「First layer」を含む例文一覧(24472)

＜前へ 1 2 .... 54 55 56 57 58 59 60 61 62 .... 489 490 次へ＞
  • After the surface 2b of the layer 5 is coated with a first resist 15, first plating is performed to continuously cover the internal surface of the via hole 7, the wiring layer 4 exposed in the via hole 7 and formed on the surface 2b, and the wiring layer 3 formed on the surface of the layer 5 with a first plated layer 8.
    次に絶縁層の他方の面を第１のめっきレジスト15で覆った後、第１のめっき処理を施し、ビアの内面およびビア内に露出された他方の面の配線層ならびに絶縁層の一方の面上の配線層を第１のめっき層8で連続して覆う。 - 特許庁
  • The shielding layer 20 includes the first aluminum layer 21 prepared directly on the incidence plane 12, the second aluminum layer 22 prepared on the first aluminum layer 21, and an ultraviolet-ray shielding layer 25, arranged in between these first and second aluminum layers 21, 22 to be used for shielding the ultraviolet rays.
    遮蔽層２０は、入射面１２上に直接に設けられる第１アルミニウム層２１と、第１アルミニウム層２１上に設けられる第２アルミニウム層２２と、第１、第２アルミニウム層２１、２２の間に設けられ、紫外光の遮蔽に用いられる紫外光遮蔽層２５とを有する。 - 特許庁
  • The line of union includes a grounding conductive layer, a first conductive line formed on the first main face side of the grounding conductive layer via a first dielectric layer, and a second conductive line formed on the second main face side of the grounding conductive layer via a second dielectric layer.
    結合線路は、接地導体層と、接地導体層の第一の主面側に第一の誘電体層を介して形成された第一の導体線路と、接地導体層の第二の主面側に第二の誘電体層を介して形成された第二の導体線路とを備える。 - 特許庁
  • The thickness T1 of the first clear layer 110 located on the outermost surface 100b side of the first clear layer 110 to the third clear layer 130 and the thickness T2 of the second clear layer 120 located on the reverse surface 100b side adjacent to the first clear layer 110 satisfy T1<T2.
    第１クリア層１１０〜第３クリア層１３０のうち、最も表面１００ｂ側に位置する第１クリア層１１０の厚みＴ１と、第１クリア層１１０に接してこれより裏面１００ｂ側に位置する第２クリア層１２０の厚みＴ２とは、Ｔ１＜Ｔ２の関係を満たしている。 - 特許庁
  • To provide a multi-layered nonwoven fabric including a first fiber layer and a second fiber layer disposed and laminated to one side of the first fiber layer, wherein the first fiber layer and the second fiber layer are adjusted in prescribed shapes.
    本発明は、第１繊維層と、第１繊維層における一方の面側に積層配置される第２繊維層と、を備える多層不織布であって、第１繊維層及び第２繊維層が所定形状になるように調整された多層不織布を提供することを課題とする。 - 特許庁
  • To avoid this problem, selective etching is performed on a first cap layer 5 by using a phosphoric acid based etchant after the layer is subjected to etching using the hydrochloric acid-based etchant so as to remove the first cap layer 5 including a portion of the second cap layer 6 and the alteration product D that remain on the first cap layer 5 from a cladding layer 4.
    そこで、塩酸系エッチャントによるエッチングに引き続き、リン酸系エッチャントを用いて、第１のキャップ層５を選択エッチングすることにより、第１のキャップ層５に残留する第２のキャップ層６の一部と変質物Ｄとを、第１のキャップ層５と共にクラッド層４の表面から除去する。 - 特許庁
  • The first and second layers to be oxidized or an adjacent layer adjacent to the first layer to be oxidized and an adjacent layer adjacent to the second layer to be oxidized are adjusted so that the oxidization speed of the first layer to be oxidized may be slower than the oxidization speed of the second layer to be oxidized when oxidizing in the same condition.
    同一の条件で酸化した場合に、第１の被酸化層の酸化速度は第２の被酸化層の酸化速度よりも遅くなるように、第１の被酸化層および前記第２の被酸化層、または、第１の被酸化層に隣接する隣接層および第２の被酸化層に隣接する隣接層を調整する。 - 特許庁
  • The adhesive layer 14 interposed between the heater 13 and the base member 11 has a structure where a first adhesive layer 15 and a second adhesive layer 16 are stacked, wherein the first adhesive layer is formed by curing an adhesive having high thermal conductivity and the second adhesive layer is formed as gel by curing an adhesive having lower viscosity than that of the adhesive of the first adhesive layer.
    ヒータ１３とベース部材１１の間に介在する接着層１４は、熱伝導率の高い接着剤を硬化させてなる第１の接着剤層１５と、該接着剤よりも粘度の低い接着剤を硬化させてゲル状にした第２の接着剤層１６とが積層された構造を有している。 - 特許庁
  • The multilayered film includes a first layer containing a first hydrophobic polymer; a third layer containing a third hydrophobic polymer; and a second layer disposed between the first layer and the third layer, where the second layer contains a second hydrophobic polymer and at least one water-soluble therapeutic agent.
    第一の疎水性ポリマーを含有する第一の層；第三の疎水性ポリマーを含有する第三の層；ならびにこの第一の層とこの第三の層との間に配置された第二の層であって、この第二の層は、第二の疎水性ポリマーおよび少なくとも１種の水溶性治療剤を含有する、第二の層を備える、多層フィルム。 - 特許庁
  • The trench power MOSFET comprises a first conductivity-type epitaxial layer 2, a second conductivity-type body layer 3, and a first conductivity-type source diffusion layer 7 on a first conductivity-type semiconductor substrate 1; further comprises a trench gate electrode 22 which penetrates the source diffusion layer 7 and the body layer 3, and is formed in a trench reaching the epitaxial layer 2.
    第１導電型の半導体基板１の上部には、第１導電型のエピタキシャル層２、第２導電型のボディ層３、第１導電型のソース拡散層７を備え、ソース拡散層７及びボディ層３を貫通しエピタキシャル層２に達するトレンチ内部に形成されるトレンチゲート電極２２を備える。 - 特許庁
  • The method for manufacturing the light-emitting material includes the steps of: forming a first layer containing a luminescence center element in a container; forming a second layer containing a host material in the container so as to cover the first layer; and performing heat treatment to the first layer and the second layer in the container, whereby the second layer is doped with the luminescence center element.
    容器内に、発光中心元素を含む第１の層を形成し、第１の層を覆うように、母体材料を含む第２の層を形成し、容器内の前記第１の層および第２の層に加熱処理を施すことによる、前記発光中心元素を第２の層に添加させる発光材料の製造方法である。 - 特許庁
  • The method for releasing the graphene layer includes: a step to form the graphene layer on the surface of a first substrate; a step to form a metal layer on the surface of the graphene layer; and a step to release the graphene layer from the first substrate by applying tension between the first substrate and the metal layer.
    グラフェン層の剥離方法において、第１の基板の表面にグラフェン層が形成される工程と、前記グラフェン層の表面に金属層が形成される工程と、前記第１の基板と前記金属層との間で張力が加えられ、前記グラフェン層が前記第１の基板から剥離される工程とを備える。 - 特許庁
  • The hermetically sealed package of the optical semiconductor is characterized by having a first electrode layer installed at the ceramic terminal member, a second electrode layer perpendicularly connected to the first electrode layer directed to the top of the first electrode layer, and one or more of layers of a third electrode layer perpendicularly connected to the second electrode layer.
    セラミックス端子部材に設けられた第１の電極層と、第１の電極層の上方に向かって第１の電極層と垂直に接続される第２の電極層と、第２の電極層と垂直に接続される１層以上の第３の電極層とを備えたことを特徴とする光半導体用気密封止容器。 - 特許庁
  • The second light-emitting region A2 includes: a second semiconductor base layer 142, which is disposed above the first semiconductor base layer 141 and is formed from a semiconductor having the same constituent elements as the first semiconductor base layer 141 and having the different element composition ratio from the first semiconductor base layer 141; and a second semiconductor light-emitting layer 152 stacked on the second semiconductor base layer 142.
    第２発光領域Ａ２では、第１半導体下地層１４１の上に配置された第１半導体下地層１４１と同一の構成元素で且つ元素組成比が異なる半導体で形成された第２半導体下地層１４２と、その上に積層された第２半導体発光層１５２とが設けられている。 - 特許庁
  • This method comprises a process of forming a first silicon layer, a process of imparting a second silicon layer superposed on the first silicon layer, a process of oxidizing the second silicon layer at a temperature of <400°C, by using an inductively coupled plasma source, and a process of forming an oxide layer superposed on the first silicon layer.
    本発明の方法は、第１のシリコン層を形成する工程と、第１のシリコン層の上に重なる第２のシリコン層を付与する工程と、誘導結合プラズマソースを用いて、４００℃未満の温度で、第２のシリコン層を酸化する工程と、第１のシリコン層の上に重なる酸化物層を形成する工程とを含む。 - 特許庁
  • The ink-jet printing method includes the steps of: forming a first printed layer 2a on a print medium 1 by ink-jet printing; forming a fixation layer 3a, which has the ink fixability more excellent than that of the first printed layer, on the first printed layer 2a; and forming a printed layer 2b on the fixation layer 3a by ink-jet printing.
    印字媒体１上に第１の印字層２ａをインクジェット印字によって形成する工程と、印字層２ａの上に、これよりもインクの被定着性に優れた定着層３ａを形成する工程と、定着層３ａ上に印字層２ｂをインクジェット印字によって設ける工程とを有する。 - 特許庁
  • The method for manufacturing the coated article comprises: applying an aluminum-containing first layer to a substrate 20; applying a platinum-containing second layer atop the first layer; causing diffusion of aluminum from the first layer into the second layer so as to produce a PtAl_2 alloy 24, and applying a thermal barrier layer 22 atop the PtAl_2 alloy 24.
    方法は、アルミニウム含有の第一の層を基体２０に付与し、白金含有の第二の層を第一の層の上に付与し、ＰｔＡｌ_2合金２４を生成するように第一の層から第二の層中へのアルミニウムの拡散を生じさせ、熱障壁層２２をＰｔＡｌ_2合金２４上に付与する、ことを含む。 - 特許庁
  • The optical retardation plate is provided with a first layer composed of a resin with a positive intrinsic birefringence value and a second layer composed of a resin with a negative intrinsic birefringence value, wherein the first layer and the second layer are birefringent, and is constructed by laminating the first layer and the second layer with their slow axes perpendicularly intersecting with each other.
    固有複屈折値が正の樹脂からなる第１の層と、固有複屈折値が負の樹脂からなる第２の層とを有し、前記第１の層及び前記第２の層は複屈折を有し、かつ前記第１の層及び前記第２の層の遅相軸を、互いに直交させて積層してなる位相差板。 - 特許庁
  • The ceramic electronic component includes: a first dielectric layer containing a second dielectric layer containing a composition different from the first dielectric layer as major components BaO, Nd_2O_3 and TiO_2; and a boundary layer containing Zn and Ti which is formed between the first dielectric layer and the second dielectric layer.
    本発明によるセラミック電子部品は、ＢａＯ、Ｎｄ_2Ｏ_3、及びＴｉＯ_2を主成分として含む第１の誘電体層と、第１の誘電体層と異なる材質である第２の誘電体層と、第１の誘電体層と第２の誘電体層との間に形成された、Ｚｎ及びＴｉを含む境界層と、を含むものである。 - 特許庁
  • The barrier film 10 includes a base material 11, a first barrier layer 141, and a second barrier layer 142.
    バリアフィルム１０は、基材１１と、第１のバリア層１４１と、第２のバリア層１４２とを具備する。 - 特許庁
  • A lower-side shading layer 5 is composed of a first conductive layer and at least its part is used for the gate wiring.
    下側遮光層５は、第一の導電層からなり少なくとも一部がゲート配線に使用される。 - 特許庁
  • The saturated magnetic flux density of the first layer 14A is set larger than that of the second layer 14B.
    第１層１４Ａの飽和磁束密度は第２層１４Ｂの飽和磁束密度よりも大きくなっている。 - 特許庁
  • The surface of the first resin layer 32 on the barrier layer 36 side is treated to make it coarser.
    第１樹脂層３２のバリア層３６側の表面には、粗さを大きくする加工が施されている。 - 特許庁
  • A region MISFET among the active layer where the first layer is not allocated is also formed.
    活性領域のうち第１の層の配置されていない領域ＭＩＳＦＥＴが形成されている。 - 特許庁
  • Included therein are a first structural part positioned on a reference layer and a second structural part positioned on a second layer.
    参照用層の上に位置する第１構造部と、第２層の上に位置する第２構造部とを含む。 - 特許庁
  • There are formed peelable protective films 25, 25 on surfaces of the first layer 20a and the second layer 20b.
    第１の層２０ａ及び第２の層２０ｂの表面には、剥離可能な保護フィルム２５，２５を備える。 - 特許庁
  • Therefore, the resistance of the first diamond layer 1 is mode higher than that of the second luminous diamond layer 2.
    このため、第１のダイヤモンド層１の抵抗は発光する第２のダイヤモンド層２のそれよりも高い。 - 特許庁
  • The powder supply volume is increased at the point before a wrap part overlapped with a first layer and a second layer is started.
    第１層目と第２層目とが重なるラップ部が始まる前に粉末供給量を増加させる。 - 特許庁
  • The haze value of the second light diffusion layer 32 is smaller than the haze value of the first light diffusion layer 31.
    第２の光拡散層３２のヘイズ値は、第１の光拡散層３１のヘイズ値よりも小さい。 - 特許庁
  • The first cut belt layer 24 and the second cut belt layer 26 are different in the weight per a unit width.
    第１のカットベルト層２４と第２のカットベルト層２６とは、単位幅あたりの重量が異なっている。 - 特許庁
  • The first adhesion layer has the function of adhering the wiring to the substrate via the diffusion preventing layer.
    第１の密着層は拡散防止層を介して基板に配線を密着させる機能を有する。 - 特許庁
  • A recess is formed by a first method on a region overlapping the wiring layer 20 of the resin layer 22.
    樹脂層２２の配線層２０とオーバーラップする領域に、第１の方法によって凹部を形成する。 - 特許庁
  • An identification medium 1 consists of a first layer 121 and a second layer 122 superimposed on an object 11.
    識別媒体１は、対象物１１に積み重ねられる第１層１２１と第２層１２２からなる。 - 特許庁
  • Also, the first conductive layer and the second conductive layer of the memory element are formed using different materials.
    なお、メモリ素子の第１の導電層と第２の導電層とは異なる材料で形成されている。 - 特許庁
  • Further, the first gate insulator layer 70 is partially used as the dielectric layer 70c of the holding capacitor.
    また、第１ゲート絶縁層７０の一部を保持容量用誘電体層７０ｃとして利用する。 - 特許庁
  • The second strain buffer intermediate layer can be made thinner than the first strain buffer intermediate layer.
    前記第２歪緩衝中間層は、前記第１の歪緩衝中間層よりも薄くすることができる。 - 特許庁
  • The first layer α and the second layer β are laminated and integrated with each other to constitute a laminate.
    第１層αと第２層βとを積層し、一体化することにより積層体が構成されている。 - 特許庁
  • At this time, the second metallic layer is formed with at least one passage 10 which reaches the first layer 7.
    その際、第２の金属層には第１の層７へ達する少なくとも１つの通路１０を形成する。 - 特許庁
  • The first wiring layer 33 is a single damascene structure, and the second wiring layer 32 is a dual damascene structure.
    第１配線層部３３は、シングルダマシン構造であり、第２配線層部３２は、デュアルダマシン構造である。 - 特許庁
  • An upper surface of the mask layer is disposed on the same plane as an upper surface of the first conductivity type semiconductor layer.
    前記マスク層の上面は、前記第１導電型半導体層の上面と面一に配置される。 - 特許庁
  • The carrier concentration of the first window layer 4a is set lower than that of the second window layer 4b.
    第１の窓層４ａのキャリア濃度は、第２の窓層４ｂのキャリア濃度より低く設定されている。 - 特許庁
  • A first gate layer 42 is subjected to pattern formation in the gate insulation layer, and is positioned over the channel region.
    第一ゲート層４２は前記ゲート絶縁層にパターン形成され、前記チャネル領域上に位置する。 - 特許庁
  • The openings (12, 13) of the first layer (10) and the second layer (20) are aligned, before forming the channels (22).
    第一（１０）及び第二の層（２０）の開口（１２、１３）は、通路（２２）を形成する前に位置揃えされる。 - 特許庁
  • First, a substrate containing an absorption layer or a container layer made of, preferably, a porous material is prepared.
    最初に、好ましくは多孔性材料からなる吸収層またはコンテナ層を含む基板が用意される。 - 特許庁
  • Thereafter, the first hard mask layer 5 is removed by using at least the second hard mask layer 6 as a mask.
    次に、少なくとも第２のハードマスク層６をマスクとして用いて、第１のハードマスク層５を除去する。 - 特許庁
  • The substrate 4, the MR element 5, and the second shielding layer 8 is laminated on the first shielding layer 3.
    下地層４、ＭＲ素子５および第２のシールド層８は第１のシールド層３に積層されている。 - 特許庁
  • The first catalyst layer 4a contains a noble metal catalyst and the second catalyst layer 4b contains an iron-based catalyst.
    第一触媒層４ａは、貴金属触媒、第二触媒層４ｂは、鉄系触媒を有する。 - 特許庁
  • The film 11 is formed by bonding the first layer 16 and the second layer 17 with the adhesive 18.
    フィルム１１は、第１層１６と第２層１７とが粘着剤１８で貼り合わされて形成される。 - 特許庁
  • A second resin layer 22 is formed so that the passivation film 16 and the first resin layer 20 are covered.
    パッシベーション膜１６及び第１の樹脂層２０を覆うように第２の樹脂層２２を形成する。 - 特許庁
  • A new organic layer OL is formed on the inner circumference of the first electrode layer 12b surface treated.
    表面処理された第１電極層１２ｂの内周に新たな有機物層ＯＬを成膜する。 - 特許庁
＜前へ 1 2 .... 54 55 56 57 58 59 60 61 62 .... 489 490 次へ＞

例文データの著作権について

  • 特許庁
    Copyright © Japan Patent office. All Rights Reserved.