「First layer」を含む例文一覧(24472)
＜前へ 1 2 .... 47 48 49 50 51 52 53 54 55 .... 489 490 次へ＞- A second capacitor electrode layer 5b insulated from the first capacitor electrode layer 5a is formed on the third insulating layer 1c.
第３の絶縁層１ｃ上に第１のキャパシタ電極層５ａと絶縁された第２のキャパシタ電極層５ｂを設ける。 - 特許庁 - A first metal layer, which contains atoms diffusing from the magnetic recording layer by a heat treatment, is provided on the magnetic recording layer.
前記磁化記憶層上に、熱処理により前記磁化記憶層から拡散する原子を含む第１の金属層が設けられる。 - 特許庁 - A signal line 13 having a predetermined width is formed on a first wiring layer, and a ground layer 14 is formed on a second wiring layer.
第一配線層に所定の幅を有する信号線路１３が形成され、第二配線層にグランド層１４が形成される。 - 特許庁 - The cathode layer 5 is formed on the first electrolyte layer 4 and arranged separately from the anode lead-out layer 2.
陰極層５は、第１電解質層４上に形成されると共に、陽極引出し層２から離間して配置されている。 - 特許庁 - The external electrode 16A comprises a fired electrode layers 18A, a resin electrode layer, and a first plated layer and a second plated layer.
外部電極１６Ａは、焼付電極層１８Ａ、樹脂電極層、第１めっき層及び第２めっき層を有している。 - 特許庁 - The multilayer film 3 comprises, from the one surface of the quartz plate 2, a first layer 3a, a second layer 3b and a third layer 3c.
多層膜３は、水晶板２一面側から順に、第１層３ａ、第２層３ｂ、第３層３ｃから構成されている。 - 特許庁 - A multilayer resist consisting of a lower photoresist layer, a nitride silicon layer and an upper photoresist layer, is formed on the surface of a sapphire substrate in a first step.
第１ステップにて、下フォトレジスト層、窒化シリコン層、上フォトレジスト層からなる多層レジストをサファイア基板表面に形成する。 - 特許庁 - In this gas seal material, a polyamide film layer is arranged between a first rubber layer and a second rubber layer.
第一ゴム層と第二ゴム層との間にポリアミド系フィルム層が設置されているガス用シール材であることを特徴としている。 - 特許庁 - A Zener diode comprises a substrate 11, a base diffusion layer 12, a first polysilicon layer 14a and a second polysilicon layer 14b.
ツェナーダイオードは、基板１１とベース拡散層１２と第１ポリシリコン層１４ａと第２ポリシリコン層１４ｂとを具備している。 - 特許庁 - A first active layer containing first conductivity type impurities is formed on a semiconductor substrate, a first electrode is provided on the first active layer, a second active layer containing second conductivity type impurities is formed on a partial region of the first active layer, a third active layer containing first conductivity type impurities is formed on the second active layer, and a second electrode is formed on the third active layer.
半導体基板上に、第１の導電型不純物を含有する第１の能動層を形成し、この第１の能動層に第１の電極を設ける一方、前記第１の能動層の一部領域上に、第２の導電型不純物を含有する第２の能動層を形成するとともに、この第２の能動層上に第１の導電型不純物を含有する第３の能動層を形成し、この第３の能動層に第２の電極を形成する。 - 特許庁 - In the laminated foil which comprises a laminate of the first conductive body layer 1, the first barrier layer 2, the second conductive body layer 3 and the second barrier layer 4, etching characteristics of adjoining layers are different from each other.
第一の導体層１と、第一のバリア層２と、第２の導体層３と、第２のバリア層４が積層されてなる積層箔において、隣接する層のエッチング特性が互いに異なる積層箔。 - 特許庁 - When the information recorded in a first recording layer and a second recording layer of an optical information recording medium is to be reproduced, reproduction from the first recording layer is discriminated from reproduction from the second recording layer.
光学情報記録媒体の第１の記録層と第２の記録層とに記録された情報を再生するとき、第１の記録層からの再生と第２の記録層からの再生を判別する。 - 特許庁 - The second diffusion layer 26 is formed in the first diffusion layer 25 wherein the first and second diffusion layers 25 and 26, the third diffusion layer 8 and the fourth diffusion layer 10 are spaced apart from each other.
第２拡散層２６は第１拡散層２５中に形成されており、第１および第２拡散層２５，２６、第３拡散層８、および第４拡散層１０は、互いに離隔して形成されている。 - 特許庁 - Since the growth intercepting layer 17 is amorphous, the second magnetic layer 18 is crystal-grown without being affected by crystal structure of the first magnetic layer 16 and particle diameter of the first magnetic layer 16.
成長遮断層１７は非晶質であるので、第２磁性層１８は第１磁性層１６の結晶構造や第１磁性層１６ａの粒径の影響を受けずに結晶成長する。 - 特許庁 - Also, a position printed with the material on the second layer 122 is set above a position not printed with the ink on the first layer 121 in a state of superimposing the second layer 122 on the first layer 121.
また、第２層１２２にて素材が印刷される位置は、第２層１２２を第１層１２１に積み重ねた状態で、第１層１２１にてインクが印刷されていない位置の上方に設定される。 - 特許庁 - A second powder top layer is dispensed on fused and non-fused powders at the first powder top layer; and a second united layer, which is combined with the first united layer, is formed similarly.
第１の頂部層の融解した粉末および融解していない粉末の上に粉末の第２の頂部層を分配し、同様にして、第１の一体層に結合した第２の一体層を形成する。 - 特許庁 - A first conductive layer 3 located on the inner bottom of the casing 1a is covered with an insulating layer 4, and openings 4a and 4b penetrating through the first conductive layer 3 are provided to the insulating layer 4.
収容部１ａの内部底面の第１導電層３は、絶縁層４で覆われ、絶縁層４には、第１導電層３まで貫通する開口部４ａおよび４ｂが形成されている。 - 特許庁 - The adhesive layer 3 includes a first adhesive layer 3a directly in contact with the front surface of the substrate 2 and a second adhesive layer 3b layered on the first adhesive layer 3a.
前記粘着層３が、基材２の表面に直接接触された第一の粘着層３ａと、前記第一の粘着層３ａに積層して設けられた第二の粘着層３ｂとから形成されている。 - 特許庁 - The coating resin layer 3 has a first resin layer 10 which is the nearest to the substrate 2, and at least one second resin layer 11 with the first resin layer 10 disposed in contact with the substrate 2.
被覆樹脂層３は、基板２に最も近い第１の樹脂層１０と、基板２との間に第１の樹脂層１０を挟んで配置された少なくとも一つの第２の樹脂層１１とを有する。 - 特許庁 - The second magnetic layer 14 has a first layer 14A exposed to the medium opposite surface ABS and a second layer 14B formed on the first layer 14A without being exposed to the medium opposite surface ABS.
第２の磁性層１４は、媒体対向面ＡＢＳに露出する第１層１４Ａと、媒体対向面ＡＢＳに露出せず、第１層１４Ａの上に形成された第２層１４Ｂとを有している。 - 特許庁 - The primer layer 3, the first conductive layer 2, the first electrode 4, the electrolyte layer 5, the second electrode 6, and the second conductive layer 7 have structures alternately laminated by a cationic material and an anionic material.
そして、プライマー層３、第一伝導層４、第一の電極４、電解質層６、第二の電極６、第二伝導層７は、カチオン性物質とアニオン性物質とが交互に積層した構造を有している。 - 特許庁 - In the second cycle, a monolayer of a second silicon oxide layer is formed on the upper first silicon nitride layer of the hole, and then, a monolayer of a fourth silicon layer is formed on the lower first silicon nitride layer of the hole.
第２サイクルでは、ホール上部の窒化シリコン層上に１分子層の第２の酸化シリコン層を形成後、ホール下部の第１の窒化シリコン層上に１原子層の第４のシリコン層を形成する。 - 特許庁 - An electrode 4 is a two-layer coil, which has a first layer coil 8 surrounding a electrode rod 7 and a second layer coil surrounding in the same direction as that of the first layer coil 8.
電極４は、電極棒７に巻回された第１層コイル８と、第１層コイル８のピッチ間に第１層コイル８と同一方向に巻回された第２層コイルとを有する２層状コイルである。 - 特許庁 - A first dielectric layer 21 is formed on an edge surface 10b containing a light-emitting edge surface 10a of the laminated semiconductor layer, then, a light-sensitive mask material layer is applied on the first dielectric layer 21.
積層半導体層の発光端面１０ａを含む端面１０ｂ上に、第１の誘電体層２１を形成し、その後、第１の誘電体層２１上に感光性のマスク材料層を塗布する。 - 特許庁 - This structure consists of at least four layers of a first panel layer 2, an acoustic material layer 3, a first airspace 4, and a second panel layer 6, arranged in order from a sound source side, and the acoustic material layer 3 has air permeability.
音源側から第１パネル層２、吸音材層３、第１空気層４、第２パネル層６の順に配列された少なくとも４層からなり、前記吸音材層３を通気性を備えたものとする。 - 特許庁 - The light guide 68 includes a first light guide layer 72 and second light guide layer 74 superimposed, and forming an interface 76 between the first light guide layer 72 and second light guide layer 74.
導光体６８は、第１の導光層７２と第２の導光層７４とが重ねられており、第１の導光層７２と第２の導光層７４との間に界面７６が形成されている。 - 特許庁 - (a) The thickness ratio of the second layer to the first layer is in the range of 2 to 10:1, (b) the transmitted optical consistency of the second layer is in the range of 0.2 to 1.5, (c) the transmitted optical consistency of the first layer is in the range of 0.005 to 0.2.
（ａ）第一層に対する第二層の厚さの比が２〜１０：１の範囲、（ｂ）第二層の透過光学密度が０．２〜１．５の範囲、（ｃ）第一層の透過光学密度が０．００５〜０．２の範囲。 - 特許庁 - The thickness of the first fiber layer 11 is 0.2-1 mm, the thickness of the second layer 12 is 0.4-3 mm, and the total thickness of the first fiber layer 11 and the second fiber layer 12 is 0.6-4 mm.
第１繊維層１１の厚みが０．２〜１ｍｍであり、第２層１２の厚みが０．４〜３ｍｍであり、第１繊維層１１及び第２繊維層１２の総厚みが０．６〜４ｍｍである。 - 特許庁 - In a breakdown voltage region B, a second insulating layer 20 made of a material different from the material of the first insulating layer 18 is formed on the upside of the semiconductor layer 4, and no first insulating layer 18 is formed.
耐圧領域Ｂでは、半導体層４の上側に第１絶縁層と異なる材料からなる第２絶縁層２０が形成されており、第１絶縁層１８は形成されていない。 - 特許庁 - To prevent or restrain the unevenness of the first image layer formed on a transparent base material, from being visually seen from the side of the second image layer formed on the first image layer via an intermediate layer.
透明基材上に形成された第１画像層の凹凸が、中間層を介して第１画像層上に形成された第２画像層側から視認されることを防止または抑制する。 - 特許庁 - While etching the first layer 5, the second layer 6 is formed of a material having an etching selection ratio where the second layer 6 functions as a mask of the first layer 5.
そして、前記第一層５に対するエッチングの間は前記第二層６が当該第一層５のマスクとして機能するエッチング選択比を有した材料によって、当該第二層６を形成する。 - 特許庁 - The first layer including the first metal oxide layer 111 and the second layer including the second metal oxide layer 114 form a p-n junction, thereby the memory element is imparted with rectifying capability.
第１の金属酸化物１１１を有する第１の層と第２の金属酸化物１１４を有する第２の層はｐ−ｎ接合を形成し、これによりメモリ素子に整流性が付与される。 - 特許庁 - The second mirror 1010 is a multilayer reflector formed of a first layer 1014 and a second layer 1012 that are alternately plurally laminated, the second layer having a refractive index higher than that of the first layer.
前記第２のミラー１０１０は、第１の層１０１４と、該第１の層よりも高い屈折率を有する第２の層１０１２とを交互に複数積層して形成されている多層膜反射鏡である。 - 特許庁 - In addition, the active material layer 12 includes a plurality of layers containing a first layer 12a adjacent to the collector 11 and a second layer 12b disposed further away from the collector 11 than the first layer 12a.
また、活物質層１２は、集電体１１に隣接する第１の層１２ａと第１の層１２ａよりも集電体１１から遠く配置された第２の層１２ｂとを含む複数の層を含む。 - 特許庁 - The first light deflection crystal cell includes a prism layer being in contact with a liquid crystal layer, and an alignment structure for controlling a major axis direction of liquid crystal molecules in an interface between the liquid crystal layer and the prism layer to a first direction.
第１の光偏向液晶セルは、液晶層と接するプリズム層と、液晶層とプリズム層との界面の液晶分子の長軸方向を、第１の方向に制御する配向構造とを含む。 - 特許庁 - The method also includes a process for coupling a third insulating layer to the first insulating layer, which is a process wherein the third insulating layer is disposed at least partially below the first insulating layer.
この方法はまた、第３の絶縁層を第１の絶縁層に連結する工程であって、第３の絶縁層は、第１の絶縁層の下に少なくとも部分的に配置される工程を含む。 - 特許庁 - A first fixed magnetic layer 4a is formed by a laminated structure in which a first insertion layer 4a2 formed of Ta is interposed between a lower ferromagnetic layer 4a1 and an upper ferromagnetic layer 4a3.
第１固定磁性層４ａは、Ｔａで形成された第１挿入層４ａ２が下側強磁性層４ａ１と上側強磁性層４ａ３との間に介在する積層構造で形成されている。 - 特許庁 - The first layer 11 and the second layer 12 are joined by thermally fusing the synthetic resin fibers 15 and the synthetic resin fibers 18 in a boundary 4 between the first layer 11 and the second layer 12.
そして、第１層１１と第２層１２との境界４において、前記合成樹脂繊維１５と合成樹脂繊維１８とが熱融着されて第１層１１と第２層１２とが接合されている。 - 特許庁 - In the first region A, a first insulating layer 111 and a second insulating layer 112 are doubly provided, and a silicon monocrystalline layer 122 on the second insulating layer 112 is used for the substantial device formation.
第１領域Ａは、第１の絶縁層１１１、第２の絶縁層１１２と二重に設けられ、第２の絶縁層１１２上のシリコン単結晶層１２２が実質的なデバイス形成に用いられる。 - 特許庁 - Indium composition Y of the second well layer 23 is smaller than indium composition X of the first well layer 21, and thickness D_W2 of the second well layer 23 is greater than thickness D_W1 of the first well layer 21.
第２の井戸層２３のインジウム組成Ｙは第１の井戸層２１のインジウム組成Ｘより小さく、また第２の井戸層２３の厚さＤ_Ｗ２は第１の井戸層２１の厚さＤ_Ｗ１より厚い。 - 特許庁 - A first insulation layer 28 is formed, a resist layer 32 is formed, the insulation layer 28 is etched through an opening 36, the first thickness 42 of the insulation layer is removed, and an S/D opening 40 is formed.
第一絶縁層２８を形成し、レジスト層３２を形成し、開口部３６を通じて絶縁層２８をエッチングし、絶縁層の第一厚さ４２を除去し、Ｓ／Ｄ開口部４０を形成する。 - 特許庁 - An insulating film 67, a material layer 68 of a magnetic domain control film, a first polishing stopper layer 69, and a second polishing stopper layer 71 including a material different from that of the first polishing stopper layer 69 are stacked in this order.
絶縁膜６７、磁区制御膜の素材層６８、第１研磨ストッパ層６９、および、第１研磨ストッパ層６９の素材とは異なる素材を含む第２研磨ストッパ層７１を順次積層する。 - 特許庁 - A layer insulating film is constituted of a first layer insulating film 201 and a second layer insulating film 202 which is formed on the first layer insulating film 201 and has a character to prevent the diffusion of copper.
層間絶縁膜は、第１の層間絶縁膜２０１と、第１の層間絶縁膜２０１上に形成され銅の拡散を防止する性質を有する第２の層間絶縁膜２０２とから構成される。 - 特許庁 - Tracks of the first layer and the second layer are spiral type, the tracks are arranged so that a winding direction of the spiral pattern of the first layer and the second layer are inverse direction each other when they are seen from the same side of the disk.
１層目および２層目のトラックは螺旋状で、ディスクの同じ側から見たときに１層目および２層目の螺旋パターンの巻方向が逆向きであるように配置されている。 - 特許庁 - In the manufacturing method, the molten second layer is formed on the first layer, and the elastomer composition of the first layer and the radiation cross-linkable fluorocarbon resin of the second layer are cross-linked in a lump.
上記第一層上に、上記第二層を溶融状態で形成し、上記第一層のエラストマー組成物及び上記第二層の放射線架橋性フッ素樹脂を一括して架橋する製造方法。 - 特許庁 - The light-emitting thyristor 20 includes a first N-type semiconductor layer 42, a first P-type semiconductor layer 43, a second N-type semiconductor layer 44 and a second P-type semiconductor layer 45.
発光サイリスタ２０は、第１のＮ型半導体層４２と、第１のＰ型半導体層４３と、第２のＮ型半導体層４４と、第２のＰ型半導体層４５とを含んで構成される。 - 特許庁 - A plurality of the first coil strips 55 are formed within the space enclosed by a lower core layer 29, a bulging layer 32 and a back gap layer 33 and a magnetic pole layer 70 is formed on the first coil strips 55.
下部コア層２９、隆起層３２、バックギャップ層３３で囲まれた空間内に複数本の第１コイル片５５が形成され、第１コイル片５５の上に磁極層７０が形成されている。 - 特許庁 - The contact holes for connecting the first conductive layer 7 and the second conductive layer 10b are formed after the first layer 9a of the upper shielding layer is formed on the upper shielding gap films 8a and 8b.
第１の導電層７と第２の導電層１０ｂとを接続するためのコンタクトホールは、上部シールドギャップ膜８ａ，８ｂの上に上部シールド層の第１の層９ａを形成した後に形成される。 - 特許庁 - The intermediate layer 4 is formed by stacking the first intermediate layer 6 at least by sputtering and forming the second intermediate layer 7 on the first intermediate layer 6 by spin coating in this order.
少なくともスパッタリング法によって第１の中間層６と、当該第１の中間層６上にスピンコート法によって第２の中間層７とをこの順に積層し、上記中間層４を形成する。 - 特許庁 - The reference capacitor part includes a first conductor layer 34 conducted to a detection electrode 12 and a second conductor layer 35 facing the first conductor layer 34 through a circuit side insulation layer 18.
リファレンスキャパシタ部は、検出電極１２に導通する第１導体層３４と、第１導体層３４と回路側絶縁層１８を介して対向する第２導体層３５を有して構成される。 - 特許庁
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