「First layer」を含む例文一覧(24472)
＜前へ 1 2 .... 43 44 45 46 47 48 49 50 51 .... 489 490 次へ＞- A first heat-resistant resin layer is formed on the whole area of a board, and a second heat-resistant resin layer having smaller surface roughness Ra than that of the first heat-resistant resin layer is formed on at least one surface of the first heat-resistant resin layer.
基板の全面に第１耐熱性樹脂層を設け、当該第１耐熱性樹脂層の少なくとも片面に表面粗さＲａが第１耐熱性樹脂層より小さい第２耐熱性樹脂層を設けて成る。 - 特許庁 - After a metal wiring 12 of a first layer is formed on an interlayer insulation film 11 of the first layer deposited on a semiconductor wafer 10, an interlayer insulation film 13 of a second layer is deposited on the film 11 of the first layer.
半導体基板１０上に堆積された第１層の層間絶縁膜１１に第１層の金属配線１２を形成した後、第１層の層間絶縁膜１１の上に第２層の層間絶縁膜１３を堆積する。 - 特許庁 - The first physical layer processing device is coupled to the first external device through the fist interface.
第一物理層処理装置は第一インターフェイスを通して前記第一外部装置と結合する。 - 特許庁 - The first insulating layer 11b is buried in a first region of an upper surface of the base body 11a.
第１絶縁層１１ｂは、基体１１ａの上面の第１領域に埋め込まれている。 - 特許庁 - The first reinforcement layer 18 is positioned at the outer side in a radial direction of the first ply 32.
この第一の補強層１８は、この第一のプライ３２の半径方向外側に位置する。 - 特許庁 - A semiconductor layer 22 of a first conductivity type includes a base region 9 of the first conductivity type.
第１導電型の半導体層２２に第１導電型のベース領域９を備える。 - 特許庁 - A functional element (1) is disposed on the first wiring layer and inside the first region.
第１の配線層の上であって、かつ第１の領域内に機能素子（１）が配置されている。 - 特許庁 - The first coil element 21A sandwiches the first coupling layer 46 between itself and the medium opposing surface 2.
第１のコイル要素２１Ａは、媒体対向面２との間で第１の連結層４６を挟む。 - 特許庁 - The layer of first material 2 is etched to form a pattern made from the first material 2.
第１の材料２の層は、エッチングされ、第１の材料２から作られるパターンが形成される。 - 特許庁 - In a primary mounting process S2, first parts P1 are mounted on the first conductive layer 12.
第１実装工程Ｓ２では、第１導電層１２の上に第１部品Ｐ１が実装される。 - 特許庁 - A first electric wiring 26A is formed on the first face 10A of an insulating resin layer 10.
絶縁樹脂層１０の第１の面１０Ａに第１の電気配線２６Ａを形成する。 - 特許庁 - The first wiring layer 31 is brazed to the radiator 20, and 0.2% proof stress has a first value.
第１配線層３１は、放熱器２０にろう付けされており、０．２％耐力が第１値である。 - 特許庁 - The CNT/polymer layer has a first surface, and a second surface opposite to the first surface.
前記ＣＮＴ／ポリマー層は、第一表面と、該第一表面に対向する第二表面を備える。 - 特許庁 - The first electrode has a contact portion contacting the first semiconductor layer in the recess and a via portion.
第１電極は、凹部内において第１半導体層に接する接触部と、ビア部とを有する。 - 特許庁 - After that, a first heat treatment is performed in a first atmosphere in which the copper layer is not oxidized.
その後、銅層の酸化が行われない第一雰囲気中にて第一熱処理を行う。 - 特許庁 - An insulating layer 3 is provided to cover the first transistor Tr1 and the first resistor R1.
この第１トランジスタＴｒ１と第１抵抗体Ｒ１を覆うように絶縁層３を設ける。 - 特許庁 - The principal surface 15a of the first barrier layer 15 includes the first and second areas 15b and 15c.
第１のバリア層１５の主面１５ａは、第１および第２のエリア１５ｂ、１５ｃを含む。 - 特許庁 - A first mirror is patterned on the thin silicon layer of a first SOI wafer.
本発明による方法では、第１のミラーが、第１のＳＯＩウェハの薄いシリコン層にパターン化される。 - 特許庁 - On the first surface, a layer 3 on which the pattern is formed, made of a first material, is provided.
第１の面上には、第１の材料で作られた被パターン形成層３が設けられている。 - 特許庁 - A first wiring layer 12 made of copper is disposed on the surface of the first insulating film 11.
銅から構成される第１配線層と１２が第１絶縁膜の表面に配設される。 - 特許庁 - A set of first contacts comes into electrical contact with the layer of first conductivity type through the vias.
一組の第１の接点は、ヴィアを通じて第１導電型層と電気的に接触する。 - 特許庁 - A first filled via 6 is formed on the pad through the first insulating layer 3.
第１の充填ビア６は、第１の絶縁層３を貫通して、パッド部の上に形成される。 - 特許庁 - The first control liquid crystal panel 7 has the first control vertically-oriented liquid crystal layer 79.
第１制御用液晶パネル７は、垂直配向の第１制御用液晶層７９を有する。 - 特許庁 - The liquid lens (120) includes the first liquid (1), the second liquid (2), and a first layer (13).
液体レンズ（１２０）は、第１の液体（１）と、第２の液体（２）と、第１の層（１３）とを含む。 - 特許庁 - A fuel cell includes a power module having a first gas diffusion layer and a first separator.
燃料電池は、第１のガス拡散層を有する発電モジュールと、第１のセパレータとを備える。 - 特許庁 - The first electrode has a contact portion contacting the first semiconductor layer at the second primary surface side.
第１電極は、第２主面の側で第１半導体層と接する接触部を有する。 - 特許庁 - The second spacer is arranged on the opposite side to the first spacer with the first conductor layer 27 between.
第２のスペーサは、第１の導体層２７を挟んで第１のスペーサとは反対側に設けられる。 - 特許庁 - A first mask is formed over an etch layer, where the first mask defines a plurality of spaces with widths.
エッチングレイヤ上に第１マスクが形成され、第１マスクは幅を持つ複数のスペースを規定する。 - 特許庁 - The first metal layer 1a is based on a first metal showing a predetermined ionization tendency.
第１の金属層１ａは、所定のイオン化傾向を示す第１の金属を主成分とする。 - 特許庁 - The first resonance electrode and the second resonance electrode are provided on a first dielectric layer.
第１共振電極および第２共振電極は、第１誘電体層上に設けられている。 - 特許庁 - The surface of the primary surface side of the first semiconductor layer has first portions and second portions.
第１半導体層の第１主面の側の表面は、第１部分と、第２部分と、を有する。 - 特許庁 - The first and second double-hetero structures share an n-type AlGaInP first clad layer 3.
第１，第２のダブルへテロ構造はｎ型ＡｌＧａＩｎＰ第１クラッド層３を共有する。 - 特許庁 - A magnetic memory device (8) comprises a first magnetic tunnel junction (10) having a first reference ferromagnetic layer (16), a second magnetic tunnel junction (20) having a second reference ferromagnetic layer (26), and a conductive spacer layer (30) between the first reference layer (16) and the second reference layer (20).
磁気メモリデバイス(8)は、第１の基準強磁性層(16)を有する第１の磁気トンネル接合(10)と、第２の基準強磁性層(26)を有する第２の磁気トンネル接合(20)と、第１の基準層(16)と第２の基準層(20)との間にある導電性スペーサ層(30)とを含む。 - 特許庁 - A double conductor is wound around the magnetic core, the second layer of the double winding is wound back from the winding end of the first layer to the winding beginning of the first layer over the first layer, thereby, a layer short circuit occurs only when an ovecurrent flows.
磁芯に導体線を二重に巻き回し、二重の巻線の二層目は、一層目の巻き終わり端から、一層目の巻き始め端の方向に巻き返して、一層目に重ねて巻き回すことで、過電流が流れた場合にのみレアショートを起こすようにする。 - 特許庁 - The luminescent display device includes a first reflective layer 4, a second reflective layer 5 provided on the front side relative to the first reflective layer 4, a light guide body 3 provided between the first reflective layer 4 and the second reflective layer 5, and an emblem 2 provided on the front side from the light guide body 3.
第１反射層４と、第１反射層４より表側に設けられた第２反射層５と、第１反射層４と第２反射層５との間に設けられた導光体３と、導光体３より表側に設けられたエンブレム２と、を備える。 - 特許庁 - The EL element comprises a first light-emitting layer containing an emission center material, a second light-emitting layer which is laminated on the first light-emitting layer and contains the emission center material, and a conductive thin film which is inserted between the first light-emitting layer and the second light-emitting layer.
発光中心材料を含む第１発光層と、前記第１発光層に積層され、発光中心材料を含む第２発光層と、前記第１発光層と前記第２発光層との間に挿入される導電性薄膜とを有する。 - 特許庁 - Although the surface of the first growth layer 21 is coarse, the recesses in the surface of the first growth layer 21 are buried and the surface of the second growth layer 22 is flattened by growing the second growth layer 22 at a growth velocity lower than that of the first growth layer 21.
第１の成長層２１の表面は荒れたものとなるが、それよりも小さな成長速度で第２の成長層２２を成長させることにより、第１の成長層２１の表面の窪みが埋められ、第２の成長層２２の表面が平坦化される。 - 特許庁 - Although the surface of the first growth layer 21 becomes coarse, the surface dimples of the first growth layer 21 are filled up by causing the second growth layer 22 to grow more slowly than the first growth layer 21; thus, the surface of the second growth layer 22 is made flat.
第１の成長層２１の表面は荒れたものとなるが、それよりも小さな成長速度で第２の成長層２２を成長させることにより、第１の成長層２１の表面の窪みが埋められ、第２の成長層２２の表面が平坦化される。 - 特許庁 - Moreover, the thin film solar cell includes a first photoelectric conversion layer 3 laminated on the substrate 1 and a second photoelectric conversion layer 4 laminated on the first photoelectric conversion layer 3, and the area of the second photoelectric conversion layer 4 is smaller than that of the first photoelectric conversion layer 3.
また、基板１上に積層された第１光電変換層３と、第１光電変換層３上に積層された第２光電変換層４とを備え、第２光電変換層４の面積が、第１光電変換層３の面積よりも小さい。 - 特許庁 - A semiconductor light emitting device comprises a stacked body having a first semiconductor layer of a first conductivity type, a second semiconductor layer of a second conductivity type, and a light emitting layer provided between the first semiconductor layer and the second semiconductor layer.
実施形態に係る半導体発光装置は、第１導電形の第１半導体層と、第２導電形の第２半導体層と、前記第１半導体層と前記第２半導体層との間に設けられた発光層と、を有する積層体を備える。 - 特許庁 - At least one of the first magnetic portion, and the second magnetic portion includes a first magnetic layer having a positive magnetic strain which adjoins the barrier layer, a second magnetic layer, and a multilayer structure having an interlayer between the first magnetic layer and the second magnetic layer.
第１の磁性部分及び第２の磁性部分のうち少なくとも一方が、バリア層に隣接する正の磁気ひずみを有する第１の磁性層と、第２の磁性層と、第１の磁性層と第２の磁性層の間の中間層とを有する多層構造を含む。 - 特許庁 - Then a non-doped second silicon layer 22 is formed covering the first polysilicon layer 20 and the same impurity as that diffused in the first polysilicon layer 20 is diffused in the second polysilicon layer 22 to the same impurity density with the first polysilicon layer 20.
次に、第１のポリシリコン層２０を覆って、ノンドープの第２のポリシリコン層２２を形成し、その後、第２のポリシリコン層２２に、第１のポリシリコン層２０に拡散したものと同じ不純物を、第１のポリシリコン層２０と同じ不純物濃度となるよぅに拡散する。 - 特許庁 - With the composition containing the acrylic rubber of the first layer in a non-bridged state, the second layer made of the fluorine resin is extrusion coated on an outer periphery of the first layer, and the first layer and the second layer are crosslinked in bulk, in the method for manufacturing of the heat-resistant oilproof insulation wire.
上記第一層のアクリルゴムを含有する組成物が未架橋の状態で、上記第一層の外周にフッ素樹脂からなる第二層を押出被覆し、第一層及び第二層を一括して架橋する耐熱耐油絶縁電線の製造方法。 - 特許庁 - When the non-magnetic base layer is constituted of a first non-magnetic base layer consisting essentially of Ni and Al and a second non-magnetic base layer formed on the first non-magnetic base layer and consisting essentially of Cr, the first non-magnetic base layer contains N.
非磁性下地層がＮｉ及びＡｌを主成分とする第１の非磁性下地層と、該第１の非磁性下地層の上に形成され、Ｃｒを主成分とする第２の非磁性下地層から構成される場合は、第１の非磁性下地層がＮを含有する。 - 特許庁 - An object to be plated is first plates with a tin/indium layer of a first layer at a thickness of about 0.1 to 5 μm and thereafter the surface of the tin/indium layer is plate with a bright tin/bismuth layer of a second layer at a thickness of about 0.1 to 1 μm, following which the first and second plating layers are subjected to reflow.
被めっき物に、まず第１層の錫／インジウム層を０．１〜５μｍ程度の厚さでめっきし、次にこの錫／インジウム層の上に第２層の光沢錫／ビスマス層を０．１〜１μｍ程度の厚さでめっきし、続いて第１及び第２めっき層をリフローする。 - 特許庁 - A semiconductor light-emitting device according to an embodiment comprises a stack including a first semiconductor layer of a first conductivity type, a second semiconductor layer of a second conductivity type, and a light-emitting layer provided between the first semiconductor layer and the second semiconductor layer.
実施形態に係る半導体発光装置は、第１導電型の第１半導体層と、第２導電型の第２半導体層と、前記第１半導体層と前記第２半導体層との間に設けられた発光層と、を有する積層体を備える。 - 特許庁 - The first laminate 12 has a first transparent substrate 18, a digital information recording layer 20 formed on the first substrate 18 and a reflective layer 22 formed on the digital information recording layer 20.
第１積層体１２は、透明性の第１基板１８と、該第１基板１８上に形成されたデジタル情報記録層２０と、該デジタル情報記録層２０上に形成された反射層２２とを有する。 - 特許庁 - The first insulating layer 226 of a dielectric material is brought into contact with the first and second side faces of the pole chip 216, and located between the first coil layer 206 and the second coil layer 230.
誘電体の第１の絶縁層２２６が、ポール・チップ２１６の第１の側面と第２の側面に接触するとともに、第１のコイル層２０６と第２のコイル層２３０との間に位置している。 - 特許庁 - A first electrode 3 passes through the second conductivity type semiconductor layer 2 toward the first conductivity type semiconductor layer 1 with a tip extending into and ending within the first conductivity type semiconductor layer 1.
第１電極３は、第２導電型半導体層２を貫通して第１導電型半導体層１に向かい、先端が第１導電型半導体層１に食い込んでその内部で止まっている。 - 特許庁 - An auxiliary wiring layer 14 insulated from each first electrode layer 13 is formed so as to surround each first electrode layer 13 after forming the plurality of first electrode layers 13 on a substrate.
基板上に、第１電極層１３を複数形成したのち、第１電極層１３を１つずつ取り囲むように、第１電極層１３と絶縁された補助配線層１４を形成する。 - 特許庁
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