「First layer」を含む例文一覧(24472)

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  • One embodiment of the invention is a compression brace material 400 having an elastic outer layer 410, a first fabric layer 420, a spacer fabric layer 425, and a second fabric layer 430.
    本発明の一つの実施例は、弾性アウター層４１０、第１布層４２０、スペーサ布層４２５、第２布層４３０を有する圧縮装具材料４００である。 - 特許庁
  • The semiconductor device has an organic compound layer including an insulator on a first conductive layer and a second conductive layer on the organic compound layer including an insulator.
    第１の導電層上に絶縁物を含む有機化合物層と、絶縁物を含む有機化合物層上に第２の導電層とを有する半導体装置とする。 - 特許庁
  • A first barrier layer 21, a quantum dot 22b, a second barrier layer 23, a quantum dot 24b, and a third barrier layer 25 are successively laminated adjacent to a conduction layer 13.
    伝導層１３に隣接して第１の障壁層２１，量子ドット２２ｂ，第２の障壁層２３，量子ドット２４ｂおよび第３の障壁層２５を順次積層する。 - 特許庁
  • The regulation portion 20 has a first resin layer 22, an inorganic compound layer 26 transmitting light with a wavelength that changes the properties of the second resin layer 24, and a second resin layer 24.
    規制部２０は、第１の樹脂層２２と、第２の樹脂層２４を変質させる波長の光を透過する無機化合物層２６と、第２の樹脂層２４とを有する。 - 特許庁
  • At first, a Bi precursor is supplied to form a Bi oxide molecular layer (suitably, one-molecular layer), and then an SBT ferroelectric thin film is formed on the upper layer of the Bi oxide molecular layer.
    最初にＢｉ前駆体を供給してＢｉ酸化物分子層（好適には一分子層）を形成し、その上層にＳＢＴ強誘電体薄膜を形成する。 - 特許庁
  • The intermediate layer 16 has a laminated structure formed by laminating a first Cr layer 17, a CrN layer 18 and second Cr layer 19 in the order from the substrate 2A side.
    中間層１６は、基材２Ａ側から順に、第１Ｃｒ層１７、ＣｒＮ層１８および第２Ｃｒ層１９を積層した積層構造を有している。 - 特許庁
  • The nitride-based semiconductor light-emitting device has: at least a first conductive type lower clad layer; a semiconductor layer containing a light-emitting layer; and a second conductive type upper clad layer on a substrate.
    窒化物系半導体素子は、基板上に、少なくとも、第１導電型の下側クラッド層、発光層を含む半導体層、第２導電型の上側クラッド層を有する。 - 特許庁
  • The LED operation layer 3 includes at least a first contact layer 4, the luminescent layer 5 and a second contact layer 6, by laminating them, in the order starting from the semiconductor substrate 2 side.
    ＬＥＤ動作層３は、半導体基板２側から順に、第１のコンタクト層４、発光層５、第２のコンタクト層６を少なくとも積層させて有している。 - 特許庁
  • The lightproof layer 15 consists of a first layer 15a made of a metal oxide, a second layer 15b made of a metal and a third layer 15c made of a metal oxide.
    遮光層１５は、金属酸化物からなる第１層１５ａと、金属からなる第２層１５ｂと、金属酸化物からなる第３層１５ｃとで構成されている。 - 特許庁
  • The external sides of a first wiring layer 106a and a second wiring layer 106b are each covered with a fluorocarbon resin layer 105a and a fluorocarbon resin layer 105b.
    第１配線層１０６ａおよび第２配線層１０６ｂの外面側が、それぞれフッ素樹脂層１０５ａおよびフッ素樹脂層１０５ｂによって覆われている。 - 特許庁
  • A second signal wiring layer 6 is formed on the first insulation substrate layer 5 and a third signal wiring layer 8 is formed on the second insulation substrate layer 7.
    また、第１の絶縁基板層５には第２の信号配線層６が設けられ、第２の絶縁基板層７には第３の信号配線層８が設けられている。 - 特許庁
  • A P type diffusion layer 106 to become an emitter layer of a horizontal PNP transistor of the IIL and a P type diffusion layer 107 to become a collector layer are formed on the first element region.
    第１の素子領域にはＩＩＬの横型ＰＮＰトランジスタのエミッタ層となるＰ型拡散層１０６と、コレクタ層となるＰ型拡散層１０７が形成される。 - 特許庁
  • In addition, as the recording layer is composed of the first recording layer 6 and the second recording layer 8, the power margin of recording is made wider as compared to the case where the recording layer is composed of a monolayer.
    また、記録層を第１記録層６と第２記録層８で構成しているために、記録層を単層で構成した場合よりも記録パワーマージンが広くなっている。 - 特許庁
  • For manufacturing, the base layer 1 is jointed with the first sealing layer 2, and then the base layer 1 is jointed with the second sealing layer 3 in the atmosphere of gas 9.
    製造時には、基層１と第１密閉層２とを接合した後、ガス９の雰囲気下で基層１と第２密閉層３とを接合し、ガス９がチャンバ５内に充填される。 - 特許庁
  • The polishing layer 13 is provided with a first through hole 16 formed in the central part, thereby preventing separation of the polishing layer 13 from the substrate layer 14 due to deformation of the polishing layer 13.
    研磨層１２は、中央部に第１貫通孔１６が形成されているので、研磨層１３の変形による研磨層１３と下地層１４との剥離を防止する。 - 特許庁
  • The first recording layer 6 and the second recording layer 8 are magneto-statically coupled to the non-magnetic layer 7 and it is prevented that the magnetization of whole of the recording layer becomes larger than needed.
    非磁性層７により第１記録層６と第２記録層８は静磁結合し、記録層全体の磁化が必要以上に大きくなることが防止される。 - 特許庁
  • A first ink layer 2 and an adhesive layer 3 are laminated on one face of a transparent basic material 1, and a second ink layer 4 and a coating layer 5 are laminated on the other face of the basic material 1.
    透明な基材１の一方の面に第一のインク層２と粘着層３が積層され、他方の面に第二のインク層４とコーティング層５を有する。 - 特許庁
  • This method for producing the lightweight planter comprises forming the first layer and the second layer on the whole surface of a foam with an expansion rate of ≤25 and spraying a layer of minute pebble grains or stone pieces as the third layer.
    発泡倍率が２５倍以下の発泡体の全表面上に第一層目〜第二層目を形成し、更に第三層目の微小石粒・石片の層を吹き付ける。 - 特許庁
  • The first layer, the second layer, and the third layer are stacked in order so that the second layer is sandwiched between the other layers.
    本発明の発光素子の一は、対向するように設けられた第１の電極と第２の電極との間に、第１の層と、第２の層と、第３の層とを有する。 - 特許庁
  • The other side of the first base layer 4 and the one side of the second base layer 5 where the electromagnetic wave shield mesh layer 9 is formed are stuck by an adhesive layer 10.
    第１の基材層４の他方の面と、電磁波シールドメッシュ層９が形成された第２の基材層５の一方の面側とを接着剤層１０で貼り合わせてなる。 - 特許庁
  • In forming the blind area 301a, a first wiring layer 302, a second wiring layer 303 and a third wiring layer 304 are removed to a part of the lower layer thereof.
    ブラインド領域３０１ａの形成では、第１配線層３０２，第２配線層３０３，および第３配線層３０４を除去し、これらの下層の一部までを除去する。 - 特許庁
  • The actuator body 10 comprises of an elastic body layer 2 and a first electrode layer 3 and a second electrode layer 4 that are provided around the elastic body layer 2.
    アクチュエータ本体１０は、弾性体層２と、弾性体層２の周囲に設けられた第１の電極層３および第２の電極層４で構成されている。 - 特許庁
  • The light-emitting element 1 includes an electrode layer 11, a first conductive layer 12, a second conductive layer 13 and an electrode layer 14 on a substrate 10 in order from the substrate 10 side.
    発光素子１は、基板１０上に、電極層１１、第１導電層１２、第２導電層１３および電極層１４を基板１０側から順に備えている。 - 特許庁
  • The patterned resist layer 110 has a first resist layer 102A and a second resist layer 105A which are laminated and the separate layer 104 arranged between them.
    パターン化レジスト層１１０は、積層された第１のレジスト層１０２Ａおよび第２のレジスト層１０５Ａと、これらの間に配置された分離層１０４とを有する。 - 特許庁
  • A woven fabric 10 is formed to a three-ply structure and is connected with a first layer and a second layer along a contour line of the zabuton and is formed with a third layer on the second layer.
    織物１０は３重組織に形成され、座布団の輪郭線にそって第１層と第２層とが接結され、第２層の上に第３層が形成される。 - 特許庁
  • The second layer 70 formed of a reflective metal coating covers the first layer, and the third layer 72 formed of a shielding coating covers the second layer.
    反射性金属コーティングで形成される第二の層７０が第一の層を被覆しており、遮断コーティングで形成される第三の層７２が第二の層を被覆している。 - 特許庁
  • The second semiconductor layer 2 is provided on the first semiconductor layer 1, and the third semiconductor layer 3 is selectively provided on a surface of the second semiconductor layer 2.
    第２の半導体層２は第１の半導体層１の上に設けられ、第３の半導体層３は、第２の半導体層２の表面に選択的に設けられる。 - 特許庁
  • The average In composition ratio of a pair of high band-gap energy layer and a low band-gap energy layer is higher on the second semiconductor layer side than on the first semiconductor layer side.
    高バンドギャップエネルギー層と、それに接する低バンドギャップエネルギー層と、のペアの平均Ｉｎ組成比は、第１半導体層の側よりも第２半導体層の側の方が高い。 - 特許庁
  • The semiconductor integrated circuit device has a wiring layer having a three-layered structure of a first common wiring layer 101a, a customized layer 102, and a second common wiring layer 101b.
    半導体集積回路装置は、配線層を下から第１の共通配線層１０１ａ、カスタマイズ層１０２、第２の共通配線層１０１ｂの３層構造とした。 - 特許庁
  • The semiconductor optical element 1 includes a first n-type semiconductor layer 13, the active layer 15, a p-type semiconductor layer 17, and a second n-type semiconductor layer 19.
    半導体光素子１は、第１のｎ型半導体層１３と、活性層１５と、ｐ型半導体層１７と、第２のｎ型半導体層１９とを備える。 - 特許庁
  • The organic photoelectric conversion layer 23 is made of Quinacridone, the first electron blocking layer is made of SnO, and the second electron blocking layer 25 is formed of an SiO-TiO_2 alloy layer.
    有機光電変換層２３は、キナクリドンからなり、第１の電子ブロック層はＳｎＯからなり、第２の電子ブロック層２５は、ＳｉＯ−ＴｉＯ_2合金膜からなる。 - 特許庁
  • The semiconductor device is provided with a semiconductor substrate or a conductive layer (first conductive layer) 101, a second conductive layer 107, a catalyst layer 106 and a conductor 104.
    半導体装置は、半導体基板または導電層（第１の導電層）１０１と、第２の導電層１０７と、触媒層１０６と、導電体１０４とを備えている。 - 特許庁
  • A color filter layer is formed on the passivation layer and a first thickness of the color filter layer in the reflection region is smaller than a second thickness of the color filter layer in the transmission region.
    カラーフィルター層は、パッシベーション層上に形成され、反射領域のカラーフィルター層の第一厚さは、透過領域のカラーフィルター層の第二厚さより小さい。 - 特許庁
  • A TJS laser element 1 comprises a GaAs substrate 2, a first clad layer 3, an active layer 4, a second clad layer 5, a GaAs contact layer 6, and electrodes 7a and 7b.
    ＴＪＳレーザ素子１は、ＧａＡｓ基板２、第１クラッド層３、活性層４、第２クラッド層５、ＧａＡｓコンタクト層６、及び電極７ａ，７ｂを有する。 - 特許庁
  • The bonding layer includes a first bonding layer 16a provided on the side of the InAlGaN element layer and a second bonding layer 16b provided on the side of the host substrate 12.
    ボンディング層は、ＩｎＡｌＧａＮ素子層側に設けられる第１のボンディング層（１６ａ）と、ホスト基板（１２）側に設けられる第２のボンディング層（１６ｂ）とを含む。 - 特許庁
  • The ceramic package 10 for a light-emitting device is provided with a ceramic substrate 11, a metallized layer 42, a first nickel layer 43, a second nickel layer 44, a reflection metal layer 45, etc.
    本発明の発光素子用セラミックパッケージ１０は、セラミック基板１１、メタライズ層４２、第１ニッケル層４３、第２ニッケル層４４、反射金属層４５などを備える。 - 特許庁
  • A thickness of the third metal layer in a direction from the first semiconductor layer toward the second semiconductor layer is equal to or larger than a thickness of the second metal layer in the direction.
    第３金属層の第１半導体層から第２半導体層に向かう方向に沿った厚さは、第２金属層の前記方向に沿った厚さ以上である。 - 特許庁
  • The permeable reaction wall 1, which includes a first reaction layer 11 as an upstream reaction layer and a second reaction layer 12 as a downstream reaction layer 12, is embedded in the ground.
    上流反応層としての第１反応層１１および下流反応層としての第２反応層１２を含む透過反応壁１を地中に埋設する。 - 特許庁
  • A first titanium oxide layer 3, a half mirror layer 4, a second titanium oxide layer 5 and a defogging coat layer 4 are laminated in order on the light source-side surface of a resin-made lens 2.
    樹脂製のレンズ2の光源側の表面に、第１の酸化チタン層3、ハーフミラー層4、第２の酸化チタン層5および防曇コート層6が順に積層されている。 - 特許庁
  • An ion implanted layer 14 is formed by implanting the first substrate 11 with ion and the buffer layer is removed by using the insulating layer as a self stop layer.
    また、バッファー層１３から第１の基体１１内にイオンを注入し、イオン注入層１４を形成し、バッファー層を絶縁層をセルフストップ層として除去する。 - 特許庁
  • The second getter layer 22 is formed in an intermediate layer between the first getter layer 16 and the overflow barrier layer 15, and arranged on the boundaries of image sensing pixels (photosensor 1).
    第２のゲッタ層２２は、第１のゲッタ層１６とオーバフローバリア１５の中間層に形成されており、各撮像画素（各フォトセンサ部１）の境界部に配置されている。 - 特許庁
  • A multilayer printed-wiring board P has a first wiring layer LS1 and a second wiring layer LS2 and a grounding layer LG and a power supply layer LP arranged between both wiring layers.
    多層プリント配線板Ｐは、第１配線層ＬS1および第２配線層ＬS2と、両配線層間に配置されるグランド層ＬGおよび電源層ＬPとを具備する。 - 特許庁
  • The layer 12 is provided with a first UV curing resin layer 12A, a second UV curing resin layer 12B in the direction apart from the glass fiber 11, and a coloring layer 12C.
    紫外線硬化型樹脂層12は、ガラスファイバ11から離れる方向に、第一紫外線硬化型樹脂層12Aと第二紫外線硬化型樹脂層12Bと着色層12Cとを設けてなる。 - 特許庁
  • Further, a silicon germanium layer and a silicon layer are etched with a mask of the support 26, for the end surfaces of a first silicon germanium layer and a silicon layer 16a to be exposed.
    更に、支持体２６をマスクとして、シリコンゲルマニウム層及びシリコン層をエッチングして、第１シリコンゲルマニウム層及び第１シリコン層１６ａの端面を露出させる。 - 特許庁
  • The spacer layer 54 has a nonmagnetic metal layer 541, a first oxide semiconductor layer 542, and a second oxide semiconductor layer 543 that are laminated in this order.
    スペーサ層５４は、順に積層された非磁性金属層５４１、第１の酸化物半導体層５４２および第２の酸化物半導体層５４３を有している。 - 特許庁
  • The electromagnetic wave absorption panel 10 is constituted by stacking a first dielectric layer 12, a second dielectric layer 14, a third dielectric layer 16, and an electromagnetic wave reflection layer 20.
    第１誘電体層１２、第２誘電体層１４、第３誘電体層１６および電磁波反射層２０を積層して電磁波吸収パネル１０を構成する。 - 特許庁
  • The polarizing plate with the optical compensating layer comprises a polarizer, a first optical compensating layer, a second optical compensating layer and a third optical compensating layer arranged in this order.
    本発明の光学補償層付偏光板は、偏光子と、第１の光学補償層と、第２の光学補償層と、第３の光学補償層とをこの順に有する。 - 特許庁
  • The multi-layer 10 has a first multi-layer portion 10a composed of a non-magnetic layer A1 and a second multi-layer portion 10b composed of non-magnetic layers A2-A12.
    積層体１０は、非磁性体層Ａ１からなる第１の積層部１０ａと、非磁性体層Ａ２〜Ａ１２からなる第２の積層部１０ｂとを有している。 - 特許庁
  • A first dielectric material layer 5, a magneto-optical recording reproducing layer 6 and a second dielectric material layer 7 are successively laminated on the heat diffusion layer 4 to form a magneto-optical disk 1.
    熱拡散層４上に、第１の誘電体層５、光磁気記録再生層６および第２の誘電体層７を順次積層して、光磁気ディスク１を製造する。 - 特許庁
  • The electromagnetic-wave absorber has a first transparent resin layer 1, a resistance film layer 2, a second transparent resin film layer 3, and a conductive film layer 4 in this order from a front-surface side A of an electromagnetic-wave incident surface side.
    電波入射面側である表て面側Ａから、第一透明樹脂層１と、抵抗膜層２と、第二透明樹脂層３と、導電膜層４と、を備える。 - 特許庁
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