「First layer」を含む例文一覧(24476)

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  • The negative electrode 5 has a first metal layer 6a containing a first metal and a low work-function metal, a second metal layer 6b containing a second metal the same as or different from the first metal, and an oxide conductive layer 7 in that order from the side of the organic EL layer 9.
    陰極５は、第１の金属および低仕事関数金属を含む第１金属層６ａと、第１の金属と同じまたは異なる第２の金属を含む第２金属層６ｂと、酸化物導電層７とを有機ＥＬ層９の側からこの順に有する。 - 特許庁
  • The resin film 20 is composed of a first film layer 21 on which a three-dimensional design 21a is formed and a second film layer 22 which is laminated on the back of the first film layer and is softer and thicker than the first film layer.
    樹脂フィルム２０は、立体意匠２１ａが施され第１硬度で第１厚さの第１フィルム層２１と、第１フィルム層の裏面に積層され第１硬度よりも低い第２硬度で第１厚さよりも厚い第２厚さの第２フィルム層２２と、から成る。 - 特許庁
  • A first conductivity type semiconductor layer 1 has a front side which is a light-receiving surface, and a second conductivity type semiconductor layer 2 is disposed on a back side of the first conductivity type semiconductor layer 1, forming a p-n junction with the first conductivity type semiconductor layer 1.
    第１導電型半導体層１は、表面が受光面となっており、第２導電型半導体層２は、第１導電型半導体層１の裏面側に設けられ、第１導電型半導体層１との間でｐｎ接合を構成している。 - 特許庁
  • The production method of the catalyst layer includes, at the least, the steps of forming a first layer including a catalyst precursor on a substrate by a vapor phase process; forming cracks in the first layer; and reducing the first layer having the cracks formed therein.
    基材に、触媒前駆体からなる第１の層を気相法により形成する工程と、前記第１の層にクラックを形成する工程と、前記クラックが形成された第１の層を還元する工程と、を少なくとも有する触媒層の製造方法。 - 特許庁
  • The multilayered optical recording medium 10 has a first recording layer L1 and a second recording layer Li provided nearer than the first recording layer L1 when viewed from a light incident surface and having a heat capacity per bit higher than that of the first recording layer L1.
    多層光記録媒体１０は、第１の記録層Ｌ１と、光入射面から見て第１の記録層Ｌ１よりも近くに設けられ、ビットあたりの熱容量が第１の記録層Ｌ１より大きく形成された第２の記録層Ｌｉとを有している。 - 特許庁
  • On the first phase change layer 22, a first resistor layer 24 formed of a first resistor, a second phase change layer 26 formed of a second phase change material and a second resistor layer 28 formed of a second resistor are layered in the order.
    第１の相変化層２２上には、第１の抵抗体で形成された第１の抵抗体層２４、第２の相変化材料で形成された第２の相変化層２６、及び第２の抵抗体で形成された第２の抵抗体層２８がこの順で積層されている。 - 特許庁
  • A thin film transistor includes a first polycrystalline semiconductor layer located over a substrate, a second polycrystalline semiconductor layer located over the first polycrystalline semiconductor layer, and metal catalysts that are adjacent to the first polycrystalline semiconductor layer and are apart from each other at a predetermined distance.
    薄膜トランジスタは、基板上に位置する第１多結晶半導体層と、第１多結晶半導体層上に位置する第２多結晶半導体層と、第１多結晶半導体層と隣接して互いに所定の間隔で離隔している金属触媒とを含む。 - 特許庁
  • A photoelectric conversion device comprises: a first semiconductor layer having a compound semiconductor containing a group I element, a group III element, and a group VI element; and a second semiconductor layer that is disposed on the first semiconductor layer and forms a pn junction with the first semiconductor layer.
    Ｉ族元素、III族元素およびVI族元素を含む化合物半導体を有する第１の半導体層と、該第１の半導体層上に配置された、該第１の半導体層とともにｐｎ接合を形成する第２の半導体層とを備えている。 - 特許庁
  • A base metal 12 is formed in a substrate 1, a first soldering layer 15 of which one is Ni or Ni alloy and the other is Co or Co alloy is formed on the base metal 12, a second soldering layer 16 thinner than the first soldering layer 15 is formed on the first soldering layer 15.
    基板１に下地金属１２が形成され、その上に、一方はＮｉ又はＮｉ合金、他方はＣｏ又はＣｏ合金である第１のはんだ付け層１５、更にその上の第１のはんだ付け層１５より薄い第２のはんだ付け層１６を形成する。 - 特許庁
  • First layer wires 11s, 11d (M1) are respectively connected to the conductor plugs 13 (p1), and second layer wires 12s, 12d for backing the first layer wires 11s, 11d (M1) are connected to the first layer wires 11s, 11d (M1), respectively, on the conductor plugs 13 (p1).
    その導体プラグ１３（ｐ１）にそれぞれ第１層配線１１ｓ、１１ｄ（Ｍ１）が接続され、さらにそれら第１層配線１１ｓ、１１ｄ（Ｍ１）に対して、導体プラグ１３（ｐ１）上で裏打ち用の第２層配線１２ｓ、１２ｄが接続されている。 - 特許庁
  • The thermo-mechanical bender portion includes a barrier layer, a first deflector layer constructed of a first electrically resistive material, and a second deflector layer constructed of a second electrically resistive material, wherein the barrier layer is bonded between the first and second deflector layers.
    熱−機械的屈曲体部分は、バリア層、第１電気抵抗性材料で構成される第１デフレクタ層、および、第２電気抵抗性材料で構成される第２デフレクタ層を有しており、バリア層は第１デフレクタ層と第２デフレクタ層との間に接合されている。 - 特許庁
  • The first filter medium layer 12 is bonded with the second filter medium layer 13 by gluing contacting parts between the first fiber 14 and the second fiber 16 with the adhesive 15 by impregnating the adhesive 15 into interstices g1 of the first filter medium layer 12 and interstices g2 of the second filter medium layer 13.
    前記第１濾材層１２の隙間ｇ１及び第２濾材層１３の隙間ｇ２に接着剤１５を含浸させ、第１繊維１４と第２繊維１６の接触部を接着剤１５により接着して第１濾材層１２と第２濾材層１３を接合する。 - 特許庁
  • The spin wave element comprises: a first magnetic layer composed of an insulating magnetic material; an input part disposed on the first magnetic layer; a nonmagnetic conductor closed circuit touching the first magnetic layer; and a second magnetic layer, composed of an insulating magnetic material, touching the conductor closed circuit.
    絶縁性磁性体から成る第一の磁性層と、前記第一の磁性層上に設けられた入力部と、前記第一の磁性層と接する非磁性の導体閉路と、前記導体閉路と接し、絶縁性磁性体から成る第二の磁性層とを有する。 - 特許庁
  • First layer wiring 11s, 11d (M1) are each connected to the conductor plugs 13 (p1); and further second layer wiring 12s, 12d (M2) for backing the first layer wiring are connected to the first layer wiring 11s, 11d (M1), respectively, on the conductor plugs 13 (p1).
    その導体プラグ１３（ｐ１）にそれぞれ第１層配線１１ｓ、１１ｄ（Ｍ１）が接続され、さらにそれら第１層配線１１ｓ、１１ｄ（Ｍ１）に対して、導体プラグ１３（ｐ１）上で裏打ち用の第２層配線１２ｓ、１２ｄが接続されている。 - 特許庁
  • The radio wave transmission cover comprises a design surface 35 and two layers (a first layer 10 and a second layer 20) covering the design surface, and a material containing a first acrylic resin is used as a material of the first layer 10, and a material containing a second acrylic resin is used as a material of the second layer 20.
    電波透過カバーを、意匠面３５と、意匠面を覆う２つの層（第１層１０、第２層２０）とで構成し、第１層１０の材料を第１のアクリル樹脂を含む材料にし、第２層２０の材料を第２のアクリル樹脂を含む材料にする。 - 特許庁
  • A first conductivity-type lower clad layer 103, an active layer 104, a second conductivity-type first upper clad layer 105, and a second conductivity-type second upper clad layer 107 having a ridge shape, are formed on a first conductivity-type semiconductor substrate 101.
    第１導電型の半導体基板１０１上に、第１導電型の下部クラッド層１０３、活性層１０４、第２導電型の第１上部クラッド層１０５、およびリッジ形状を有する第２導電型の第２上部クラッド層１０７が形成される。 - 特許庁
  • This O-ring includes: a first rubber layer 11; and a second rubber layer 12 which has a friction coefficient smaller than that in the first rubber layer 11, is laminated on the first rubber layer 11 in a thickness direction and is exposed to at least one of an outer peripheral side and an inner peripheral side.
    第１ゴム層１１と、該第１ゴム層１１よりも摩擦係数が小さく、該第１ゴム層１１に対して厚さ方向に積層されると共に、外周側及び内周側の少なくとも一方に露出した第２ゴム層１２と、を有している。 - 特許庁
  • It is preferable that a step of forming a second layer including the catalyst precursor or a catalyst on the surface of the first layer is put between the step of forming cracks in the first layer and the step of reducing the first layer having the cracks formed therein.
    前記第１の層にクラックを形成する工程と前記クラックが形成された第１の層を還元する工程との間に、前記第１の層の表面に触媒前駆体もしくは触媒からなる第２の層を形成する工程を有することが好ましい。 - 特許庁
  • The bump structure 70 includes: an insulating projection 10; a first conductive layer 30 which covers the projection 10; and a second conductive layer 32 which is integrally provided with the first conductive layer 30 and provided from the first conductive layer 30 to the top of the electrode connection part 42.
    バンプ構造体７０は、絶縁性の凸状部１０と、凸状部１０を覆う第１導電層３０と、第１導電層３０と一体化して設けられ、第１導電層３０から電極接続部４２上まで設けられた第２導電層３２と、を含む。 - 特許庁
  • The bump structure 70 contains an insulating protrusion 10, a first conductive layer 30 which covers the protrusion 10, and a second conductive layer 32 which is collectively arranged with the first conductive layer 30 and arranged from the first conductive layer 30 onto an electrode connection part 42.
    バンプ構造体７０は、絶縁性の凸状部１０と、凸状部１０を覆う第１導電層３０と、第１導電層３０と一体化して設けられ、第１導電層３０から電極接続部４２上まで設けられた第２導電層３２と、を含む。 - 特許庁
  • The semiconductor device comprises a first wiring layer having first wiring, a second wiring layer having second wiring formed on the first wiring layer via a first insulating layer, and minute projections whose circumscribed circles having a diameter not larger than 40 nm as seen in a plan view or in a cross-sectional view on the second wiring layer or on the upper layer thereof.
    本発明の半導体装置は、第１配線を有する第１配線層と、第１配線層上に第１絶縁層を介して形成された第２配線を有する第２配線層とを備え、平面的又は断面的に見たときの外接円の直径が４０ｎｍ以下である微小突起を第２配線層又はその上層に備えることを特徴とする。 - 特許庁
  • A semiconductor device includes a substrate in which the diffusion layer is formed, a gate electrode formed on the substrate, a first insulating layer formed on the substrate up to a position higher than the gate electrode, a first contact electrically connected to the diffusion layer and penetrating the first insulating layer, a second contact electrically connected to the gate electrode, and a second insulating layer formed on the first insulating layer.
    半導体装置は、拡散層が形成された基板と、基板上に形成されたゲート電極と、基板上にゲート電極よりも高い位置まで形成された第１絶縁層と、拡散層に電気的に接続され、第１絶縁層を貫通する第１コンタクトと、ゲート電極と電気的に接続された第２コンタクトと、第１絶縁層の上に形成された第２絶縁層とを備える。 - 特許庁
  • The catalyst is manufactured by laminating on a carrier three layers of the first layer which is formed as the lowest layer, does not contain the noble metal substantially but contains a first refractory inorganic oxide, the second layer which is formed on the first layer and contains a first noble metal and a rare-earth metal oxide and the third layer which is formed on the second layer and contains a second noble metal.
    担体に積層した触媒であって、最下層に実質的に貴金属を含まない第１の耐火性無機酸化物を含有する第一層、該第一層の上層に第１の貴金属及び希土類酸化物を含む第二層、さらに該第二層の上層に第２の貴金属を含む第三層を有することを特徴とする排気ガス浄化用触媒及びその製造方法。 - 特許庁
  • The semiconductor device includes the substrate 20, a first conductive layer 22 formed on the substrate 20, a first insulating layer 26 formed to cover the substrate 20 and the first conductive layer 22, the active element 10 mounted on the substrate 20, a second conductive layer connected to an electrode of the active element 10, and a conductive post connecting the first conductive layer 22 to the second conductive layer.
    基板２０と、基板２０上に形成される第１の導電層２２と、基板２０及び第１の導電層２２を被覆して形成される第１の絶縁層２６と、基板２０に搭載される能動素子１０と、能動素子の電極に接続される第２の導電層と、第１の導電層と第２の導電層とを接続する導電性ポストとを備えた半導体装置を構成する。 - 特許庁
  • This panel 10 for the vehicle body shows at least a three layer structure, a first layer 1 and a third layer 3 are formed of a first fiber admixture including at least ramie fiber, and a second layer 2 interposed between the first layer 1 and the third layer 3 is formed of a second fiber admixture in which kenaf fiber is further mixed in the first fiber admixture.
    車両ボディー用パネル１０は少なくとも３層構造を呈し、第１の層１と第３の層３は、少なくともラミー繊維を含む第１の繊維混合材から形成されており、第１の層１と第３の層３の間に介在する第２の層２は、第１の繊維混合材にさらにケナフ繊維が混合された第２の繊維混合材から形成されている。 - 特許庁
  • The reproduction section includes: a first magnetization fixed layer having a fixed magnetization direction; a second magnetization fixed layer which is stacked on the first magnetization fixed layer in a first direction parallel to the medium facing surface, and has a fixed magnetization direction; and a magnetization free layer which is provided between the first magnetization fixed layer and the second magnetization fixed layer and has a variable magnetization direction.
    前記再生部は、磁化の方向が固着された第１磁化固着層と、前記媒体対向面に対して平行な第１方向に沿って前記第１磁化固着層と積層され、磁化の方向が固着された第２磁化固着層と、前記第１磁化固着層と前記第２磁化固着層との間に設けられ、磁化の方向が可変の磁化自由層と、を含む。 - 特許庁
  • The shield material includes: a transparent substrate 10; a first adhesive layer 12 formed on the transparent substrate 10; a resin layer 14 formed on the first adhesive layer 12; a patterned metal layer 16a formed on the resin layer 14; and an antireflective layer 20 formed on the pattern 16a on the metal layer and the resin layer 14 via a third adhesive layer 12b.
    透明基材１０と、透明基材１０上に形成された第１の粘着層１２と、第１の粘着層１２上に形成された樹脂層１４と、樹脂層１４上にパターン化されて形成された金属層１６ａと、金属層のパターン１６ａ及び樹脂層１４の上に、第３の粘着層１２ｂを介して形成された反射防止層２０とを含む。 - 特許庁
  • A transfer sheet 10 includes a base sheet 11, a matte layer 12 formed on one surface of the base sheet 11, a first hard coat layer 13 formed on the top surface of the matte layer 12, a second hard coat layer 14 formed on the first hard coat layer 13, a pattern layer 15 formed on the second hard coat layer 14, and an adhesive layer 16 formed on the pattern layer.
    転写シート１０は、基体シート１１と、基体シート１１の一方面の上に形成された艶消し層１２と、艶消し層１２の上面に形成された第１ハードコート層１３と、第１ハードコート層１３の上に形成された第２ハードコート層と、第２ハードコート層１４の上に形成された図柄層１５と、図柄層の上に形成された接着層１６とを備えている。 - 特許庁
  • A magnetoresistive element 10 includes: a first electrode layer 12; a fixed layer 14 provided on the first electrode layer 12 and having a fixed magnetization direction; a tunnel barrier layer 15 provided on the fixed layer 14 and made of a metal oxide; a free layer 16 provided on the tunnel barrier layer 15 and having a variable magnetization direction; and a second electrode layer 17 provided on the free layer 16.
    磁気抵抗素子１０は、第１の電極層１２と、第１の電極層１２上に設けられ、かつ磁化方向が固定された固定層１４と、固定層１４上に設けられ、かつ金属酸化物からなるトンネルバリア層１５と、トンネルバリア層１５上に設けられ、かつ磁化方向が変化可能である自由層１６と、自由層１６上に設けられた第２の電極層１７とを含む。 - 特許庁
  • First information is printed on the printing layer 11 by the magnetism or heat.
    印字層１１には、磁気または熱により第１の情報が印字される。 - 特許庁
  • The spacer 41 is arranged between the first current-carrying layer 31 and the flange part 23 and restricts the movement of the first current-carrying layer 31 to the flange part 23.
    また、スペーサ４１は、第１通電層３１とフランジ部２３との間に設けられて第１通電層３１のフランジ部２３への移動を規制する。 - 特許庁
  • The thicknesses of the first and a second layers are 0.05-0.5 μm and the thickness ratio of the first layer to the second layer is 1.2-5.0.
    第１の層と第２の層は厚みが０．０５〜０．５μｍの範囲内であり、なおかつ第１の層の厚みと第２の層の厚み比が１．２以上５．０以下。 - 特許庁
  • The first layer 121 has a two-dimension code printed with ink.
    第１層１２１には、インクで印刷された２次元コードが形成されている。 - 特許庁
  • The domain wall displacement layer has a domain wall between first and second domains.
    磁壁移動層は、第１領域と第２領域との間に磁壁を有する。 - 特許庁
  • Further, the minimal value of the lifetime value of the first semiconductor layer 1 becomes high.
    さらに、第１半導体層１のライフタイム値の極小値が高くなる。 - 特許庁
  • The bond layer 1 combines the first member 4 and the second member 5.
    接合層１は、第１の部材４と第２の部材５とを接合している。 - 特許庁
  • The first conductive layer 28 has a thickness of 600 nm or above.
    第１導電層２８の厚みは、600nm以上であることを特徴としている。 - 特許庁
  • The first conductive layer 21 is formed of conductive particles 22A.
    第１導電層２１は導電体粒子２２Ａにより形成されている。 - 特許庁
  • The cushion layer is provided at one side of the first mold release layers.
    そして、このクッション層は、第１離型層の片側に設けられている。 - 特許庁
  • Thereafter, the first metal layer 3 is removed and an additive pattern 8 is then formed.
    その後、第一金属層３を除去して、アディティブパターン８を形成する。 - 特許庁
  • Both the toilet seat heater 450 and the temperature detection sensor 401a are placed between a first metal layer 451 and a first heat-resistant insulation layer 456.
    便座ヒータ４５０と温度検知センサ４０１ａはともに、第１の金属層４５１と第１の耐熱絶縁層４５６との間に配置されている。 - 特許庁
  • A first layer vertical transfer electrode is formed on the second silicon oxide film at the upper part of the vertical transfer channel, and an insulating film is formed on the front surface of the first layer vertical transfer electrode.
    垂直転送チャネル上方の第２酸化シリコン膜上に、第１層垂直転送電極、その表面に絶縁膜を形成する。 - 特許庁
  • The first metal wiring 11 and the second metal wiring 12 are the same layer.
    第１金属配線１１及び第２金属配線１２は同層である。 - 特許庁
  • First and second doped layers (24 and 27) are provided in the electron supply layer.
    電子供給層内に、第１及び第２のドープ層(24,27)が配置されている。 - 特許庁
  • A transparent clear coating layer 12 is formed on a first release sheet 10.
    第１剥離シート１０の上に透明なクリアコーティング層１２を形成する。 - 特許庁
  • An insulating film 8 is formed on a first conductive layer 4 and a contact hole 8c located above the first conductive layer 4 is formed in the insulating film 8.
    第１の導電層４上に、絶縁膜８を形成し、絶縁膜８に、第１の導電層４上に位置する接続孔８ｃを形成する。 - 特許庁
  • This signal detector 12 is provided with an insulating substrate having a first flat conductive layer on a first surface and a second flat conductive layer on a second surface.
    信号検出器（１２）は、第１の面上の第１の平坦な導電層と第２の面上の第２の平坦な導電層とを有する、絶縁基板を含む。 - 特許庁
  • A first insulating layer 41 is formed on a suspension body 10, and a wiring pattern W1 for writing is formed on the first insulating layer 41.
    サスペンション本体部１０上に第１の絶縁層４１が形成され、第１の絶縁層４１上に書込用配線パターンＷ１が形成される。 - 特許庁
  • The first layers 2A and 2B and the second layer 3A are alternately stacked.
    第一の層２Ａ、２Ｂと第二の層３Ａとが交互に積層されている。 - 特許庁
  • According to an embodiment, a magnetic element comprises a first conductive layer, a second conductive layer, intermediate wiring, a first lamination part and a second lamination part.
    実施形態によれば、第１導電層と、第２導電層と、中間配線と、第１積層部と、第２積層部と、を備えた磁気素子が提供される。 - 特許庁
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