積後、このコア層１２上にアンダークラッド層１１と同材質からなる第１のオーバークラッド層１を堆積させる。 - 特許庁 - The solid electrolyte multi-layered film 11 is provided with a solid electrolyte layer 13 and a first surface layer 14 on one surface of the solid electrolyte layer 13 and a second surface layer 15 on the other surface of the solid electrolyte layer 13.
固体電解質複層フィルム１１は、固体電解質層１３と、この固体電解質層１３の一面に第１表層１４と、他面に第２表層１５とを備える。 - 特許庁 - The rubber hardness of the rubber layer parts 15, 16, 17, 18 should meet the relation that the first division rubber layer part < the second division rubber layer part < the third division rubber layer part ≤ the fourth division rubber layer part.
各区域ゴム層部１５，１６，１７，１８のゴム硬度は、第１区域ゴム層部＜第２区域ゴム層部＜第３区域ゴム層部≦第４区域ゴム層部の関係を満たすようになっている。 - 特許庁 - The magnetic recording layer comprises the first magnetic recording layer 5 and the second magnetic recording layer 7 via the nonmagnetic separation layer 6 and has a two-layered structure magnetically separated in the film-layer direction.
磁気記録層が、非磁性分離層６を介して第１の磁気記録層５と第２の磁気記録層７からなり、膜層方向に磁気的に分離された二層構造を有している。 - 特許庁 - Exposure and development are performed on the resist layer 102 so as to leave a predetermined dimension W_2, as with the first layer (resist layer 100), and then, a third resist layer (resist layer 104) is applied.
レジスト層１０２についても、一層目（レジスト層１００）と同様に、所定の寸法Ｗ_２を残すように露光現像を行い、その後、三層目のレジスト（レジスト層１０４）を塗布する。 - 特許庁 - The colore object 1 bears an undercoat layer 4 as a base layer, a concave and convex layer 5, a deposition layer 6 as a first metal layer, protective layers 7 and 8 in this order from the side of substrate 3.
着色体１は、基体３側から順に、下地層としてのアンダーコート層４、凹凸層５、第１の金属層としての蒸着層６、保護層７、保護層８を有している。 - 特許庁 - A substrate 100 is overlaid with a lower clad layer 101, active layer 102, first upper clad layer 103, etching stop layer 104, and second upper clad layer 106 as a ridge in this order.
基板１００上に、下クラッド層１０１、活性層１０２、第１上クラッド層１０３、エッチングストップ層１０４、リッジとしての第２上クラッド層１０６がこの順に積層されている。 - 特許庁 - The logic GND line 5 of the substrate 21 is formed of the first layer wiring layer and a logic power supply line 4 is formed of a second layer wiring layer through an insulation layer.
記録ヘッド用基体２１のロジック用ＧＮＤライン５が１層目の配線層で形成され、ロジック用電源ライン４は絶縁層を介して２層目の配線層で形成されている。 - 特許庁 - An npn bipolar transistor consists of a first semiconductor layer group sharing constituted of the n-type emitter layer 12, the p-type base layer 13, the active layer 14, and the n-type base layer 15.
ｎ型エミッタ層１２、ｐ型ベース層１３、活性層１４、及びｎ型ベース層１５からなる第１の半導体層群区分からｎｐｎ型のバイポーラトランジスタを構成する。 - 特許庁 - The present invention includes forming a doped layer in a surface region of a first substrate, forming a buried oxide layer on the doped layer and forming a semiconductor layer on the buried oxide layer to obtain an SeOI wafer.
本発明は、第１の基板の表面領域にドープ層、ドープ層上に埋め込み酸化物層、埋め込み酸化物層上に半導体層を形成してＳｅＯＩウェーハを得る。 - 特許庁 - In order to prepare a cutter path defining a second layer as a current layer from the contour data of the second layer, OR operating processing is executed between the contour data of the second layer and the cutter path of the first layer.
第2層目のコンターデータから、第２層をカレント層としたときのカッターパスを作成するため、第２層目のコンターデータと第１層のカッターパスとの間でＯＲ演算処理を実行する。 - 特許庁 - An electrolyte layer 3 and a negative electrode 4 comprising a first conductive layer 4a and a second conductive layer 4b are formed on the dielectric layer 2 to cover the periphery of the dielectric layer 2.
誘電体層２上には、誘電体層２の周囲を覆うように電解質層３と第１導電層４ａおよび第２導電層４ｂからなる陰極４とが形成されている。 - 特許庁 - A cap layer 12, a first interlayer insulating film 13, an etching stopper layer 14, a second interlayer insulating film 15, a hard mask layer 16, and another hard mask layer 18, are sequentially formed on a wiring layer 11.
配線層１１上に、キャップ層１２、第１層間絶縁膜１３、エッチングストッパ層１４、第２層間絶縁膜１５、ハードマスク層１６、ハードマスク層１８を順次形成する。 - 特許庁 - In the device, there is formed proton implanted parts 34 that reaches a first clad layer 12 by penetrating a contact layer 24, a current blocking layer 20, a second clad layer 16, and an undoped active layer 14.
コンタクト層２４と電流ブロック層２０と第２クラッド層１６とアンドープ活性層１４とを貫通して、第１クラッド層１２まで達するプロトン注入部３４を形成する。 - 特許庁 - The adhesive layer is disposed between the metal supporting layer and the pattern forming layer to couple the pattern forming layer to the metal supporting layer, and has a second thermal conductivity lower than the first thermal conductivity.
接着層は、金属支持層とパターン形成層との間に配置してパターン形成層を金属支持層に固定させ、第１熱伝導率より低い第２熱伝導率を有する。 - 特許庁 - Gate electrode layers 21a, 21b which form a first layer, a drain- drain connect layer which is a second layer and a drain-gate connect layer which is a third layer form conductive layers for a flip-flop.
第１層であるゲート電極層２１ａ、２１ｂと、第２層であるドレイン−ドレイン接続層と、第３層であるドレイン−ゲート接続層と、がフリップフロップ用の導電層となる。 - 特許庁 - A first layer 131, a third layer 133 and a fifth layer 135 are each formed of SiO_2; and a second layer 132 and a fourth layer 134 are each formed of ZrO_2.
第１層１３１、第３層１３３及び第５層１３５は、それぞれＳｉＯ_２から形成され、第２層１３２及び第４層１３４は、それぞれＺｒＯ_２から形成されている。 - 特許庁 - The information signal layer includes a reflecting layer, a recording layer provided on the reflecting layer and first, second and third dielectric layers laminated successively on the recording layer.
情報信号層は、反射層と、反射層上に設けられた記録層と、記録層上に順次積層された第１誘電体層、第２誘電体層、および第３誘電体層とを備える。 - 特許庁 - A triple layer constituted of a tunneling insulating layer, the charge storing layer and a blocking insulating layer, and a second conducting layer are formed in order on the whole surface of the substrate on which the first conducting film is formed.
第１導電膜が形成された基板の全面にトンネリング絶縁層、電荷貯蔵層及びブロッキング絶縁層で構成された三重層と第２導電膜層を順次に形成する。 - 特許庁 - A p+-GaAs layer 16 continuous to the base layer is then formed with same height as the emitter layer through a first insulation layer 19 formed on the side of the emitter layer.
そして上記エミッタ層の側部に形成される第１の絶縁層１９を介して前記ベース層に連なるｐ^+-ＧaＡs層１６を前記エミッタ層と同一高さに形成する。 - 特許庁 - The multilayer body fixed to a terminal 2 includes the first plastic layer in the form of a polymer layer 4, and a conductive aluminum layer 5 adjoining the layer 4 while disposed outside of the layer 4.
多層体は、端子２に固定され、ポリマー層４の形の第１のプラスチック層、および層４に隣接し、かつ層４から外側に配置される導電アルミニウム層５を有する。 - 特許庁 - The layer 9 includes a first backside electrode layer 7, containing silver and a second backside layer 8 on the layer 7 that suppresses corrosion of the layer 7.
裏面電極層９は、銀を含む第１裏面電極層７と、第１裏面電極層７の腐食を抑制する第１裏面電極層７上の第２裏面電極層８とを含む。 - 特許庁 - The multi-material layer includes a first material layer comprised of residue from an underlying dielectric capping layer, and a second material layer comprised of residue from an underlying metallic capping layer.
マルチ材料層は、下層の誘電体キャッピング層からの残留物からなる第１材料層と、下層の金属キャッピング層からの残留物からなる第２材料層とを含む。 - 特許庁 - In the second electrode layer 30, outer peripheral ends of a catalyst layer 31 and a gas diffusion layer 32 are located on the outside of the outer peripheral end of the catalyst layer 21 in the first electrode layer 20.
第２の電極層３０は、触媒層３１およびガス拡散層３２の外周端が、第１の電極層２０における触媒層２１の外周端より外側に位置している。 - 特許庁 - The Al composition x of the first graded layer 104 linearly decreases 0.2 to 0.1 from the interface between the layer 104 and the channel layer 103 toward the interface between the layer 104 and the second graded layer 105.
第１グレーデッド層１０４のＡｌ組成ｘはチャネル層１０３との界面から第２のグレーデッド層１０５との界面に向かって０.２から０.１に直線的に減少している。 - 特許庁 - A light diffusion layer 31 is provided at the observer's side of a first layer (a layer including a light absorbing layer) 2 as a second layer.
従来の視認性向上シートの構成に加えて、観察側に光を拡散させる機能を有する層を形成し、この追加した層の効果によってディスプレイ全体としての視野角を広くした。 - 特許庁
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