「First layer」を含む例文一覧(24472)
＜前へ 1 2 .... 45 46 47 48 49 50 51 52 53 .... 489 490 次へ＞- Thus, a GaN off substrate 25 with an off surface formed on the first GaN layer 4 is produced, and a second GaN layer is grown on the off surface of the first GaN layer 4.
このようにして、第１ＧａＮ層４にオフ面が形成されたＧａＮオフ基板２５を作製し、第１ＧａＮ層４のオフ面に第２ＧａＮ層を成長させる。 - 特許庁 - By using the mask layer and introducing impurities, a second conductive type second layer 5 different from the first conductive type is formed on the first layer 2.
マスク層を用いて不純物を導入することによって、第１の層２の上に、第１導電型と異なる第２導電型を有する第２の層５が形成される。 - 特許庁 - A thickness of the first magnetic underlying layer 41 is adjusted to prevent the first magnetic underlying layer 41 from presenting intra-plane magnetic anisotropy on the interlayer insulation layer 60.
第１磁性下地層４１の膜厚は、層間絶縁層６０の上において第１磁性下地層４１が面内磁気異方性を発現しないように調節されている。 - 特許庁 - A first opening S1 is formed to penetrate the first metal layer 110 and the insulation layer 130 and to expose a part of the top face of the second metal layer 120.
第１金属層１１０および絶縁層１３０を貫通するとともに、第２金属層１２０の頂面の一部分を露出させる第１開口Ｓ１が形成される。 - 特許庁 - The information processor reads information from the storage medium (e.g. CVD-ROM) having structure of a first layer and a second layer lower than the first layer.
情報処理装置は、第１階層及び当該第１階層の下位にある第２階層の構造を有する記憶媒体（例えばＣＤ−ＲＯＭ）から情報を読み出す。 - 特許庁 - The second recording layer has coercive force higher than that of the first recording layer under environmental temperature condition and the magnetization pattern can be formed only in the first recording layer by appropriately setting a recording magnetic field.
環境温度下では第二記録層の方が高保磁力となり、記録磁界を適当に設定する事で第一記録層にのみ磁化パターンを形成できる。 - 特許庁 - The light-emitting diode comprises: a substrate; a first semiconductor layer; a second semiconductor layer; an active layer; a first electrode; a second electrode; and a three-dimensional nanostructure array.
本発明の発光ダイオードは、基板と、第一半導体層と、第二半導体層と、活性層と、第一電極と、第二電極と、三次元ナノ構造体アレイと、を含む。 - 特許庁 - Subsequently, a compound containing metal and a second reducing gas are supplied onto the first seed layer 5 to form a second seed layer 6 on the first seed layer 5.
続いて、第１のシード層５上に金属を含む化合物及び第２の還元性ガスを供給することにより、第１のシード層５の上に第２のシード層６を形成する。 - 特許庁 - A functional particle 110 includes an inorganic particle 101, a first layer 103 coating the inorganic particle 101, and a second layer 105 coating the first layer 103.
機能性粒子１１０は、無機粒子１０１、無機粒子１０１を被覆する第一の層１０３および第一の層１０３を被覆する第二の層１０５を含む。 - 特許庁 - Subsequently, a barrier metal layer 5 is formed on the first seed layer 4 by supplying a second metal or a compound containing the metal onto the first seed layer 4.
続いて、第１のシード層４上に第２の金属又は該金属を含む化合物を供給することにより、第１のシード層４上にバリア層５を形成する。 - 特許庁 - The first layer is formed extending from the inner area of the optical sheet to the outer area, and the second layer is intermittently arranged on the first layer.
第１の層は、光学シートの外周の内側領域から外側領域にかけて延在するように形成され、第２の層は、第１の層上に間欠的に配置されている。 - 特許庁 - The second coating layer 45 is formed by padding and welding a material having hardness higher than that of the first coating layer 44 to the first coating layer 44.
第二の被覆層４５は，第一の被覆層４４よりも硬度が高い材料を第一の被覆層４４に対して肉盛溶接を施すことにより形成した。 - 特許庁 - After the first resist layer is developed, a second resist layer is deposited on the first resist layer, and thereby a flat upper surface is left (namely, there is no topography).
この第１のレジスト層を現像した後、第１のレジスト層の上に第２のレジスト層を堆積し、それによって平坦な上部面を残す（すなわちトポグラフィがない）。 - 特許庁 - The power source line 106 is arranged on a first wiring layer, and the vertical signal line 107 is arranged on a second wiring layer positioned on the upper part of the first wiring layer.
電源線１０６は第１の配線層に配置され、垂直信号線１０７は第１の配線層の上方に位置する第２の配線層に配置される。 - 特許庁 - A first layer b is formed by applying a first layer agent 10 prepared by mixing the adhesive, water, cement and sand at a predetermined compounding ratio to the upper face of the base layer a.
接着剤と水とセメントと砂とを所定の配分比率で混合して成る第１層剤１０を、下地層ａの上面に塗布して第１層ｂを形成する。 - 特許庁 - A method for coating a substrate involves depositing a substantially crystalline first layer on at least a portion of the substrate and successively depositing a breaker layer on the first layer.
基体を被覆する方法は、基体の少なくとも一部分の上に実質的に結晶質の第１層を堆積し、次いで、第１層上にブレーカー層を堆積することを含む。 - 特許庁 - A means for knowing the thickness after treatment is provided on the first layer of the sample and thereby the distance between the first layer and the second layer which is thereafter formed can be measured.
また、試料の第１の層上に処理後の厚さがわかる手段を儲けることで、その後に形成する第２の層と第１の層との距離を測定できるようにする。 - 特許庁 - To arrange a first clad layer and a second clad layer concentrically with high accuracy in a double-clad fiber having the first clad layer of a noncircular shape including a polygonal shape.
多角形状を含む非円形形状の第１クラッド層を有するダブルクラッドファイバにおいて第１クラッド層と第２クラッド層とを精度高く同心配置する。 - 特許庁 - In the magnetic recording medium, a first coating layer is formed on the surface of a substrate and a second coating layer containing a magnetic body is formed on the first coating layer.
支持体の表面に、第１の塗布層が形成されており、第１の塗布層の上に磁性体を含む第２の塗布層が形成されている磁気記録媒体。 - 特許庁 - This covered heater wire is provided with a heater wire 2, a first cover layer 3 provided on the surface of the heater wire 2, and a second cover layer 4 provided on the surface of the first cover layer 3.
ヒーター線２と、ヒーター線２の表面に設けられる第１の被覆層３と、第１の被覆層３の表面に設けられる第２の被覆層４とを備える。 - 特許庁 - The semiconductor device 100 also includes a second barrier layer 118 formed between the first barrier layer 107 and the conductive film 109 and has a lower moisture permeability than that of the first barrier layer 107.
更に、第１バリア層１０７と導電膜１０９との間に形成され、第１バリア層１０７よりも水分透過性の低い第２バリア層１１８を備える。 - 特許庁 - The power semiconductor device has a first main electrode connected to the first semiconductor layer and a second main electrode connected to the fourth semiconductor layer and the fifth semiconductor layer.
前記第１半導体層に接続された第１主電極と、前記第４半導体層と前記第５半導体層とに接続された第２主電極と、を備える。 - 特許庁 - A first alignment layer 1 is formed in an inner side region and a second alignment layer 2 having alignment regulating force stronger than that of the first alignment layer is formed in a peripheral region.
内側領域には第１の配向膜１を形成し、周縁領域には第１の配向膜よりも強い配向規制力を備えた第２の配向膜を形成する。 - 特許庁 - The method includes steps of forming a first electrode layer on a p-type compound semiconductor layer, and performing plasma treatment on the first electrode layer in an oxygen-containing atmosphere.
ｐ型化合物半導体層上に第１電極層を形成するステップと、第１電極層を酸素が含まれた雰囲気でプラズマ処理するステップとを含む。 - 特許庁 - The semiconductor device 100 comprises an interlayer insulation layer 20, formed on a first interconnection layer 14 and having an opening 60 reaching the first interconnection layer 14.
半導体装置１００は、第１の配線層１４の上に設けられた、第１の配線層１４に達する開口部６０を有する層間絶縁層２０を含む。 - 特許庁 - The substrate film contains a first layer 21 made of a magnetic material having saturation magnetic flux density of ≥1.8T and a second layer 22 formed on the first layer 21.
下地膜は、１．８Ｔ以上の飽和磁束密度を有する磁性材料よりなる第１層２１と、第１層２１の上に形成された第２層２２とを含む。 - 特許庁 - The second conductive layer 107 is arranged at an interval from the first conductive layer 101 and roughly parallel to the first conductive layer 101 and consisting of the carbon nanotube.
第２の導電層１０７は、第１の導電層１０１とは間隔を開けて第１の導電層１０１と略平行に配置されており、カーボンナノチューブからなる。 - 特許庁 - An n-type first base layer 2 is formed on a semiconductor substrate 1 having a first main face and second main face, and a p-type second base layer 3 is formed on its upper layer.
第１主面及び第２主面を有する半導体基板１に、ｎ型の第１ベース層２が設けられ、その上層にｐ型の第２ベース層３が設けられている。 - 特許庁 - A first insulating layer including a first contact pad formed of conductive polysilicon and a second insulating layer including a second contact pad are formed over a semiconductor silicon layer.
半導体シリコン層上に、導電性ポリシリコンから構成される第１コンタクトパッドを有する第１絶縁層、第２コンタクトパッドを有する第２絶縁層を形成する。 - 特許庁 - The decorative film includes a first film layer, a second film layer, and a soft touch feeling layer disposed between the first and second film layers.
本発明に係る加飾フィルムは、第一フィルム層と、第二フィルム層と、前記第一フィルム層と前記第二フィルム層との間に設置されている柔軟な触感層と、を含む。 - 特許庁 - The first electrode 5 is constituted of a first metallic layer 14 composed of titanium which does not form alloy with the contact layer 13 and a second metallic layer 15 composed of highly bondable gold.
第１の電極５をコンタクト層１３に合金化しないチタンから第１の金属層１４とボンディング性の良い金から成る第２の金属層１５とで構成する。 - 特許庁 - The functional particle 100 includes an inorganic particle 101, a first layer 103 for covering the inorganic particle 101, and a second layer 105 for covering the first layer 103.
機能性粒子１００は、無機粒子１０１、無機粒子１０１を被覆する第一の層１０３および第一の層１０３を被覆する第二の層１０５を含む。 - 特許庁 - In this semiconductor device, within a memory circuit forming region of a silicon substrate 1, a first gate electrode layer 4 and a hard mask layer 5 are formed on a first gate insulation layer 3.
シリコン基板１のメモリ回路形成領域内には、第１のゲート絶縁層３上に第１のゲート電極層４とハードマスク層５とが形成されている。 - 特許庁 - A second nitride semiconductor layer 4 having a forbidden bandwidth wider than that of the first nitride semiconductor layer 3 is formed on the first nitride semiconductor layer 3.
第１の窒化物半導体層３上には第１の窒化物半導体層３よりも禁制帯幅が広い第２の窒化物半導体層４が形成されている。 - 特許庁 - The second photoelectric transfer layer is formed at lower temperatures than when forming the first photoelectric transfer layer, and lattice defects are prevented from developing in the first photoelectric transfer layer.
第２の光電変換層の形成を第１の光電変換層の形成時よりも低い温度で行い、第１の光電変換層に格子欠陥が生じるのを防止する。 - 特許庁 - The first layer 13 contains hydrogens bonding to carbons, and the second layer 14 is low in hydrogen content comparing to the first layer 13 because its hydrogens bonded to carbons are drawn out.
第１の層１３は炭素と結合した水素を含み、第２の層１４は炭素と結合した水素が引き抜かれ、第１の層１３と比べて水素の含有率が低い。 - 特許庁 - The insulation film includes a first insulation layer, a second insulation layer, and a metal oxide conductive layer provided between the first and second insulation layers.
絶縁膜は、第１の絶縁体層と、第２の絶縁体層と、第１および第２絶縁体層の間に設けられた金属酸化物導電体層と、を含む。 - 特許庁 - The first thick photoresist layer 123A and the first thin photoresist layer 123B are used as a mask to etch the semiconductor layer 111, whereby the number of photo masks for use is reduced.
次に第１厚フォトレジスト層１２３Ａと、第１薄フォトレジスト層１２３Ｂとをマスクとして、半導体層１１１をエッチングすることで、フォトマスクの使用枚数を削減する。 - 特許庁 - A method of growing the semiconductor layer structure comprises a step for growing a first semiconductor layer 11 (11a, 11b, 11c) and a step for introducing hydrogen into the first semiconductor layer.
半導体層構造の成長方法は、第１の半導体層１１（１１ａ，１１ｂ，１１ｃ）を成長させる工程と、第１の半導体層１１中に水素を導入する工程とを含む。 - 特許庁 - The air bags 2 comprise a plurality of first-layer air bags 2a coming into contact with the human body and second-layer air bags 2b positioned on the back side of the first-layer bags.
空気袋２が人体と接触する１層目の複数の空気袋２ａと、上記１層目の背面側に位置する２層目の空気袋２ｂとよりなる。 - 特許庁 - The electrically-conducting path includes a layered structure of a first electrically-conducting material layer and a second electrically-conducting material layer having toughness higher than that of the first electrically-conducting material layer.
前記導電路が、第１の導電材料層と該第１の導電材料層よりも高い靭性を有する第２の導電材料層との積層構造を備える。 - 特許庁 - The conductive particle 21 has a resin particle 22, a first conductive layer 23, and a second conductive layer 24 with a melting point lower than that of the first conductive layer 23.
導電性粒子２１は、樹脂粒子２２と、第１の導電層２３と、第１の導電層２３よりも融点が低い第２の導電層２４とを有する。 - 特許庁 - The plunger 54 is equipped with a magnetic base, a first non-magnetic layer, and a second non-magnetic layer having a smaller friction coefficient than the first non-magnetic layer.
そして、該プランジャ５４は、磁性体から成るベース、非磁性体から成る第１の層、及び第１の層より摩擦係数が小さい非磁性体から成る第２の層を備える。 - 特許庁 - The conductive particle 21 includes a resin particle 22, a first conductive layer 23, and a second conductive layer 24 of which the melting point is lower than that of the first conductive layer 23.
導電性粒子２１は、樹脂粒子２２と、第１の導電層２３と、第１の導電層２３よりも融点が低い第２の導電層２４とを有する。 - 特許庁 - A second diffusion layer 126 is spaced apart from the first diffusion layer 116 through an element isolation film 102 and has the same conductivity type as the first diffusion layer 116.
第２拡散層１２６は、素子分離膜１０２を介して第１拡散層１１６と離間しており、第１拡散層１１６と同一導電型を有している。 - 特許庁 - For example, an acrylic based adhesive 730 which allows for repositioning of the second layer 720 on the first layer 710 is used after bonding to the first layer 710.
例えば、第１層７１０への接合後に第１層７１０に対する第２層７２０の位置を修正することができるアクリルベースの接着剤７３０を使用する。 - 特許庁 - A printed circuit board comprises: a first insulator layer 11; first wiring patterns 21, 22, 23, and 24 placed in a part of the upper surface of the first insulator layer 11; and first non-conductive patterns 30, 31, and 32 placed in other part of the upper surface of the first insulator layer 11.
第１の絶縁層１１と、第１の絶縁層１１の上面の一部に配置された第１の配線パターン２１，２２，２３，２４と、第１の絶縁層１１の上面の他の一部に配置された第１の非導電性パターン３０，３１，３２とを備える。 - 特許庁 - Further, the a-Si layer is polycrystallized by first heat treatment, and a poly-Si layer 34 is formed of the a-Si layer.
さらに、第１の熱処理によりａ−Ｓｉ層を多結晶化して、ａ−Ｓｉ層からｐｏｌｙ−Ｓｉ層３４を形成する。 - 特許庁 - The DBR semiconductor laser includes a laminate 47 consisting of a first clad layer 11, an optical waveguide layer 21, and a second clad layer 27 stacked in this order.
第１クラッド層１１、光導波路層２１、第２クラッド層２７がこの順に積層された積層体４７を有する。 - 特許庁 - The third contact conductive layer 260 is placed on the first contact conductive layer 214 and the second contact conductive layer 232.
第３コンタクト導電層２６０は、第１コンタクト導電層２１４および第２コンタクト導電層２３２上に設置されている。 - 特許庁
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