「First layer」を含む例文一覧(24472)
＜前へ 1 2 .... 57 58 59 60 61 62 63 64 65 .... 489 490 次へ＞- A first metal layer 102 is formed on at least one surface of a polymer base material 100, and an oxide preventive layer 104 formed of a metal more basic than the first metal layer 102 or its oxide is formed on the surface of the first metal layer.
ポリマー基材１００の少なくとも片面に第一の金属層１０２を有し、第一の金属層の表面に、第一の金属層よりも卑な金属あるいはそれらの酸化物からなる酸化防止層１０４を有することを特徴とする。 - 特許庁 - The first metal layer 21 is obtained by aggregating nano metal particles which can be fused at a temperature lower than that of the first metal layer 21, and the second metal layer 22 is obtained by aggregating metal particles of which the fusing point is lower than that of the first metal layer 21.
第１金属層２１は、その融点よりも低い温度で溶融可能なナノ金属粒子の集合したものでなり、第２金属層２２は、その融点が第１金属層２１の融点よりも低い金属粒子の集合したものでなる。 - 特許庁 - If a second organic layer 4 is formed on the first organic layer 3 in the application method, this manufacturing method can suppress the first organic layer 3 from dissolving in the organic solvent because it heats the first organic layer 3 for densification.
このような製造方法では、第１有機層３を加熱処理して緻密化しているため、第１有機層３の上に第２有機層４を塗布法で形成した場合、有機溶媒に第１有機層３が溶解することを抑制することができる。 - 特許庁 - The radial transverse electric polarizer device includes: a first layer of a material having a first refractive index; a second layer of a material having a second refractive index; and a plurality of elongated elements azimuthally and periodically spaced apart and disposed between the first layer and the second layer.
ラジアル横方向電気偏光器は、第１屈折率を有する材料の第１層と、第２屈折率を有する材料の第２層と、方位角で周期的に隔置され、第１層と第２層との間に配置された複数の細長い要素とを含む。 - 特許庁 - The organic light-emitting display device comprises a capacitor including: first electrode layers (21, 22) and a second electrode layer (26) facing each other; and a first insulating layer (25) interposed as a single layer between the first electrode layers and the second electrode layer.
有機発光表示装置は、互いに対向する第１電極層２１，２２および第２電極層２６と、当該第１電極層と第２電極層との間に単一層として介された第１絶縁層２５とを含むキャパシタを有する。 - 特許庁 - A pixel unit comprises a first metal layer and a second metal layer, wherein the first metal layer comprises a gate electrode and a first electrode, and the second metal layer comprises a drain electrode, a source electrode and a second electrode.
上記課題を解決するために、第一金属層と第二金属層とを備える画素ユニットにおいて、第一金属層でゲート電極及び第一電極とを構成し、第二金属層でドレイン電極、ソース電極及び第二電極とを構成する。 - 特許庁 - The display device 1 is provided with at least a display panel 4, a first protective layer 5 which covers one side surface of the display panel 4 and has viscoelasticity and a second protective layer 6 which covers the first protective layer 5 and has a modulus higher than that of the first protective layer 5.
表示装置１は、表示パネル４と、表示パネル４の一方面を覆い、粘弾性を有する第１保護層５と、第１保護層５を覆い、第１保護層５よりも弾性率が高い第２保護層６と、を少なくとも備えている。 - 特許庁 - The thickness T1 of the first high resistance drift layer 23 is set to that where a depletion layer extending in the first high resistance drift layer 23 reaches-through the drain area 21 at voltage lower than sharing voltage V1 of the first high resistance drift layer 23.
第１高抵抗ドリフト層２３の厚さＴ１は、第１高抵抗ドリフト層２３の分担する分担電圧Ｖ１より低い電圧で、第１高抵抗ドリフト層２３中に広がる空乏層がドレイン領域２１にリーチスルーする厚さに設定される。 - 特許庁 - According to the present embodiments, a transmissive first conductive layer having a thickness of not less than 100 nm and not more than 250 nm is formed on a second semiconductor layer and a highly-reflective conductive film is formed on a part of the first conductive layer and a first semiconductor layer.
実施形態によれば、第２半導体層の上に、透過性で１００ｎｍ以上２５０ｎｍ以下の厚さの第１導電層を形成し、第１導電層の一部と、第１半導体層の上に高反射導電膜を形成する。 - 特許庁 - The diaphragm comprises a central layer composed of a single layer film, a first coating layer bonded to the surface of the central layer, and a second coating layer bonded to the rear surface of the central layer on the side opposite to the surface.
単層膜からなる中央層と、前記中央層の表面に固着している第一被覆層と、前記中央層の前記表面と反対側の裏面に固着している第二被覆層と、を備える。 - 特許庁 - This run-flat tire 1 has a pair of bead parts 10, a carcass 12, a reinforcing rubber layer 40, a crossing belt layer of two layers (a first belt layer 22 and a second belt layer 24) and a composite belt layer 20 having a third belt layer 26.
ランフラットタイヤ１は、一対のビード部１０と、カーカス１２と、補強ゴム層４０と、２層の交錯ベルト層（第１ベルト層２２、第２ベルト層２４）及び第３ベルト層２６を有する複合ベルト層２０とを備える。 - 特許庁 - A semiconductor light-emitting function layer 20, formed on an Si substrate 11, has a laminate structure comprising an n-type GaN layer (first semiconductor layer) 21, an MQW layer 22, and a p-type GaN layer (second semiconductor layer) 23.
半導体発光機能層２０は、Ｓｉ基板１１上に形成され、ｎ型ＧａＮ層（第１の半導体層）２１、ＭＱＷ層２２、ｐ型ＧａＮ層（第２の半導体層）２３からなる積層構造をもつ。 - 特許庁 - Next, an insulation layer 12a is formed on the first metal layer to cover the third metal layer, and a wiring layer 13a electrically connected to the third metal layer is formed on one surface of the insulation layer.
次に、前記第３金属層を覆うように前記第１金属層上に絶縁層１２ａを形成し、前記絶縁層の一方の面に、前記第３金属層と電気的に接続する配線層１３ａを形成する。 - 特許庁 - The image layer (2) comprises a laminate containing the base layer (3) containing a light transmiissive polymer, the first image forming layer 4 fixed on the base layer 3 surface and the second image forming layer (5) fixed on the base layer (3) back surface.
イメージ層（２）は、光透過性ポリマーを含むベース層（３）と、ベース層（３）表面に固着された第１イメージ形成層（４）と、ベース層（３）裏面に固着された第２イメージ形成層（５）とを含む積層体からなる。 - 特許庁 - Moreover, a first surface of the barrier layer which comes into contact with an upper surface of the lower magnetic layer and a second surface of the upper layer magnetic layer which comes into contact with an upper surface of the barrier layer are both wider in area than the upper surface of the lower magnetic layer.
ここで、バリア層における下層磁性層の上面と接する第１面、及び、上層磁性層におけるバリア層の上面と接する第２面は、いずれも下層磁性層の上面の面積よりも広い。 - 特許庁 - A stimulable phosphor layer 11 is stacked on a first stiff layer 12, a filler layer 14 is placed on the side where the stimulable phosphor layer 11 is laminated by being bonded and a second stiff layer 13 is also stacked on the filler layer 14.
第一の剛性層12上に輝尽性蛍光体層11を積層し、輝尽性蛍光体層11が積層された側に充填材層14を接着して設け、さらに充填材層14上に第二の剛性層13を積層する。 - 特許庁 - In a free magnetic layer 6, an enhance layer 12, a first soft magnetic layer 13, a non-magnetic metal layer 14, and a second soft magnetic layer 15 are stacked in this order upwardly on an insulating barrier wall layer 5 of, for example, Mg-Ti-O.
フリー磁性層６は、例えば、Ｍｇ−Ｔｉ−Ｏから成る絶縁障壁層５上に、下から、エンハンス層１２、第１軟磁性層１３、非磁性金属層１４、第２軟磁性層１５の順に積層されている。 - 特許庁 - At each vibrating element, a first vertical electrode layer is connected with an upper electrode layer and an internal electrode layer, and a second vertical electrode layer is connected with a lower surface electrode layer and an internal electrode layer.
各振動素子においては、上面電極層及び内部電極層に対して第１垂直電極層が接続され、下面電極層及び内部電極層に対して第２垂直電極層が接続される。 - 特許庁 - The first layer 11 has a rear surface electrode layer 71, a semiconductor layer 78 formed on the rear surface electrode layer 71, and a front surface electrode layer 88 formed on the semiconductor layer 78.
第１層１１は、裏面電極層７１と、その裏面電極層７１上に形成されている半導体層７８と、その半導体層７８上に形成されている表面電極層８８を有している。 - 特許庁 - The lead-out wiring layer 12 comprises a main conductor layer 6, a first barrier metal layer 5 covering the bottom face and the side face of the main conductor layer 6, and a second barrier metal layer 7 covering the upper surface of the main conductor layer 6.
引出配線層１２は、主導体層６と、この主導体層６の底面および側面を覆う第１バリアメタル層５と、上記主導体層６の上面を覆う第２バリアメタル層７とを備えている。 - 特許庁 - In the organic layer 21, a first blue luminescent material layer 13a, a Dye layer 14, a second blue luminescent material layer 13b, a hole blocking layer 15, and a green luminescent material layer 16 are stacked from the positive electrode side.
有機層２１には、陽極側から第１の青色発光材料層１３ａ、Ｄｙｅ層１４、第２の青色発光材料層１３ｂ、ホールブロッキング層１５、緑色発光材料層１６が積層される。 - 特許庁 - A first ferromagnetic layer 16 and a second ferromagnetic layer 14 are stacked through a non-magnetic conductive layer 15, and the second ferromagnetic layer 14 and a third ferromagnetic layer 12 are stacked through a non-magnetic spacer layer 13.
非磁性導電層１５を介して第１の強磁性層１６と第２の強磁性層１４を積層し、非磁性スペーサ層１３を介して第２の強磁性層１４と第３の強磁性層１２を積層する。 - 特許庁 - The magnetoresistance effect element has an underlying layer 12 composed of a Cr/Ag layer under the first half metal ferromagnetic layer 13, and has an antioxidation layer 16 composed of an Ag/Ru layer on the second half metal ferromagnetic layer 15.
第１のハーフメタル強磁性体層１３の下に、Ｃｒ／Ａｇ層から成る下地層１２を有し、第２のハーフメタル強磁性体層１５の上に、Ａｇ／Ｒｕ層から成る酸化防止層１６を有している。 - 特許庁 - The inner layer 12B and the inner layer 15B have the hardness higher than the outer layer 12A and the outer layer 15A so that they suppress the deformation of the first shield layer 12 and the second shield layer 15.
内側層１２Ｂおよび内側層１５Ｂは、外側層１２Ａおよび外側層１５Ａよりも高い硬度を有しており、第１シールド層１２および第２シールド層１５の変形を抑制するようになっている。 - 特許庁 - The solar cell 10 includes a pair of second semiconductor layers 14 disposed adjacently to both sides of a first semiconductor layer 12, an insulating layer 16 formed from one second semiconductor layer 14 to extend over the first semiconductor layer 12, and an insulating layer 16 formed from the other semiconductor layer 14 to extend over the first semiconductor layer 12.
太陽電池１０は、第１半導体層１２の両隣に配設される一対の第２半導体層１４と、一方の第２半導体層１４上から第１半導体層１２上まで跨って形成される絶縁層１６と、他方の第２半導体層１４上から第１半導体層１２上まで跨って形成される絶縁層１６とを備える。 - 特許庁 - The metal back layer, in which a first resistance layer 30 and a second resistance layer 32 having lower resistance value than the first resistance layer are laminated thereon, the first resistance layer is laminated on the whole surface of the fluorescent screen, and the second resistance layer is divided into a plurality of divided regions 7a at certain intervals, is laminated on the fluorescent layer.
メタルバック層は、第１抵抗層３０とこの第１抵抗層よりも低抵抗の第２抵抗層３２とを重ねて形成され、第１抵抗層は蛍光面の全面に重ねて設けられ、第２抵抗層は互いに隙間をおいて並んだ複数の分割領域７ａに分断され、蛍光体層に重ねて設けられている。 - 特許庁 - The solar cell 10 includes a pair of second semiconductor layers 14 disposed adjacently to both sides of a first semiconductor layer 12, an insulating layer 16 formed extending from one second semiconductor layer 14 to over the first semiconductor layer 12, and an insulating layer 16 formed extending from the other second semiconductor layer 14 to over the first semiconductor layer 12.
太陽電池１０は、第１半導体層１２の両隣に配設される一対の第２半導体層１４と、一方の第２半導体層１４上から第１半導体層１２上まで跨って形成される絶縁層１６と、他方の第２半導体層１４上から第１半導体層１２上まで跨って形成される絶縁層１６とを備える。 - 特許庁 - When the crystallized silicon layer is formed, a metal catalyst layer 8 and a first amorphous silicon layer 4x are formed on a substrate body 10d and heat-treated to replace the first amorphous silicon layer 4x and metal catalyst layer 8 with each other through interdiffusion between the first amorphous silicon layer 4x and metal catalyst layer 8.
結晶化シリコン層を形成するにあたって、基板本体１０ｄ上に金属触媒層８および第１非結晶シリコン層４ｘを形成した後、熱処理を行ない、第１非結晶シリコン層４ｘと金属触媒層８との間での相互拡散により、第１非結晶シリコン層４ｘと金属触媒層８とを入れ替える。 - 特許庁 - In a light emitting element having a single layer light emitting layer, the light emitting layer is sandwiched by a first quantum wave interference layer comprising first layers and second layers having a wider band width than the first layer laid in layers at a multiplex period, and a second quantum wave interference layer comprising third layers and fourth layers having a wider band width than the third layer laid in layers at a multiplex period.
単層の発光層を有する発光素子において、発光層を第１層と第１層よりもバンド幅の広い第２層とを多重周期で積層した第１の量子波干渉層と第３層と第３層よりもバンド幅の広い第４層とを多重周期で積層した第２の量子波干渉層とで挟んだ構成とする。 - 特許庁 - An image display system includes a substrate layer having a first region and a second region, a thin-film transistor for switching containing a first polysilicon layer formed in the first region of the substrate layer, a thin-film transistor for driving containing a second polysilicon layer formed in the second region of the substrate layer, a heat sink layer, and a separation layer which is present between the above layers.
表示装置において、第１領域と第２領域を有する基板層と、基板層の第１領域に形成された第１多結晶シリコン層を含むスイッチ用薄膜トランジスタと、基板層の第２領域に形成された第２多結晶シリコン層、ヒートシンク層及びその間にある隔離層を含む駆動用薄膜トランジスタとを有する。 - 特許庁 - A first insulation layer 60 is formed at both side parts of a lamination body S having a main magnetic pole layer 20 formed between the first coil layer 18 and the second coil layer 23 and at an upper part between the contact layers 50 and a gap layer 21, and a second insulation layer 70 is formed from the upper part of the lamination body S to the upper part of the first insulation layer 60.
第１コイル層１８と第２コイル層２３の間で且つコンタクト層５０間の上方に形成された主磁極層２０とギャップ層２１を有する積層体Ｓの両側方部に第１絶縁層６０が形成され、積層体Ｓの上方から第１絶縁層６０の上方に第２絶縁層７０が形成されている。 - 特許庁 - The method comprises a step of forming a first metal layer 3 on a semiconductor substrate 1 having a diffused layer 2 on the surface, a step of heating it to form an alloy layer 4 on the interface of the semiconductor substrate and the first metal layer and a step of forming a second metal layer 5 on the first metal layer, after the alloy layer is formed.
表面に拡散層２の形成された半導体基板１上に、第1のメタル層３を形成する工程と、これを加熱して前記半導体基板と前記第1のメタル層の界面に合金層４を形成する工程と、前記合金層を形成した後、前記第1のメタル層上に第2のメタル層５を形成する工程とを備える。 - 特許庁 - In this pressure vessel, the pressure vessel has a resin liner layer for cutting off leakage of a predetermined fluid, a fiber reinforced plastic first layer formed on the outside more than the liner layer and having pressure resistance, and a second layer arranged between the liner layer and the first layer and composed of plastic larger in elongation than the first layer.
圧力容器であって、所定の流体の漏洩を遮断する樹脂製のライナー層と、ライナー層よりも外側に形成され、耐圧性を有する、繊維強化プラスチック製の第１の層と、ライナー層と、第１の層との間に配置され、第１の層よりも伸びが大きいプラスチックから成る第２の層を備えることを特徴とする圧力容器。 - 特許庁 - Since the method includes the step of irradiating the second conductive layer with the laser beam, even when the second conductive layer composed of the conductive particles and the resin is formed on the first conductive layer, it is possible to expand the part where the first conductive layer and the second conductive layer come into contact with each other, and to repair an faulty electrical connection between the first conductive layer and the second conductive layer.
レーザービームを照射する工程を含むことにより、第１の導電層上に、導電性粒子と樹脂からなる第２の導電層を形成した場合でも、第１の導電層と第２の導電層が接する部分を増加させ、第１の導電層と第２の導電層の間の電気的な接続不良を改善することができる。 - 特許庁 - The method of manufacturing the movable gate type field-effect transistor includes a movable gate forming stage of forming a movable gate on a composite sacrificial layer having a first sacrificial layer 15 and a second sacrificial layer 16, a second sacrificial layer removing stage of etching the second sacrificial layer 16 away, and a first sacrificial layer removing stage of etching the first sacrificial layer 15 away.
第１犠牲層１５と、第２犠牲層１６と、を有する複合犠牲層の上に可動ゲートが形成される可動ゲート形成工程と、第２犠牲層１６がエッチング除去される第２犠牲層除去工程と、第１犠牲層１５がエッチング除去される第１犠牲層除去工程と、を備える可動ゲート型電界効果トランジスタの製造方法とした。 - 特許庁 - A sound absorption system 10 includes a skin layer 12 with air permeability, a first back air layer 14 adjoining the skin layer 12, a porous base 16 adjoining the first back air layer 14, a second back air layer 18 communicating with the first back air layer 14 through the porous base 16, and a reflection layer 26 adjoining the second back air layer 18.
吸音システム１０は、通気性を有する表皮層１２と、表皮層１２に隣接する第１の背後空気層１４と、第１の背後空気層１４に隣接する有孔基材１６と、有孔基材１６を介して第１の背後空気層１４に連通する第２の背後空気層１８と、第２の背後空気層１８に隣接する反射層２６とを備える。 - 特許庁 - In the optical plate formed by integrally molding a first transparent layer, a second transparent layer, and a scattering layer, the scattering layer includes a transparent resin arranged between the first transparent layer and the second transparent layer, and scattering particles distributed in the transparent resin; and a plurality of truncated conical recesses are formed on each of the surfaces of the first transparent layer and the second transparent layer.
第一透明層と、第二透明層と、拡散層と、が一体に成型される光学板において、前記拡散層は、前記第一透明層と第二透明層の間に配置される透明樹脂と、前記透明樹脂の内に分布される拡散粒子と、を含み、前記第一透明層と第二透明層の表面には、複数の円錐台形凹部がそれぞれ形成されている。 - 特許庁 - The semiconductor light-emitting device that includes the uneven structure is provided with a first semiconductor layer 22 formed of the uneven structure, an intermediate layer 23 formed between patterns of uneven structure of the first semiconductor layer 22, a second semiconductor layer 24, an active layer 25 and a third semiconductor layer 26 which are successively formed on the first semiconductor layer 22 and the intermediate layer 23.
凹凸構造で形成された第１半導体層２２と、第１半導体層２２の凹凸構造のパターン間に形成された中間層２３と、第１半導体層２２及び前記中間層２３上に順次に形成された第２半導体層２４、活性層２５及び第３半導体層２６と、を備える凹凸構造を含む半導体発光素子である。 - 特許庁 - At least part of a plurality of wiring lines 13 each comprise a first conductive layer 31 made of metal nanoparticles and a second conductive layer 32 laminated at least partially and directly on the first conductive layer 13, and the second conductive layer 32 has a barrier layer 33 provided in contact with the first conductive layer 31 and a metal layer 34 directly laminated on the barrier layer 33.
複数の配線１３の少なくとも一部は、金属ナノ粒子からなる第１導電層３１と、少なくとも一部が第１導電層３１に直接に積層された第２導電層３２とにより構成され、第２導電層３２は、第１導電層３１に接触して設けられたバリア層３３と、該バリア層３３に直接に積層された金属層３４とを有している。 - 特許庁 - In the optical plate formed by integrally molding a first transparent layer, a second transparent layer, and a scattering layer, the scattering layer includes a transparent resin, arranged between the first transparent layer and the second transparent layer, and scattering particles distributed in the transparent resin; and a plurality of spherical recesses are formed, on each of the outer surfaces of the first transparent layer and the second transparent layer.
第一透明層と、第二透明層と、拡散層と、を一体に成型した光学板において、前記拡散層は、前記第一透明層と第二透明層の間に配置された透明樹脂と、前記透明樹脂の内に分布された拡散粒子と、を含み、前記第一透明層及び第二透明層の外表面には、複数の球面凹部がそれぞれ形成されている。 - 特許庁 - A first protective layer (54) overlies a first region (40) of the surface (52) of the substrate (50), wherein the first protective layer (54) has a composition with a first-protective-layer aluminum content at least 3 atomic percent greater than the substrate (50) aluminum content.
第１の保護層（５４）が、基板（５０）の表面（５２）の第１の領域（４０）を覆い、第１の保護層（５４）は、基板（５０）アルミニウム含有量よりも少なくとも３原子パーセント多い第１保護層アルミニウム含有量を含む組成を有する。 - 特許庁 - The liquid crystal display includes a first substrate, a second substrate, a liquid crystal layer sandwiched between the first substrate and the second substrate, a first alignment layer disposed on the first substrate, and a second alignment layer disposed on the second substrate.
本発明の液晶表示装置は、第一基板及び第二基板と、前記第一基板及び第二基板に挟まれた液晶層と、前記第一基板に設置された第一配向層及び前記第二基板に設置された第二配向層と、を含む。 - 特許庁 - This liquid crystal display panel includes: a first substrate; a second substrate; a liquid crystal layer held between the first substrate and the second substrate; a first alignment layer installed on the first substrate; and a second alignment layer installed on the second substrate.
本発明の液晶表示パネルは、第一基板及び第二基板と、前記第一基板及び第二基板に挟まれた液晶層と、前記第一基板に設置された第一配向層及び前記第二基板に設置された第二配向層と、を含む。 - 特許庁 - The liquid crystal display panel includes a first substrate, a second substrate, a liquid crystal layer held between the first substrate and the second substrate, a first alignment layer installed on the first substrate and a second alignment layer installed on the second substrate.
本発明の液晶表示パネルは、第一基板及び第二基板と、前記第一基板及び前記第二基板に挟まれた液晶層と、前記第一基板に設置された第一配向層及び第二基板に設置された第二配向層と、を含む。 - 特許庁 - The guard ring 118 includes a first ring 134 of a first layer 128, a second ring 136 of a second layer 130, a third ring 138 of a third layer 132, a first connection ring 142 connecting the first ring 134 and the second ring 136 with each other, and a second connection ring 144 connecting the second ring 136 and the third ring 138 with each other.
ガードリング１１８は、第１層１２８の第１リング１３４、第２層１３０の第２リング１３６および第３層１３２の第３リング１３８とそれらを接続する第１接続リング１４２、第２接続リング１４４を含む。 - 特許庁 - The thickness of the first portion along the stacking direction toward a top surface of the active layer from the top surface of the first semiconductor layer is thicker than that of the second portion along a first direction toward the side surfaces of the second portion from the side surfaces of the first semiconductor layer.
第１部分の、第１半導体層の上面から活性層の上面に向かう積層方向に沿う厚さは、第２部分の、第１半導体層の側面から第２部分の側面に向かう第１方向に沿う厚さよりも厚い。 - 特許庁 - The first ferromagnetic layer (11) contacts with the first nonmagnetic layer (12) at its upper surface, while the first ferromagnetic layer (11) comprises a first orientation control buffer (22) which acts to raise the crystal orientation of the film formed over it.
第１強磁性層（１１）は、その上面において第１非磁性層（１２）に接しており、且つ、第１強磁性層（１１）は、その上に形成された膜の結晶配向性を高める作用を有する第１配向制御バッファ（２２）を備えている。 - 特許庁 - There are provided a first wiring (1) extending in a first direction X, a second wiring (1) extending in a second direction Y intersecting the first direction X, and a magnetic resistance effect element (3) containing at least a first magnetic layer, a nonmagnetic layer, and a second magnetic layer.
第１方向Ｘに延びる第１の配線（１）と、第１方向Ｘに交差する第２方向Ｙに延びる第２の配線（２）と、少なくとも第１の磁性層、非磁性層、第２の磁性層を含む磁気抵抗効果素子（３）とを具備する。 - 特許庁 - A spin injection electrode structure IE includes: a silicon channel layer 12; a first magnesium oxide film 13A provided on a first portion of the silicon channel layer 12; and a first ferromagnetic layer 14A provided on the first magnesium oxide film 13A.
スピン注入電極構造ＩＥは、シリコンチャンネル層１２と、シリコンチャンネル層１２の第一部分上に設けられた第一酸化マグネシウム膜１３Ａと、第一酸化マグネシウム膜１３Ａ上に設けられた第一強磁性層１４Ａと、を備える。 - 特許庁 - The optical semiconductor device has a first resin layer 5 containing a first resin and light scattering particles on the surface of an optical semiconductor element 1, and is constituted so that the first resin layer is sealed by a second resin layer 6 composed of a second resin having a refractive index smaller than the first resin.
光半導体素子１の表面に、第１樹脂と光散乱粒子を含有する第１樹脂層５を有し、第１樹脂より屈折率が小さい第２樹脂からなる第２樹脂層６で第１樹脂層が封止されてなる。 - 特許庁
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