「First layer」を含む例文一覧(24472)
＜前へ 1 2 .... 62 63 64 65 66 67 68 69 70 .... 489 490 次へ＞- In the integrated semiconductor optical element 11, the first clad layer 15 consists of a first conductivity type semiconductor.
集積化半導体光素子１１では、第１のクラッド層１５は第１導電型半導体からなる。 - 特許庁 - A first mesh type wiring 4 connected to the power source node 7 is provided to the first wiring layer 2.
第１の配線層２には、電源ノード７に接続されるメッシュ状の第１の配線４を設ける。 - 特許庁 - The first mixture layer includes a first active material which can reversibly occlude and discharge lithium and a binder.
第１合剤層は、リチウムを可逆的に吸蔵および放出可能な第１活物質と、バインダーとを含む。 - 特許庁 - First annealing processing is implemented in ammonia gas atmosphere to form a first oxidation prevention layer 9N.
そして、アンモニアガス雰囲気中で第１のアニール処理を行い、第１の酸化防止層９Ｎを形成する。 - 特許庁 - A first insulation layer 6 is formed on a surface of a semiconductor substrate 1 to form a first opening 8.
半導体基板１の表面に第１絶縁層６を形成し、第１開口部８を形成する。 - 特許庁 - The storage media 116, 216 include first polymer layers 118, 218 and a second polymer layer 120 on the first polymer layers 118, 218.
記憶媒体(116,216)は、第１のポリマー層(118,218)と該第１のポリマー層(118,218)上の第２のポリマー層(120)とを含む。 - 特許庁 - The first electrode 9a is connected electrically with the first conductivity type semiconductor layer 19a.
第１の電極９ａは、第１導電型半導体層１９ａに電気的に接続されている。 - 特許庁 - A strut with a first arm part is formed by forming the pattern of the first photoresist layer.
第１の腕部を有する支柱が、第１のフォトレジスト層をパターン形成することによって形成される。 - 特許庁 - The first layer composed of the first semiconductor material is grown on the main surface of a semiconductor substrate.
半導体基板の主面上に、第１の半導体材料からなる第１の層を成長させる。 - 特許庁 - The first magnetic layer is provided between the first electrode and the second electrode, and has a variable magnetization direction.
第１磁性層は第１電極と第２電極との間に設けられ磁化方向が可変である。 - 特許庁 - On a supporting substrate, a first semiconductor layer constructed from a first conductive semiconductor is formed.
支持基板上に、第１導電型の半導体からなる第１の半導体層が形成されている。 - 特許庁 - The first layer 11 contains powder of a hydrogen storage alloy and first powder comprising a carbonaceous material.
第１の層１１は水素吸蔵合金の粉末と炭素質材料からなる第１の粉末とを含む。 - 特許庁 - A first conductive gallium nitride semiconductor layer 15 contains first to third regions 15a, 15b and 15c.
第１導電型窒化ガリウム系半導体層１５は、第１〜第３の領域１５ａ、１５ｂ、１５ｃを含む。 - 特許庁 - The first connection member connects the member with the first superconductive layer 5 of the superconductive wire rod 3.
第１接続部材は、上記部材と超電導線材３の第１超電導層５を接続する。 - 特許庁 - The length of the first semiconductor layer 13a is adjusted to become ≤1/3 of the length of the first gate electrode 24 in the channel lengthwise direction.
第１半導体層の厚さ≦（第１ゲート電極のチャネル長方向の長さ／３）が満たされる。 - 特許庁 - An eyeglass lens 1A is constituted by stacking a hard coat layer 11, an antireflection layer 12A formed by alternately stacking a first layer which is a low refractive index layer and a second layer which is a high refractive index layer and an antifouling layer 13 in order on a surface of a lens base material 10.
メガネレンズ１Ａは、レンズ基材１０の表面に、ハードコート層１１、低屈折率層である第１の層と高屈折率層である第２の層とが交互に積層された反射防止層１２Ａおよび防汚層１３が順に積層される。 - 特許庁 - The semiconductor laser device has a multilayer structure comprising an n-AlInP clad layer, super-lattice active layer section, p-AlInP first clad layer, GaInP etching stop layer, p-AlInP second clad layer, GaInP protective layer, and p-GaAs contact layer.
本半導体レーザ素子は、ｎ−ＡｌＩｎＰクラッド層、超格子活性層部、ｐ−ＡｌＩｎＰ第一クラッド層、ＧａＩｎＰエッチングストップ層、ｐ−ＡｌＩｎＰ第二クラッド層、ＧａＩｎＰ保護層、及びｐ−ＧａＡｓコンタクト層の積層構造を備える。 - 特許庁 - An N^- drift layer 2, a first gate layer (P^+ layer) 3, and an N^+ source layer 4 are successively laminated on an SiC board 1, an N^- channel layer 6 is formed on the inner wall of a trench 5, and a second gate layer 3 (P^+ layer) 7 is formed inside.
ＳｉＣ基板１の上にＮ^-ドリフト層２と第１のゲート層（Ｐ^+層）３とＮ^+ソース層４とが順に積層され、トレンチ５の内壁部にＮ^-チャネル層６が形成されるとともにその内方に第２のゲート層（Ｐ^+層）７が形成されている。 - 特許庁 - The semiconductor substrate includes a substrate, a first semiconductor layer formed on the substrate, a mask formed in a partial region on the first semiconductor layer, a metallic material layer formed on the first semiconductor layer and mask in a predetermined pattern shape in a direction crossing the mask, a second semiconductor layer formed on the first semiconductor layer and the metallic material layer, and a cavity formed in the first semiconductor layer at a layer portion below the metallic material layer.
本発明の半導体基板は、基板と、前記基板上に形成された第１の半導体層と、前記第１の半導体層上の一部領域に形成されたマスクと、前記第１の半導体層及び前記マスク上に当該マスクと交差する方向に所定のパターン形状で形成された金属性材料層と、前記第１の半導体層上及び前記金属性材料層上に形成された第２の半導体層と、前記金属性材料層より下層部分の前記第１の半導体層に形成された空洞と、を有する。 - 特許庁 - The light emission layer 17 includes two or more well layers, with the first well layer closest to the injection layer in the most previous stage constructed as a well layer for forming an injection level.
また、発光層１７は２個以上の井戸層を含み、最も前段の注入層側の第１井戸層を注入準位形成用の井戸層として構成される。 - 特許庁 - The micro electric machine system 10 comprises a multi-layer structure of a base layer 1 where a micro machine part 4 is provided, a first sealing layer 2, and a second sealing layer 3.
微小電気機械システム１０は、微小機械部品４が設けられる基層１と、第１密閉層２および第２密閉層３による多層構造を有する。 - 特許庁 - Between the current collector 110 and the active substance layer 130, a first intermediate layer 121 and a second intermediate layer 122 are formed on the current collector side and the active substance layer side, respectively.
集電体110と活物質層130との間には、集電体側に位置する第一中間層121と、活物質層側に位置する第二中間層122とが形成される。 - 特許庁 - Moreover, on the first metal material layer 102, a second metal material layer 110 for supplying current to the active layer via the second insulating layer 106 is formed.
また、第１の金属材料層上に、第２の絶縁層１０６を介して活性層に電流を注入するための第２の金属材料層１１０が形成されている。 - 特許庁 - The polarizing plate with optical compensation layer comprises, a polarizer, a first optical compensation layer, a second optical compensation layer, and a third optical compensation layer in the order.
本発明の光学補償層付偏光板は、偏光子と、第１の光学補償層と、第２の光学補償層と、第３の光学補償層とをこの順に有する。 - 特許庁 - A recess is formed in a central region of the second doped layer 8, the side-etching prevention layer 7 and the first doped layer 6, so as to expose the layer 5 of n-Al0.22Ga0.78As there.
第２ドープ層８、サイドエッチング防止層７および第１ドープ層６の中央部の領域にｎ−Ａｌ_0.22Ｇａ_0.78Ａｓ層５が露出するように凹部が形成される。 - 特許庁 - An undoped resistive layer of Ga_xIn_1-xAs 18 is disposed below the cap layer 16 so as to define a resistive layer opening 38 having a first width W1 in alignment with the cap layer opening 38.
Ga_xIn_1-xAsの非ドープ抵抗層18を上記キャップ層16の下に配置し、第一の幅W1をもち上記キャップ層開口部38と位置の合った抵抗層開口部38を画定する。 - 特許庁 - A first layer (lower layer) and a second layer (upper layer) are formed respectively so as to become the relation of A<B<C<D<E<F<G<H<I<J<K and the relation of a<b<c<d< e<f<g<h<i<j<k.
即ち、第１層（下層）はＡ＜Ｂ＜Ｃ＜Ｄ＜Ｅ＜Ｆ＜Ｇ＜Ｈ＜Ｉ＜Ｊ＜Ｋの関係となるように、第２層（上層）はａ＜ｂ＜ｃ＜ｄ＜ｅ＜ｆ＜ｇ＜ｈ＜ｉ＜ｊ＜ｋの関係となるようにそれぞれ形成されている。 - 特許庁 - Base metal 22 has on one surface 22a a first abrasive grain layer 24A, a second abrasive grain layer 24B and a third abrasive grain layer 24C all arrayed annularly to form an abrasive grain layer 24.
台金２２の一面２２ａにリング状の第一砥粒層２４Ａ，第二砥粒層２４Ｂ，第三砥粒層２４Ｃを設けて砥粒層２４を構成する。 - 特許庁 - According to an embodiment of the present invention, there is provided a semiconductor light-emitting device comprising a first semiconductor layer, a light-emitting layer, a second semiconductor layer, and a low-refractive-index layer.
本発明の実施態様によれば、第１半導体層と、発光層と、第２半導体層と、低屈折率層と、を備えた半導体発光素子が提供される。 - 特許庁 - A first semiconductor laser structure 110 consists of an n-type clad layer 111, an active layer 112, a p-type clad layer 113 and an n-type current blocking layer 114.
第１の半導体レーザ構造１１０は、ｎ型クラッド層１１１、活性層１１２、ｐ型クラッド層１１３、ｎ型電流ブロック層１１４により構成されている。 - 特許庁 - A conductive layer 108 is formed on the insulating layer 107 to establish electrical conductivity between the first circuit pattern layer 103 and the second circuit pattern layer.
導電層１０８が第１の回路パターン層部分１０３と第２の回路パターン層部分とを導通させるように絶縁層１０７の上に形成されている。 - 特許庁 - The light-emitting device 10 has: a buffer layer 22; a first-conductivity-type semiconductor layer; and a thin-film crystal layer including an active structure 25 and a second-conductivity-type semiconductor layer.
発光素子１０は、バッファ層２２、第一導電型半導体層、活性構造２５および第二導電型半導体層を含む薄膜結晶層を有している。 - 特許庁 - A first doped layer 6 of n-GaAs, a side-etching prevention layer 7 of Al0.22Ga0.78As, and a second doped layer 8 of n-GaAs, are sequentially grown on a layer 5 of n-Al0.22Ga0.78As.
ｎ−Ａｌ_0.22Ｇａ_0.78Ａｓ層５上にｎ−ＧａＡｓ第１ドープ層６、Ａｌ_0.22Ｇａ_0.78Ａｓサイドエッチング防止層７およびｎ−ＧａＡｓ第２ドープ層８が順に積層される。 - 特許庁 - In applying the sense current in a direction of the free layer from the first fixed layer, a relative angle formed by the magnetization of the second fixed layer and that of the free layer is 100° to 110°.
また、センス電流を第一の固定層から自由層の方向に流す場合、第二の固定層と自由層の磁化の相対角度が、100〜110度の角度である構成を用いる。 - 特許庁 - An n type cladding layer 21, an active layer 22, a p type cladding layer 23, a p-side contact layer 24, and a p-side electrode 30 are laminated on a first surface 11 of a substrate 10 in this order.
基板１０の第１面１１に、ｎ型クラッド層２１，活性層２２，ｐ型クラッド層２３，ｐ側コンタクト層２４およびｐ側電極３０をこの順に積層する。 - 特許庁 - The layer has a first composite magnetic layer 6 having a function for preventing Mn of a material composing the antiferromagnetic layer 5 from being diffused to the tunnel insulating layer 9.
そして、反強磁性層５を構成する材料のＭｎがトンネル絶縁層９へ拡散することを防止する機能を有する第１複合磁性層６を備える。 - 特許庁 - A conductive layer 5a of the first conductive layer functions as a stress reducing layer, while a conductive layer 5b exhibits its function to form a concave portion to receive a solder ball 8.
第１の導電層のうち導電層５ａは応力緩和層として機能し、導電層５ｂは半田ボール８を受け入れる凹部を形成する機能を発揮する。 - 特許庁 - The measuring substrate and a temperature measuring substrate are constituted by laminating a diffusion preventing layer, a first adhesion layer, wiring, a second adhesion layer, and a protective layer on a substrate.
測定用基板及び温度測定用基板は、基板に拡散防止層と第１の密着層と配線と第２の密着層と保護層とが積層されてなる。 - 特許庁 - A laminated film 104 having a three-layer structure composed of an insulating film 101 as a lower layer, a capacity film 102 as an intermediate layer and a first upper-layer insulating film 103 is formed on a semiconductor substrate 100.
半導体基板100上に、下層の絶縁膜101、中層の容量膜102および第１の上層の絶縁膜103からなる３層構造の積層膜104を形成する。 - 特許庁 - In this process, the calcinated layer 30 including a non-sintered dielectric ceramic layer 22 is arranged so as to be sandwiched between a first constrain layer 12 and a second constrain layer 42.
この工程では、未焼結誘電体セラミック層２２を含む被焼成層３０を、第１拘束層１２と第２拘束層４２との間に挟み込むようにして配置する。 - 特許庁 - The laminated layer 4 is formed by laminating a first insulating layer 5, a primary coil 9, an intercoil insulating layer 10, a secondary coil 14 and a second insulating layer 15, etc.
また、積層体４は、第１の絶縁層５、１次コイル９、コイル間絶縁層１０、２次コイル１４、第２の絶縁層１５等を積み重ねることによって形成する。 - 特許庁 - Furthermore, a second insulating layer 6 for insulating a third metal layer 7 exists under the first metal layer 4 and the second metal layer 5.
また、第１の金属層４及び第２の金属層５の下には第３の金属層７を絶縁するために第２の絶縁層６が存在している構成となっている。 - 特許庁 - The n-type clad layer includes a first n-type clad layer made of AlGaInP and a second n-type clad layer made of AlInP, and the film thickness of the second n-type clad layer is 40-200 nm.
ｎ型クラッド層は、AlGaInPからなる第１のｎ型クラッド層とAlInPからなる第２のｎ型クラッド層とを含み、第２のｎ型クラッド層の層厚は４０〜２００ｎｍである。 - 特許庁 - A first laminate 1 in which a solid electrolyte layer 30 and the negative electrode active material layer 22 are formed on one face side (positive electrode active material layer 12 side) of a positive electrode layer 10 is fabricated.
正極層１０の一面側（正極活物質層１２側）に固体電解質層３０と負極活物質層２２を形成した第一積層体１を作製する。 - 特許庁 - In the TMR read head, a first ferromagnetic layer of a fixed layer is formed between an antiparallel binding layer and an insulated barrier layer.
本発明の一実施形態において、ＴＭＲリード・ヘッドにおいて、固定層の第１強磁性層は反平行結合層と絶縁障壁層との間に形成されている。 - 特許庁 - The emitter layer 103, the base layer 106 and the collector layer 107 are arrayed on a plane of the first conductor layer 102 in this order and are connected with one another.
加えて、エミッタ層１０３，ベース層１０６，およびコレクタ層１０７は、これらの順に第１半導体層１０２の平面上で配列して接続されている。 - 特許庁 - A second seal layer 13 is extended onto the interface between the second gas diffusion layer 10 and the first gas diffusion layer 22 across the distance of L from the end surface of the second gas diffusion layer 10.
第二ガス拡散層１０と第一ガス拡散層２２との界面には、第二ガス拡散層１０の端面からＬの距離に渡って、第二シール層１３が延在する。 - 特許庁 - The adhesive resin layer is constructed of a first film layer 25A made of an olefine system resin disposed in the base body side and a second film layer 25B disposed in the garnish layer 26 side.
接着樹脂層を、基体側に配設され、オレフィン系樹脂よりなる第１フィルム層２５Ａと、加飾層２６側に配設される第２フィルム層２５Ｂとから構成する。 - 特許庁 - Therefore, coma aberration generated on a recording layer which is a first layer of an optical disk or a recording layer which is a second layer can be corrected by the inclination of the second lens 4.
従って、第２レンズ４の傾斜によって光ディスクの第１層目の記録層または第２層目の記録層に生じたコマ収差を補正することができる。 - 特許庁 - A chrome layer 23' as a first metal layer formed so that the surface is exposed, and a metal layer 24 as a second metal layer are formed at each part.
それぞれの部位には、表面が露出するように形成された第一金属層としてのクロム層２３´、及び第二金属層としての金層２４が形成されている。 - 特許庁
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