「First layer」を含む例文一覧(24472)

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  • A porous layer 12, a silicon layer 13, a SiGe layer 14, and a silicon layer 15 are successively formed on a silicon board 11 for the formation of a first board 10.
    シリコン基板１１上に多孔質層１２、シリコン層１３、ＳｉＧｅ層１４及びシリコン層１５を順に形成して第１の基板１０を作製する。 - 特許庁
  • The second electrodes 45 are arranged on the first organic light-emitting layer, the second organic light-emitting layer, the third organic light-emitting layer and the fourth organic light-emitting layer.
    第２の電極４５は、第１の有機発光層、第２の有機発光層、第３の有機発光層及び第４の有機発光層の上に配置される。 - 特許庁
  • The pattern P1a is formed on th same layer as second-layer wiring L2 and the pattern P1b is formed on the same layer as first-layer wiring L1.
    このとき、パターンＰ１ａは第２層配線Ｌ２と同層で形成されており、パターンＰ１ｂは、第１層配線Ｌ１と同層で形成されている。 - 特許庁
  • A first RIE stopper layer 36 is formed on a free magnetic layer 28 and a second RIE stopper layer 42 is formed on a bias layer 41.
    フリー磁性層２８上に第１のＲＩＥストッパ層３６が形成され、バイアス層４１上に第２のＲＩＥストッパ層４２が形成されている。 - 特許庁
  • An n-contact layer 2, an n-clad layer 3, an MQW active layer 4 and a p-first clad layer 5 are sequentially formed on a saphire substrate 1.
    サファイア基板１上にｎ−コンタクト層２、ｎ−クラッド層３、ＭＱＷ活性層４およびｐ−第１クラッド層５が順に形成される。 - 特許庁
  • The first positioning layer 3a and the second positioning layer 3b are formed on the same surface side as the hologram recording layer 6 (in Fig. 1, under the hologram recording layer 6).
    第１位置決め層３ａと第２位置決め層３ｂとは、ホログラム記録層６に対して同一面側（図１ではホログラム記録層６の下側）に配置される。 - 特許庁
  • The wavelength selective reflection layer has a layered structure in which at least a first high refractive index layer, a metal layer, and a second high refractive index layer are sequentially laminated.
    波長選択反射層が、少なくとも第１の高屈折率層、金属層、第２の高屈折率層を順次に積層した積層構造を有する。 - 特許庁
  • The thermistor is provided with a first thick film electrode layer, an active layer, a barrier metal layer and a layer for promoting attachment to an electrical contact which is used by arbitrary selection.
    サーミスタは、第１の厚膜電極層と、活性金属層と、バリアメタル層と、任意選択で、電気接点に対する取り付けを助長する層とを備える。 - 特許庁
  • The first P+layer 4 is connected to an anode wiring 8 while the electrode layer 10, the second P+layer 5 and the N+layer 13 are connected to a cathode wiring 12.
    第１のＰ＋層４はアノード配線８と接続し、また、電極層１０，第２のＰ＋層５，及びＮ＋層１３はカソード配線１２と接続する。 - 特許庁
  • The N+-type first drain layer 11 and the second drain layer 3 are integrated to become a deeper n+-type layer than an n+-type source layer 10, and its volume is increased.
    Ｎ＋型の第１ドレイン層１１と第２ドレイン層３は、一体されてＮ＋型ソース層１０より深いＮ＋層となり、その体積が増加する。 - 特許庁
  • The average In composition ratio of a barrier layer and a well layer in contact therewith is higher on the second semiconductor layer side than on the first semiconductor layer side.
    障壁層と、それに接する井戸層と、のペアの平均Ｉｎ組成比は、第１半導体層の側よりも第２半導体層の側の方が高い。 - 特許庁
  • A lower rubber layer 12 is constituted of a first rubber layer 21 formed on a core layer 13 side, and a second rubber layer 22 formed on a belt inner face side.
    下ゴム層１２は、心体層１３側に形成された第１ゴム層２１と、ベルト内面側に形成された第２ゴム層２２とにより構成されている。 - 特許庁
  • A second magnetic material layer 22 is provided between a coil conductor formation layer 21c that is a layer including the coil conductor 9, and the first surface layer 31.
    コイル導体９を含む層であるコイル導体形成層２１Ｃと第１表面層３１との間に第２の磁性体層２２を備えている。 - 特許庁
  • The first-third pigments may be contained in one of a color correction layer, a low-refractive index layer having 1.5 or less of refractive index, an outdoor daylight shielding layer and a hard-coating layer.
    第１乃至第３色素は、色補正層、屈折率が１．５以下の低屈折層、外光遮蔽層、ハードコーティング層中の１つ以上に含まれ得る。 - 特許庁
  • The surfaces facing the thin film transistor side of respective the first lower layer side light shielding layer 27 and the second upper layer side light shielding layer 28 are formed so as to prevent light reflection.
    第１遮光層遮光層２７及び上層側の第２遮光層２７の薄膜トランジスタ側を向く面を光の反射を阻止するように構成する。 - 特許庁
  • A first layer coil is arranged so as to surround a range which is surrounded by a lower part magnetic core layer, a lower part magnetic core tip layer, and a lower part magnetic core connection layer.
    １層目コイルを下部磁気コア層と下部磁気コア先端層と下部磁気コア接続層で囲まれる範囲を周回するように配置する。 - 特許庁
  • The layers are sequentially stacked with the first display layer as a root menu layer so that the second display layer selected on the root menu is defined as a sub menu layer.
    最初の表示階層をルートメニュー階層とし、ルートメニューで選択された次の表示階層をサブメニュー階層とするように順次階層を重ねる。 - 特許庁
  • Further, the first signal layer may be arranged so as to be enclosed with the fist group layer and the second signal layer may be arranged so as to be enclosed with the second ground layer.
    又、第１のシグナル層を第１のグランド層で囲むように配置し、第２のシグナル層を第２のグランド層で囲むように配置してもよい。 - 特許庁
  • The first semiconductor deposit layer 114 includes a fist semiconductor layer 114a, a second semiconductor layer 114b and a current catchment basin layer 107a.
    第１の半導体堆積層１１４は、第１半導体層１１４ａ、第２半導体層１１４ｂ、および電流流域層１０７ａを含む。 - 特許庁
  • The first conductor film 14 is composed of a nickel (Ni) layer 12 in contact with the dielectric layer 11 and a copper (Cu) layer 13 formed on the Ni layer.
    第１の導体膜１４は、誘電体層１１に接する側のニッケル（Ｎｉ）層１２とこのＮｉ層上に形成された銅（Ｃｕ）層１３とからなる。 - 特許庁
  • The buried layer 70A includes a p-type first buried layer 70a_1, a p-type fourth buried layer 70b_2 and a p-type second buried layer 70b_1.
    埋め込み層７０Ａは、ｐ型第１埋め込み層７０ａ_１、ｐ型第４埋め込み層７０ｂ_２及びｐ型第２埋め込み層７０ｂ_１を含む。 - 特許庁
  • A semiconductor light-emitting element comprises a light-emitting layer, a light-transmitting layer, a first nitride semiconductor layer, and a second nitride semiconductor layer.
    実施形態によれば、発光層と、透光層と、第１窒化物半導体層と、第２窒化物半導体層と、を備えた半導体発光素子が提供される。 - 特許庁
  • A second conductive layer 40 is formed so that at least part of the layer 40 is deposited above the first conductive layer 20 and on the insulation layer 26.
    第２の導電層４０を、少なくともその一部が第１の導電層２０の上方であって絶縁層２６上に配置されるように形成する。 - 特許庁
  • A semiconductor light-emitting element includes a buffer layer, a substrate layer, a first semiconductor layer, a light-emitting part, and a second semiconductor layer.
    実施形態によれば、バッファ層と、下地層と、第１半導体層と、発光部と、第２半導体層と、を備えた半導体発光素子が提供される。 - 特許庁
  • The second-conductive-type layer 150 is formed in the low-concentration collector layer 102 and is located between the base layer 120 and the first-conductive-type layer 140.
    第２導電型層１５０は低濃度コレクタ層１０２に形成されており、ベース層１２０と第１導電型層１４０の間に位置している。 - 特許庁
  • A second conductor layer 58 thicker than a third conductor layer 68 is disposed at an interface between the first resin insulating layer 50 and the second resin insulating layer 60.
    第１樹脂絶縁層５０と第２樹脂絶縁層６０との界面に第３導体層６８よりも厚い第２導体層５８が配置されている。 - 特許庁
  • A laminated layer 8 formed by laminating a first insulating layer 8a, a trap layer 8b and second insulating layer 8c in their order is formed on the channel region.
    そして、チャネル領域上に、第１の絶縁層８ａ、トラップ層８ｂ、第２の絶縁層８ｃの順で積層された積層膜８が形成される。 - 特許庁
  • Then, only the second layer 4 is peeled off and an area including the catalyst layer 6 and reaching a part surrounding the window hole 5 in the first layer 3 is covered with the gas diffusion layer 7.
    その後、第２層４のみを剥がし、続いて、触媒層６を含み、第１層３の窓穴５周囲部分に至る領域をガス拡散層７で覆う。 - 特許庁
  • The plurality of pairs of layer portions includes a specific pair of layer portions 10PS having a first type layer portion and a second type layer portion.
    複数対の階層部分は、第１の種類の階層部分と第２の種類の階層部分からなる特定の対の階層部分１０ＰＳを含んでいる。 - 特許庁
  • In a p-type clad layer 16, a first p-type clad layer 16A comprising a single layer, and a second p-type clad layer 16B comprising a superlattice structure are formed.
    ｐ型クラッド層１６内に、単層からなる第１ｐ型クラッド層１６Ａと、超格子構造からなる第２ｐ型クラッド層１６Ｂが設けられている。 - 特許庁
  • The exchange energy control layer 7 is a laminated layer made of a first layer containing Co or a Co-alloy and a second layer containing palladium (Pd) or platinum (Pt).
    前記交換エネルギー制御層７は、ＣｏまたはＣｏ合金を含む第１層とパラジウム（Ｐｄ）または白金（Ｐｔ）を含む第２層との積層である。 - 特許庁
  • As the ink receiving layer 4, a first ink receiving layer 4a and a second ink receiving layer 4b having different ink permeability are laminated to provide for the ink receiving layer 4.
    前記インク受理層４として、インク浸透性が異なる第一のインク受理層４ａと第二のインク受理層４ｂとを積層して設ける。 - 特許庁
  • In each layer, the impurity concentration is formed by satisfying the relationship of the second amorphous silicon layer 3≤the third amorphous silicon layer 4<the first amorphous silicon layer 2.
    各層は、その不純物濃度が、第２のアモルファスシリコン層３≦第３のアモルファスシリコン層４＜第１のアモルファスシリコン層２、の関係を満たして形成される。 - 特許庁
  • The first metal oxide layer 111 serves as a p-type semiconductor layer and the second metal oxide layer 114 serves as a n-type semiconductor layer.
    第１の金属酸化物層１１１はｐ型の半導体層として、第２の金属酸化物層１１４はｎ型の半導体層として働く。 - 特許庁
  • The external electrode 16A_1 has a baked electrode layer 18A_1, a resin electrode layer 20A_1, a first plating layer 22A_1, and a second plating layer 24A_1.
    外部電極１６Ａ_１は、焼付電極層１８Ａ_１と、樹脂電極層２０Ａ_１と、第１めっき層２２Ａ_１と、第２めっき層２４Ａ_１とを有する。 - 特許庁
  • A third layer 16 formed on the second layer covers the edge of the wraparound portion 17 of the first layer 14 and the second layer 15, and is formed through plating.
    その上に形成される第３層１６は、第１層１４の回り込み部１７の端部および第２層１５を被覆し、かつめっきにより形成される。 - 特許庁
  • The first lens layer L1 has a diffusion degree larger than that of the third lens layer L3, and the third lens layer L3 has a diffusion degree larger than that of the second lens layer L2.
    第１レンズ層Ｌ１は第３レンズ層Ｌ３よりも拡散度合が大きく、第３レンズ層Ｌ３は第２レンズ層Ｌ２よりも拡散度合が大きい。 - 特許庁
  • A third capacitor electrode layer 5c with both ends of the third capacitor electrode layer 5c joined to both ends of the first capacitor electrode layer 5a is formed on the fourth insulating layer 1d.
    第４の絶縁層１ｄ上に、両端が第１のキャパシタ電極層５ａの両端に接合されるように第３のキャパシタ電極層５ｃを設ける。 - 特許庁
  • The reflective layer consists of a first reflective layer 3 and a second reflective layer 4 exhibiting different reflectivity characteristics for the light from the active layer 6.
    反射層は、活性層６からの光に対して互いに異なる反射率特性を有する第１の反射層３及び第２の反射層４よりなる。 - 特許庁
  • Each aggregate includes the first layer material fixed to the cloth substrate, and the second layer material which is positioned back to back to the cloth substrate and joined to the first layer material on the surface of the first layer material.
    各々の保護板集合体は、前記布基体に固定されている第１層材料と、該布基体と背中合せの位置にある、第１層材料の表面の上で、第１層材料に接合されている第２層材料とを包含する。 - 特許庁
  • The printed circuit board 10 has an arrangement wherein a first signal wiring layer 12, a first ground layer 14, a second ground layer 16 and a second signal wiring layer 18 are stacked through an insulating member 20 with a first through hole 100 being provided therethrough.
    プリント配線基板１０は、第１の信号配線層１２、第１のグランド層１４、第２のグランド層１６、第２の信号配線層１８が絶縁材２０を介して積層されてなり、第１のスルーホール１００が設けられている。 - 特許庁
  • The interlayer dielectric includes a first-class insulating layer 15 wrapping a side face and a bottom face of the wiring groove, and a second-class insulating layer 56 arranged under the first-class insulating layer and having etching characteristics different from that of the first-class insulating layer.
    層間絶縁膜が配線用溝の側面および底面を包む第１種の絶縁層１５と、第１種の絶縁層よりも下に配置され、第１種の絶縁層とエッチング特性の異なる第２種の絶縁層５６とを含む。 - 特許庁
  • The tunnel junction is formed by using a first magnetic layer equipped with a hollow portion, a second magnetic layer having magnetic property different from the first magnetic layer, and a tunnel insulating layer interposed between the first and the second magnetic layers.
    中空部を備える第１の磁性層と、この第１の磁性層と異なる磁化特性を有する第２の磁性層と、前記第１および第２の磁性層の間に介在するトンネル絶縁層とによってトンネル接合を形成する。 - 特許庁
  • The first layer 1 has a first real wiring 4 connected to a wiring 5 of the second wiring layer 2 via a through-hole 8 of the through-hole layer 3, and a first imaginary wiring 6-3 not connected to the wiring of the second layer 2.
    第１配線層１は、スルーホール層３のスルーホール８を介して第２配線層２の配線５に接続する第１実配線４と、第２配線層２の配線に接続しない第１虚配線６−３とを備えている。 - 特許庁
  • The filter 10 for the gas generator is provided with a first cylindrical filter layer 11 and a second cylindrical filter layer 12 provided on the outer periphery of the first filter layer 11 concentrically with the first filter layer 11.
    ガス発生器用フィルター１０は、筒状の第１のフィルター層１１と、第１のフィルター層１１の外周に、第１のフィルター層１１と同心となるように設けられている筒状の第２のフィルター層１２とを備えている。 - 特許庁
  • The first layer has a laminate structure consisting of two or more layers laminated one on another, and the second layer has a single-layer structure consisting of part of the first layer or a laminate structure, the first and the second layers constituting a conductive pattern part.
    第１の層は２以上の層が積層された積層構造を有し、第２の層は第１の層の一部の層からなる単層構造または積層構造を有し、第１の層および第２の層は導電パターン部を形成する。 - 特許庁
  • The substrate includes a first layer 4a, of which the lower plane makes contact directly with the first shielding layer 3 and a second layer 4 of which the lower plane contacts to an upper plane of the first layer 4a and the upper plane makes contact directly with the MR element 5.
    下地層４は、下面が第１のシールド層３に直接接する第１の層４ａと、下面が第１の層４ａの上面に接すると共に、上面がＭＲ素子５に直接接する第２の層４ｂとを含んでいる。 - 特許庁
  • Furthermore, in between a first silicon layer etching step and an adhesion layer etching step, a boundary etching step of etching the boundary between the first silicon layer and the adhesion layer by a plasma of mixture of first and second gases is executed.
    加えて、第１シリコン層のエッチング工程と接着層のエッチング工程との間には、第１ガスと第２ガスとの混合ガスのプラズマにより、第１シリコン層と接着層との境界をエッチングする境界エッチング工程を実施する。 - 特許庁
  • The side not having the first catalyst layer 20 of the electrolyte membrane 10 on which the first catalyst layer 20 is formed is joined with the side having the second catalyst layer 40 of the first gas diffusion layer 30.
    そして、第１の触媒層２０が形成された電解質膜１０の第１の触媒層２０が形成されていない側と、第１のガス拡散層３０の第２の触媒層４０が形成されている側と、を接合する。 - 特許庁
  • A first processing part 50 writes data in a first recording layer capable of rewriting data or a second recording layer capable of writing data once of an optical disk 10 containing at least the first recording layer and the second recording layer.
    第１処理部５０は、データを書換え可能な第１記録層と、データを１回だけ書込み可能な第２記録層とが少なくとも含まれた光ディスク１０のうち、第１記録層あるいは第２記録層にデータを書き込む。 - 特許庁
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