「First layer」を含む例文一覧(24472)
＜前へ 1 2 .... 55 56 57 58 59 60 61 62 63 .... 489 490 次へ＞- The first layer 13 is formed by nonelectrolytic plating, and the second layer 14 is formed by electrolytic plating.
第１の層１３を無電解めっきにより形成し、第２の層１４を電解めっきにより形成する。 - 特許庁 - At a buttress part 28, a first rubber sheet layer 30 is provided between a carcass layer 18 and an inner liner 20.
バットレス部２８でカーカス層１８とインナライナー２０との間に第１ゴムシート層３０が設けられている。 - 特許庁 - The second metal layer 2 electrically connects with the first metal layer 1 and has the uneven structure on a surface 2F thereof.
第２金属層２は第１金属層１と導通してその面２Ｆが凹凸構造を有する。 - 特許庁 - Then, an organic layer 16 is formed so as to cover the first electrode layers 13 and the auxiliary wiring layer 14.
次に、第１電極層１３および補助配線層１４を覆うように有機層１６を形成する。 - 特許庁 - Further the first layer has thickness of 10 μm or more and the second layer has thickness of 2 to 10 μm.
なお、第１の層の厚みが１０μｍ以上であり、第２の層の厚みが２〜１０μｍである。 - 特許庁 - The second semiconductor layer has a second conductivity type and is provided at the second surface side of the first semiconductor layer.
第２半導体層は第２導電形であり、第１半導体層の第２面の側に設けられる。 - 特許庁 - A second insulating layer 18 formed on the first insulating layer 17 is formed of an organic insulating material.
第一絶縁層１７の上に形成される第二絶縁層１８は、有機絶縁材料で形成される。 - 特許庁 - The TaO layer 48 and the first protective layer 49 function as mirror surface reflecting layers of conduction electrons.
ＴａＯ層４８および第１の保護層４９が伝導電子の鏡面反射層として機能する。 - 特許庁 - The thickness of this second layer 4 is 5 nm at the maximum, and it is formed substantially thinner than the first layer.
この第二層４の厚さは最高で５ｎｍであり、第一層よりも実質的に薄く形成される。 - 特許庁 - In respective patterns 23a, size of the first mask layer 13a is different from that of the second mask layer 15a.
各パターン２３ａにおいて、第１のマスク層１３ａのサイズは第２のマスク層１５ａのサイズと異なる。 - 特許庁 - The second reinforcement layer 20 is positioned between the first reinforcement layer 18 and the second ply 34.
この第二の補強層２０は、この第一の補強層１８とこの第二のプライ３４との間に位置する。 - 特許庁 - The air gap is formed by being surrounded by the mask layer and the first conductivity type semiconductor layer.
前記エアーギャップは、前記マスク層及び第１導電型半導体層により囲まれて形成される。 - 特許庁 - A first re-wiring layer 400 is formed so that a part of a metal bump layer 320 is exposed.
第１再配線層４００は、金属バンプ層３２０の一部分を露出するように形成される。 - 特許庁 - The inactive region contains an impurity layer 60, a first semiconductor layer 51, and a second groove part T2.
この無効領域は、不純物層６０と、第１半導体層５１と、第２溝部Ｔ２とを含んでいる。 - 特許庁 - The electric insulation part 61 is interposed between the anode lead-out layer 2 and the first electrolyte layer 4.
電気絶縁部６１は、陽極引出し層２と第１電解質層４との間に介在している。 - 特許庁 - The base body 2 is formed of an n-type single crystal silicon layer which is used as a first conductivity type semiconductor layer.
基体２は、第１導電型半導体としてのｎ型単結晶シリコンによって形成されている。 - 特許庁 - The metal content of the second metal glass layer is larger than that of the first metal glass layer.
第２金属ガラス層の金属含有量は第１金属ガラス層の金属含有量よりも多い。 - 特許庁 - First semiconductor layers 12, 13 comprising a channel layer 13 as an uppermost layer are provided on a substrate 11.
基板１１の上にチャネル層１３を最上層として含む第１半導体層１２，１３を備える。 - 特許庁 - The second semiconductor layer 4 has a forbidden band width equal to or larger than the forbidden band width of the first semiconductor layer 3.
第２半導体層４は、第１半導体層３の禁制帯幅以上の禁制帯幅を有する。 - 特許庁 - A first AlGaN layer 13 is formed on a sapphire substrate 11 through a low-temperature buffer layer 12.
サファイア基板１１上に、低温バッファー層１２を介して第一のＡｌＧａＮ層１３を形成する。 - 特許庁 - The method also includes a step of forming a continuous second layer on the patterned first layer.
本方法はまた、パターン化された第１の層の上に連続的な第２の層を形成する工程も含む。 - 特許庁 - The optical thickness ratio n1d1/n2d2 of the first layer to the second layer is preferably in the range of 0.3-0.8.
第一層の第二層に対する光学的厚さの比 n_1 d_1／n_2 d_2 は０．３から０．８までの範囲が望ましい。 - 特許庁 - The Ti layer 6 and the first Al layer 7 are adjacent each other and joined through rolling and cladding.
Ｔｉ層６と第１のＡｌ層７とが互いに隣接してクラッド圧延により接合されている。 - 特許庁 - The second liquid crystal layer is placed closer to the light-incidence side than to the first liquid crystal layer.
前記第二の液晶層は、前記第一の液晶層よりも光の入射する面側に設置する。 - 特許庁 - Located laterally separated upon the dielectric surface from the first surface semiconductor layer is a stack layer.
スタック層が、第１の表面半導体層から横方向に離れて誘電体表面に配置される。 - 特許庁 - A second upper clad layer 106 is formed as a ridge on the first upper clad layer 103.
上記第１上クラッド層１０３の上方に第２上クラッド層１０６がリッジとして形成されている。 - 特許庁 - A ceramic is utilized for first layer (2A) and a third layer (2C) to achieve electric insulation.
第１層（２Ａ）および第３層（２Ｃ）には材料にセラミックスを利用して電気的な絶縁を実現する。 - 特許庁 - A first transparent electrode layer 16 is formed in a front face 17b of an organic electroluminescent layer 17.
有機エレクトロルミネッセンス層１７の前面１７ｂには透明な第１電極層１６が形成されている。 - 特許庁 - The entrance part 21 is formed by applying anisotropic wet etching from the side of the first layer 1 opposite to the second layer.
第１層１の反第２層側から異方性ウェットエッチングを施して、入口部２１を形成する。 - 特許庁 - A catalyst layer 18 is formed on the surface of the first diffused resistance layer for promoting reaction of H2 component.
第１拡散抵抗層１４の表面に、H2成分の反応を促進する触媒層１８を設ける。 - 特許庁 - A whole of a second layer of wires is inside a spiral groove on the outside surface of a first layer of wires.
ワイヤの第２層は、ワイヤの第１層の外部表面のらせん状の溝の内部に全体がある。 - 特許庁 - A first plating layer 6 is formed at a part in the through holes 5 by electrifying from the conductive layer 4.
導電層４から通電して貫通孔５内の一部に第１のめっき層６を形成する。 - 特許庁 - Alternatively, it is possible to reduce a change in the total thickness of the first resin layer and the second resin layer.
または、第１樹脂層および第２樹脂層の合計厚みの変化を小さくすることができる。 - 特許庁 - A map 20 is drawn on the first layer 41, and icons 21a-21d are drawn on the second layer 42.
第１レイヤ４１には、地図２０を描画し、第２レイヤ４２には、アイコン２１ａ〜２１ｄを描画する。 - 特許庁 - The second silicide layer 152 is formed using different metal from the first silicide layer 142.
この第２シリサイド層１５２は、第１シリサイド層１４２とは異なる金属を用いて形成されている。 - 特許庁 - The second and third magnetic layers control the magnetic exchange coupling of the first magnetic layer and the fourth magnetic layer.
第２、第３の磁性層は、第１の磁性層と第４の磁性層との磁気交換結合を制御する。 - 特許庁 - A barrier layer can be arranged at least adjoined to, for example, the first and second face of the cloth layer.
バリヤ層を、例えば布層の第１または第２の面に少なくとも隣接して、配置することができる。 - 特許庁 - A thick second III-N layer 17 is deposited on the first III-N layer 15 by means of a hydride vapor phase epitaxy.
厚い第二のIII-N層１７は、ハイドライド気相成長により第一のIII-N層１５上に堆積させる。 - 特許庁 - An interlayer film layer 24 is made via a barrier film 22 on a first n-1 wiring layer 10.
第Ｎ−１層の配線層１０の上にバリア膜２２を介して層間膜層２４を形成する。 - 特許庁 - The second insulating layer 32 is formed with an insulating material having a dielectric constant larger than that of the first insulating layer 31.
第２絶縁層３２は、誘電率が第１絶縁層３１よりも大きい絶縁材料を用いる。 - 特許庁 - The surface of the first conductive layer 21's central part is covered with an insulating layer 25 made of aluminum.
第１導電層２１の中央部分の表面は、アルミナからなる絶縁層２５で覆われている。 - 特許庁 - The surface sheet of an absorptive article includes a first layer 11 and a second layer 12.
本発明の吸収性物品の表面シート１０は、第１層１１と第２層１２とを有する。 - 特許庁 - An overcoat covers an edge of the first layer and the second layer of the contact pad to prevent wear.
保護膜が、コンタクトパッドの第１の層および第２の層の端部を覆うことによって磨耗を防止する。 - 特許庁 - Also, a film thickness ratio of the first hard bias layer 26 to a hard bias layer 32 is 35 to 75%.
また第１ハードバイアス層２６のハードバイアス層３２中に占める膜厚比は３５％〜７５％である。 - 特許庁 - The first layer, the second layer and the membrane are subsequently diffusion bonded into one integrated structure, with pressurized fluid supplied for superplastic forming.
その後拡散接合して一体構造とし、加圧流体を供給して超塑性成形する。 - 特許庁 - The gel fraction of the first adhesive agent layer 14 neighboring to the drug storing layer 12 is 65-95%.
薬物貯蔵層１２と接する第１の粘着剤層１４のゲル分率が６５〜９５％である。 - 特許庁 - The second plating layer 4 is formed to include a region different from that of the first plating layer 3.
第２のめっき層４は、第１のめっき層３とは異なる領域を含むように形成されている。 - 特許庁 - A lattice constant of the second rotating layer 105 is smaller than that of the first rotating layer 104.
第２の回旋層１０５の格子定数は、第１の回旋層１０４の格子定数に比べて小さい。 - 特許庁 - A cleaning member 52 for cleaning the electrifying roll comprises two layers of a first layer 52A and a second layer 52B.
帯電ロールを清掃する清掃部材５２を第１層５２Ａと第２層５２Ｂとの２層構成にする。 - 特許庁 - A first shield layer 28 and a second shield layer 41 overlap each other at a distance G1.
第１のシールド層２８及び第２のシールド層４１は、互いに間隔Ｇ１を隔てて重なっている。 - 特許庁
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