「First layer」を含む例文一覧(24472)

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  • The first insulation layer 13 is formed by sintering a ceramic green sheet.
    第１の絶縁層１３は、セラミックグリーンシートが焼結してなる。 - 特許庁
  • The first electrode injects a carrier into the current diffusing layer.
    第１の電極は、電流拡散層にキャリアを注入する。 - 特許庁
  • The first layer 102 is formed from a metal oxide.
    前記第一の層１０２が、金属酸化物から形成される。 - 特許庁
  • A first dielectric layer 22 is formed on a semiconductor device substrate.
    半導体デバイス基板上に第１誘電層（２２）を形成する。 - 特許庁
  • Spherodizing is applied to the glass frit for the first electrode layer.
    第一の電極層用ガラスフリットに球状化処理を施す。 - 特許庁
  • First, a cathode electrode layer 2 is formed on a glass substrate 1.
    まず、ガラス基板１上にカソード電極層２が形成される。 - 特許庁
  • A dielectric layer is formed on the first storage node.
    一つの誘電層を第１ストレージノードの表面に形成する。 - 特許庁
  • The first impurity diffusion layer 206-10 separates between the photodiodes 1-1.
    第１不純物拡散層206-10は、フォトダイオード1-1間を分離する。 - 特許庁
  • A first powder top layer is dispensed on a target zone.
    標的区域上に粉末の第１の頂部層を分配する。 - 特許庁
  • The dopant layer is provided on the first surface side of the silicon substrate.
    ドーパント層は、シリコン基板の第１表面側に設けられる。 - 特許庁
  • The fourth CD yarn weaves each MD yarn in the first layer.
    第４ＣＤヤーンは、第１層の各ＭＤヤーンを織成する。 - 特許庁
  • The first reinforcing layer 34 includes many cords arranged in parallel.
    この第一補強層３４は、並列された多数のコードを含む。 - 特許庁
  • A first insulating layer 3a is formed on a cathode electrode 2.
    カソード電極２上に第１絶縁層３ａが形成される。 - 特許庁
  • The index of refraction for a first spacer layer or substrate is also identified.
    第１のスペーサ層または基板の屈折率も識別される。 - 特許庁
  • That's just peeling the first layer of the onion.
    それは、ちょうどタマネギの 最初の皮をはいでいるようなもんだ - 映画・海外ドラマ英語字幕翻訳辞書
  • A group of earthen images enshrined in the first layer of Gojuno-to (five-storey pagoda) of Horyu-ji Temple (Nara Prefecture)
    法隆寺（奈良県）五重塔初層安置塑像群 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス
  • The carrier layer 1 is equipped with a first surface and a second surface.
    キャリア層１は、第１の面および第２の面を備えている。 - 特許庁
  • A first semiconductor chip is provided on the adhesive layer.
    前記接着層上には第１の半導体チップが設けられる。 - 特許庁
  • First, a substrate 1 is subjected to anodization to form a porous layer 2.
    まず、基体１を陽極化成し、多孔質層２を形成する。 - 特許庁
  • A first nonmagnetic film 2 is formed on a recording layer 3.
    第１非磁性膜２は記録層３上に設けられている。 - 特許庁
  • First vias (30) are created in the first or second layer to expose a predefined area of the mechanical layer of silicon.
    シリコンの機械層の予め定められた領域を露出させるために、第１のビア（３０）が第１または第２の層に作られる。 - 特許庁
  • The first dielectric layer 33 has first layer board wires 31e and 31f, and an opening passing from the front to the back.
    第１誘電体層３３は、第１層ボード配線３１ｅ，３１ｆを有し、表面から裏面へ貫通した開口部を有する。 - 特許庁
  • A laminate 3 obtained by integrating a first base film layer and an adhesive resin layer into one body is fed from a first feeding roll 11.
    第一繰出しロール１１から第一基材フィルム層と接着性樹脂層とが一体となった積層体３を繰り出す。 - 特許庁
  • On a base body 2, a first light-emitting layer 5 is formed by the liquid phase method, and an insolubilization treatment 6 is applied to this first light-emitting layer 5.
    基体２上に、液相法により第１発光層５を形成し、この第１発光層５に不溶化処理を施す。 - 特許庁
  • The magnetic film 30 is polarized, and is arranged at a position facing the first magnetic layer 22 and in such an orientation as to repel the first magnetic layer 22.
    磁性膜３０は着磁されており、磁性層２２に対向する位置に、磁性層２２と反発しあう向きに配置されている。 - 特許庁
  • The light absorbing layer and the cap layer 4 under the second region surrounding the first region are of the first conductivity.
    第１の領域を取り囲む第２の領域の下方の光吸収層及びキャップ層が、第１導電型とされている。 - 特許庁
  • The first gate insulating film 131 and the second gate insulating film 132 include a first insulating layer 151 and a second insulating layer 152.
    第１ゲート絶縁膜１３１及び第２ゲート絶縁膜１３２は、第１絶縁層１５１及び第２絶縁層１５２を含む。 - 特許庁
  • The foundation layer includes a first principal surface on the second semiconductor layer side and a second principal surface on the opposite side to the first principal surface.
    下地層は、第２半導体層の側の第１主面と、第１主面とは反対側の第２主面と、を有する。 - 特許庁
  • In the first region, an N type third impurity layer 18 is deeply dispersed from a surface of the semiconductor layer 16A in the first region.
    第１の領域において半導体層１６Ａの表面からＮ型の第３の不純物層１８が深く拡散される。 - 特許庁
  • A substrate 1 is provided with a layer of first material 2, a first etching mask 4, a covering layer 3 and a second etching mask.
    基板１には、第１の材料２の層と、第１のエッチングマスク４と、カバリング層３と、第２のエッチングマスクとが設けられている。 - 特許庁
  • In this optical article, an argon concentration in a surface area of the first layer is higher than the argon concentration in a deeper area of the first layer.
    この光学物品においては、第１の層の表層域のアルゴン濃度は第１の層の深部のアルゴン濃度よりも高い。 - 特許庁
  • A first conductor layer 1 has a first ground electrode 11, and a second conductor layer 2 has a second ground electrode 21.
    第１導体層１は、第１グランド電極１１を有する一方で、第２導体層２は、第２グランド電極２１を有している。 - 特許庁
  • The end edges of the metal layers 3 on the both sides of the first resin insulating layer 4 are positioned inside the periphery of the first resin insulating layer 4.
    そして、両面の金属層３ともその端縁は第１樹脂絶縁層４の周縁より内側に位置させる。 - 特許庁
  • In this case, a first deposition layer and a second deposition layer are formed on the first recessed part and the second recessed part, respectively.
    ここで、前記第１凹部には第１堆積層が形成されており、前記第２凹部には第２堆積層が形成されている。 - 特許庁
  • The tape 100 has a first base member 18, a first adhesive layer 17, a second base member 16, and a second adhesive layer 15.
    テープ１００は、第１ベース部材１８、第１接着層１７と、第２ベース部材１６と、第２接着層１５を備える。 - 特許庁
  • The total thickness of metal layers 3 on both sides of a first resin insulating layer 4 is set to be greater than that of the first resin insulating layer.
    第１樹脂絶縁層４両面の金属層３の合計厚みを、第１樹脂絶縁層の厚みより厚く設定する。 - 特許庁
  • The first semiconductor layer 51, which is provided on the impurity layer 60, has a second conductive type different from the first conductive type.
    第１半導体層５１は、不純物層６０上に設けられ、第１導電型と異なる第２導電型を有している。 - 特許庁
  • Ion injection is performed by a first acceleration voltage with respect to the inter-layer insulating film 140, thereby to form a first ion layer 310.
    層間絶縁膜１４０に対して第１の加速電圧でイオン注入を行い第１イオン層３１０を形成する。 - 特許庁
  • The first side has a first-type Mott channel layer 107 and the second side has a second-type Mott channel layer 106.
    第１のサイドは、第１のタイプのモット・チャネル層１０７を有し、第２のサイドは、第２のタイプのモット・チャネル層１０６を有する。 - 特許庁
  • The plurality of first conductive layers surround the side faces of the first semiconductor layer via the charge storage layer, and function as the word lines.
    複数の第１導電層は、電荷蓄積層を介して第１半導体層の側面を取り囲みワード線として機能する。 - 特許庁
  • The photodector includes a substrate having a first photodiode, a second photodiode, a third photodiode, a first color filter layer and a second color filter layer.
    光検出器は、第１、第２、および第３のフォトダイオードと、第１および第２の色素フィルタ層とを有する基板を含む。 - 特許庁
  • The anode electrode layer 300 is arranged in a first direction, and a cathode electrode layer 302 is arranged in a second direction different from the first direction.
    アノード電極層300は第１方向に配列され、カソード電極層302は第１方向と異なる第２方向に配列される。 - 特許庁
  • The patterned photoresist layer has first recesses and a first through hole that exposes a portion of the dielectric layer.
    パターンニングしたフォトレジスト層は第一凹部と第一貫通孔を備え、前記第一貫通孔は誘電体層の一部を露出させる。 - 特許庁
  • A first opening is formed in the passivation layer on the first electrode, and a second opening is formed in the passivation layer on the second electrode.
    第１電極上のパシベーション層に第１開口を形成し、第２電極上のパシベーション層に第２開口を形成する。 - 特許庁
  • The first semiconductor layer is formed above a silicon substrate via a substrate layer, contains a nitride semiconductor, and has a first conductivity type.
    第１半導体層は、シリコン基板の上に下地層を介して形成され、窒化物半導体を含み第１導電形である。 - 特許庁
  • An interconnect 162 is embedded in a first insulating layer 120 and the upper surface of the interconnect is higher than the upper surface of the first insulating layer 120.
    配線１６２は第１絶縁層１２０に埋め込まれており、上面が第１絶縁層１２０の上面より高い。 - 特許庁
  • The inductor of the first layer is connected via a contact 76, passing through the first interlayer insulating film to the inductor of the second layer.
    １層目のインダクタは、第１の層間絶縁膜を貫通するコンタクト７６を介して２層目のインダクタに接続されている。 - 特許庁
  • Among the pads, the pad which is connected to a first voltage is connected to the first diffusion layer and the second diffusion layer.
    上記パッドのうち第１電圧に接続されるパッドは上記第１拡散層と上記第２拡散層に接続される。 - 特許庁
  • Thereafter, the first solder and second solder are heated simultaneously and connected, respectively, to the first underlying layer and second underlying layer.
    次いで、第１の半田及び第２の半田を同時に加熱して、それぞれ第1の下地層及び第２の下地層と接続する。 - 特許庁
  • The transmission part 211 has a first layer 361 formed as the outermost periphery, a second layer 362 adjacent to the first layer 361 at its radial inside, and a third layer 363 adjacent to the second layer 362 at its radial inside.
    伝送部２１１は、最外周である第１層３６１と、この第１層３６１の径方向内側で隣接する第２層３６２と、この第２層３６２の径方向内側で隣接する第３層３６３とを有する。 - 特許庁
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