「First layer」を含む例文一覧(24472)
＜前へ 1 2 .... 49 50 51 52 53 54 55 56 57 .... 489 490 次へ＞- The coating system includes a first coating, a second coating, and a boundary layer.
塗装系が、第一塗料、第二塗料、及び、境界層を含む。 - 特許庁 - The light-emitting layer 16c has a host material and a first dopant.
発光層１６ｃは、ホスト材料及び第一のドーパントを有する。 - 特許庁 - The light-emitting layer is formed between the first and second electrodes.
発光層は、前記第１および第２電極間に形成される。 - 特許庁 - First, a green sheet 10a and an internal electrode layer 12a are formed.
まずと、グリーンシート１０ａと、内部電極層１２ａとを形成する。 - 特許庁 - The display panel includes a first substrate, a second substrate, and a liquid crystal layer.
表示パネルは、第１基板、第２基板、及び液晶層を含む。 - 特許庁 - The thin film transistor is formed on the crystallized first silicon layer.
結晶化された第１のシリコン層に薄膜トランジスタを形成する。 - 特許庁 - First conductivity impurities are added in advance to the cap layer 4.
キャップ層には第１導電型の不純物が添加されている。 - 特許庁 - The wiring layer 10 has a via plug 12 (first conductive plug).
配線層１０は、ビアプラグ１２（第１の導電プラグ）を有している。 - 特許庁 - Second solder paste 34 is provided on the first solder layer 32.
第１の半田層３２上に第２の半田ペースト３４を設ける。 - 特許庁 - A direction, to which the black dielectric layer which is the same layer as that of the first alignment marker 10 extends, is selected as the first direction here.
ここで、第一の方向としては、第一のアライメントマーカ１０と同層の黒色誘電体層が延びる方向を選定する。 - 特許庁 - A concentration of a first conductivity type impurity contained in the base layer is lower than a concentration of a first conductivity type impurity contained in the drift layer.
ベース層に含まれる第１導電型の不純物濃度は、ドリフト層に含まれる第１導電型の不純物濃度よりも低い。 - 特許庁 - A first buried layer 12 is formed in a first region, and a second buried layer 13 is formed in a second region.
第１の領域において第１の埋め込み層１２が形成され、第２の領域において第２の埋め込み層１３が形成される。 - 特許庁 - The second diffusion layer, which is connected to the pad to which a signal is transferred, forms, together with the first diffusion layer, a first diode.
上記信号が伝達されるパッドに接続された上記第２拡散層は上記第１拡散層と第１ダイオードを形成する。 - 特許庁 - Next, a first current-collecting layer is formed at a discharge device 120c, and a first gas diffusion layer, at a discharge device 120d.
次に、吐出装置１２０ｃにおいて第１の集電層を、吐出装置１２０ｄにおいて第１のガス拡散層を形成する。 - 特許庁 - A tape-like first metal laminated sheet 17 is wound around the outer periphery of an inner surface rubber layer 3 in a roll-like state to form a first impermeable layer 5.
テープ状の第１の金属ラミネートシート１７を内面ゴム層３の外周にスシ巻きして第１の非透過層５を形成する。 - 特許庁 - The semiconductor device 11 and the first organic layer 18 are coated with a first inorganic layer 19 composed of ITO, SiN, or the like.
半導体装置１１および第１の有機質層１８は、ＩＴＯやＳｉＮ等からなる第１の無機質層１９で覆われている。 - 特許庁 - The liquid crystal display device includes a liquid crystal cell 1, a back light device 2, a first light diffusion layer 3, a first polarizing plate 4, and a second light diffusion layer 5.
液晶セル１と、バックライト装置２と、第１光拡散層３と、第１偏光板４と、第２光拡散層５とを設ける。 - 特許庁 - Then, a heat radiation means is provided to the first layer, and it cools and guides the air flowing into the first layer.
このとき、第１の層に放熱手段を設け、放熱手段は、第１の層に流入した空気を冷却するとともに案内する。 - 特許庁 - The first portion and the second portion are respectively bonded to a first lamination layer and a second lamination layer that are heterogeneous to each other.
第一部分、第二部分は相互に異質性（heterogeneity）を有する第一張り合わせレイヤーと、第二張り合わせレイヤーにそれぞれ張り合わせられる。 - 特許庁 - At the first layer forming process S2, a first layer 10 is formed on the semiconductor substrate 3 in such a way so as to enclose a hollow portion 11.
第１層形成工程Ｓ２では、半導体基板３の上に第１層１０が空洞部分１１を囲むように形成される。 - 特許庁 - The first intermediate conductive layer 541 is conducted to a first electrode 31 and the second intermediate conductive layer 542 is conducted to a second electrode 32.
第１中間導電層５４１は第１電極３１に導通し、第２中間導電層５４２は第２電極３２に導通する。 - 特許庁 - The second InP layer 15 shows a first conductivity type and is provided between the InP substrate 21 and the first InP layer 13.
第２のＩｎＰ層１５は、第１導電型を示しており、ＩｎＰ基板２１と第１のＩｎＰ層１３との間に設けられている。 - 特許庁 - A first and a second layer switches 16 and 17 are first and second layer 2 switches, communication lines 18-21 are TDM lines or analog lines, and a communication line 22 is TDM line.
１６，１７は第一，二のレイヤ２スイッチ、１８〜２１はＴＤＭ回線あるいはアナログ回線、２２はＴＤＭ回線である。 - 特許庁 - In a wire bonding area 9 of the lead frame 2, the base material plating layer 3, the first plating layer 4, and a first organic coating 5 are sequentially stacked.
リードフレーム２のワイヤーボンディングエリア９において、下地めっき層３、第１めっき層４、第一有機被膜５を順次積層する。 - 特許庁 - A gap 7 is formed between the first surface 1a of the first ceramic layer and the second surface 1c of the second ceramic layer.
第一のセラミック層の第一の表面１ａと第二のセラミック層の第二の表面１ｃとの間にギャップ７が形成されている。 - 特許庁 - The EL layer 2 includes a first electrode, a second electrode, and a light-emitting layer formed between the first electrode and the second electrode.
ＥＬ層２は、第一電極と、第二電極と、第一電極および第二電極の間に形成された発光層とを有している。 - 特許庁 - The light emitting device comprises a first conductivity type first semiconductor layer, an active region, and a second coductivity type second semiconductor layer.
発光デバイスは、第１の導電型の第１半導体層と、活性領域と、第２の導電型の第２半導体層とを含む。 - 特許庁 - The first sheet 21 and the second sheet 22 can be separated only at an interface between the first resin layer 41 and the second resin layer 42.
また、第１シート２１と第２シート２２とは、第１の樹脂層４１と第２の樹脂層４２との界面でのみ剥離することができる。 - 特許庁 - The first electrode 70 is formed on a second main surface of the first conductive clad layer 20, while the second electrode 80 is formed on the contact layer 60.
第1電極は第1導電型クラッド層の第2の主表面上に形成され、第2電極はコンタクト層上に形成されている。 - 特許庁 - A doping layer is formed on the first part and the second part of the first conductive layer and the source and the drain of the transistor are formed.
ドーピング層が、第１導電層の第１部分および第２部分の上に形成されて、トランジスタのソースおよびドレインを形成する。 - 特許庁 - A first field plate 30 on the first spacer layer and a second field plate 32 on the second spacer layer are connected to the gate.
第１のスペーサ層上の第１のフィールドプレート３０、及び第２のスペーサ層上の第２のフィールドプレート３２が、ゲートに接続される。 - 特許庁 - A plurality of mirrors 136 are joined on a second substrate 120 via a first sacrificial layer 123, and a first junction layer 124.
第１の犠牲層１２３と第１の接合層１２４を介して、第２の基板１２０上に複数のミラー部１３６を接合する。 - 特許庁 - A first diffusion layer 12 and a second diffusion layer 13 are formed so as to contact the tunnel region 15 in the first well 11.
第１ウエル１１中には、トンネル領域１５に接するように第１拡散層１２と第２拡散層１３が形成されている。 - 特許庁 - The magnetic random access memory for making the inverted magnetic field drop includes a first antiferromagnetic layer, a fixed layer formed on the first antiferromagnetic layer, a tunnel barrier layer formed on the fixed layer, a ferromagnetic free layer formed on the tunnel barrier layer, and a metal multilayer formed on the ferromagnetic free layer.
本発明に係る、反転磁場を降下させる磁気抵抗メモリは、第一反強磁性層と、第一反強磁性層上に形成される固定層と、固定層上に形成されるトンネルバリア層と、トンネルバリア層上に形成される強磁性自由層及び、強磁性自由層上に形成される多層構造金属層とを含む。 - 特許庁 - A sensor main body 31 is constituted by piling in order a first protection layer 44 consisting of a resist paste layer, an antenna film 41 consisting of PET film, a first conductor layer 42 consisting of a silver layer, a second conductor layer 43 consisting of a carbon layer, a second protection layer 45 consisting of the resist paste layer and a hot melt film 46.
センサ本体部３１は、レジストペースト層よりなる第１保護層４４と、ＰＥＴフィルムよりなるアンテナフィルム４１と、銀層よりなる第１導電体層４２と、カーボン層よりなる第２導電体層４３と、レジストペースト層よりなる第２保護層４５と、ホットメルトフィルム４６とを順次積層してなる。 - 特許庁 - (2) The optical recording medium having at least a first protective layer, a phase change recording layer, a second protective layer and a reflection layer in this order or reverse order on a substrate is provided, wherein at least one layer selected from the phase change recording layer, the first protective layer and the second protective layer is film-deposited under a reduction atmosphere.
（２）基板上に、少なくとも第１保護層、相変化記録層、第２保護層、反射層をこの順に或いは逆順に有する光記録媒体において、相変化記録層と第１保護層と第２保護層から選ばれる少なくとも１層が還元雰囲気下で成膜されている光記録媒体。 - 特許庁 - In an organic layer 21 of this white organic EL element 20, a blue luminescent layer 13, a first hole blocking layer 15a, a Dye layer 14, a second hole blocking layer 15b, a first green luminescent layer 16a, a third hole blocking layer 15c and a second green luminescent layer 16b are stacked from the side of a positive electrode.
白色有機ＥＬ素子２０の有機層２１には、陽極側から青色発光層１３、第１のホールブロッキング層１５ａ、Ｄｙｅ層１４、第２のホールブロッキング層１５ｂ、第１の緑色発光層１６ａ、第３のホールブロッキング層１５ｃ、および第２の緑色発光層１６ｂを積層する。 - 特許庁 - The first layer 4 and the third layer 6 are nitride semiconductors, having a composition in which the difference in a lattice constant to the Si substrate 1, is smaller than that of the second layer 5 and the fourth layer 7, the film thickness is larger than that of the second layer 5 and the fourth layer 7, and the first layer 4 has a larger film thickness than that of the third layer 6.
第１の層４及び第３の層６は、第２の層５及び第４の層７のいずれよりもＳｉ基板１との格子定数差が小さな組成の窒化物半導体であり、且つ、第２の層５及び第４の層７のいずれよりも膜厚が大きく、第１の層４は、第３の層６よりも膜厚が大きい。 - 特許庁 - The gas barrier film having a barrier layer containing an organic layer and an inorganic layer at least on one surface of a plastic film, wherein the barrier layer is composed of the organic layer, a first inorganic layer having a film density of 1.7 or more, and a second inorganic layer whose film density is 0.5-1.5 higher than the first inorganic layer.
プラスチックフィルムの少なくとも一方の面に有機層と無機層を含むバリア層を有するガスバリアフィルムであって、前記バリア層が、有機層、膜密度が１．７以上である第一無機層、および第一無機層よりも膜密度が０．５〜１．５高い第二無機層から構成されていることを特徴とするガスバリアフィルム。 - 特許庁 - Buffer layers 101 and 102, a first lower clad layer 103 and a second lower clad layer 104, an active layer 105, a first upper clad layer 106, an etching stop layer 107, a second upper clad layer 108, an intermediate band gap layer 109, and a cap layer 110 are laminated in this sequence on a semiconductor substrate 100.
半導体基板１００の上にバッファ層１０１、バッファ層１０２、第１下側クラッド層１０３、第２下側クラッド層１０４、活性層１０５、第１上側クラッド層１０６、エッチングストップ層１０７、第２上側クラッド層１０８、中間バンドギャップ層１０９、キャップ層１１０がこの順で積層してある。 - 特許庁 - This bending tape consists of a first film layer (a) and a second film layer (c) with an adhesive layer (b) in between: the second film layer is surfaced with a metal layer (d), and the first film layer (a) and the adhesive layer (b) can easily be released integrally from the rear of the second film layer (c).
第１のフィルム層（ａ）と、接着剤層（ｂ）を介して第２のフィルム層（ｃ）からなり、第２のフィルム層表面に金属層（ｄ）が形成され、第１のフィルム層（ａ）と接着剤層（ｂ）が一体化して第２のフィルム層（ｃ）の裏面から容易に剥離して分離できることを特徴とするフレキシブルテープである。 - 特許庁 - A first layer among the free layer and the stabilization layer has magnetization, the direction thereof is oriented in a plane of the first layer, while a second layer among two layers of the free layer and the stabilization layer has also magnetization, and direction thereof is oriented in outside of a plane of the second layer.
前記自由層および安定化層のうちの第１の層は磁化を有しており、その方向は、前記第１の層の平面内に配向されており、一方、前記自由層および安定化層のうちの２つの層の第２の層も磁化を有しており、その方向は、前記第２の層の平面外に配向されている。 - 特許庁 - The multilayered sheet 1A is provided with: an outermost layer 11 consisting of a polyolefin layer 111, a barrier layer 112 and a moisture absorbing adhesive agent layer 113; a base material layer 12 consisting of a first polyolefin layer 121, a barrier layer 122 and a second polyolefin layer 123; and an exfoliation layer 13.
多層シート１Ａは、ポリオレフィン層１１１とバリア層１１２と水分吸収接着剤層１１３とからなる最外層１１と、第一のポリオレフィン層１２１とバリア層１２２と第二のポリオレフィン層１２３とからなる基材層１２と、剥離層１３とを備えている。 - 特許庁 - An n-type clad layer 21, n-side guide layer 22, active layer 23, p-side guide layer 24, first p-type clad layer 25, etching stop layer 26, second p-type clad layer 27, low-refractive index layer 28, and contact layer 29 are sequentially laminated on a substrate 10 starting from the side of the substrate 10.
基板１０上に、ｎ型クラッド層２１、ｎ側ガイド層２２、活性層２３、ｐ側ガイド層２４、第１ｐ型クラッド層２５、エッチングストップ層２６、第２ｐ型クラッド層２７、低屈折率層２８およびコンタクト層２９が基板１０側から順に積層されている。 - 特許庁 - A lamination 20 of an MR element is structured by laminating sequentially a first soft magnetic layer 22, a second soft magnetic layer 23, a nonmagnetic layer 24, a ferromagnetic layer 25, an anti-ferromagnetic layer 26 and a protection layer 27 on an underlayer layer 21.
ＭＲ素子の積層体２０は、下地層２１の上に第１軟磁性層２２、第２軟磁性層２３、非磁性層２４、強磁性層２５、反強磁性層２６および保護層２７を順次積層することにより構成されている。 - 特許庁 - The manufacturing method of a heterojunction bipolar transistor first forms a collector contact layer 2; a collector layer 3; a base layer 4; a base protective layer 5; an emitter layer 6; an emitter contact layer 7; and a WSi layer 8 formed sequentially on a substrate 1.
本発明のヘテロ接合バイポーラトランジスタの製造方法では、まず、基板１の上に、コレクタコンタクト層２、コレクタ層３、ベース層４、ベース保護層５、エミッタ層６およびエミッタコンタクト層７、ＷＳｉ層８を順次形成する。 - 特許庁 - An n^- drift layer 2, a first gate layer (p^+ layer) 3, and a p-type source layer 4 are formed on an n^+SiC substrate 1 successively, and at the same time a second gate layer (p^+ layer) 8 is formed in a trench 6 via an n^- channel layer 7.
ｎ^+ＳｉＣ基板１の上にｎ^-ドリフト層２と第１のゲート層（ｐ^+層）３とｐ型ソース層４とが順に形成されるとともに、トレンチ６内においてｎ^-チャネル層７を介して第２のゲート層（ｐ^+層）８が形成されている。 - 特許庁 - In each layer of a first layer and a second layer of a print coil substrate of two-layer constitution, a layer having a land part and the other layer overlapping on this layer are wired by a through hole 12 to form one print coil substrate 9 combining two layers.
２層構成のプリントコイル基板の１層目，２層目の各層において、ランド部を持つ層と、この層に重なるもう一方の層とはスルーホール１２により配線され２つの層を合わせて１つのプリントコイル基板９を形成する。 - 特許庁 - A vertical magnetic recording disc 10 is equipped with an adhesion layer 12, a soft magnetic layer 13, a first base layer 14, a second base layer 15, a vertical magnetic recording layer 16, a medium protection layer 17, a lubricating layer 18 on a substrate 11 in this sequence.
垂直磁気記録ディスク１０は、基体１１上に、密着層１２、軟磁性層１３、第１下地層１４、第２下地層１５、垂直磁気記録層１６、媒体保護層１７、潤滑層１８をこの順に備える。 - 特許庁 - The first region includes first metal wiring formed in a first wiring layer on the semiconductor substrate and having a predetermined first width, second metal wiring formed in a second wiring layer above the first wiring layer and having the first width, and a first contact connecting the first metal wiring and the second metal wiring and having a second width less than or equal to the first width.
第１の領域は、半導体基板上の第１配線層に形成され、所定の第１の幅を有する第１の金属配線と、第１配線層の上層の第２配線層に形成され第１の幅を有する第２の金属配線と、第１の金属配線と第２の金属配線とを接続し、第１の幅以下の第２の幅を有する第１のコンタクトとを有する。 - 特許庁
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