「First layer」を含む例文一覧(24476)
＜前へ 1 2 .... 46 47 48 49 50 51 52 53 54 .... 489 490 次へ＞- In this case, the second layer is extended into the scribe line brought into contact with the first metal layer through an opening of the nonconductive layer.
第２金属層は非導電性層の開口部を介して第１金属層と接触するスクライビング線の中に延在する。 - 特許庁 - A phosphor layer is formed on an inner surface of the first substrate, and the metal back layer 17 is superimposed on the phosphor layer.
第１基板の内面には蛍光体層が形成され、この蛍光体層に重ねてメタルバック層１７が形成されている。 - 特許庁 - The core 4 has in the thickness direction thereof a first absorption layer 21, a second absorption layer 23, and a third absorption layer 22 in sequence.
コア４には、その厚さ方向に第１吸収層２１、第２吸収層２３、第３吸収層２２が順に形成される。 - 特許庁 - Furthermore, the width of the second conductive layer is made narrower than that of the first conductive layer and that of the third conductive layer.
さらに、第２の導電層の幅は、第１の導電層及び第３の導電層の幅よりも狭いことを特徴とする。 - 特許庁 - A first conductivity type layer 102, an active layer 104 and a p-type clad layer 107 are formed in order on a substrate 101.
基板１０１上に第１導電型層１０２、活性層１０４及びｐ型クラッド層１０７が順次形成されている。 - 特許庁 - The dielectric layer 21 is held between the first principal plane-side metal layer 121 and the second principal plane-side metal layer 122.
誘電体層２１は、第１主面側金属層１２１と第２主面側金属層１２２とによって挟み込まれている。 - 特許庁 - A metal plate 8 of the middle layer is inserted between a metal plate 6 of the first outer layer and a metal plate 4 of the second outer layer.
第１の外層の金属板４と第２の外層の金属板６との間に中間層の金属板８を挟持する。 - 特許庁 - The first conductive layer comes into contact with the second conductive layer through the hole in the insulating layer, thereby forming the thermocouple.
前記第一導電層は前記絶縁層の穴を通して前記第二導電層と接触して、前記熱電対が形成される。 - 特許庁 - The flexible board 10 is provided with a first wiring layer 20, an insulating resin layer 30, a glass cloth 40, and a second wiring layer 50.
フレキシブル基板１０は、第１の配線層２０、絶縁樹脂層３０、ガラスクロス４０および第２の配線層５０を備える。 - 特許庁 - A first recording layer 20, a spacer layer 40, and the second recording layer 50 are stacked in this order from the light incident side.
光入射側から順に、第１記録層２０、スペーサ層４０、及び、第２記録層５０がこの順に積層されている。 - 特許庁 - The first magnetic layer 31 is formed in the irradiation side of the laser light, while the second magnetic layer 32 is formed in ht recording layer 5 side.
そして、第１磁性層３１はレーザ光の照射側に配置され、第２磁性層３２は記録層５側に配置される。 - 特許庁 - The permeability of the intermediate layer 15 is set to be lower than that of the first sound absorbing layer 13 or the second sound absorbing layer 14.
中間層１５の通気度を第１吸音層１３及び第２吸音層１４の通気度よりも低くなるように設定する。 - 特許庁 - A second polysilicon layer doped with the same dopant as the first polysilicon layer or a different dopant is formed on the dielectric layer.
誘電層上に、第１ポリシリコン層と同じドーパントまたは異なるドーパントでドープされた第２ポリシリコン層が形成される。 - 特許庁 - This wall panel is constituted by laminating a basic material and a printed pattern layer, a first clear layer, and a second clear layer on the basic material sequentially in this order from below.
基材と、この基材上に下層から順に印刷柄層、第１のクリア層、第２のクリア層を積層させた壁パネル。 - 特許庁 - The main substrate 1 has a laminated structure constituted by laminating a first main substrate layer 1a, a second main substrate layer 1b, and a third main substrate layer 1c.
主基板１は第１主基板層１ａ、第２主基板層１ｂ、第３主基板層１ｃの積層構造をもつ。 - 特許庁 - The outer resin layer 113 is composed of a first outer resin layer 113a and a second outer resin layer 113b.
外側樹脂層１１３は、第１外側樹脂層１１３ａおよび第２外側樹脂層１１３ｂによって構成されている。 - 特許庁 - It is desirable that conductivity of each of the layer becomes higher as it goes from the first layer 20n through the n-th layer 20n.
第１層２０ａから第ｎ層２０ｎにかけて、各層の導電率が高くなるようにすることが一層好ましい。 - 特許庁 - The layer 40 is a first conductivity-type III-V compound semiconductor layer, extended along the layer 38.
第３の半導体層４０は、第２の半導体層３８に沿って伸びる第１導電型III−V族化合物半導体層である。 - 特許庁 - Then a second AlGaN layer 14 containing Al at a concentration lower than that of the first AlGaN layer 13 is formed on the layer 13.
さらにこの上に、第一のＡｌＧａＮ層１３よりも低いＡｌ組成の第二のＡｌＧａＮ層１４を形成する。 - 特許庁 - Further, the surfaces of the first metal covering layer 25 and the abrasive grain layer 23 are covered with a second metal covering layer 26 having corrosion resistance.
更に、第一金属被覆層２５と砥粒層２３の表面を耐食性のある第二金属被覆層２６で被覆する。 - 特許庁 - The band gap energy of the first contact layer and the window layer is larger than the band gap energy of the light emitting layer.
前記第１コンタクト層および前記窓層のバンドギャップエネルギーは、前記発光層のバンドギャップエネルギーよりもそれぞれ大きい。 - 特許庁 - The first bonding metal layer 4 is formed to cover both the light reflecting metal layer 3 and the migration suppressing layer 6.
第1の貼合せ金属層4は、光反射金属層3とマイグレーション抑制層6との両方を覆うように形成されている。 - 特許庁 - The first coating 48 includes a DLC layer 52 and a DLN layer 50 between the DLC layer 52 and the substrate 42.
第１のコーティング（４８）は、ＤＬＣ層（５２）と、ＤＬＣ層（５２）と基材（４２）との間に設けられたＤＬＮ層（５０）と、を含む。 - 特許庁 - The first light emitting unit 15-1 is provided with a red luminous layer 15c-1 and a green luminous layer 15c-2 as an organic luminous layer.
第１発光ユニット１５-1は、有機発光層として赤色発光層１５c-1と緑色発光層１５ｃ-2とを備えている。 - 特許庁 - A heat radiation insulating substrate includes a superelastic alloy layer 4 interposed between a first metallic layer 3 and a second metallic layer 5 of the insulating substrate 1A.
絶縁基板１Ａの第１金属層３と第２金属層５との間に超弾性合金層４が介在されている。 - 特許庁 - A support substrate 10 includes a first semiconductor layer 11 and a second semiconductor layer 12 in a manner to sandwich an insulator layer 13.
支持基板１０が第１半導体層１１および第２半導体層１２を絶縁層１３で挟んで構成されている。 - 特許庁 - A second conductor layer 20 composed of a transition metal silicide layer is formed on a first silicon-containing conductor layer 19.
シリコンを含む第１導電体層１９の上に、遷移金属シリサイド層からなる第２導電体層２０を形成する。 - 特許庁 - An armature core 1 has a split lamination structure composed of a first core layer 6, an insulating layer 7, and a second core layer 8.
電機子コア１は、第１のコア層６と絶縁層７と第２のコア層８とを備えた分割積層構造のコアである。 - 特許庁 - The second layer is provided on the luminescent layer side opposite to the first layer, and has a second conductive shape.
前記第２の層は、前記第１の層とは反対の側となる前記発光層の側に設けられ、第２導電形を有する。 - 特許庁 - A metal coating is formed as a first layer on the surface and a diamond-like carbon coating is formed as a second layer, i.e. the outermost layer.
表面に、第１層として金属被膜が、最外層である第２層としてダイヤモンド・ライク・カーボン被膜が形成されている。 - 特許庁 - On the silicide layer 12, an interlayer insulating film 14 divided into a first layer 141 and a second layer 142 is provided.
シリサイド層１２上において第１層１４１、第２層１４２に分割形成された層間絶縁膜１４が設けられている。 - 特許庁 - The light-sensitive layers are obtained by stacking the second light-sensitive layer, the barrier layer and the first light-sensitive layer in this order on a substrate.
感光性積層体は、基体上に、上記第二感光層、上記バリアー層、上記第一感光層の順序で積層する。 - 特許庁 - The third layer 4 is separated, the first layer 2 is separated followed thereto, and the second layer is attached to the liquid crystal display panel or the like, when mounted.
実装の際には、第３層４、続いて第１層２を剥離して、第２層を液晶表示パネル等に装着する。 - 特許庁 - The semiconductor laser includes a lower clad layer 101, an active layer 102, and a first upper clad layer 103 that are laminated in increasing order on a substrate 100.
基板１００上に、下クラッド層１０１、活性層１０２、第１上クラッド層１０３がこの順に積層されている。 - 特許庁 - The lower resin layer 115 is composed of a first inner resin layer 115a and a second inner resin layer 115b.
下側樹脂層１１５は、第１内側樹脂層１１５ａおよび第２内側樹脂層１１５ｂによって構成されている。 - 特許庁 - The second adhesive layer 22 is configured to define its area smaller than the area of the first adhesive layer 32 of the lower layer 3.
第２粘着層２２は、その面積が下層３の第１粘着層３２の面積よりも小さくなるように構成されている。 - 特許庁 - The isolation layer 7 includes a first layer 7a including cellulose and a second layer 7b including ceramic particles and a resin binding agent.
隔離層７は、セルロースを含む第１層７ａと、セラミックス粒子および樹脂結着剤を含む第２層７ｂとからなる。 - 特許庁 - The semiconductor region 15 includes a first conductivity type semiconductor layer 23, an active layer 25, and a second conductivity type semiconductor layer 27.
半導体領域１５は、第１導電型半導体層２３、活性層２５及び第２導電型半導体層２７を含む。 - 特許庁 - The first n-type layer 111 and the second n-type layer 112 are n-GaN, and the third n-type layer 113 is n-InGaN.
第１ｎ型層１１１、第２ｎ型層１１２はｎ−ＧａＮであり、第３ｎ型層１１３はｎ−ＩｎＧａＮである。 - 特許庁 - The memory cell of SRAM has a first conducting layer 6a, a second conducting layer 16b and a third conducting layer 16c.
ＳＲＡＭのメモリセルは第１の導電層１６ａ、第２の導電層１６ｂ及び第３の導電層１６ｃを備える。 - 特許庁 - The peeled second Si layer 23a is selectively etched in a form of turning the first SiGe layer 22a to an etching stop layer.
この剥離した第二のＳｉ層２３ａを、第一のＳｉＧｅ層２２ａをエッチストップ層とする形で選択エッチングする。 - 特許庁 - At least one of the first alignment layer and the second alignment layer includes a fixed layer and a carbon nanotube structure.
前記第一配向層及び前記第二配向層の少なくとも一方は、固定層及びカーボンナノチューブ構造体を含む。 - 特許庁 - A liquid crystal layer containing a plurality of liquid crystal molecules is placed between the first transparent electrode layer and the second transparent electrode layer.
複数の液晶分子を含む液晶層が、第１の透明電極層と第２の透明電極層の間に配置される。 - 特許庁 - The first nickel layer 43 is a nickel-plated layer that substantially does not contain brightener and is formed on the metallized layer 42.
第１ニッケル層４３は、光沢剤を実質的に含有しないニッケルめっき層であって、メタライズ層４２上に形成される。 - 特許庁 - At least one of the first alignment layer and the second alignment layer includes a fixing layer and a carbon nanotube structure.
前記第一配向層及び前記第二配向層の少なくとも一方が、固定層及びカーボンナノチューブ構造体を含む。 - 特許庁 - On the interface of the first silicon layer 5 and the second silicon layer 6, a stress relaxation layer 7 comprising SiO_2 for instance is formed.
第１シリコン層５と第２シリコン層６との界面には、たとえば、ＳｉＯ_２からなる応力緩和層７が形成されている。 - 特許庁 - The first silicon nitride layer and the dielectric layer are sequentially etched so as to form an inner spacer on the sidewall of the stacked layer.
第１の窒化ケイ素層および誘電層は堆積層の側壁上の内側スペースを形成するように逐次エッチングされる。 - 特許庁 - A semiconductor light-emitting element includes a first semiconductor layer, an active layer, and a second semiconductor layer.
実施形態によれば、第１半導体層と、活性層と、第２半導体層と、を備えた半導体発光素子が提供される。 - 特許庁 - One titanium content metal layer is formed on the first polymer layer 46 before a forming step of the metal connection line layer.
金属接続線路層の形成ステップの前に、第一重合物層４６上に一つのチタン含有金属層を形成させる。 - 特許庁 - A first insulation layer 51a and a second insulation layer 51b are arranged between the lower part shield layer 54 and the slider body 31.
下部シールド層５４およびスライダ本体３１の間には第１絶縁層５１ａおよび第２絶縁層５１ｂが配置される。 - 特許庁
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