「First layer」を含む例文一覧(24472)

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  • The three terminal-type magnetoresistance effect element includes: a first ferromagnetic layer; a second ferromagnetic layer having a larger magnetic coercive force than that of the first ferromagnetic layer; a nonmagnetic material of which the film thickness provided between the first ferromagnetic layer and the second ferromagnetic layer monotonously changes; and a gate electrode provided on the first ferromagnetic layer via a gate insulating film.
    第１の強磁性体層と、前記第１の強磁性体層より保磁力の大きな第２の強磁性体層と、前記第１の強磁性体層と前記第２の強磁性体層との間に設けられた膜厚が単調に変化する非磁性体と、前記第１の強磁性体層上にゲート絶縁膜を介して設けられたゲート電極とを設ける。 - 特許庁
  • This multilayer printed board includes: a first flip-chip electrode formed and exposed on a first wiring layer; an insulation resin layer formed outside the first wiring layer; an insulation resin via formed on the insulation resin layer and formed at the location of the first flip-chip electrode; and a second wiring layer formed outside the insulation resin layer.
    第１の配線層に形成され露出される第１のフリップチップ電極と、前記第１の配線層の外側に形成される絶縁樹脂層と、前記絶縁樹脂層に形成され前記第１のフリップチップ電極の位置に形成される絶縁樹脂ビアと、前記絶縁樹脂層の外側に形成される第２の配線層とを備える。 - 特許庁
  • The aperture plate 10 includes: a first layer 12 having a first emissivity; a second layer 14 having a second emissivity and disposed over the first layer, wherein the first emissivity is higher than the second emissivity; and at least one additional layer 18 disposed over the second layer including a coating layer for controlling a contact angle.
    第１放射率を有する第１層１２と、第２放射率であって、第１放射率が第２放射率よりも高い第２放射率を有し、第１層の上に配置される第２層１４と、接触角を制御するコーティング層を含む第２層の上に配置される少なくとも１つの追加層１８とを含む、開口プレート１０。 - 特許庁
  • The method for making the data storage medium includes: steps of providing a substrate; depositing on the substrate a first layer that includes a magnetic material and a non-magnetic material; heating the first layer; depositing on the first layer a second layer that includes the magnetic material and the non-magnetic material; and heating the second layer and the first layer.
    基板を供給するステップと、磁性材料および非磁性材料を含む第１の層を基板上に堆積するステップと、第１の層を加熱するステップと、磁性材料および非磁性材料を含む第２の層を第１の層上に堆積するステップと、第２の層および第１の層を加熱するステップと、を含むデータ記憶媒体の作製方法。 - 特許庁
  • The MEMS sensor comprising: a first layer, a base layer, a first insulating layer disposed between the first layer and the base layer, and a cavity that has been formed in any of the foregoing layers, such that the first layer is a substrate of a semiconductor electrical circuit and as an active MEMS element.
    ＭＥＭＳセンサであって、第一の層と、基層と、該第一の層と該基層との間に配置された第一の絶縁層と、該第一の層と該基層と該第一の絶縁層のうちの任意の層に形成された空洞であって、該第一の層は半導体電気回路の基板であり、アクティブなＭＥＭＳ要素として存在する、空洞とを備えている、ＭＥＭＳセンサ。 - 特許庁
  • The magnetic recording medium has a substrate, a first magnetic layer and a second magnetic layer, wherein exchange coupling between magnetic grains in the first magnetic layer 2 is lower than exchange coupling between magnetic grains in the second magnetic layer 3, and the first and second magnetic layers are in a film stack so that magnetic grains in the first magnetic layer 2 are exchange coupled by a pathway through the second magnetic layer 3.
    基板、第１及び第２磁性層をもち、第１磁性層２における磁性粒子間の交換結合は、第２磁性層３における磁性粒子間の交換結合より低く、第１及び第２磁性層は膜の積み重ねであり、そのため第１磁性層２における磁気粒子は第２磁性層３を通る通路により交換結合される。 - 特許庁
  • A display device includes: an insulating substrate; a first conductive layer with a first signal line and second signal line formed on the insulating substrate; an insulating layer provided on an upper layer of the first conductive layer; and a semiconductor layer provided on an upper layer of the insulating layer and with a semiconductor film formed so as to planarly overlap the first signal line and second signal line.
    表示装置は、絶縁基板と、前記絶縁基板の上に第１の信号線と第２の信号線とが形成された第１の導電層と、前記第１の導電層の上層に設けられた絶縁層と、前記絶縁層の上層に設けられ、前記第１の信号線および第２の信号線と平面的に重なる半導体膜が形成された半導体層と、を含む。 - 特許庁
  • The carrier includes a core particle, a first resin layer coating the core particle, and a second coating layer coating the outside the first coating layer, wherein each of the first coating layer and the second coating layer contains a resin and a conductive material, and the second coating layer contains the conductive material in a higher content than in the first coating layer.
    コア粒子と、前記コア粒子を被覆する第一被覆層と、前記第一被覆層の外側を被覆する第二被覆層とを有し、前記第一被覆層及び第二被覆層はそれぞれ樹脂と導電材を含み、前記第二被覆層が、前記第一被覆層より高い含有率で導電材を含むことを特徴とするキャリアにより上記課題を解決する。 - 特許庁
  • This adhesive fabric is obtained by forming a first resin layer on the surface of a fabric and forming a second resin layer so as to lay a part thereof on the first resin layer and the first resin layer has a lower melt viscosity than that of the second resin layer at an adhesion temperature higher than the higher temperature of the melting temperature of the first resin layer and that of the second resin layer.
    布帛表面に第１樹脂層が形成され、該第１樹脂層と少なくとも一部分が重なるようにして、第２樹脂層が形成されており、該第１樹脂層の融点と該第２樹脂層の融点のうち高い方の融点より高い接着温度において、該第１樹脂層の溶融粘度が、該第２樹脂層の溶融粘度より低い両面接着性布帛とする。 - 特許庁
  • The LED structure comprises: a substrate 200; emission epitaxial structures 204, 210, and 212; a first conductive contact layer 214; a second conductive contact layer 216; a transparent insulation layer 218; a first reflective layer 226; a second reflective layer 230; a first barrier layer 228; a second barrier layer 232; a first conductive electrode 234; and a second conductive electrode 236.
    ＬＥＤ構造は、基板２００と、発光エピタキシャル構造２０４，２１０，２１２と、第１の導電型接触層２１４と、第２の導電型接触層２１６と、透明絶縁層２１８と、第１の反射層２２６と、第２の反射層２３０と、第１の障壁層２２８と、第２の障壁層２３２と、第１の導電型電極２３４と、第２の導電型電極２３６とを備える。 - 特許庁
  • There are provided a substrate 1, a first conductivity type first silicon layer 3 formed on an upper surface side of the substrate 1, a silicon oxide layer 4 formed on the first silicon layer 3, an intrinsic microcrystalline second silicon layer 5 formed on the silicon oxide layer 4, and a third silicon layer 6 of an opposite conductivity type to the first conductivity type formed on the second silicon layer 5.
    基板１と，基板１の上面側に形成された，第１導電型の第１シリコン層３と，第１シリコン層３の上に形成された酸化シリコン層４と，酸化シリコン層４の上に形成された，真性の，微結晶の第２シリコン層５と，第２シリコン層５の上に形成された，第１導電型と反対導電型の第３シリコン層６とを備えている。 - 特許庁
  • The invention relates to a structure of a light emitting diode including a substrate, a first conductivity semiconductor layer formed on the substrate, a light emitting layer formed on the first conductivity semiconductor layer, a second conductivity semiconductor layer formed on the light emitting layer, a barrier layer formed on the second conductivity semiconductor layer, and a contact layer formed on the barrier layer.
    基板と、基板上に形成された第１の導電性半導体層と、第１の導電性半導体層上に形成された発光層と、発光層上に形成された第２の導電性半導体層と、第２の導電性半導体層上に形成されたバリア層と、バリア層上に形成されたコンタクト層とを備えた発光ダイオードの構造である。 - 特許庁
  • This radiation conversion sheet is provided with a support base for supporting at least a first resin layer, a conductive material layer, and a second resin layer and a phosphor layer formed on the surface of the resin layer, wherein the adhesion of the interface between the first resin layer and the conductive material layer being smaller than the adhesion of the interface between the second resin layer and the conductive material layer.
    第１の樹脂層、導電性材料層、第２の樹脂層を少なくとも有する支持基板と、該第２の樹脂層の表面に形成された蛍光体層と、を備え、第１の樹脂層と導電性材料層との界面の密着力が、第２の樹脂層と導電性材料層との界面の密着力よりも小さい放射線変換シート。 - 特許庁
  • The magnetic card comprises a first concealing layer 3 and a second concealing layer 4 to cover a magnetic recording layer 2 on the basic material for the card 1 provided with the magnetic recording layer 2, a solid ink layer 7 not having the same color as that of the concealing layer and a patterning layer 5 onto the first concealing layer 3 disposed partially, and a protective layer 6.
    磁気記録層２を設けたカード基材１上に、該磁気記録層２を被覆するように第一隠蔽層３と第二隠蔽層４とを設け、部分的に露出させた第一隠蔽層３上に、隠蔽層とは同一色ではないベタインキ層７と絵柄層５とを施し、さらに保護層６を設けたことを特徴とする磁気カード。 - 特許庁
  • First metal pillars 60 composed of plating metal are formed in first through holes in a micro diameter provided by exposure and development in a first resist layer formed on the upper surface of a first metal layer 40.
    第１金属層４０上面に形成した第１レジスト層に露光・現像処理により設けた微小径の第１貫通孔にめっき金属からなる第１金属柱６０を形成する。 - 特許庁
  • A TFT array substrate is provided with a switching element formed on a first substrate, an insulating layer inserted between the TFT array substrate and a first electrode and a first alignment layer formed on the first electrode.
    ＴＦＴアレイ基板は第１基板上に形成されたスイッチング素子と、第１電極との間に挿入される絶縁膜及び第１電極上に形成された第１配向膜を備える。 - 特許庁
  • A first mold steel 13 is bonded to the surface of the first electrocast layer 12 opposite to the substrate 11 to form a bonded body 60 comprising the first mold steel 13, the first electrocast layer 12 and the substrate 11.
    第１金型鋼１３を第１電鋳層１２の基材１１の反対面に結合し、第１金型鋼１３、第１電鋳層１２および基材１１から結合体６０を形成する。 - 特許庁
  • An antenna device comprises: a first conductor layer; a second conductor layer which is placed above and substantially parallelly spaced from the first conductor layer, and causes an electromagnetic wave travelling parallel with a first axis; and a first conductor part which is a prescribed area provided in the second conductor layer or separately on the second conductor layer.
    アンテナ装置は、第１導体層と、第１導体層の上方において第１導体層と実質的に平行に離間して配置され、第１軸に平行に進行する電磁波を生じさせる第２導体層と、第２導体層に、又は第２導体層上に別個に設けられる所定領域の第１導体部と、を備える。 - 特許庁
  • Mesh-shaped openings 2a and 2b are formed in the first ground layer 2 at the first and second layer constitution parts, and compared with the conductor residual rate of the first ground layer at the first layer constitution part, the conductor residual rate at the second layer constitution part is set to be smaller.
    第１および第２の層構成部分における第１のグランド層２には、それぞれメッシュ状の開口２ａ，２ｂが施されると共に、前記第１の層構成部分における第１のグランド層の導体残存率に対して、第２の層構成部分における導体残存率が小さくなされている。 - 特許庁
  • The sub-processes are: (A) forming a first layer of photosensitive coating film; (B) exposing the first layer of the coating film through a first photomask; (C) forming a second layer of photosensitive coating film wider than the first layer; and (D) exposing the second layer of the photosensitive coating film through a second photomask.
    （Ａ）１層目の感光性塗布膜を形成する工程、 （Ｂ）１層目の感光性塗布膜を第１のフォトマスクを介して露光する工程、 （Ｃ）２層目の感光性塗布膜を１層目の感光性塗布膜幅よりも広く形成する工程、 （Ｄ）２層目の感光性塗布膜を第２のフォトマスクを介して露光する工程。 - 特許庁
  • The semiconductor laser element comprises a first conductivity type first clad layer 12, a first conductivity type first optical guide layer 13, an MQW active layer 14 formed by laminating a plurality of barrier layers and well layers, a second conductivity type second optical guide layer 15, and a second conductivity type second clad layer 19 which are sequentially formed on the main surface of a substrate 11.
    基板１１の主面に順次形成された第１導電型の第１クラッド層１２、第１導電型の第１光ガイド層１３、障壁層と井戸層を複数積層したＭＱＷ活性層１４、第２導電型の第２光ガイド層１５、第２導電型の第２クラッド層１９とを有している。 - 特許庁
  • The optical sensor includes the substrate 11, a first electrode layer 13 laminated on the substrate 11, a first oxide semiconductor layer 14 laminated on a partial region on the first electrode layer 13, and a second electrode layer 15 laminated on the first oxide semiconductor layer 14.
    本発明に係る光センサは、基板１１と、該基板１１上に積層してある第１電極層１３と、該第１電極層１３上の一部の領域に積層してある第１酸化物半導体層１４と、該第１酸化物半導体層１４上に積層してある第２電極層１５とを備える。 - 特許庁
  • This lattice for lead-acid batteries is characterized by having a first layer 51 made of a lead alloy, a second layer 52 made of a lead alloy and disposed on one side of the first layer, and a third layer 53 made of lead or a lead alloy and disposed between the first and second layers, the third layer being softer than the first and second layers.
    鉛合金よりなる第１の層５１と、第１の層の片面に配された鉛合金よりなる第２の層５２と、第１の層と第２の層との間に配された鉛もしくは鉛合金よりなる第３の層５３とを備え、第３の層は第１の層および第２の層よりも軟らかいことを特徴とする。 - 特許庁
  • The semiconductor device 1 comprises a semiconductor substrate 3, a first insulating resin layer 4 provided on the semiconductor substrate 3, a first rewiring layer 5 provided on the first insulating resin layer 4, a second insulating resin layer 6 provided on the first rewiring layer 5, a second rewiring layer 7 provided on the second insulating resin layer 6, and a bump 9 formed on the second rewiring layer 7.
    半導体基板３と、半導体基板３上に設けられた第１絶縁樹脂層４と、第１絶縁樹脂層４上に設けられた第１再配線層５と、第１再配線層５上に設けられた第２絶縁樹脂層６と、第２絶縁樹脂層６上に設けられた第２再配線層７と、第２再配線層７上に形成されたはんだバンプ９とを備えた半導体装置１。 - 特許庁
  • The semiconductor substrate includes a substrate, a first semiconductor layer formed on the substrate, a metallic material layer formed on the first semiconductor layer in a prescribed pattern, a second semiconductor layer formed on the first semiconductor layer and metallic material layer, and a cavity formed on the first semiconductor layer under the metallic material layer.
    本発明の半導体基板は、基板と、前記基板上に形成された第１の半導体層と、前記第１の半導体層上に所定のパターン形状で形成された金属性材料層と、前記第１の半導体層上及び前記金属性材料層上に形成された第２の半導体層と、前記金属性材料層より下層部分の前記第１の半導体層に形成された空洞と、を有する。 - 特許庁
  • A first heat-insulation layer SP1 is formed between the first end surface and a bottom part opposed to the first end surface of the insertion hole 23.
    第１端面と、挿入孔２３の第１端面が対向する底部との間に第１断熱層ＳＰ１が形成される。 - 特許庁
  • A first interlayer wiring post 20 and the first resin sealed layer 19 are provided around the first CSP 13.
    第１のＣＳＰ１３の周囲には第１の層間配線ポスト２０および第１の樹脂封止層１９が設けられている。 - 特許庁
  • By this means, the first oxide film 41 is prevented from entering a grain boundary of the first polysilicon layer 40 in the first oxidation.
    これにより、１回目の酸化で第１酸化膜４１を第１ポリシリコン層４０の粒界部に入り込ませないようにする。 - 特許庁
  • A first region Ra1 comprises a first metal layer L1 and via V1 provided in the first laminate LB1.
    第１の領域Ｒａ１は第１の積層体ＬＢ１内に設けられた第１の金属層Ｌ１とビアＶ１とを有する。 - 特許庁
  • A first metal coating layer formed of a first metal different from silver is formed on the outside surface of the first pipe-like member.
    そして、銀と異なる第１の金属からなる第１金属被覆層を第１パイプ状部材の外表面に形成する。 - 特許庁
  • A first connection plug 21 is arranged in the first region, and further electrically connects the first conductive region and the wiring layer.
    第１接続プラグ２１は、第１領域内に配設され、且つ第１導電性領域と配線層とを電気的に接続する。 - 特許庁
  • Then, a first semiconductor laminate 22 including a first active layer 21 is formed on the principal surface 11a in the first region 3A.
    次に、第1の領域３Ａの主面１１ａ上に第1活性層２１を含む第１半導体積層２２を形成する。 - 特許庁
  • The element mounting structure of the first layer has a first printed circuit board 18 and a semiconductor chip 20 mounted on the first board 18.
    第１層の素子実装構造は、第１のプリント基板１８とその上に実装した半導体チップ２０とから構成される。 - 特許庁
  • A first transistor Tr1 and a first resistor R1 connected in series thereto are arranged on a first wiring layer 2.
    第１配線層２の上に、第１トランジスタＴｒ１とこれに直列に接続された第１抵抗体Ｒ１を配置する。 - 特許庁
  • First outer layer through-hole conductors 61 connect respective first terminal electrodes 31 to a first internal electrode 411.
    第１の外層スルーホール導体６１は、第１の端子電極３１のそれぞれを第１の内部電極４１１に接続する。 - 特許庁
  • The gasket further includes a first sealing layer having a top first sealing surface 170 and a bottom first sealing surface 172.
    さらに、ガスケットは、上部第１の密封面１７０および底部第１の密封面１７２を有する第１の密封層を含む。 - 特許庁
  • The optical sensor is constituted by at least a first semiconductor layer 2 provided on the surface of a semiconductor substrate 1, a third semiconductor layer 4 acting as a light absorbing layer provided on the first semiconductor layer 2, a second semiconductor layer 3 provided on the third semiconductor layer 4, a first protective layer 5 provided on the rear surface of the semiconductor substrate 1, and a second protective layer 6 so provided as to cover the first protective layer.
    光センサは、半導体基板１の表面に設けられた少なくとも第１の半導体層２と、この第１の半導体層２上に設けられた光吸収層となる第３の半導体層４と、この第３の半導体層４上に設けられた第２の半導体層３と、半導体基板１の裏面に設けられた第１の保護層５と、この第１の保護層を被覆して設けられた第２の保護層６から構成されている。 - 特許庁
  • A laser beam, which is provided with a property of transmitting the second layer, reflecting on the interface of the first layer 11 and the second layer 12, and peeling the second layer in the area on which the laser beam is incident from the first layer, is made incident on the laminated base plate from the surface of the second layer.
    第２の層を透過し、第１の層と第２の層１２との界面で反射し、レーザビームの入射した領域の第２の層を第１の層から剥離させる性質を有するレーザビームを、第２の層の表面から積層基板に入射させる。 - 特許庁
  • The first compound layer consists of an aspheric layer 14a formed as a first layer on the convex face of the base lens and a non-transmitting layer 14b, which does not transmit visible rays, formed as a second layer on the peripheral part of the aspheric layer.
    第１の複合層は、母材レンズの凸面上に第１層として設けられた非球面形状層１４ａと、非球面形状層の周辺部上に第２層として設けられ、可視光を透過させない非透光層１４ｂとから構成される。 - 特許庁
  • First and second buffer layers 4 and 8 each having a thickness of 50-100 nm are inserted into an interface between an intermediate transparent electrode layer 6 and a first photoelectric conversion layer (silicon layer) 3 and into an interface between a back transparent electrode layer 10 and a second photoelectric conversion layer (silicon layer) 7, respectively.
    中間透明電極層６と第１光電変換層（シリコン層）３との界面に及び裏面透明電極層１０と第２光電変換層（シリコン層）７との界面に、夫々、厚さ５０〜１００ｎｍの第１及び第２バッファ層４，８を挿入する。 - 特許庁
  • On a first conductivity type semiconductor substrate 1, at least a first conductivity type clad layer 4, an active layer 5, a second conductivity type clad layer 8, a second conductivity type contact layer 10, an etching stop layer 11, and a diffusion source layer 12 containing impurities are laminated in order.
    第１導電型半導体基板１上に、少なくとも第１導電型クラッド層４、活性層５、第２導電型クラッド層８、第２導電型コンタクト層１０、エッチングストップ層１１、及び不純物を含む拡散源層１２を順次積層する。 - 特許庁
  • Since the second layer consisting of phthalocyanine based material is provided between the first layer and the third layer, electron injection barrier can be reduced when electrons generated in the first layer is injected to the m-th EL layer through the third layer.
    第１の層と第３の層との間に、フタロシアニン系材料からなる第２の層を設けることにより、第１の層で発生した電子を、第３の層を介してｍ番目のＥＬ層に注入するときの電子の注入障壁を小さくすることができる。 - 特許庁
  • The cathode 24y is a multilayer film structure including an electron injection layer 241 for injecting electrons into the light emitting layer 22, a first conductive layer 242a formed on the electron injection layer 241, and a second conductive layer 242b covering the first conductive layer 242a.
    陰極２４ｙは、発光層２２に電子を注入する電子注入層２４１と、電子注入層２４１上に形成された第１導電層２４２ａと、第１導電層２４２ａを覆う第２導電層２４２ｂとを備えた多層膜構造である。 - 特許庁
  • The carrier movement path between the source electrode and the drain electrode includes a first path in which carriers move through the channel layer, the buffer layer, the first contact layer and the second contact layer and a second path in which the carriers move through the channel layer and the second contact layer.
    ソース電極とドレイン電極との間におけるキャリアの移動経路は、チャネル層、バッファ層、第１コンタクト層及び第２コンタクト層を経由してキャリアが移動する第１経路と、チャネル層及び第２コンタクト層を経由してキャリアが移動する第２経路とを含む。 - 特許庁
  • A semiconductor light-emitting element comprises a first semiconductor layer including an n-type semiconductor layer, a second semiconductor layer including a p-type semiconductor layer, and a light-emitting portion provided between the first semiconductor layer and the second semiconductor layer.
    実施形態によれば、ｎ形半導体層を含む第１半導体層と、ｐ形半導体層を含む第２半導体層と、前記第１半導体層と前記第２半導体層との間に設けられた発光部と、を備えた半導体発光素子が提供される。 - 特許庁
  • A first conductor layer 20, a first insulator layer 21, and a second conductor layer 22 are printed on the surface of a second insulator layer 23 as a base material of a flexible substrate 15, and a third conductor layer 24 is printed on the rear surface of the second insulator layer 23.
    フレキシブル基板１５のベース材である第２絶縁体層２３の表面に第１導電体層２０、第１絶縁体層２１、及び第２導電体層２２をプリントし、第２絶縁体層２３の裏面に第３導電体層２４をプリントする。 - 特許庁
  • The double-coated adhesive tape t1 has a first adhesive layer 30 which is installed on the innermost layer, a second adhesive layer 36 which is installed on the outermost layer, and intermediate layers 32 and 34 which are installed between the first adhesive layer 30 and the second adhesive layer 36.
    両面粘着テープｔ１は、最内層に設けられた第一粘着層３０と、最外層に設けられた第二粘着層３６と、上記第一粘着層３０と上記第二粘着層３６との間に設けられた中間層３２、３４とを有する。 - 特許庁
  • The shutter blade has a first layer (80) having matrix resin and reinforced fiber, a second layer (82) having a metallic film, and a third layer, having matrix resin and reinforced fiber and is constituted by layering the first layer (80), the second layer (82) and the third layer (84).
    マトリクス樹脂と強化繊維とを有する第１の層（８０）と、金属膜を有する第２の層（８２）と、マトリクス樹脂と強化繊維とを有する第３の層とを有し、第１の層（８０）と第２の層（８２）と第３の層（８４）とが積層されている構成とする。 - 特許庁
  • A wiring substrate 4 has a base end electrode layer and a connection electrode layer and bent between a first connection electrode layer 5a connected to the first transparent heat generating layer 3a and a second connection electrode layer 5b connected to the second transparent heat generating layer 3b.
    配線基板４は、基端部電極層と接続部電極層とを有し、第１透明発熱層３ａに接続される第１接続部電極層５ａと第２透明発熱層３ｂに接続される第２接続部電極層５ｂとの間で折り曲げられている。 - 特許庁
  • The first quantum well layer 11 is formed by being sandwiched between a first energy barrier layer 13 and a second energy barrier layer 14 and the second quantum well layer 12 is formed by being sandwiched between the second energy barrier layer 14 and a third energy barrier layer 15.
    第１の量子井戸層１１を第１のエネルギー障壁層１３と第２のエネルギー障壁層１４とにより挟んで形成し、第２の量子井戸層１２を第２のエネルギー障壁層１４と第３のエネルギー障壁層１５とにより挟んで形成する。 - 特許庁
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