「First layer」を含む例文一覧(24476)
＜前へ 1 2 .... 58 59 60 61 62 63 64 65 66 .... 489 490 次へ＞- The optical semiconductor device has a first resin layer 5 containing a first resin and light scattering particles on the surface of an optical semiconductor element 1, and is constituted so that the first resin layer is sealed by a second resin layer 6 composed of a second resin having a refractive index smaller than the first resin.
光半導体素子１の表面に、第１樹脂と光散乱粒子を含有する第１樹脂層５を有し、第１樹脂より屈折率が小さい第２樹脂からなる第２樹脂層６で第１樹脂層が封止されてなる。 - 特許庁 - A first split laser pulse, cut out from a first original laser pulse emitted from a carbon dioxide laser oscillator, is made incident on the resin layer of a first metallic film in a machining object in which the resin layer is formed on the first metallic film, and a first recessed part is formed on the resin layer.
第１の金属膜の上に樹脂層が形成された加工対象物の、第１の金属膜の上の樹脂層に、炭酸ガスレーザ発振器から出射された第１の原初レーザパルスから切り出された第１の分割レーザパルスを入射させて、樹脂層に、第１の凹部を形成する。 - 特許庁 - The support member includes a first layer member 212 disposed on the second surface side and having a residual stress CS in a first direction, and a second layer member 214 laminated on the first layer member on the first surface side and having a residual stress TS in a second direction opposite to the first direction.
支持部材は、第２面側に配置され、第１方向に向う残留応力ＣＳを有する第１層部材２１２と、第１面側にて第１層部材に積層され、第１方向とは逆向きの第２方向に向う残留応力ＴＳを有する第２層部材２１４とを有する。 - 特許庁 - First patterned wiring layers 2 are formed on an insulating board 1, a first insulating layer 3 is formed on the top surfaces of the first wiring layers 2 and the top surface of the insulating board 1 between the first wiring layers 2, and a second wiring layer 5 is formed on the top surface of the first insulating layer 3.
絶縁基板１上にパターン化された第１配線層２を形成し、第１配線層２の上面、及び、第１配線層の間の絶縁基板１の上面に第１絶縁層３を形成し、第１絶縁層３の上面に第２配線層５を形成する。 - 特許庁 - The semiconductor device includes a first wiring layer insulating film, a plurality of first copper wiring lines 8 buried and formed in the first wiring layer insulating film, and an interlayer insulating film (second dielectric constant film 10) formed on the first copper wiring lines 8 and the first wiring layer insulating film.
第１の配線層絶縁膜と、第１の配線層絶縁膜に埋め込み形成されている複数の第１の銅配線８と、第１の銅配線８上及び第１の配線層絶縁膜上に形成されている層間絶縁膜（第２の低誘電率膜１０）と、を有する。 - 特許庁 - The liquid crystal display device includes: a first substrate; a second substrate; a liquid crystal layer held between the first substrate and the second substrate; a first alignment layer installed on the first substrate; a second alignment layer installed on the second substrate; a first electrode; and a second electrode.
本発明の液晶表示装置は、第一基板及び第二基板と、前記第一基板及び第二基板に挟まれた液晶層と、前記第一基板に設置された第一配向層及び前記第二基板に設置された第二配向層と、第一電極と、第二電極と、を含む。 - 特許庁 - The filter is provided including a first layer 200 of sheet material having a first base portion, and a plurality of first raised portions extending from the first base portion and defining a corresponding plurality of first openings through the first layer 200.
第１のベース部分、および第１のベース部分から延びる複数の第１の突起部分であって、対応する第１の層２００を通る複数の第１の開口部を画定する突起部分を有するシート物質の第１の層２００を有するフィルターが提供される。 - 特許庁 - A second surface treatment layer hardened by second surface treatment is formed on a surface layer part of the first treatment layer.
また、第１表面処理層の表層部には、第２表面処理によってさらに硬化された第２表面処理層が形成されている。 - 特許庁 - The head is further provided with a recording shield layer 18 disposed opposite from the first magnetic pole layer 8 of the magnetic pole partial layer 14A.
ヘッドは、更に、磁極部分層１４Ａの第１の磁性層８とは反対側に配置された記録シールド層１８を備えている。 - 特許庁 - On an Si substrate 51, a second AlAs layer 59, a first GaN layer 53, and a second AlAs layer 60 are epitaxially grown.
Ｓｉ基板５１上に、第２のＡｌＡｓ層５９，第１のＧａＮ層５３第２のＡｌＡｓ層６０をエピタキシャル成長させる。 - 特許庁 - The plurality of the memory elements are each an element in which a first conductive layer, an organic compound layer and a second conductive layer are sequentially laminated.
複数の記憶素子の各々は、第１の導電層と、有機化合物層と、第２の導電層が順に積層された素子である。 - 特許庁 - The background, characters and patterns are displayed by the light emitting layer 10, the first mixed layer 11 and the second mixed layer 12 by the light emission of the light emitting diode 3.
発光ダイオード３の発光にて発光層10、第１の混合層11および第２の混合層12にて背景、文字、模様を表示する。 - 特許庁 - The member for the speaker has a first external layer, an intermediate layer having a punched section in a prescribed shape, and a second external layer.
本発明のスピーカー用部材は、第１の外層と、所定の形状の打ち抜き部を有する中間層と、第２の外層とを有する。 - 特許庁 - To display a second layer by superimposing it on a background of a first layer and to change how the second layer looks when a prescribed event occurs.
第１の層の背景に第２の層を重畳して表示し、所定のイベントがあったとき、第２の層の見え方を変更する。 - 特許庁 - After a first groove extending to the semiconductor substrate 12 from the side of the luminous layer 13 is formed, a crushed layer is removed on the luminous layer 13.
発光層１３側から半導体基板１２に至る第１の溝を形成した後、発光層１３の破砕層を除去する。 - 特許庁 - A substrate 1 has a structure in which a first substrate layer 11, an insulator layer 12, and a second substrate layer 13 are stacked in this order.
基板１は、第１基板層１１、絶縁層１２及び第２基板層１３を、この順序で積層した構造を含んでいる。 - 特許庁 - A direction toward the second n-type diffusion layer 22 from the first n-type diffusion layer 21 is a crystal orientation <100> of the p-type silicon layer 20.
第１Ｎ型拡散層２１から第２Ｎ型拡散層２２へ向かう方向は、Ｐ型シリコン層２０の結晶方位＜１００＞である。 - 特許庁 - The circuit board 100 comprises a substrate 1, first interconnection layer 2, the insulation layer 3, filling material 4, second interconnection layer 5, and via-hole 6.
回路基板１００は、基材１、第１の配線層２、絶縁層３、充填材４、第２の配線層５、及びビアホール６を備える。 - 特許庁 - A laser unit is connected with a second device layer part and a hinge 24 connects the first device layer part and the second device layer part.
レーザが第２のディバイス層部分に接続され、ヒンジ２４がこの第１のディバイス層部分と第２のディバイス層部分とを接続する。 - 特許庁 - The p-side electrode contacts a part of the p-type semiconductor layer on a first main surface of the p-type semiconductor layer, which is opposite to the light-emitting layer.
ｐ側電極は、ｐ型半導体層の発光層とは反対側の第１主面でｐ型半導体層の一部に接する。 - 特許庁 - The multilayer polyimide tubular object of the present invention is equipped with a first polyimide resin layer, a second polyimide resin layer and a mixed polyimide resin layer.
本発明に係る多層ポリイミド管状物は、第１ポリイミド樹脂層、第２ポリイミド樹脂層、及びポリイミド樹脂混在層を備える。 - 特許庁 - An insulating film 22 is formed on the first principal plane of the semiconductor layer 12, and the metal layer 14 is connected to the embedded conductor layer 21.
半導体層１２の第１主面上に絶縁膜２２を形成し、金属層１４と埋込導体層２１とを接続する。 - 特許庁 - In a method for manufacturing a semiconductor light emitting device, at least a first conductivity type semiconductor layer, an activity layer and a second conductivity type semiconductor layer are laminated on a substrate.
基板上に、少なくとも、第１の導電型の半導体層と活性層と第２の導電型の半導体層を積層する。 - 特許庁 - The organic EL device 40 includes a first charge injection layer 23, an organic layer 24 and a second charge injection layer 25.
本発明の有機ＥＬ素子４０は、第一の電荷注入層２３と、有機層２４と、第二の電荷注入層２５を有している。 - 特許庁 - The gate insulating layer pattern is patterned at the same time with any one of the polycrystalline silicon layer pattern or the first conductive layer pattern.
ゲート絶縁膜パターンは、多結晶シリコン層パターンおよび第１導電膜パターンのうちのいずれか１つと共にパターニングされる。 - 特許庁 - The photovoltaic conversion layer formed inside the trenches is etched to expose the first electrode layer or auxiliary electrode layer.
前記第１電極層または、前記補助電極層が露出するように前記トレンチ内部に形成された光電変換層をエッチングする。 - 特許庁 - In the liquid crystal display element, each liquid crystal layer of the first layer and the second layer has a thicker peripheral part than the center part.
また、液晶表示素子では、第一の層及び第二の層の液晶層は、周辺部の厚さが中心部の厚さよりも厚い。 - 特許庁 - A hole 26 is formed in the second colored layer 24 so as to make color reproducibility of the second colored layer 24 lower than color reproducibility of the first colored layer 16.
第２着色層２４には、第１着色層１６よりも色再現性が低くなるように、穴２６が形成されている。 - 特許庁 - A dummy substrate 50 is coated with a resist layer 52 and a first resin layer 54 is formed of negative photosensitive resin on the resist layer 52.
ダミー基板５０上にレジスト層５２を塗布し、レジスト層５２上にネガ型感光性樹脂によって第１樹脂層５４を形成する。 - 特許庁 - The second p-side wiring layer has a p-side external terminal exposed from the first insulating layer and second insulating layer on the third surface.
第２のｐ側配線層は、第３の面で第１の絶縁層及び第２の絶縁層から露出されたｐ側外部端子を有する。 - 特許庁 - In a laser element part 10A, a light control layer 22 is formed between a first n-type clad layer 21 and a second n-type clad layer 23.
レーザ素子部１０Ａでは第１ｎ型クラッド層２１と第２ｎ型クラッド層２３との間に光コントロール層２２が形成されている。 - 特許庁 - The semiconductor laser element 10 includes a first conductivity type clad layer 11, a second conductivity type clad layer 15, and an active layer 13.
半導体レーザ素子１０は、第１導電型クラッド層１１と、第２導電型クラッド層１５と、活性層１３と、を備えている。 - 特許庁 - A rubber sheet 20 constituting a rubber dam 10 has an outer skin rubber layer 22, a first reinforcing rubber layer 24, and a second reinforcing rubber layer 26.
ゴム堰１０を構成するゴムシート２０は、外皮ゴム層２２、第１補強ゴム層２４および第２補強ゴム層２６を有する。 - 特許庁 - A first semiconductor layer 20, an active layer 30, and a second semiconductor layer 40 are successively laminated on the one surface of a board 10.
基板１０の一面に、第１の半導体層２０，活性層３０および第２の半導体層４０が順に積層されている。 - 特許庁 - The temperature of the substrate is set higher than that when forming the first layer, a second layer 5 composed of InP being formed, with an active layer 7 being formed thereon.
基板温度を第１の層の形成時よりも高くし、ＩｎＰからなる第２の層を形成し、その上に、活性層を形成する。 - 特許庁 - The second insulation layer covers at least the first insulation layer provided on the side face of the semiconductor layer on which the gate electrode is superimposed.
第２絶縁層は、少なくともゲート電極が重畳する領域の半導体層の側面に設けられた第１絶縁層を覆う。 - 特許庁 - The active layer 4 is formed by alternately stacking an InN layer 4a with a first thickness and a GaN layer 4b with a second thickness.
活性層４は第１の厚さのＩｎＮ層４ａと第２の厚さのＧａＮ層４ｂとを交互に積層して形成されている。 - 特許庁 - The lens sheet 17 used for backlight includes a base film 21, a first prism layer 22, a second prism layer 23 and a filler layer 24.
バックライトに用いられるレンズシート１７は、ベースフィルム２１と、第１プリズム層２２と、第２プリズム層２３と、充填層２４とを備える。 - 特許庁 - Any sand that falls on the upper surface of the second layer 3 and passes therethrough is also retained between the first layer 2 and second layer 3.
第２層３の上部表面上に落ちそしてそれを通過するいかなる砂も第１層２と第２層３との間に保持される。 - 特許庁 - A semiconductor light-emitting element includes a substrate layer, a first semiconductor layer, a light-emitting part, and a second semiconductor layer.
実施形態によれば、下地層と、第１半導体層と、発光部と、第２半導体層と、を備えた半導体発光素子が提供される。 - 特許庁 - The package structure is comprised of a first patterned insulated layer 203, a conductive layer 204, and a second patterned insulated layer 205.
パッケージ構造は、第１のパターン化した絶縁層２０３、導電層２０４、及び第２のパターン化した絶縁層２０５から構成される。 - 特許庁 - The circuit board 10 comprises a first wiring layer 20, a second wiring layer 22, an insulation layer 30, a filler 40, and a via conductor 50.
回路基板１０は、第１の配線層２０、第２の配線層２２、絶縁層３０、充填材４０およびビア導体５０を備える。 - 特許庁 - A space between the first abrasive grain layer 24A, the second abrasive grain layer 24B, and the third abrasive grain layer 24C becomes a deeper and wide main discharge passage 34.
第一砥粒層２４Ａ，第二砥粒層２４Ｂ，第三砥粒層２４Ｃの間はより深く幅広の主排出路３４をなす。 - 特許庁 - Information is recorded while both the first recording/reproducing layer 14 and a second recording/reproducing layer 34 perform tracking control by using the servo layer 18.
第１、第２記録再生層１４、３４は、共にサーボ層１８を利用してトラッキング制御を行いながら情報が記録される。 - 特許庁 - A first output conductive layer 33 and the reference resistance layer 21 are extended in parallel, and parts of them are conducted by a connection layer 35.
第１の出力導電層３３と参照抵抗層２１とが平行に延び、その一部が接続層３５で導通されている。 - 特許庁 - Here, the second clad layer 4B has a smaller refractive index than either of the first clad layer 4A and the third clad layer 4C.
ここで、第２クラッド層４Ｂの屈折率は、第１クラッド層４Ａ及び第３クラッド層４Ｃの屈折率のいずれよりも小さい。 - 特許庁 - A bottomed via hole is formed by forming a recess into an interlayer insulating layer 3 until a first layer 2 is partially exposed and a second layer 4.
層間絶縁層３に窪みを設けて第１層２を部分的に露出させ，第２層４を形成して有底ビアホール５とする。 - 特許庁 - The connecting shield layer 1 comprises a first layer 10a formed of a superconductive material and a second layer 10b formed of a normal material.
接続用シールド層1は、超電導材料から形成される第一層10aと、常電導材料から形成される第二層10bとからなる。 - 特許庁 - Second metallic layers 60 (Ti layer 61/Au layer 62) are formed on the first metallic layers 50 and the insulating body layer 40.
次に、第１金属層５０上及び絶縁体層４０上に第２金属層６０（Ｔｉ層６１／Ａｕ層６２）を形成する。 - 特許庁 - On the composition modulation buffer layer 20, first semiconductor layer 40 is formed which includes an active layer made of a nitride semiconductor.
組成変調バッファ層２０上に、窒化物半導体からなる活性層を含む第１の半導体層４０が形成されている。 - 特許庁
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