「First layer」を含む例文一覧(24476)

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  • A third spacer layer is formed on the first spacer layer, the second spacer layer, the first field plate, the gate, and the second field plate; and a third field plate is formed on the third spacer layer and connected to the source.
    第３のスペーサ層が、第１のスペーサ層、第２のスペーサ層、第１のフィールドプレート、ゲート、および第２のフィールドプレート上にあり、第３のフィールドプレートが、第３のスペーサ層上にあり、ソースに接続される。 - 特許庁
  • Hereby, there formed between the SiC layer 2 and the first Si oxidation layer 4 is a second Si oxidation layer 3 having a lower rate of content of SiO_2 of about 65% than the first Si oxidation layer 4.
    これにより、ＳｉＣ層２と第1のＳｉ酸化層４の間に、第１のＳｉ酸化層４よりもＳｉＯ_２の含有率が６５％程度と少ない第２のＳｉ酸化層３が形成される。 - 特許庁
  • The second electrode layer 32 is formed on a region R2 different from a formation region R1 of the first electrode layer 31 in a surface of the dielectric layer 2, separated from the first electrode layer 31.
    第２電極層３２は、誘電体層２の表面の内、第１電極層３１の形成領域Ｒ１とは異なる領域Ｒ２上に、該第１電極層３１から離間させて形成されている。 - 特許庁
  • Since the first polyimide layer 14A has strength which is higher than the second polyimide layer 14B, even if the second polyimide layer 14B cracks, the crack is prevented from growing in the first polyimide layer 14A.
    第１ポリイミド層１４Ａは、第２ポリイミド層１４Ｂよりも強度が高いため、第２ポリイミド層１４Ｂにクラックが発生した場合でも、クラックが第１ポリイミド層１４Ａ内を進展することが防がれる。 - 特許庁
  • A nitride semiconductor device 110 comprises: a first semiconductor layer 3; a second semiconductor layer 4; a third semiconductor layer 5; a fourth semiconductor layer 6; a first electrode 10; a second electrode 8; and a third electrode 9.
    窒化物半導体装置１１０は、第１半導体層３、第２半導体層４、第３半導体層５、第４半導体層６、第１電極１０、第２電極８及び第３電極９を備える。 - 特許庁
  • An output edge face 20 of the core layer 16, which emits a light L, is disposed next to a jointing face 22 of the first clad layer 12 and the second clad layer 14, and is coated by the first clad layer 12.
    光Ｌを出射するコア層１６の出力端面２０は、第１クラッド層１２と第２クラッド層１４との接合面２２に隣接配置されて、第１クラッド層１２により被覆される。 - 特許庁
  • The second layer of the resin layer 103 adhering to the wiring layer 102 adheres to the first surface of a base layer 101 by the second heating processing at a second temperature which is higher than the first temperature.
    第１の温度より高い第２の温度における第２の加熱処理によって、配線層１０２に付着された樹脂層１０３の第２の層が、ベース層１０１の第１の面に付着される。 - 特許庁
  • The first and second filament groups structure a flow passage layer.
    第一及び第２二の中空フィラメント群は、流路層を構成する。 - 特許庁
  • The surface of the first wiring layer 4 is covered with an insulating film 5.
    第１の配線層４の表面を絶縁膜５が覆っている。 - 特許庁
  • The light receiving layer 25 is provided on the first region 13c.
    受光層２５は、第１の領域１３ｃ上に設けられている。 - 特許庁
  • The first seed layer 41 has an island-shaped structure.
    ここにおいて、第１のシード層４１は島状構造をなしている。 - 特許庁
  • A color filter 29 is formed above the first flatted layer 28.
    第１平坦化層２８の上方にカラーフィルタ２９を形成する。 - 特許庁
  • A first metal film 20 is formed on the inter-layer insulating film 17.
    層間絶縁膜１７上に第１金属膜２０を形成する。 - 特許庁
  • The first passivation layer 20 is disposed on the substrate 10.
    第１のパッシベーション層２０は、基板１０上に配置されている。 - 特許庁
  • The first plating layer 14 is formed on the via conductor 12.
    第１のメッキ層１４は、ビア導体１２上に形成されている。 - 特許庁
  • The first filler layer 13a is composed of a resin.
    第１の充填剤層１３ａは、樹脂により形成されている。 - 特許庁
  • The solid-state imaging device comprises: a multilayer wiring layer 73; a semiconductor layer 64 that is provided on the multilayer wiring layer 73 and has a penetration trench; a first conductive layer 69 embedded inside the penetration trench; a first insulation film 32 formed on the periphery of the first conductive layer 69; and a first impurity diffusion layer 36 of a first conductive type formed on the periphery of the first insulation film 32.
    固体撮像装置は、多層配線層７３と、前記多層配線層上に設けられ、貫通トレンチを有する半導体層６４と、前記貫通トレンチ内部に埋め込まれた第１導電層６９と、前記第１導電層の周囲に形成された第１絶縁膜３２と、前記第１絶縁膜の周囲に形成された第１導電型の第１不純物拡散層３６とを備える。 - 特許庁
  • A first ground layer 13 is layered on the dielectric sheet 12.
    第１グラウンド層１３は、誘電体シート１２に積層している。 - 特許庁
  • The first layer comprises about 20% or less of the total thickness of the film.
    第１層は、フィルムの全膜厚の約２０％以下を占める。 - 特許庁
  • The dielectric constant ε of the first insulating layer 4 is set equal to 5 or less.
    第１の絶縁層４は、誘電率εを５以下とする。 - 特許庁
  • The first resistor layer is electrically connected with the source electrode.
    第１抵抗体層は、ソース電極に電気的に接続されている。 - 特許庁
  • The liquid crystal layer is interposed between the first substrate and the second substrate.
    液晶層は、第１基板と第２基板との間に介在される。 - 特許庁
  • The first resin layer 21 is formed by three direct gates 37.
    第１樹脂層２１は３つのダイレクトゲート３７により成形される。 - 特許庁
  • An organic layer 46 is formed on top of the first wire matrix 42.
    第１導線マトリクス４２上方に有機層４６を形成する。 - 特許庁
  • First insulating films 4 are formed over and below the gate layer 6.
    ゲート層６の上下には、第１絶縁膜４が形成されている。 - 特許庁
  • An opposite side to the parallax barrier layer 21 of the first transparent substrate 15 is ground.
    第１透明基板15の視差バリア層21と反対側を研磨する。 - 特許庁
  • A core substrate 5 having a first conductive metal layer 1 is prepared.
    第1の導電性金属層１を有するコア基板５を用意する。 - 特許庁
  • A first wiring layer (M8L) is disposed on a support substrate.
    支持基板の上に第１の配線層（Ｍ８Ｌ）が配置されている。 - 特許庁
  • First, an active layer 3 is formed on an n-type InP substrate 1.
    まず、ｎ型ＩｎＰ基板１上に、活性層３を形成する。 - 特許庁
  • The refractive index of the first transparent layer is smaller than the transparent substrate.
    また、第１透明層の屈折率は透明基板より小さい。 - 特許庁
  • The removable gel is removed and the first plastic layer 320 is removed.
    リムーバブルゲルが取り除かれ、第一プラスチック層３２０を除去する。 - 特許庁
  • A first wiring layer 5 is formed on a base insulating film 3.
    下地絶縁膜３上に第１配線層５が形成されている。 - 特許庁
  • First, sprocket holes 12 are bored at the base material film and the conductor layer.
    先ず、基材フィルムおよび導電層にスプロケットホール１２をあける。 - 特許庁
  • A first ceramic coating layer 51 is formed on a support 19.
    支持体１９の上に第１のセラミック塗料層５１を形成する。 - 特許庁
  • First, a generating layer 11 is provided for generation of terahertz waves.
    まず、テラヘルツ波を発生させるための発生層１１を備える。 - 特許庁
  • A plurality of openings are formed through this first layer.
    この第１の層を貫通するように、複数の開口を形成する。 - 特許庁
  • The liquid crystal layer is interposed between the first and the second substrates.
    液晶層は、第１基板と第２基板との間に介在される。 - 特許庁
  • The first resist pattern and the exposed dielectric layer are removed.
    第１レジストパターン及び露出された誘電体層を除去する。 - 特許庁
  • Then a first base metal layer 7 comprising titanium, etc. is formed.
    次に、チタンなどからなる第１の下地金属層７を成膜する。 - 特許庁
  • The first coupling layer 46 is connected to a recording shield 16.
    第１の連結層４６は、記録シールド１６に接続されている。 - 特許庁
  • Wiring lines 40 are formed on the first insulating layer 20.
    また、配線４０は、第１絶縁層２０上に形成されている。 - 特許庁
  • A first insulating film 16 is formed on the adhesive layer 18.
    接着剤層１８上に第１の絶縁膜１６を形成する。 - 特許庁
  • First, a dummy gate insulating layer and a dummy gate electrode are formed on the substrate.
    まず、基板に、ダミーゲート絶縁膜、ダミーゲート電極を形成する。 - 特許庁
  • A first electrode 412 is formed in a multilayer wiring layer 20.
    第１電極４１２は多層配線層２０に形成されている。 - 特許庁
  • The first electrode layer 100 is formed on the substrate 10.
    第１電極層１００は基板１０上に形成されている。 - 特許庁
  • The first and second hollow filament groups constitute a flow channel layer.
    第一及び第２二の中空フィラメント群は、流路層を構成する。 - 特許庁
  • A first insulating layer 52 is formed on a semiconductor substrate 50.
    半導体基板５０上に第１絶縁層５２が形成される。 - 特許庁
  • The wiring layer 102 has the first electrode set 102e1.
    配線層１０２は、第１の電極セット１０２ｅ１を有している。 - 特許庁
  • The substrate layer 620 includes a first side 622 and a second side 624.
    基層６２０は、第１側面６２２と第２側面６２４を含む。 - 特許庁
  • A buttered layer is attached to a first article formed from a superalloy.
    超合金からなる第一の物品にバタリング層を形成する。 - 特許庁
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