「First layer」を含む例文一覧(24472)

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  • The structure having projecting parts is formed of a first layer composed to include a first layer which is composed by including a first material, the first projecting parts formed on the first layer, and a plurality of second projecting parts composed by including an anodizable material around the first projecting parts.
    凸部を有する構造体であって、該構造体は、第１の材料を含み構成される第１の層、該第１の層上に形成されている第１の凸部、及び該第１の凸部の周囲に、陽極酸化し得る材料を含み構成される、複数個の第２の凸部から構成される。 - 特許庁
  • On the semiconductor substrate under the first metal layer, a first semiconductor region and a first active region including a first gate electrode are formed.
    第１金属層の下の半導体基板には第１半導体領域と第１ゲート電極を含む第１アクティブ領域が形成されている。 - 特許庁
  • A first connection part 301 connects the first upper electrode 131 with the first extension part 112a through the first insulation layer 201.
    第１接続部３０１は、第１絶縁層２０１上を介して、第１上部電極１３１と第１延伸部１１２ａとを接続している。 - 特許庁
  • The first foil (21A) of the first conductor layer is connected to the common low impedance power source through a first through-hole (E1) and a first lead wire (W1).
    第一の導体層の第一の箔(21A)は第一のスルーホール(E1)と第一のリード線(W1)とを通し共通の低インピーダンス電源に接続される。 - 特許庁
  • A first conductive path is formed in the first conductive layer 100 extending along a first route between a first node and a second node.
    第１のノードおよび第２のノード間に第１の経路に沿って延びる第１の伝導通路が第１の伝導層１００内に形成される。 - 特許庁
  • A first conductive path, which extends along a first route, is formed in the first conductive layer 102 between a first node and a second node.
    第１のノードおよび第２のノード間に第１の経路に沿って延びる第１の伝導通路が第１の伝導層１０２内に形成される。 - 特許庁
  • The first layer 246 is disposed on a portion of the first substrate 238 to separately define a first overlap area 258 and an adjacent first peripheral flange 262.
    第１層246は第１基板238の一部上に配置され、第１重複領域258および隣接する第１周辺フランジ262を別々に規定する。 - 特許庁
  • In the first manufacturing step, a first information recording layer of the multilayer information recording layers is stacked on a first substrate.
    第１作成ステップは、多層の情報記録層のうちの第１の情報記録層を第１の基板に積層する。 - 特許庁
  • The first electrode 110 is provided on the first electrode connection part 114b out of the first contact layer 114.
    第１電極１１０は、第１コンタクト層１１４のうち第１電極接続部１１４ｂ上に設けられている。 - 特許庁
  • The first release sheet 1 is composed by forming a first release agent layer 12 on a first base material 11.
    第１の剥離シート１は、第１の基材１１上に、第１の剥離剤層１２が形成された構成となっている。 - 特許庁
  • First buried patterns filling at least the first empty spaces are formed on the substrate having the first buried dielectric layer.
    第１埋込誘電膜を有する基板上に少なくとも第１空間を埋め込む第１埋込パターンを形成する。 - 特許庁
  • A first gate stack 109 of the first MOSFET is formed on the exposed semiconductor layer in the first region.
    第１ＭＯＳＦＥＴの第１ゲートスタック１０９は第１領域の露出した半導体層上に形成される。 - 特許庁
  • A first conductive layer is formed on the surface of the first dielectric sheet where the first micro via-hole is formed.
    第１の導電層が、第１のマイクロ・ビア・ホールを形成する第１の誘電体シートの表面上に形成されている。 - 特許庁
  • A first electrode 3 and a second electrode 4 are formed on a first conductive layer 1 via a first insulating film 2.
    第１導電性層１上に、第１絶縁膜２を介して、第１電極３と第２電極４とを形成する。 - 特許庁
  • Also, a predetermined potential difference is generated between the first conductive layer 12 and the second conductive layer 15.
    また、第１導電層１２と第２導電層１５との間で、所定の電位差を生じさせる。 - 特許庁
  • The first reflection layer 32, the optical modulation film 34, and the second reflection layer 40 construct a resonator.
    第１反射層３２、光変調膜３４、第２反射層４０は共振器を構成する。 - 特許庁
  • The first layer and the second layer are bonded with each other by solid-phase diffusion (step S4).
    前記第１の層及び前記第２の層を互いに固相拡散接合する（ステップＳ４）。 - 特許庁
  • A plurality of vias are formed in the layer of second conductivity type, penetrating to the layer of first conductivity type.
    複数のヴィアが、第２導電型層内に第１導電型層まで下って形成される。 - 特許庁
  • A sealed rectangular pocket 112 is formed between the first layer and the second layer.
    前記第１の層と第２の層との間には、密封された矩形のポケット１１２が形成されている。 - 特許庁
  • The MR film 30 is arranged between the first shield layer 31 and the second shield layer 33.
    ＭＲ膜３０は、第１のシールド層３１及び第２のシールド層３３の間に設けられている。 - 特許庁
  • The surface hardness of the first surface layer 2 and the second surface layer 3 is Hv 50 to 250.
    また、第１表層２および第２表層３の表面硬度がＨｖ５０〜２５０とされる。 - 特許庁
  • The back plate 16 comprises at least a first metal layer 17 and a second metal layer 28.
    背面電極１６は、少なくとも第一の金属層２７と第二の金属層２８とを有する。 - 特許庁
  • The lower thin-film coil 10 has a first coil layer 11 and a second coil layer 12.
    下部薄膜コイル１０は第１のコイル層１１および第２のコイル層１２を有している。 - 特許庁
  • The close adhesion property of the first covered layer 3 and the second covered layer 2 is ensured by the anchor effect.
    第１被覆層３と第２被覆層２との密着性は、アンカー効果により確保する。 - 特許庁
  • The first and second protective layer 140 and 160 are composed of a material harder than that of the resin layer 150.
    第１及び第２の保護層１４０，１６０は、樹脂層１５０よりも硬い材質からなる。 - 特許庁
  • The glass coating comprises a first layer of ZnO and a second layer of Ag disposed thereon.
    ガラス・コーティングは、ＺｎＯの第１の層と、その上に堆積されたＡｇの第２の層からなる。 - 特許庁
  • The thickness of the first metal layer 30 and the thickness of the second metal layer 40 can be different.
    また、第１金属層３０の厚さと第２金属層４０の厚さとが異なっていてもよい。 - 特許庁
  • The second insulating layer is light transmissive and is composed of a different material from that of the first and the third insulating layer.
    第２絶縁層は、光透過性であり、第１、第３絶縁層と異なる材料からなる。 - 特許庁
  • The sacrificial 14 is vapor-deposited with the vaporized first metal 22 to form into a deposition layer on the sacrificial layer 14.
    仮層14は、仮層14上の堆積層となる気化された第一金属22で蒸着される。 - 特許庁
  • The first layer and the second layer preferably cover the whole actuator.
    前記第１の層と前記第２の層が前記アクチュエータ全体を被覆していることが好ましい。 - 特許庁
  • Thus, a contact area between the intermediate layer 18 and the first layer 22a is enlarged on the basis of this filling-up.
    この充填により、中間層１８と第１層２２ａの接触面積が大きくなる。 - 特許庁
  • In a first method, an epitaxial layer is deposited and then etched to form the textured layer.
    第１の方法では、エピタキシアル層が堆積され、次にエッチングしてテクスチャ加工層を形成する。 - 特許庁
  • The first layer 30 is a part of the drift region 12 where the second layer 40 is not formed.
    第１層３０は、ドリフト領域１２のうち、第２層４０が形成されていない部分である。 - 特許庁
  • The translucent layer has a first optical density, and the etching stopper layer has a second optical density.
    半透光層は第１の光学濃度を有し、エッチングストッパ層は第２の光学濃度を有する。 - 特許庁
  • A second resist layer having a second optical characteristic is deposited on the first resist layer.
    第１のレジスト層の上に第２の光学特性を有する第２のレジスト層が堆積される。 - 特許庁
  • The auxiliary antenna 35 is composed of a first conductor layer 27, i.e., a resonating layer, and a second spacer.
    補助アンテナ３５は、共振層である第１の導体層２７および第２のスペーサから成る。 - 特許庁
  • A second layer 12 is separated from a first layer 11 in both end parts of a long size flat belt.
    長尺平ベルトの両端部において、第２の層１２を第１の層１１から剥離する。 - 特許庁
  • Encoded data is generated by encoding the first layer reproduction data and the second layer reproduction data.
    第１層再生用データおよび第２層再生用データを符号化して、符号化データを生成する。 - 特許庁
  • The radiating element is embedded within the first dielectric layer adjacent to the second dielectric layer.
    ビームステアリング要素は、第２誘電層に埋め込まれ、放射要素に電磁的に結合されている。 - 特許庁
  • The value of amplitude in roughness of the interface between the non-magnetic layer and the first ferromagnetic layer is h1.
    非磁性層と第１強磁性層との間の界面のラフネスの振幅の値はｈ１である。 - 特許庁
  • The first polysilicon layer 14a is provided on the base diffusion layer 12 and has the second conductivity type.
    第１ポリシリコン層１４ａは、ベース拡散層１２上に設けられ、第２導電型である。 - 特許庁
  • A lower shielding layer 22 is embedded and formed within a first recessed part 21a formed on an under layer 21.
    アンダーレイヤ２１に形成された第１凹部２１ａ内に下部シールド層２２を埋め込み形成する。 - 特許庁
  • The first layer portion 11 and the second layer portion 12 are mutually joined with an HIP.
    第一層部分１１と第二層部分１２は、ＨＩＰによって互いに接合されている。 - 特許庁
  • Diamond like carbon is used as the material of a first mask layer which covers the continuous recording layer.
    連続記録層を被覆する第１のマスク層の材料として、ダイヤモンドライクカーボンを用いる。 - 特許庁
  • The waste water is treated by the aerobic bacteria in the first aerobic ground layer 11 in the ground layer 11.
    第一好気性地層１１では該地層１１中の好気性菌で排水処理する。 - 特許庁
  • The conductive layer is provided on at least one of the first surface and the second surface of the base layer.
    導電層は、基層の第一面および第二面のうち少なくとも一方に設けられる。 - 特許庁
  • The first layer 12 and the third layer 14 are mixed oxide films mainly composed of Ti and La.
    第１層１２及び第３層１４は、主成分がＴｉとＬａとの混合酸化膜である。 - 特許庁
  • A second resin layer 56 is then formed of negative photosensitive resin on the first resist layer 54.
    第１樹脂層５４上にネガ型感光性樹脂によって第２樹脂層５６を形成する。 - 特許庁
  • Then, the film thickness of the first base layer 2 is made thinner than the film thickness of the second base layer 3.
    そして、第１の下地層２の膜厚を第２の下地層３の膜厚より薄くした。 - 特許庁
  • The first negative electrode layer 4a is formed to have a lower compressive stress than the second negative electrode layer 4b.
    第１陰極層４ａは第２陰極層４ｂよりも圧縮応力を低く形成する。 - 特許庁
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