「First layer」を含む例文一覧(24472)
＜前へ 1 2 .... 39 40 41 42 43 44 45 46 47 .... 489 490 次へ＞- A first wiring layer 140 is provided on one main surface of an insulating resin layer 130.
絶縁樹脂層１３０の一方の主表面に第１の配線層１４０が設けられている。 - 特許庁 - The fluorescent reflective film is provided between a first surface of the semiconductor layer and the phosphor layer.
蛍光反射膜は、半導体層の第１の面と蛍光体層との間に設けられた。 - 特許庁 - The first insulating layer 116 may have etching selectivity, with respect to the dielectric layer 120a.
第１絶縁層１１６は、誘電体層１２０ａに対してエッチング選択比を有してもよい。 - 特許庁 - The nitride semiconductor element comprises: a first layer; and a functional layer.
実施形態によれば、第１層と、機能層と、を備えた窒化物半導体素子が提供される。 - 特許庁 - The first layer having an opening can function as the work surface or polishing layer of the pad.
開口部を有する第１層は、パッドの作業表面または研磨層として機能し得る。 - 特許庁 - The daylight is reflected on and blocked at the first layer and the ultraviolet rays are blocked at the second layer.
第１の層では日光を反射および遮断し、第２の層では紫外線を遮断する。 - 特許庁 - The feeder 14 is held between a first shield layer 12S and a second shield layer 17S.
給電線１４は第１のシールド層１２Ｓと第２のシールド層１７Ｓとの間に挟まれている。 - 特許庁 - The method further comprises the step of depositing a metal or semiconductor layer 104 on the first layer 103.
第１の強磁性体層１０３上に、金属または半導体の層１０４を堆積する。 - 特許庁 - The first skin layer 62 can be thereby formed thinner than the second skin layer 64.
これにより、第一表皮層６２を第二表皮層６４よりも薄く形成することができる。 - 特許庁 - A difference in a thermal expansion coefficient between the first layer and the second layer is set within 1.0 ppm/K.
また、第１の層と第２の層との熱膨張係数の差が１．０ｐｐｍ／Ｋ以内とする。 - 特許庁 - With the first mask 2 as a polishing stopper, the epitaxial layer 6 is polished to form the SOI layer 7.
ついで、第１のマスク２を研磨ストッパとしてエピタキシャル層６を研磨し、ＳＯＩ層７とする。 - 特許庁 - The antiferromagnetic layer fixes magnetization of the first ferromagnetic layer to a single direction.
この反強磁性体層により、第１強磁性体層の磁化が１つの方向に固定される。 - 特許庁 - This semiconductor device includes: a first wiring layer 12; a second wiring layer 16; and a switch via 35.
この半導体装置は、第１配線層１２、第２配線層１６、及びスイッチビア３５を備える。 - 特許庁 - The thin film transistor array can include a first metalized layer (214) and a second metalized layer (218).
薄膜トランジスタ・アレイは、第一の金属化層（２１４）及び第二の金属化層（２１８）を含み得る。 - 特許庁 - The first protective layer 76 comprises plasma energized silicon oxide, and the treatment layer 80 is made of titanium.
第一保護層７６はプラズマ付勢酸化ケイ素からなり、トリートメント層８０はチタンからなる。 - 特許庁 - Each of the actuators has a first end supporting the cover layer and a second end supporting the support layer.
各アクチュエータは、カバー層を支持する第１端と、支持層を支持する第２端とを有する。 - 特許庁 - The first fin silicon layer 106 is lower in height than the second fin silicon layer 108.
第１のフィン型シリコン層１０６は、第２のフィン型シリコン層１０８よりも高さが低い。 - 特許庁 - Thereafter, the first metal layer 6 is etched with nitric fluoric acid via the second metal layer 6.
その後、フッ硝酸で第２金属層１０を媒介して第１金属層６をエッチングする。 - 特許庁 - An electric resistance value of the first electrode layer and an electric resistance value of the second electrode layer are the same.
第１電極層の電気抵抗値と第２電極層の電気抵抗値とは同じである。 - 特許庁 - The thickness of the first metal coating layer 30 is smaller than that of the second metal coating layer 40.
第１金属被覆層３０の厚みは第２金属被覆層４０の厚みよりも小さい。 - 特許庁 - The above thin film layer 5c is formed of the same material as a host material of the first light-emitting layer 5a.
上記の薄膜層５ｃは、第１の発光層５ａのホスト材料と同じ材料からなる。 - 特許庁 - An antiferromagnetic layer 20 is provided in the state making contact with the first ferromagnetic layer.
第１強磁性体層と接触した状態で反強磁性体層２０が設けられる。 - 特許庁 - Image quality represented by first layer reproduction data is higher than that represented by the second layer reproduction data.
第１層再生用データが示す画質は、第２層再生用データが示す画質より高い。 - 特許庁 - The first conductivity type buried layer 25 is formed on the second conductivity type buried layer 23.
第１導電型埋め込み層２５は、第２導電型埋め込み層２３上に設けられている。 - 特許庁 - The first bonding layer is brought into contact with the second bonding layer and heated, and then both are bonded.
第１の接合層と第２の接合層とを接触させて加熱し、両者を接合する。 - 特許庁 - The first reflective layer 32, the optical modulation film 34, and the second reflective layer 40 constitute a resonator.
第１反射層３２、光変調膜３４、第２反射層４０は共振器を構成する。 - 特許庁 - A second heat-resistance reinforcing layer 142 is formed on a first amorphous photoconductive layer 141.
また、第１の非晶質光導電層１４１上に第２の耐熱強化層１４２を設ける。 - 特許庁 - A part of the second rewiring layer 7 is formed at a position overlapping the first rewiring layer 5.
第２再配線層７の一部は第１再配線層５に重なる位置に形成されている。 - 特許庁 - This liner includes a first and a second layers, and the second layer is the nearest layer to the container.
このライナーは第１層および第２層を含み、第２層は容器に最も近い層である。 - 特許庁 - A laminated base plate, wherein a second layer 12 is formed on the surface of a first layer 11, is prepared.
第１の層１１の表面上に第２の層１２が形成された積層基板を準備する。 - 特許庁 - A first shield layer 28 and a second shield layer 41 are located at a distance from each other.
第１のシールド層２８及び第２のシールド層４１は、互いに間隔を隔てて配置されている。 - 特許庁 - The second layer 20b has a expansion coefficient lower than that of the first layer 20a.
これにより、第２の層２０ｂは、第１の層２０ａよりも水素膨張率が低くなっている。 - 特許庁 - The light-emitting part is provided between the first semiconductor layer and the second semiconductor layer.
前記発光部は、前記第１半導体層と前記第２半導体層との間に設けられる。 - 特許庁 - The anti-fogging sheet is constituted by laminating a first layer and a second layer on a substrate, in that order.
本発明の防曇性シートは、基材上に第１層と第２層が順に積層されてなる。 - 特許庁 - The first metal layer includes scan lines and gates, and the second metal layer includes data lines and sources/drains.
第一金属層は走査線とゲートを有し、第二金属層はデータ線とソース／ドレインを有する。 - 特許庁 - The first silicon layer 3 is tensile stressed and/or the target layer 1 contains carbon atoms.
第１シリコン層３は引張応力がかかり、及び／又は、ターゲット層１は炭素原子を含む。 - 特許庁 - A surface layer 33 of the first layer 32 includes TiO_x(0<x<2) and SiO_y(0<y<2).
第１の層３２の表層３３は、ＴｉＯ_x（０＜ｘ＜２）およびＳｉＯ_ｙ（０＜ｙ＜２）を含む。 - 特許庁 - The wiring parts of the first electrode layer and the wiring parts of the second electrode layer are subjected to electroless plating.
第１電極層の配線部と第２電極層の配線部とに無電解メッキを施す。 - 特許庁 - Further, the thickness of the second metal layer 5 is ≥20% of the thickness of the first metal layer 3.
さらに、第２金属層５の厚みが第１金属層３の厚みの２０％以上である。 - 特許庁 - First, the same face of the substrate is coated with a high-density layer and a low-density layer in a wet condition.
まず、基材の同一面に湿潤状態の高密度層と低密度層とを塗布する。 - 特許庁 - The second layer 24 is 8 to 20 times as thick as that of the first layer 22.
第２の層２４の膜厚は、第１の層２２の膜厚の８倍以上２０倍以下である。 - 特許庁 - The device contains a first adhesive layer, a polyimide substrate, a second adhesive layer, and a heat sink.
デバイスは、第１の接着剤層、ポリイミド基板、第２の接着剤層およびヒートシンクを含む。 - 特許庁 - A silicon layer 4 included in the first MOS transistor is thicker than a silicon layer 4 included in the second MOS transistor.
第１のＭＯＳトランジスタのシリコン層４は、第２のＭＯＳトランジスタのシリコン層４より厚い。 - 特許庁 - A p-type second nitride gallium layer 8 is formed on the surface of the first nitride gallium layer 6.
次に、第１の窒化ガリウム層６の表面にｐ型の第２の窒化ガリウム層８を形成する。 - 特許庁 - The second catalyst layer 4B (7B) contains ionomers more than the first catalyst layer 4A (7A).
第２の触媒層４Ｂ（７Ｂ）は第１の触媒層４Ａ（７Ａ）よりアイオノマーを多く含んでいる。 - 特許庁 - The attachment of the first layer (10) to the second layer (20) defines the overall thickness of a collimator assembly (100).
第一（１０）及び第二の層（２０）の付着は、コリメータ・アセンブリ（１００）の全厚を画定する。 - 特許庁 - The multilayered films for pattern formation has the first lower layer film, the second lower layer film and the resist film.
パターン形成用多層膜は、第一下層膜、第二下層膜およびレジスト被膜を有する。 - 特許庁 - A diffusion layer 5 of the peripheral transistor is connected to an upper layer wiring through a first contact C1.
周辺トランジスタの拡散層５は第１コンタクトＣ１を介して上層配線に接続される。 - 特許庁 - The edge E2 of the second semiconductor layer 12 is nearer to the first semiconductor layer 10.
この第２の半導体層１２のエッジＥ２は、第１の半導体層１０に近い側のエッジである。 - 特許庁 - The second polysilicon layer 14b is provided on the first polysilicon layer 14a and has the second conductivity type.
第２ポリシリコン層１４ｂは、第１ポリシリコン層１４ａ上に設けられ、第２導電型である。 - 特許庁
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