「First layer」を含む例文一覧(24472)

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  • The vertical light emitting device has a structure having: a semiconductor layer of a first conductivity type 30; a light emission layer 20 located on the semiconductor layer of a first conductivity type; and a semiconductor layer of a second conductivity type 10 located on the light emission layer and having an etching barrier layer 40; in which a light extraction structure 50 is formed on the etching barrier layer.
    第１伝導性半導体層３０と、該第１伝導性半導体層上に位置する発光層２０と、該発光層上に位置し、エッチング障壁層４０を有する第２伝導性半導体層１０と、を備え、前記エッチング障壁層上には、光抽出構造５０が形成されている構造としている。 - 特許庁
  • A piezoelectric actuator 1 includes: a substrate 3; a dummy layer 5 arranged on the substrate 3 and made of a ceramic material; a first electrode layer 7 arranged on the dummy layer 5; a piezoelectric layer 9 arranged on the first electrode layer 7 and made of a ceramic material; and a second electrode layer 11 arranged on the piezoelectric layer 9.
    圧電アクチュエータ１は、基板３と、基板３上に配置され、セラミック材料からなるダミー層５と、ダミー層５上に配置された第１の電極層７と、第１の電極層７上に配置され、セラミック材料からなる圧電層９と、圧電層９上に配置された第２の電極層１１と、を備えている。 - 特許庁
  • The magnetoresistive effect element includes a first magnetic layer 14; a tunnel barrier layer 16 provided on the first magnetic layer; a second magnetic layer 18a provided on the tunnel barrier layer and containing CoFe; and a nonmagnetic layer 19, provided on the second magnetic layer and containing nitrogen and at least one element selected from the group consisting of B, Ta, Zr, Al, and Ce.
    第１磁性層１４と、第１磁性層上に設けられたトンネルバリア層１６と、トンネルバリア層上に設けられＣｏＦｅを含む第２磁性層１８ａと、第２磁性層上に設けられ、Ｂ、Ｔａ、Ｚｒ、Ａｌ、Ｃｅのうちの少なくとも１つの元素および窒素を含む非磁性層１９と、を備えている。 - 特許庁
  • The single-crystal diamond tool includes: a base metal 10; a first brazing-material layer 41 provided on the base metal 10; a metal layer 30 provided on the first brazing-material layer 41; a second brazing-material layer 42 provided on the metal layer 30; and a single-crystal diamond layer 20 provided on the second brazing-material layer 42.
    単結晶ダイヤモンド工具は、台金１０と、台金１０上に設けられる第一ロウ材層４１と、第一ロウ材層４１上に設けられる金属層３０と、金属層３０上に設けられる第二ロウ材層４２と、第二ロウ材層４２上に設けられる単結晶ダイヤモンド層２０とを備える。 - 特許庁
  • The photoelectric conversion cell includes a first electrode layer 2, a light absorbing layer 4 prepared on one side of the first electrode layer 2, a buffer layer 5 containing a group III-VI compound prepared on one side of the light absorbing layer 4, and a second electrode layer 6 containing the group III-VI compound prepared on one side of the buffer layer 5.
    光電変換セルは、第１の電極層２と、第１の電極層２の一方側に設けられた光吸収層４と、光吸収層４の一方側に設けられたIII-VI族化合物を含むバッファ層５と、バッファ層５の一方側に設けられたIII-VI族化合物を含む第２の電極層６と、を具備する。 - 特許庁
  • A third layer part 36 inclining from a first layer part 34 toward a second layer part 35 is provided between the first layer part 34 and the second layer part 35 of a color filter layer 33, which are different in layer thickness and are formed in a color filter substrate 30 of a transflective liquid crystal display panel 1 having a transmitting area 26 and a reflection area 27.
    透過領域２６と反射領域２７を有する半透過型液晶パネル１のカラーフィルタ基板３０に形成された層厚の異なるカラーフィルタ層３３の第１層部３４と第２層部３５の間に、第１層部３４から第２層部３５へ向かって傾斜する第３層部３６を設ける。 - 特許庁
  • The device is provided with an active layer 105, a first conductive type first clad layer 103 and a second conductive type second clad layer 107 which are disposed so as to sandwich the layer 105, and a current blocking layer 111, which is disposed on a side opposite to the layer 105 with respect to the layer 107.
    活性層１０５と、活性層１０５を挟むように配置された第１の導電型の第１のクラッド層１０３および第２の導電型の第２のクラッド層１０７と、第２のクラッド層１０７に対して活性層１０５とは反対側に配置された電流ブロック層１１１とを備える。 - 特許庁
  • The wiring board 10 includes a first conductor layer 1f as a surface layer including a plurality of external connection pads 5 and a second conductor layer 1d as an internal layer including signal wiring 1S such that the first conductor layer 1f and second conductor layer 1d face each other with a plurality of inter-layer insulating layers 2d and 2e interposed therebetween.
    複数の外部接続パッド５を含む表層の第１の導体層１ｆと、信号配線１Ｓを含む内層の第２の導体層１ｄとが、第１の導体層１ｆと第２の導体層１ｄとの間に複数の層間絶縁層２ｄ，２ｅを挟んで対面するように配設されている配線基板１０である。 - 特許庁
  • When the laminating member is formed by releasably providing a laminating layer having a first layer to become a laminating layer of an image surface of the printed matter and a second layer to become an adhesive layer to the image surface on the heat resistant base, a layer capable of regulating an adhesive force between these layers is disposed between the heat resistant base and the first layer.
    印画物の画像面のラミネート層となる第１の層と、画像面への接着層となる第２の層を有するラミネート層を耐熱性基材上に剥離可能に設けてラミネート用部材を形成する際に、耐熱性基材と第１の層との間にこれらの層間の接着力を調整し得る層を配置する。 - 特許庁
  • The spin valve head provided with a pinned magnetic layer formed by stacking a first pinned magnetic layer 41, a nonmagnetic layer 15, and a second pinned magnetic layer 142 in this order is characterized in that, an insulating specular layer 22 is stackedly formed between the first pinned magnetic layer 141 and the second pinned magnetic layer 142.
    第１のピン磁性層１４１、非磁性層１５、第２のピン磁性層１４２をこの順に積層したピン磁性層を備えるスピンバルブヘッドにおいて、前記第１のピン磁性層１４１と前記第２のピン磁性層１４２の間に絶縁体スペキュラー層２２が積層して形成されていることを特徴とする。 - 特許庁
  • The anode 12 is composed of a first catalyst layer 12a where the catalyst is supported, a magnetic layer 12b adjacent to the first catalyst layer 12a at the side of the electrolyte layer 11 where a magnetic body with an magnetic action is carried, and a second catalyst layer 12c adjacent to the side of the electrolyte layer 11 of the magnetic layer 12b.
    アノード極１２は、触媒が担持された第１触媒層１２ａと、第１触媒層１２ａと電解質層１１側で隣接し、磁気作用をもつ磁力体が担持された磁力層１２ｂと、磁力層１２ｂの電解質層１１側にさらに隣接する第２触媒層１２ｃとからなる。 - 特許庁
  • A method for manufacturing a wafer according to the present invention includes a step of providing a doped layer on a semiconductor substrate, a step of providing a first semiconductor layer on the doped layer, a step of providing an embedded oxide layer on the first semiconductor layer, and a step of providing a second semiconductor layer on the embedded oxide layer.
    本発明は、ウェーハを製造するための方法に関し、この方法は、半導体基板上にドープト層を設けるステップと、ドープト層上に第１の半導体層を設けるステップと、第１の半導体層上に埋込み酸化物層を設けるステップと、埋込み酸化物層上に第２の半導体層を設けるステップと、を備える。 - 特許庁
  • In the functional film 10, a functional layer 12 is provided to one face of base film 11, a protection layer 14 is provided on the functional layer 12 across a third adhesive layer 13, a first adhesive layer 15 is provided to the other face, and a stripping layer 16 is provided on the first adhesive layer 15.
    そのような機能性フィルム１０は、基材フィルム１１の一方の面に機能層１２が設けられ、機能層１２の上に第３粘着剤層１３を介して保護層１４が設けられるとともに、他方の面に第１粘着剤層１５が設けられ、その上に剥離層１６が設けられている。 - 特許庁
  • In the optical recording medium including: at least a first protective layer; a recording layer containing Sb as a main component; a second protective layer; and a reflective layer when viewed from the side on which light for recording and reproduction is made incident, the first protective layer and/or the second protective layer in contact with the recording layer, is formed of a crystalline oxide (1).
    （１）記録再生のための光が入射される側からみて、少なくとも第一保護層、Ｓｂを主成分とする記録層、第二保護層、反射層を有する光記録媒体において、記録層と接する第一保護層及び／又は第二保護層が結晶性の酸化物からなる光記録媒体。 - 特許庁
  • The reproducing magnetic head 10 is configured by sequentially stacking a first pin layer 13 including a vertical magnetization film, an exchange coupling control layer 14, a first free layer 15, a barrier layer 16 made of an insulating material, a second free layer 17, an exchange coupling control layer 18, and a second pin layer 19 including a vertical magnetization film.
    再生磁気ヘッド１０は、垂直磁化膜からなる第１のピン層１３と、交換結合制御層１４と、第１のフリー層１５と、絶縁体からなるバリア層１６と、第２のフリー層１７と、交換結合制御層１８と、垂直磁化膜からなる第２のピン層１９と、が順に積層されている。 - 特許庁
  • The laminate has at least a third layer 103 formed on a base 104, a second layer 102 formed on the third layer 103 and a first layer 101 formed on the second layer 102, and the hardness of the second layer 102 is higher than that of the first layer 101.
    少なくとも、基板１０４上に形成された第３層１０３と、第３層１０３上に形成される第２層１０２と、第２層１０２上に形成される第１層１０１とを備える積層体であって、第２層１０２の硬度が、第１層１０１の硬度よりも高いことを特徴とする。 - 特許庁
  • The display device has a complex layer which includes fiber cloth 3 impregnated with a resin, the first plastic substrate 20 which has the inorganic barrier layer 25 formed on the complex layer and a palanarization resin layer 24 formed on the inorganic barrier layer 25 and a display medium layer 26 which is disposed on the palanarization resin layer side of the first substrate.
    樹脂が含浸された繊維布３を含む複合体層と、複合体層上に形成された無機バリア層２５と、無機バリア層２５上に形成された平坦化樹脂層２４とを有する第１プラスチック基板２０と、第１基板の前記平坦化樹脂層側に設けられた表示媒体層２６とを有する。 - 特許庁
  • A first magnetic tunnel junction element arranged between a first voltage line and a connection node includes: a pegged layer that is connected to the connection node; and a free layer that is connected to the first voltage line.
    第１磁気トンネル接合素子は、第１電圧線と接続ノードとの間に配置され、固定層が接続ノードに接続され、フリー層が第１電圧線に接続されている。 - 特許庁
  • The first reflecting layer 42 consists of a first metal material, and a second reflecting layer 44 consists of a second metal material having a higher resistance against a pattern processing than the first metal material.
    第１の反射層４２は第１の金属材料からなり、第２の反射層４４は第１の金属材料よりもパターン加工に対する耐性が高い第２の金属材料からなる。 - 特許庁
  • On the first substrate transferred by the belt conveyer BC1, a first collecting layer is formed at a discharge device 20d, and a first reaction layer is formed at a discharge device 20f.
    次に、ベルトコンベアＢＣ１により搬送された第１の基板に、吐出装置２０ｄにおいて第１の集電層を、吐出装置２０ｆにおいて第１の反応層を形成する。 - 特許庁
  • The gate G_ST of the selection transistor ST is formed with a MOS structure so as to straddle the first impurity diffusion layer 104, the first body region 100, and the first impurity diffusion layer 124.
    第１不純物拡散層１０４、第１ボディ領域１００、第１不純物拡散層１２４に跨るように選択トランジスタSTのゲート部G_STをＭＯＳ型構造で形成する。 - 特許庁
  • The thin film device comprises: a first thin film element layer (13); a first electrode terminal (16); a first nonconduction terminal (17); a second thin film element layer (23); a second electrode terminal (26); and a second nonconduction terminal (27).
    薄膜デバイスは、第１の薄膜素子層(13)と、第１の電極端子(16)と、第１の非導通端子(17)と、第２の薄膜素子層(23)と、第２の電極端子(26)と、第２の非導通端子(27)と、を含む。 - 特許庁
  • Moreover, a first local wiring 7 for connecting the first gate 3 and second conductive layer 6 and a second local wiring 8 for connecting the second gate 4 and the first conductive layer 5 are also formed.
    そして、第１ゲート３と第２導電層６とを接続する第１局所配線７と、第２ゲート４と第１導電層５とを接続する第２局所配線８を形成する。 - 特許庁
  • The first conductor 4 has a first extending part 41 extending beyond each anode layer 3, and the first current collector 4 forms a current collecting part of the anode layer 3.
    この第１の導電体４は、各アノード電極層３を超えて延出する第１の延出部４１を有しており、該第１の導電体４がアノード電極層３の集電部となっている。 - 特許庁
  • By temporarily narrowing the tool width at the end of winding a second coil 2 of the first layer (Fig.7 S4), the first and the second coils of the first layer are joined to each other more tightly.
    １層目の２番目の巻線２の巻回終了時に治具幅を一時的に狭めると（図７Ｓ４）、１層目の、最初の巻線と２番目の巻線とが一層強く接着される。 - 特許庁
  • First binding resin contained in the first electric charge generation layer is resin made by copolymerizing two or more kinds of monomers and hardly soluble to solvent contained in the coating liquid for forming the first layer.
    第１電荷発生層に含まれる第１結着樹脂は２種類以上の単量体が共重合して成る樹脂であり、第１層形成用塗布液に含まれる溶媒に難溶である。 - 特許庁
  • In this first substance layer, there are one or more first stress relaxing patterns that cross the first substance layer so that it is divided into two or more parts.
    この第１物質層には、これを２つまたはそれ以上の部分に分割するように第１物質層を横切る一つまたはそれ以上の第１ストレス緩和パターンが存在する。 - 特許庁
  • The second groove part T2, which is formed simultaneously with the first groove part, runs through the first semiconductor layer 51 in the thickness direction, being surrounded by the first semiconductor layer 51 at a plane pattern.
    第２溝部Ｔ２は、第１溝部と同時に形成され、厚み方向に第１半導体層５１を貫通し、平面パターンにおいて第１半導体層５１に囲まれている。 - 特許庁
  • A first insulating layer 41 is formed on a suspension body part 10, and a first write wiring pattern W1 and a read wiring pattern R1 are formed on the first insulating layer 41.
    サスペンション本体部１０上に第１の絶縁層４１が形成され、第１の絶縁層４１上に書込用配線パターンＷ１および読取用配線パターンＲ１が形成される。 - 特許庁
  • The first amorphous silicon film formation step forms a first amorphous silicon film of a first conductivity type whose impurity density is higher than the high resistance layer on the rear face of the polished high resistance layer.
    第１のアモルファスシリコン膜形成工程では、研磨された高抵抗層の裏面に高抵抗層よりも不純物濃度の高い第１導電型の第１のアモルファスシリコン膜を形成する。 - 特許庁
  • The deposition method has a process step of chemically adsorbing at least a first layer of the one single-layer film thickness on the substrate by bringing the substrate into contact with the first precursor at the first temperature.
    堆積方法は、第１温度において、基板を第１前駆体に接触させ、前記基板上に少なくとも１単層膜厚の第１層を化学吸着する工程を有する。 - 特許庁
  • The third semiconductor region 12 has a first layer 8 and a second layer 40 extending in a first direction connecting the first semiconductor region 24 with the second semiconductor region 58.
    第３半導体領域１２は、第１半導体領域２４と第２半導体領域５８を結ぶ第１方向に沿って伸びている第１層８と第２層４０を有している。 - 特許庁
  • A plurality of first through holes 41 are formed at the first wiring layer, and second through holes 42 overlapping the first through holes 41 are formed at the second wiring layer.
    第１の配線層には、複数の第１の貫通孔４１が形成されており、第２の配線層には、第１の貫通孔と重複する第２の貫通孔４２が形成されている。 - 特許庁
  • A first electrode and a sacrificing layer are continuously formed on a substrate, then a first opening part for forming an inner support base is formed in the first electrode and the sacrificing layer.
    第一電極および犠牲層を、基板上に連続的に形成し、次に、内側の支持体を形成するための第一開口部を、第一電極および犠牲層中に形成する。 - 特許庁
  • The adhesive layer 9 is caused to contact the first electrode component 5 while softening or melting the layer 9 by radiation heat from the first electronic component 5 and thermal transmission with a first bonding wire 7.
    接着剤層９を第１の電子部品５からの輻射熱および第１のボンディングワイヤ７との伝熱により軟化または溶融させつつ第１の電子部品５と接触させる。 - 特許庁
  • The device includes an active element 10, a first barrier metal layer 22 formed on an electrode of the active element 10, and a first alloy bump 24 formed on the first barrier metal layer 22.
    能動素子１０と、能動素子１０の電極上に形成された第１のバリアメタル層２２と、第１のバリアメタル層２２上に形成された第１の合金バンプ２４とを備える。 - 特許庁
  • In the first magnesium oxide film 13A, there partially exists a first lattice matching portion P lattice-matched with both of the silicon channel layer 12 and the first ferromagnetic layer 14A.
    第一酸化マグネシウム膜１３Ａには、シリコンチャンネル層１２及び第一強磁性層１４Ａの両方と格子整合している第一格子整合部分Ｐが部分的に存在している。 - 特許庁
  • A first embedding layer 15 covers one side face 28a in a first core layer 27b of a first part 13a of a semiconductor stripe mesa 13, and is extended from one end face 23.
    第１の埋め込み層１５は、半導体ストライプメサ１３の第１の部分１３ａの第１のコア層２７ｂにおける一方の側面２８ａを覆い、一端面２３から延在する。 - 特許庁
  • The capacitor 2 has a first electrode 10 formed in the first wiring layer L1 and a second electrode 12 formed in the second wiring layer L2 to overlap the first electrode 10.
    キャパシタ２は、第１配線層Ｌ１に形成された第１電極１０と、第１電極１０とオーバーラップするよう第２配線層Ｌ２に形成された第２電極１２と、を有する。 - 特許庁
  • The first conductive layer 21 is provided with a first lead to be connected with the first terminal electrode 31, and the second conductive layer 22 is provided with a second lead to be connected with the second terminal electrode 32.
    第１導体層２１が、第１端子電極３１に接続される第１リード部を有し、第２導体層２２が、第２端子電極３２に接続される第２リード部を有する。 - 特許庁
  • An organic light emitting display device includes: a substrate 10; a first touch sensing electrode layer 21 formed on the substrate; a first protection layer 22 that covers the first touch sensing electrode layer 21 to be formed thereon; a ground layer 30 that is formed on the first protection layer 22 and electrically grounded; an insulation layer 11 formed on the ground layer 30; and an organic light emitting element 40 formed on the insulation layer 11.
    基板１０と、基板上に形成された第１タッチ感知電極層２１と、第１タッチ感知電極層２１を覆って、第１タッチ感知電極層上に形成された第１保護層２２と、第１保護層２２上に形成され、電気的に接地されたグラウンド層３０と、グラウンド層３０上に形成された絶縁層１１と、絶縁層１１上に形成された有機発光素子４０と、を備える有機発光ディスプレイ装置。 - 特許庁
  • In the multilayered structure composed of at least three layers of a substrate, a first layer, and a second layer, the first layer is formed of inorganic fine particles, and the second layer is formed of a resin composition containing an inorganic layered compound and a resin, wherein the first layer and the second layer overlie each other adjacently to keep the first layer arranged between the substrate and the second layer.
    基材、第１の層および第２の層の少なくとも３層からなる多層構造体において、前記第１の層が無機微粒子から形成される層であり、前記第２の層が無機層状化合物および樹脂を含む樹脂組成物から形成される層であって、かつ前記第１の層と第２の層とが隣接して積層され、前記基材と第２の層との間に第１の層が配されてなることを特徴とする多層構造体。 - 特許庁
  • The surface emitting laser for emitting the laser beam in a direction perpendicular to an active layer comprises a substrate, a first mirror formed on the substrate, a first spacer layer formed on the first mirror, the active layer formed on the first spacer layer, a second spacer layer formed on the active layer, a plurality of divided second mirrors formed on the second spacer layer, and a bulk layer formed on the second mirror.
    活性層に垂直な方向にレーザ光を出射する面発光レーザにおいて、基板と、基板の上に形成された第１のミラーと、第１のミラーの上に形成された第１のスペーサ層と、第１のスペーサ層の上に形成された活性層と、活性層の上に形成された第２のスペーサ層と、第２のスペーサ層の上に形成され複数に分割された第２のミラーと、第２のミラーの上に形成されたバルク層とを備える。 - 特許庁
  • A light emitting element includes: a substrate 140; a second conductivity type semiconductor layer 130 on the substrate, an active layer 120 on the second conductivity type semiconductor layer; a first conductivity type semiconductor layer 110 formed on the active layer; and a first electrode 165 on the first conductivity type semiconductor layer, wherein a vertical distance between the first conductivity type semiconductor layer and second conductivity type semiconductor layer is varied.
    基板１４０と、前記基板の上に第２導電型半導体層１３０と、前記第２導電型半導体層の上に活性層１２０と、前記活性層の上に形成される第１導電型半導体層１１０と、前記第１導電型半導体層の上に第１電極１６５と、を含み、前記第１導電型半導体層と前記第２導電型半導体層の間の垂直距離が相違する発光素子。 - 特許庁
  • A first ink absorber is arranged in a first storage part provided on a platen recording head side, a receiving layer is provided on the recording head side of the first ink absorber, and a diffusing layer is provided on the bottom surface side of the first storage part.
    プラテンの記録ヘッド側に設けられる第１収容部に第１インク吸収体を配設し、その第１インク吸収体の記録ヘッド側に受容層を設け、第１収容部の底面側に拡散層を設けた。 - 特許庁
  • A light-receiving element has a first conductive semiconductor substrate (52) or a first conductivity-type semiconductor layer, and a first conductivity-type isolation region (55) formed in the first conductivity-type semiconductor substrate (52) or the type semiconductor layer.
    第１導電型の半導体基板（５２）または第１導電型の半導体層と、この第１導電型の半導体基板（５２）または半導体層に形成された第１導電型の分離領域（５５）とを有する。 - 特許庁
  • After a first wiring layer 110 is formed on the insulating film 103 and on the first protective film 107, a base oxide film 111 is deposited on the first wiring layer 110 and on the first protective film 107.
    絶縁膜１０３及び第１の保護膜１０７の上に第１の配線層１１０を形成した後、第１の配線層１１０及び第１の保護膜１０７の上に下地酸化膜１１１を堆積する。 - 特許庁
  • At least, a lower clad layer 101, an active layer 102 emitting a laser beam, a first upper clad layer 103, an etching stop layer 104, and a second upper clad layer 106, are laminated on a board 100.
    基板１００上に少なくとも、下クラッド層１０１、レーザ光を発生する活性層１０２、第１上クラッド層１０３、エッチングストップ層１０４、第２上クラッド層１０６を積層する。 - 特許庁
  • A glass base board 10 is furnished thereon with a hole injection electrode 12, hole transport layer 16, a first mixing layer 20, light emitting layer 22, second mixing layer 26 and an electron transport layer 28 one over another in the sequence as named.
    ガラス基板１０上に、ホール注入電極１２、ホール輸送層１６、第一混合層２０、発光層２２、第二混合層２６、および電子輸送層２８がこの順で積層されている。 - 特許庁
  • A CD-R is formed by laminating a recording layer 3, a reflection layer 4, a first protective layer 5, a second protective layer 6 and a printable layer 7 in this order on a base plate 2 whose diameter is 120 mmϕ.
    直径１２０ｍｍφの基板２上に記録層３、反射層４、第１の保護層５、第２の保護層６および印刷可能な層７をこの順に積層してＣＤ−Ｒとした。 - 特許庁
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