「First layer」を含む例文一覧(24472)
＜前へ 1 2 .... 66 67 68 69 70 71 72 73 74 .... 489 490 次へ＞- On one region of the first semiconductor layer 13, moreover, a first insulating layer 23 and a conductive layer 24 fixed to a prescribed potential are successively formed in this order.
第１の半導体層１３の一領域上には第１の絶縁層２３が形成され、その一領域上には所定の電位に固定された導電層２４が形成されている。 - 特許庁 - The present metal light filter includes a dielectric layer equipped with a first surface and a second surface in near-parallel, and a metal layer formed on the first surface of dielectric layer.
この金属光フィルタは、ほぼ平行な第１の表面および第２の表面を備える誘電体層と、誘電体層の第１の表面上に形成された金属層と、を有する。 - 特許庁 - Then, a first wiring layer M1B is arranged in a layer with the same height as those of the first wiring layer M1A and the magnetoresistance effect device 19 from the semiconductor substrate surface on the contact plug 16C.
そして、第１配線層Ｍ１Ｂは、コンタクトプラグ１６Ｃ上の、第１配線層Ｍ１Ａ及び磁気抵抗効果素子１９と半導体基板面から同じ高さの層に配置されている。 - 特許庁 - The plurality of layout layers 21 include a first layout layer and a second layout layer where a first structure LPX and a second structure LPY that are formed in the same physical layer.
ここで、複数のレイアウト層２１は、同一の物理層に形成される第１構造ＬＰＸと第２構造ＬＰＹがそれぞれ配置される第１レイアウト層と第２レイアウト層を含んでいる。 - 特許庁 - First, a multilayer film for forming a capacitor is formed on a base material by stacking a first conductive layer, a ferroelectric layer composed of a metal oxide dielectric, and a second conductive layer in order on the base material.
先ず、下地上に、第１導電層、金属酸化物誘電体からなる強誘電体層、及び第２導電層を順次に積層したキャパシタ形成用積層膜を形成する。 - 特許庁 - A non-doped first polysilicon layer 20 is formed covering the inner side of the trench 18 formed in a semiconductor layer 14, and, for example, an N-type impurity is diffused thereafter in the first silicon layer 20.
半導体層１４に形成されたトレンチ１８内を覆ってノンドープの第１のポリシリコン層２０を形成し、その後、第１のポリシリコン層２０に例えばＮ型の不純物を拡散する。 - 特許庁 - In the cross point type ferroelectric memory 100, the first memory cell array 30 and the second memory cell array 60 are laminated through a first interlayer insulating layer 20 and the second inter-layer insulating layer 50.
クロスポイント型強誘電体メモリ１００は、第１メモリセルアレイ３０と第２メモリセルアレイ６０とが、第１層間絶縁層２０と第２層間絶縁層５０とを介して積層されている。 - 特許庁 - The thermal expansion rate of both the first resin insulating layer 4 and the second resin insulating layer 5 is selected smaller than that of the metal layers 3, each located on both the sides of the first resin insulating layer 4.
第１樹脂絶縁層４、第２樹脂絶縁層５ともに、その熱膨張率を、第１樹脂絶縁層４の両面に配置されている金属層３より小さくする。 - 特許庁 - Either the first circuit or the second circuit, which is a thicker one, is a lamination of a clad structure consisting of a first copper layer, a different kind of metal layer, and a second copper layer.
そして、第１回路又は第２回路のいずれか厚い方の回路が、第１銅層／異種金属層／第２銅層の３層が順次積層したクラッド状であることを特徴とする。 - 特許庁 - Magnetization 418 in the portion 414 of the free layer 406 facing the first ferromagnetic bias layer faces a direction opposite to the magnetization 416 of the first ferromagnetic bias layer.
第１の強磁性バイアス層と向かい合ったフリー層４０６の一部分４１４の磁化４１８は、第１の強磁性バイアス層の磁化４１６とは反対の方向を向いている。 - 特許庁 - A method for fabricating the HEMT includes forming the first group III-V intrinsic layer 209a and doping the first group III-V intrinsic layer with the rare earth additive to produce an insulator layer.
ＨＥＭＴの製造方法は、第１のＩＩＩ−Ｖ族真性層２０９ａを形成し、該第１のＩＩＩ−Ｖ族真性層に希土類添加物をドーピングして絶縁層を形成する。 - 特許庁 - The optical device 10 includes a first reflection layer 11 having wavelength selectivity, and a second reflection layer 12 which is disposed behind the first reflection layer 11 and has wavelength selectivity.
光学素子１０は、波長選択性を有する第１反射層１１と、第１反射層１１の背後に設置され、波長選択性を有する第２反射層１２とを備えている。 - 特許庁 - The microlens array 100 is provided with: a sheet-like first layer 1 containing a resin; and a second layer 2 which is arranged on the first layer 1 and contains a resin and fine particles of a metal compound.
樹脂を含有するシート状の第１層１と、第１層１上に設けられた樹脂及び金属化合物微粒子を含有する第２層２とを備えるマイクロレンズアレイ１００。 - 特許庁 - The core 4 has an inner sphere 10, a first intermediate layer 12 positioned outside the inner sphere 10, and a second intermediate layer 14 positioned outside the first intermediate layer 12.
コア４は、内球１０と、この内球１０の外側に位置する第一中間層１２と、この第一中間層１２の外側に位置する第二中間層１４とを備えている。 - 特許庁 - A first layer 30 of which a refractive index is higher than that of a transparent substrate 10 and a second layer 40 of which the refractive index is lower than that of the first layer 30 are laminated on the light transparent substrate 10.
光透明性基板１０上に、屈折率が透明性基板１０よりも高い第一の層３０と、屈折率が第一の層３０よりも低い第二の層４０を積層する。 - 特許庁 - The second displaying layer 220 is superimposed on the first displaying layer 210, and at positions where the hidden patterns are displayed, the patterns displayed on the first displaying layer are hidden.
第２表示層２２０は、第１表示層２１０の上に重畳してあり、覆隠図柄を表示した箇所では第１表示層に表示された図柄を覆い隠すようになっている。 - 特許庁 - A D-type HEMT second gate electrode is provided on a third nondoped layer (AlGaAs layer) 43, and an E-type HEMT first gate electrode is provided on a first nondoped layer.
第２ゲート電極をＰｔ埋め込みゲート構造とし、埋め込まれたＰｔの底部を第３ノンドープ層中に留まらせ、ＩｎＧａＰ層(第２ノンドープ層)にＰｔが達しないようにする。 - 特許庁 - The core 4 has an inner sphere 10, a first intermediate layer 12 located on the outside of the inner sphere 10, and a second intermediate layer 14 located on the outside of the first intermediate layer 12.
コア４は、内球１０と、この内球１０の外側に位置する第一中間層１２と、この第一中間層１２の外側に位置する第二中間層１４とを備えている。 - 特許庁 - The first wiring portion 31 connected to the first electrode layer portion 21 and a second wiring portion 32 connected to the second electrode layer portion 22 are pulled out to an end of the insulating layer portion 11.
第一電極層部２１に接続する第一配線部３１、および第二電極層部２２に接続する第二配線部３２は、いずれも絶縁層部１１の端部に引き出されている。 - 特許庁 - The first layer plating 13 has a thickness corresponding to the lifetime of hammer bank generated as the pole part attraction face wears, and the second layer plating 14 has a color different from that of the first layer.
１層目のメッキ１３は、ポール部吸引面の摩耗により発生するハンマバンクの寿命相当の厚さ、２層目のメッキ１４は１層目とは違う色のメッキとなっている。 - 特許庁 - Then, as for a second layer,-a second wall face material 1 on a surface side, a second wall face material on a rear side, and a second reinforcing material are sequentially installed and spread on the first layer in the same way as the first layer.
次いで、第２層目について、第１層目と同様に表側の第二壁面材１裏側の第二壁面材及び第二補強材を順次、第１層目の上に設置、敷設する。 - 特許庁 - The first laminate 12 and the second laminate 14 are stuck to each other via an adhesive layer 28 so that the first reflective layer 20 and the second reflective layer 26 are opposed to each other.
そして、第１積層体１２及び第２積層体１４が、第１反射層２０と第２反射層２６とが対向するように、接着層２８を介して貼り合わされている。 - 特許庁 - (2) The dummy cell has second layers 43 arranged between the separators 41 and the first layer 42, and each second layer 43 has pins 44 or walls extending in a direction vertical to the first layer.
（２）セパレータ４１と第１の層４２との間に配置された第２の層４３を有し、該第２の層４３は、第１の層に対して垂直方向に延びるピン４４または壁を有する。 - 特許庁 - A process for exposing the resist layer includes a first exposing process for forming a first latent image 61 in the resist layer, and a second exposing process for forming a second latent image in the resist layer.
レジスト層を露光する工程は、レジスト層に第１の潜像６１を形成する第１の露光工程と、レジスト層に第２の潜像を形成する第２の露光工程とを含んでいる。 - 特許庁 - The second coating film 4 has a first layer in contact with the base material 2 and composed of Ni, and a second layer in contact with the first layer and composed of Ag.
第２の被膜４は、基材２に接触しかつＮｉで構成された第１の層と、当該第１の層に接触しかつＡｇで構成された第２の層とを有するものである。 - 特許庁 - The container has a bottom wall forming a first gas layer between two resin layers, and a side wall 22 forming a second gas layer communicating with the first gas layer between two resin layers.
二つの樹脂層間に第１のガス層が形成された底壁と、二つの樹脂層間に、前記第１のガス層と連通する第２のガス層が形成された側壁２２とを有する。 - 特許庁 - The magnetic moment of a first fixed magnetic layer 12 is higher than the magnetic moment of a second fixed magnetic layer 14 and the magnetic moment of the first fixed magnetic layer 12 faces a left direction.
第１の固定磁性層１２の磁気モーメントは第２の固定磁性層１４の磁気モーメントよりも大きく、前記第１の固定磁性層１２の磁気モーメントは図示左方向を向いている。 - 特許庁 - Slopes 60a are formed in the first insulation layer 60, in the second insulation layer 70, slopes 70a are formed at the upper parts of the slopes 60a of the first insulation layer 60.
第１絶縁層６０には傾斜面６０ａが形成され、第２絶縁層７０には傾斜面７０ａが、第１絶縁層６０の傾斜面６０ａの上方に形成されている。 - 特許庁 - A high fusing point metal layer is provided on inner walls of a contact hole for the first diffusion layer and connected with first metal wiring, and the second diffusion layer is directly connected with second metal wiring.
第1の拡散層に対するコンタクトホールの内壁には高融点金属層を設け、第１の金属配線と接続し、第２の拡散層は第２の金属配線と直接接続する。 - 特許庁 - The micro electromechanical switch (MEMS) device comprises a semiconductor wafer, a first dielectric layer formed on the semiconductor wafer, and a second semiconductor layer formed on the first layer.
マイクロ・エレクトロメカニカル・スイッチ（ＭＥＭＳ）装置は、半導体ウェハと、半導体ウェハ上に形成された第１誘電層と、第１の層上に形成された第２半導体層とを備えている。 - 特許庁 - A rounded portion 13 which spreads toward the first electrode layer 10 is provided at a portion of the second electrode layer 11 to be bonded to the first electrode layer 10.
第２電極層１１における第１電極層１０との接合部分には、第１電極層１０に対して末広がりとなるようなＲ状部１３が設けられている。 - 特許庁 - The resistor 5 is provided with: a first layer 7 having a second glass component; and a second layer 6 having a third glass component and the conductor components formed on the first layer 7.
抵抗体５は、第２ガラス成分を有する第１層７と、該第１層７上に形成された、第３ガラス成分および導体成分を有する第２層６とを備えている。 - 特許庁 - Wherein, the first insulation layer, the gate electrode, the second insulation layer, and the conversion electrode form their own opening each so as the electron emitting layer to be exposed on the first substrate.
この時、第１絶縁層、ゲート電極、第２絶縁層、及び集束電極は、電子放出部が第１基板上に露出されるようにする各々の開口部を形成する。 - 特許庁 - The magnetic memory is constituted of magnetic material 110 which includes a disk shaped first magnetic layer 101 and a ring-shaped second magnetic layer 102 formed on the first magnetic layer 101.
円盤状の第１の磁性層１０１と、この第１の磁性層１０１上に形成されたリング状の第２の磁性層１０２とを含む磁性体１１０から磁性メモリを構成する。 - 特許庁 - The hybrid lens is provided with a glass lens substrate 2, a first resin layer 3 disposed on one side surface of the glass lens substrate 2 and a second resin layer 4 disposed on the first resin layer 3.
ガラスレンズ基材２と、このガラスレンズ基材２の片方の面に設けられた第１樹脂層３と、この第１樹脂層３の上に設けられた第２樹脂層３とを備える。 - 特許庁 - Further, the adhesive resin is composed of a hydrophobic first resin layer formed on the semiconductor substrate, and a second resin layer formed on the first resin layer.
そして、前記接着樹脂は、前記半導体基板上に形成される疎水性の第１の樹脂層と；当該第１の樹脂層の上に形成される第２の樹脂層とから成る。 - 特許庁 - There are included the first diffusion layer of the same conductive type as a semiconductor substrate, and the second diffusion layer of a conductive type opposite to the semiconductor substrate and diffusion depth shallower than that of the first diffusion layer.
半導体基板と同一導電型の第1の拡散層と、半導体基板と反対導電型であり第１の拡散層より拡散深さの浅い第２の拡散層とを有する。 - 特許庁 - The antireflection sheet 10 has a transparent substrate sheet 1, a first layer H provided on one surface of the transparent substrate sheet 1, and a second layer L provided on the first layer H.
反射防止シート１０は、透明基材シート１と、透明基材シート１の片面に設けられた第一層Ｈと、第一層Ｈの上に設けられた第二層Ｌとを備える。 - 特許庁 - The second insulating layer 6 is formed so as to be inscribed in the first wiring layer 5 and has the opening 6a of a diameter smaller than the opening 4a of the first insulating layer 4 in the inscribed part.
第２の絶縁層６は、第１の配線層５と内接するように形成され、内接部に第１の絶縁層４の開口４ａよりも小径の開口６ａを有している。 - 特許庁 - The interlayer insulating film 110 comprises a first layer 111 whose polish rate is relatively high, and a second layer 112 whose polish rate is relatively low formed on the first layer 111.
層間絶縁膜１１０は、相対的に研磨レートが高い第１の層１１１と、該第１の層１１１上に形成された相対的に研磨レートが低い第２の層１１２とを含む。 - 特許庁 - The planar electrode 111, 112 includes a first metal layer 151 constituted of nickel and a second metal layer 152 constituted of copper to cover a surface of the first metal layer 151.
プレーン状電極１１１，１１２は、ニッケルからなる第１の金属層１５１、及び、銅からなり第１の金属層１５１の表面を覆う第２の金属層１５２を有する。 - 特許庁 - The field effect transistor comprises a first semiconductor layer 14 made of a plurality of laminated semiconductor films and a second semiconductor layer 15 formed on the first semiconductor layer 14.
電界効果トランジスタは、複数の半導体膜が積層された第１の半導体層１４と、第１の半導体層１４の上に形成された第２の半導体層１５とを備えている。 - 特許庁 - The semiconductor device includes a first wiring layer 33 formed on a semiconductor substrate 40, and a second wiring layer 32 formed on the first wiring layer 33.
半導体基板４０上に形成された第１配線層部３３と、第１配線層部３３上に形成された第２配線層部３２とを具備する半導体装置を用いる。 - 特許庁 - The second electrode layer 51b is formed on the first electrode layer 51a, contains Pt, and has holes 53c reaching the first electrode layer 51a formed at a plurality of parts.
第２の電極層５１ｂは、第１の電極層５１ａ上に形成され、Ｐｔを含むと共に複数箇所において第１の電極層５１ａに至る孔５３ｃが形成されている。 - 特許庁 - The super hydrophilic film 18 comprises a first coating layer which does not contain a photocatalyst in contact with the display surface 17 and a second coating layer which contains a photocatalyst formed on the outside of the first coating layer.
超親水性膜１８は、表示面１７と接する光触媒を含まない第１コーティング層と、その外側に形成された光触媒を含む第２コーティング層とからなる。 - 特許庁 - (b) A fluid is driven into the bladder 3 while suppressing the vulcanization of the second rubber layer 54, and the first rubber layer 53 is pressed to the forming section 9, and a rib section 52 is formed on the first rubber layer 53 and is vulcanized.
(b)第二ゴム層54の加硫を抑制しつつ、ブラダー3内に流動体を圧入して第一ゴム層53を型付部9に押圧し、この第一ゴム層53にリブ部52を形成して加硫する。 - 特許庁 - A first layer 30 of which a refractive index is higher than that of a transparent substrate 10, and a second layer 40 of which the refractive index is lower than that of the first layer 30 are laminated on the light transparent substrate 10.
光透明性基板１０上に、屈折率が透明性基板１０よりも高い第一の層３０と、屈折率が第一の層３０よりも低い第二の層４０を積層する。 - 特許庁 - Then, a first conductor layer 5 is formed on the surface of the ceramic element by a wet plating method and the dielectric layer 6 is formed on the surface of the first conductor layer 5 in a wet process (c).
そして、セラミック素体の表面に湿式めっき法で第１の導体層５を形成し（ｂ）、次いで、第１の導体層５の表面に湿式法で誘電体層６を形成する（ｃ）。 - 特許庁 - Then, at least part of the sheet loading part 11 as a first layer has an area which is not overlapped with the sheet loading part 12 as a second layer laminated on the sheet loading part as the first layer.
そして、第１層目のシート積載部１１の少なくとも一部が、第１層目のシート積載部に積層された第２層目のシート積載部１２と重ならない領域を有する。 - 特許庁 - A semiconductor device 1 comprises: a semiconductor element 3 mounted on a lead frame 2; a first heat transfer layer 4 provided in the semiconductor element 3; a second heat transfer layer 5 connecting with the first heat transfer layer 4; a third heat transfer layer 6 connecting with the second heat transfer layer 5; and a resin layer 7.
半導体装置１は、リードフレーム２に実装された半導体素子３、半導体素子３内に設けられた第１伝熱層４、第１伝熱層４に接続された第２伝熱層５、第２伝熱層５に接続された第３伝熱層６、及び樹脂層７を含む。 - 特許庁
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