「First layer」を含む例文一覧(24472)
＜前へ 1 2 .... 44 45 46 47 48 49 50 51 52 .... 489 490 次へ＞- A first metal sheet 2, a first electrode layer 3 directly formed on a front side of the first metal sheet 2 a power generation layer 4 generating power by bringing light therein, and a second electrode layer 5 are installed in this order.
第一金属シート２と、第一金属シート２の表面に直接形成された第一電極層３と、光を受けて発電する発電層４と、第二電極層５とをこの順に設ける。 - 特許庁 - The connection wiring 6 includes a first polysilicon layer 13a above a substrate 10, and a first silicide layer 14a which connects the resistance element 3 and the capacitor element 4 and is on the first polysilicon layer 13a.
接続配線６は、基板１０上方の第１ポリシリコン層１３ａと、抵抗素子３と容量素子４とを接続し第１ポリシリコン層１３ａ上の第１シリサイド層１４ａとを備える。 - 特許庁 - The angle limiting filter 40 is formed by at least a first plug corresponding to a first insulating layer and a second plug corresponding to a second insulating layer which is above the first insulating layer.
角度制限フィルター４０は、少なくとも、第１の絶縁層に対応する第１のプラグと、第１の絶縁層よりも上層の第２の絶縁層に対応する第２のプラグにより形成される。 - 特許庁 - A semiconductor device comprises a semiconductor layer 1 of a first conductive type, a first semiconductor layer 2 of a first conductive type, and a second semiconductor layer 3 of a second conductive type.
本発明の実施形態の半導体装置は、第１導電形の半導体層１と、第１導電形の第１の半導体層２と、第２導電形の第２の半導体層３とを備える。 - 特許庁 - A two-layered optical waveguide 10 comprises: a core layer 12 having a first face 12a and a second face 12b on a side opposite to the first face; and a cladding layer 18 stacked on the first face 12a of the core layer.
２層光導波路１０は、第１の面１２ａ及びこれと反対側の第２の面１２ｂを有するコア層１２と、このコア層の第１の面１２ａに積層されたクラッド層１８とを有する。 - 特許庁 - A liquid crystal display device 100 is equipped with a first substrate 10, a second substrate 20, a liquid crystal layer 30 held between the first and the second substrates 10, 20 and a color filter layer 12 provided on the liquid crystal layer side of the first substrate 10.
液晶表示装置は、第１基板と、第２基板と、第１基板と該第２基板との間に挟持された液晶層と、第１基板の該液晶層側に設けられたカラーフィルタ層とを有する。 - 特許庁 - A method of forming film pattern comprises: a step of forming a first bank layer 35 by locating a first bank forming material on the substrate 18; and a step of forming a second bank layer 36 on the first bank layer 35.
基板１８上に第１のバンク形成材料を配置して第１バンク層３５を形成する工程と、第１バンク層３５上に第２バンク層３６を形成する工程とを有する。 - 特許庁 - A first region 17a of the first semiconductor spacer layer 17 is located on the first area 15b of the active layer 15, and a second region 17b is located on a second area 15c of the active layer 15.
第１の半導体スペーサ層１７の第１の領域１７ａは、活性層１５の第１のエリア１５ｂ上に位置し、また第２の領域１７ｂは活性層１５の第２のエリア１５ｃ上に位置する。 - 特許庁 - A first plating film 10, namely a substrate of the external terminal electrodes 8, 9, has a laminated structure comprising, for example, a first layer 13 made of copper and a second layer 14 on the first layer 13.
外部端子電極８，９の下地となる第１のめっき膜１０を、たとえば銅からなる第１の層１３とその上の第２の層１４とからなる積層構造をもって構成する。 - 特許庁 - The first source/drain region includes a first n-type impurity layer and a second n-type impurity layer having an impurity concentration higher and a depth shallower than those of the first n-type impurity layer.
そして、第１のソース・ドレイン領域が、第１のｎ型不純物層と、第１のｎ型不純物層よりも不純物濃度が高く深さの浅い第２のｎ型不純物層を備えている。 - 特許庁 - A fragile layer is formed on a single crystal silicon substrate, and a first impurity silicon layer is formed on one surface side of the single crystal silicon substrate, and further a first electrode formed on the first impurity silicon layer.
単結晶シリコン基板に脆化層を形成し、且つ単結晶シリコン基板の一表面側に第１不純物シリコン層を形成し、第１不純物シリコン層上に第１電極を形成する。 - 特許庁 - The pressure of the first gas layer is controlled within a certain pressure range and the thermal conductivity of the first gas layer is fixed against the pressure fluctuation of the first gas layer in the pressure range.
その第１のガス層の圧力はある圧力範囲で制御され、この圧力範囲における第１のガス層の熱伝導性は第１のガス層の圧力の変化に対してほぼ一定である。 - 特許庁 - An embodiment of the semiconductor device includes a semiconductor substrate 100, a first insulating layer 150 formed over the semiconductor substrate 100, and a first semiconductor layer 200 formed over the first insulation layer 150.
半導体基板１００、半導体基板１００上に形成された第１層間絶縁層１５０、及び第１層間絶縁層１５０上に形成された第１上部半導体層２００を含む。 - 特許庁 - The power semiconductor device includes a first conductivity type second semiconductor layer 2, and a second conductivity type third semiconductor layer 3 alternately disposed on a first conductivity type first semiconductor layer 1.
電力用半導体装置は、第１導電型の第１半導体層１上に交互に配設された、第１導電型の第２半導体層２と第２導電型の第３半導体層３とを有する。 - 特許庁 - A first base layer 13A containing a catalyst material is formed on a substrate 11, and then an electroless plating treatment is performed on it to form a first plating layer 14A so as to coat the first base layer 13A.
基板１１上に、触媒材料を含む第１下地層１３Ａを形成したのち、無電解めっき処理を施し、第１下地層１３Ａを覆うように第１めっき層１４Ａを形成する。 - 特許庁 - The diamond dome component is obtained by removing the first layer 2, transferring the form of the dome of the first layer to the substrate 1 and forming the diamond dome on the substrate 1 by subjecting the first layer and the substrate to dry etching.
第一層および基体にドライエッチングを施して、第一層を除去するとともに、第一層のドームの形状を基体に転写して、基体１上にダイヤモンドドームを形成し、ダイヤモンドドーム部品を得る。 - 特許庁 - The micromirror is composed of a substrate 74, a first protective layer 76 formed on the substrate 74, a reflective layer 78 comprising pure aluminum formed on the first protective layer 76, a treatment layer 80 formed on the reflective layer 78, and a second protective layer 82 comprising titanium nitride formed on the treatment layer 80.
基板７４と、基板７４の上にある第一保護層７６と、第一保護層７６の上にある純アルミニウムからなる反射層７８と、反射層７８の上にあるトリートメント層８０と、トリートメント層８０の上にある窒化チタンからなる第二保護層８２と、からなる。 - 特許庁 - At least one of the barrier layers includes a structure formed by laminating a first barrier layer 53 and a second barrier layer 52 and the first barrier layer 53 is a buffer layer for distortion of the quantum well layer 51 and the second barrier layer 52 has an energy barrier for the quantum well layer 51.
前記バリア層の少なくとも一つは、第１のバリア層５３及び第２のバリア層５２を積層させた構造を含んでおり、第１のバリア層５３は量子井戸層５１の歪を緩衝する層であり、第２のバリア層５２は、量子井戸層５１に対してエネルギー障壁を有する層である。 - 特許庁 - The coated optical fiber is composed of an optical fiber 2, a first cover layer 3 which covers the optical fiber 2, a second cover layer 4 which covers the first cover layer 3, a colored layer 7 disposed on the surface of outer periphery of the second cover layer 4 and an overcoat layer 6 which covers the colored layer 7.
光ファイバ２と、光ファイバ２を被覆する第１の被覆層３と、第１の被覆層３を被覆する第２の被覆層４と、第２の被覆層４の外周面上に設けられた着色層７と、着色層７を被覆するオーバーコート層６とを設ける。 - 特許庁 - The third insulating layer and the electrically conductive layer are etched at nearly the same etching rate until the second insulating layer formed on the first insulating layer or the first insulating layer is exposed to make the electrically conductive layer remain in the region where the semiconductor layer is thinned, thereby the gate electrode is formed.
第１の絶縁層上に形成された第２の絶縁層、又は第１の絶縁層が露出するまで、第３の絶縁層と導電層を略同じエッチング速度でエッチングすることにより、半導体層の薄膜化した領域に導電層を残存させてゲート電極を形成する。 - 特許庁 - This substrate material for process release paper consists of a paper layer 1 and an emboss-processing layer 4 installed on the same, the emboss-processing layer 4 consists of 2 layers of a first thermoplastic resin layer 2 and a second thermoplastic resin layer 3, and the first thermoplastic resin layer can be peeled off from the second thermoplastic resin layer.
工程離型紙用基材は、紙層１及びその上に設けられたエンボス加工層４からなり、エンボス加工層４は第１熱可塑性樹脂層２及び第２熱可塑性樹脂層３の二層からなり、前記第１熱可塑性樹脂層は第２熱可塑性樹脂層から剥離可能である。 - 特許庁 - The multilayered film is constituted by laminating a first heat-sealable polyolefin layer, a first adhesive layer, a polyamide layer, a weak adhesive layer having weak adhesive strength with respect to the polyamide layer, a second strong adhesive layer and a second heat-sealable polyolefin layer in this order.
第１のヒートシール性ポリオレフィン層、第１の強接着層、ポリアミド層、前記ポリアミド層に対して弱接着力となる弱接着層、第２の強接着層、第２のヒートシール性ポリオレフィン層、の順番に各層が積層されていることを特徴とする多層フィルム。 - 特許庁 - The perpendicular magnetic recording medium 1 is composed of a soft magnetic layer 3, an alignment controlling layer 4 for alignment control, a first recording layer 5 and a second recording layer 6, a deformation layer 9 susceptible to slip deformation caused by the first recording layer 5, and a protective layer 7 on a substrate 2 mainly composed of glass or aluminum.
垂直磁気記録媒体１は、ガラスまたはアルミを主とする基板２の上に、軟磁性層３、配向制御のための配向制御層４、第一の記録層５及び第二の記録層６、第一の記録層５より滑り変形を起こす変形層９、及び保護膜７から構成される。 - 特許庁 - The cell outer packaging members 106, 107 are constituted of a first resin layer located in the innermost layer, a second resin layer located in the outermost layer, and a metal layer pinched by those two layers and laminated, the first resin layer having a smaller Young's modulus than the second resin layer.
電池外装部材１０６、１０７は最内層に位置する第１の樹脂層と、最外層に位置する第２の樹脂層と、それら２層に挟まれて積層された金属層とから構成されており、第１の樹脂層が第２の樹脂層のヤング率より小さいヤング率を有する。 - 特許庁 - A second Si layer 23, a first SiGe layer 22 and a first Si layer 21 are formed in the order as a multi-layer epitaxial layer on a bond wafer 2, a hydrogen high concentration layer is formed inside the second Si layer 23 by hydrogen ion implantation, and bonding heat treatment and peeling are performed.
ボンドウェーハ２上に多層エピタキシャル層として、第二のＳｉ層２３、第一のＳｉＧｅ層２２及び第一のＳｉ層２１をこの順序に形成し、水素イオン打ち込みにより第二のＳｉ層２３内に水素高濃度層を形成し、結合熱処理及び剥離を行う。 - 特許庁 - In a semiconductor laser element 100, a buffer layer 2, an undopped GaN layer 3, an n-type GaN first contact layer 4, an n-type AlGaN first clad layer 5, a light emitting layer 6, a p-type AlGaN second clad layer 7, and a p-type GaN second contact layer 8 are sequentially formed on a sapphire substrate 1.
半導体レーザ素子１００は、サファイア基板１上にバッファ層２、アンドープＧａＮ層３、ｎ−ＧａＮ第１コンタクト層４、ｎ−ＡｌＧａＮ第１クラッド層５、発光層６、ｐ−ＡｌＧａＮ第２クラッド層７、ｐ−ＧａＮ第２コンタクト層８が順に形成されてなる。 - 特許庁 - The method of manufacturing hose for fluid conveyance comprises: covering the outer circumference of an inner reinforced layer 3 with a first unvulcanized rubber layer 4; subsequently forming a wire reinforcing layer 6; covering the wire reinforcing layer 6 and the first unvulcanized rubber layer 4 with a second unvulcanized layer 7; subsequently performing the covering with a cover rubber layer 9; and subsequently performing vulcanization.
内側補強層３の外周を第１未加硫ゴム層４で被覆してからワイヤ補強層６を形成すると共に、それらワイヤ補強層６及び第１未加硫ゴム層４を第２未加硫ゴム層７で被覆してからカバーゴム層９で被覆した後に加硫する。 - 特許庁 - A magneto-optical medium is provided with a substrate 50, a first dielectric layer 130, a first magneto-optical data layer 132, a second dielectric layer 134, a transmitting member 78, a third dielectric layer 140, a second magneto-optical data layer 142, a fourth dielectric layer 144, and a reflection layer 146.
光磁気媒体は、基板５０と、第１の誘電体層１３０と、第１の光磁気データ層１３２と、第２の誘電体層１３４と、透光部材７８と、第３の誘電体層１４０と、第２の光磁気データ層１４２と、第４の誘電体層１４４と、反射層１４６とを備えている。 - 特許庁 - The array substrate comprises a first wiring layer, a second wiring layer 17, and a third wiring layer 19, in which the second wiring layer 17 and the third wiring layer 19 constitute a signal line, and a part of the first wiring layer of the bottom layer constitutes a gate electrode 15 of a thin film transistor.
第１配線層、第２配線層１７、第３配線層１９を有し、信号線が第２配線層１７及び第３配線層１９により構成されるとともに、最下層の第１配線層の一部が薄膜トランジスタのゲート電極１５を構成している。 - 特許庁 - The thin layer structure on the first side is arranged on the first side, and at the same time includes a conductive layer on at least one first side that is alternately arranged with a dielectric layer 28 on at least one first side.
第一の側面の薄層構造は、第一の側面に配置されると共に、少なくとも１つの第一の側面の誘電体層２８と交互に配置される少なくとも１つの第一の側面の伝導性の層を含む。 - 特許庁 - Subsequently, first solder and second solder are supplied, respectively, onto a first underlying layer out of the underlying layer located on the side of a first main surface and a second underlying layer located on the side of a second main surface facing the first main surface.
次いで、下地層のうち第１の主面側に位置する第１の下地層及び第１の主面と相対向する第２の主面側に位置する第２の下地層上に、それぞれ第１の半田及び第２の半田を供給する。 - 特許庁 - The electron emission element comprises a conductive substrate, a first conductive-type first diamond layer formed on the conductive substrate, and a first conductive-type second diamond layer formed on the first diamond layer.
電子放出素子は、導電性基板と、前記導電性基板上に形成された第１導電型の第１のダイヤモンド層と、前記第１のダイヤモンド層上に形成された第１導電型の第２のダイヤモンド層とを具備する。 - 特許庁 - The edge portion of the first organic layer has a significantly different thickness from that in the central portion of the first organic layer, and from a plan view, at least a part of the edge portion of the first organic layer overlies at least a part of the first pixel driving circuit.
第１有機層の縁部分の厚さは、第１有機層の中央部分と大きく異なり、平面図では、第１有機層の縁部分の少なくとも一部は、第１画素駆動回路の少なくとも一部の上に重なる。 - 特許庁 - A first laminate ST1 in which at least a first conductive type first cladding layer 32, a first active layer 33, and a second conductive type second cladding layer 34 are laminated is formed on a substrate 30 by an epitaxial growth method.
基板３０上に、エピタキシャル成長法により、少なくとも第１導電型第１クラッド層３２、第１活性層３３および第２導電型第２クラッド層３４を積層させた第１積層体ＳＴ１を形成する。 - 特許庁 - The first wiring layer 6a is formed on the perimeter region of the light-receiving section in the first flattening layer 5a provided on the semiconductor substrate 3, and a first dummy pattern 10a is formed on the light-receiving section of the first flattening layer.
半導体基板３上に設けられた第１の平坦化層５ａの受光部周辺領域上に第１の配線層６ａを形成すると共に、第１の平坦化層の受光部上に第１のダミーパターン１０ａを形成する。 - 特許庁 - In the light-emitting element having an EL layer between an anode and a cathode, a first layer in which carriers are generated is formed between the cathode and the EL layer and in contact with the cathode, a second layer that transfers electrons generated in the first layer is formed in contact with the first layer, and a third layer that injects the electrons received from the second layer into the EL layer is formed in contact with the second layer.
陽極と陰極との間にＥＬ層を有する発光素子において、陰極とＥＬ層との間にキャリアの発生が可能である第１の層を陰極と接して形成し、第１の層で生じた電子の受け渡しを行う第２の層を第１の層と接して形成し、第２の層から渡された電子をＥＬ層に注入する第３の層を第２の層と接して形成する。 - 特許庁 - The optical layer includes a first optical layer formed on a first primary surface of the reflection coating, and a second optical layer formed on a second primary surface of the reflection coating.
光学層が、反射膜の第１の主面上に形成された第１の光学層と、反射膜の第２の主面上に形成された第２の光学層とを備える。 - 特許庁 - The first fluorescent material layer 21 is formed on the anode 12, and the second fluorescent material layer 22 is formed to cover the first fluorescent material layer 21.
アノード電極１２上には第１の蛍光体層２１が形成されており、さらに第１の蛍光体層２１を覆うように第２の蛍光体層２２が形成される。 - 特許庁 - The third base material is laminated by bonding the third insulating layer 101c under the first conductor layer 100a of the first base material with a thin-film adhesion layer 103 interposed.
第一の基材の第一の絶縁層１０１ａの下に薄膜接着層１０３を介して第三の絶縁層１０１ｃを接着して第三の基材を積層する。 - 特許庁 - The second base material is laminated by bonding the second insulating layer 101b on the top of the first conductor layer 100a of the first base material with a thin-film adhesion layer 103 interposed.
第一の基材の第一の導体層１００ａの上に薄膜接着層１０３を介して第二の絶縁層１０１ｂを接着して第二の基材を積層する。 - 特許庁 - The sound absorbing material 3 includes a first layer 1 formed of a porous body, and a second layer 2 formed of a solid knit material laminated on the first layer 1.
多孔質体からなる第１層１と、前記第１層１に積層される立体編物からなる第２層２とを備えていることを特徴とする吸音材３。 - 特許庁 - The first coating layer 18 and the second coating layer 20 comprising a colored glass fusion layer containing a coloring material are formed in the first recess 6 and the second recess 8.
第一凹部６と第二凹部８には、着色材を含んだ着色ガラス溶融層からなる第一の被膜層１８と第二の被膜層２０が形成されている。 - 特許庁 - The joint member 3 consists of a first adhesive layer 3A located on the product surface 6 side, and a second adhesive layer 3B located on the back face of the first adhesive layer 3A.
前記接合部材３は製品面６側に位置する第１接着層３Ａと該第１接着層３Ａの裏面に位置する第２接着層３Ｂとの２層からなる。 - 特許庁 - A workpiece is prepared, in which a second layer composed of a material easy to be etched by laser irradiation compared with the first layer closely adheres to the surface of a first layer.
第１の層の上に、該第１の層よりもレーザ照射によってエッチングされやすい材料からなる第２の層が密着した加工対象物を準備する。 - 特許庁 - A sinker layer 115 is brought into contact with a first conductivity-type well 102 and a second conductivity-type drift layer 104 each, and is separated from a first conductivity-type collector layer 108.
シンカー層１１５は第１導電型ウェル１０２及び第２導電型ドリフト層１０４それぞれに接しており、かつ第１導電型コレクタ層１０８から離れている。 - 特許庁 - A sinker layer 115 is brought into contact with a first-conductivity-type well 102, and is separated from a first-conductivity-type collector layer 108 and a second-conductivity-type drift layer 104.
シンカー層１１５は第１導電型ウェル１０２に接しており、かつ第１導電型コレクタ層１０８及び第２導電型ドリフト層１０４から離れている。 - 特許庁 - The flexible flat cable with gap parts is provided with a first substrate 11, a first conductive layer, a second substrate 21, a second conductive layer, an adhesive layer 3, and a cluster part 4.
隙間部を有するフレキシブルフラットケーブルは、第１の基板１１、第１の導電層、第２の基板２１、第２の導電層、粘着層３及びクラスタ部４を備える。 - 特許庁 - Since the passes to the final layer after the pass of the first layer or the plurality of layers from the first layer are performed by the arc welding by a pulse current, the amount of generation of the spatters is reduced and the work efficiency of welding is improved.
一方、その後の最終層までのパスは、パルス電流でアーク溶接するので、スパッタ発生量が低減され、溶接作業性が向上する。 - 特許庁 - The side surface of the first insulating layer is perpendicular to the upper surface of the third semiconductor layer and both side surfaces of the third electrode are in contact with the side surface of the first insulating layer.
第１の絶縁層の側面は第３の半導体層上面に対して垂直で、第３の電極の両側面は第１の絶縁層の側面と接する。 - 特許庁 - A first layer film 120 is formed on the surface of a substrate 110 and a second layer film 130 is formed on the surface of the first layer film 120, by direct bonding by interface activation.
界面活性化による直接接合によって、基板１１０の表面に第一層膜１２０、第一層膜１２０の表面に第二層膜１３０を形成する。 - 特許庁
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