「First layer」を含む例文一覧(24472)

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  • Moreover, the first release liner 31 is removed from the radio wave absorbing layer 5.
    さらに、第１の剥離ライナー３１を電波吸収体層５から剥離する。 - 特許庁
  • The first resin layer 3 has a refractive index substantially equal to that of the glass lens substrate 2.
    第１樹脂層３は、ガラスレンズ基材２と略同じ屈折率を有する。 - 特許庁
  • A first crystalline damage layer is defined within the semiconductor material of the substrate.
    第１結晶損傷層は基板の半導体材料の内部に画定される。 - 特許庁
  • The liquid crystal layer is interposed between the first and the second display substrates.
    液晶層は、第１表示基板と第２表示基板との間に介在する。 - 特許庁
  • A liquid crystal layer 13 is disposed between the first substrate and the second substrate.
    第１の基板と第２の基板の間には液晶層１３が配置される。 - 特許庁
  • The first module performs a step for coating a protective layer on the wafer before an exposure step.
    第１モジュールは、露光前にウエハ上に保護膜を塗布する工程を行う。 - 特許庁
  • A number of ruggednesses 4, 5 are formed on a surface of the first fiber layer side.
    第１繊維層側の表面には多数の凹凸４，５が形成されている。 - 特許庁
  • A first hydrogen barrier layer 5 is formed on the underside of a ferroelectric capacitor 7.
    強誘電体キャパシタ７の下側に第１の水素バリア層５を形成する。 - 特許庁
  • Thereafter, the first via and the second via are wired on the second wiring layer.
    その後、第２の配線層において第１のビアと第２のビアを配線する。 - 特許庁
  • The organic compound and the electrolyte solution compose a first gel layer.
    前記有機化合物と前記電解質溶液とが第一のゲル層を構成する。 - 特許庁
  • A first silicon carbide epitaxial layer 2 is laminated on a silicon carbide substrate 1.
    炭化珪素基板１上に第１の炭化珪素エピタキシ層２を積層する。 - 特許庁
  • The positive electrode layer has a first positive electrode and a second positive electrode.
    プラス電極層は第１のプラス電極と第２のプラス電極とを有する。 - 特許庁
  • The first layer 17 includes all of the pimples 15 and the upper part of the base 13.
    第一層１７は、ピンプル１５の全てと、ベース１３の上方部分とを含む。 - 特許庁
  • A number of ruggedness 4, 5 are formed on a surface of the first fiber layer side.
    第１繊維層側の表面には多数の凹凸４，５が形成されている。 - 特許庁
  • The first reflection layer 3a expands the reflection bandwidth of light.
    第１反射層３ａは、光の反射帯域幅を広げるためのものである。 - 特許庁
  • A first electrode 21 is provided on the second semiconductor spacer layer 19.
    第１の電極２１は、第２の半導体スペーサ層１９上に設けられる。 - 特許庁
  • On the upper electrode layer, hard mask patterns are formed lining up in a first direction.
    上部電極層の上に、第１の方向に並ぶハードマスクパターンを形成する。 - 特許庁
  • The first conductive layer 12 is formed of doped polysilicon or synchronous doped polysilicon.
    この第１導電層はドープポリシリコン或いは同期ドープポリシリコンで形成する。 - 特許庁
  • The negative electrode layer has a first negative electrode and a second negative electrode.
    マイナス電極層は第１のマイナス電極と第２のマイナス電極とを有する。 - 特許庁
  • The polymer layer 13 includes first polymer and inorganic oxide particles.
    ポリマー層１３は、第１ポリマーと第１無機酸化物粒子とを含有している。 - 特許庁
  • The porous dielectric layer is formed between the phase change memory and the first electrode.
    多孔質誘電層は、相変化層と第１電極との間に形成される。 - 特許庁
  • The reaction layer 203 includes a first electron acceptor and a redox enzyme.
    反応層２０３は、第一電子受容体と酸化還元酵素とを含んでいる。 - 特許庁
  • The alignment film 150 is formed on the pixel electrodes and the first cover layer 141.
    配向膜１５０は、画素電極と第１カバー層１４１に形成される。 - 特許庁
  • A display panel includes, a first substrate, a second substrate, a liquid crystal layer, and a seal line.
    表示パネルは、第１基板、第２基板、液晶層、及びシールラインを含む。 - 特許庁
  • The first ring 26 is interposed between the sealing layer 27 and the metal plate 14.
    第１リング２６は、シール層２７と金属板１４との間に介設されている。 - 特許庁
  • On a suspension body portion 10, a first insulating layer 41 is formed.
    サスペンション本体部１０上に、第１の絶縁層４１が形成されている。 - 特許庁
  • A metallic layer and a hole exposing a substrate are defined by a first reticle.
    第一レチクルにより、金属層と基板を露出するホールとが画定される。 - 特許庁
  • The thickness d of a first protection layer can be thinned by satisfying the inequality a>b.
    ａ＞ｂとすることにより第１の保護層の厚さｄを薄膜化できる。 - 特許庁
  • A first insulating layer 41 is formed on a suspension body portion 10.
    サスペンション本体部１０上に第１の絶縁層４１が形成されている。 - 特許庁
  • A second conductivity-type second base layer 12 is formed on the first surface.
    第２導電型の第２のベース層１２は、第１面上に形成されている。 - 特許庁
  • The second layers 7, 8, 9 cover the first layer 5 and the underlying mark 1.
    第二の層７，８，９は、第一の層５および下地マーク部１を覆っている。 - 特許庁
  • The first protective layer-formed coated optical fiber 26a is conveyed to a water tank 27.
    第１保護層形成光ファイバ心線２６ａを水槽２７に搬送する。 - 特許庁
  • The encapsulating layer has top, bottom, and first and second side surfaces.
    封止材層は、上面、底面、第１の側面、及び第２の側面を有する。 - 特許庁
  • A lower part 6a of a gate of a first conductive layer 6 is inversely tapered.
    第１の導電層６のゲート下部６ａが逆テーパ形状をなしている。 - 特許庁
  • The thickness of the first layer (10) ranges about 5-10% of the overall thickness.
    第一の層（１０）の厚みは全厚の約５％〜約１０％にわたる。 - 特許庁
  • A region of a second semiconductor layer 2d on a first insulator layer non-opening part region (A) is capable of being let grow in the lateral direction from the region of the second semiconductor layer 2d growing from a first semiconductor layer 2b within a first insulator opening part region (B).
    第１絶縁体層非開口部領域（Ａ）上の第２半導体層２ｄの領域は、第１絶縁体層開口部領域（Ｂ）内の第１半導体層２ｂから成長した第２半導体層２ｄの領域から横方向に沿って成長させることが可能である。 - 特許庁
  • In a method for manufacturing a thin film transistor, a first thick photoresist layer 123A formed using a first multi-tone mask is used as a mask to perform ion doping, and a semiconductor layer 111 is doped with phosphor through a region where the semiconductor layer 111 is exposed, and a first thin photoresist layer 123B.
    第１多階調マスクを用いて形成した第１厚フォトレジスト層１２３Ａをマスクとしてイオンドーピングを行い、半導体層１１１が露出している領域と、第１薄フォトレジスト層１２３Ｂとを透過させて半導体層１１１中にリンのドーピングを行う。 - 特許庁
  • The method of forming the conductor film pattern comprises a process of forming a first interconnection layer 20 on top of a substrate 10 for separation which is formed with a porous receptive layer 12, and a process of separating the first wiring layer 20 from the substrate 10 for separation by adhering the first wiring layer 20 to a substrate 100.
    多孔性の受容層１２が設けられた分離用基体１０の上に、第１配線層２０を形成する工程と、前記第１配線層２０を基体１００に接着させることにより分離用基体１０から分離する工程と、を含む、導電膜パターンの形成方法。 - 特許庁
  • The tunnel barrier layer 30 is formed by the method comprising a step of forming a metal layer or a nonmagnetic layer on the first ferromagnetic layer 24 and oxidizing to form a first thin film 32, and a step of forming a second thin film 34 on the first thin film 32.
    トンネルバリア層３０は、第１の強磁性層２４上に金属層もしくは非金属層を形成し、酸化処理することにより第１の薄膜３２を形成する工程と、第１の薄膜３２上に第２の薄膜３４を形成する工程とによって形成する。 - 特許庁
  • The touch panel 12 comprises an insulating substrate 17; a touch electrode 22 provided on the insulating substrate 17 and including a first conductive layer 24; the first conductive layer 24 provided on the insulating substrate 17; and a second conductive layer 26 provided on the first conductive layer 24.
    タッチパネル１２は、絶縁性基板１７と、絶縁性基板１７上に設けられ、第１導電層２４で形成されたタッチ電極２２と、絶縁性基板１７上に設けられ、第１導電層２４及び第１導電層２４上に設けられた第２導電層２６を備える。 - 特許庁
  • The method for manufacturing the organic EL display device comprises a step A of forming the lower electrode, a step B of forming the first organic compound layer, a step C of partially removing the first organic compound layer per a sub-pixel unit by using a laser beam, a step D of forming the first intermediate electrode layer, and a step E of forming the second organic compound layer.
    （Ａ）下部電極の形成工程 （Ｂ）第一有機化合物層の形成工程 （Ｃ）レーザー光を使用して第一有機化合物層を副画素単位で部分的に除去する工程 （Ｄ）第一中間電極層の形成工程 （Ｅ）第二有機化合物層の形成工程 - 特許庁
  • The pit 1 is formed of a layered body 2 having at least one first layer 3 formed by using a physical state variable material and a second layer 4 formed by using the material which is the same as the first layer 3 and is in a physical state different from that of the first layer 3.
    物理的状態が可変の材料から形成される少なくとも１つの第１の層３及び前記第１の層３を形成する材料と同じ材料だが違う物理的状態でできている第２の層４を有する積層体２からピット１が形成される。 - 特許庁
  • The organic electroluminescent includes a first electrode 2, a first functional layer 3 having at least a first organic luminescent layer, a second electrode 4, a second functional layer 5 having at least a second organic luminescent layer, and a third electrode 6, all of which are stacked on a support base 1 in sequence.
    支持基板１上に第一電極２と、少なくとも第一の有機発光層を有する第一の機能層３と、第二電極４と、少なくとも第二の有機発光層を有する第二の機能層５と、第三電極６と、を順次積層してなる有機ＥＬパネルである。 - 特許庁
  • With synchronizing with the application of the second voltage, intense light is irradiated onto the display layer of a region for displaying a first tone value in the first liquid crystal layer, and weak light is irradiated onto the display layer of a region for displaying a second tone value in the first liquid crystal layer.
    第２の電圧の印加と同期して、第１の液晶層において第１の階調値を表示させる領域に対しては強い光を表示層に照射し、第１の液晶層において第２の階調値を表示させる領域に対しては弱い光を表示層に照射する。 - 特許庁
  • The semiconductor laser is configured by a first clad layer 20, active layer 30, current-blocking part 40, second clad layer 50, contact layer 60, first ohmic electrode 70, second ohmic electrode 76, insulating film 64, first contact electrode 80, penetration electrode 90 and second contact electrode 86.
    第１クラッド層２０、活性層３０、電流ブロック部４０、第２クラッド層５０、コンタクト層６０、第１オーミック電極７０、第２オーミック電極７６、絶縁膜６４、第１コンタクト電極８０、貫通電極９０及び第２コンタクト電極８６を備えて構成される。 - 特許庁
  • A surface-emitting laser device comprises: a semiconductor part having a first semiconductor layer 11 and a second semiconductor layer 12; a first reflector 41 provided on the first semiconductor layer side of the semiconductor part; and a second reflector 42 provided on the second semiconductor layer side of the semiconductor part.
    面発光レーザ素子は、第１半導体層１１及び第２半導体層１２を有する半導体部と、半導体部の第１半導体層側に設けられた第１反射器４１と、半導体部の第２半導体層側に設けられた第２反射器４２と、を有する。 - 特許庁
  • The electrode may be the gate electrode of a transistor and may be formed on a high-k gate dielectric by depositing a first layer of conductive material, exposing that first layer to a hydrogen-containing gas, and depositing a second layer of conductive material over the first layer.
    この電極は、トランジスタのゲート電極であってもよく、導電材料の第１の層を堆積し、第１の層を水素含有ガスに露出し、第１の層に導電材料の第２の層を堆積することにより、ｈｉｇｈ−ｋゲート誘電体に形成されてもよい。 - 特許庁
  • The first layer menu screen including a background image in which a plurality of items corresponding to each menu entry of the first layer menu are located and a plurality of the second layer menu screens prepared for each menu entry of the first layer menu are displayed on a display screen.
    第１階層メニューの各メニュー項目にそれぞれ対応づけられた複数のアイテムを配置した背景画像を含む第１階層メニュー画面、および、第１階層メニューのメニュー項目毎に用意された複数の第２階層メニュー画面を表示画面上に表示する。 - 特許庁
  • Further, the nitride semiconductor light emitting device comprises: a first transparent electric conductor; and a metal layer; a second transparent electric conductor; the first electric conductivity type nitride semiconductor layer: the light emitting layer; and the second electric conductivity type nitride semiconductor layer laminated one by one on the first transparent electric conductor.
    また、第１透明導電体と、第１透明導電体上に順次積層された、金属層と、第２透明導電体と、第１導電型窒化物半導体層と、発光層と、第２導電型窒化物半導体層と、を含む、窒化物半導体発光素子である。 - 特許庁
  • This trench substrate 100a includes: a first insulation layer 120a formed with trenches 140; a second insulation layer 120b arranged under the first insulation layer 120a and low in laser processibility relative to that of the first insulation layer 120a; and a negative pattern 300 formed in the trenches 140.
    本発明のトレンチ基板１００ａは、トレンチ１４０が形成された第１絶縁層１２０ａと、第１絶縁層１２０ａの下部に配置され、第１絶縁層１２０ａに比べてレーザー加工性が低い第２絶縁層１２０ｂと、トレンチ１４０に形成された陰刻パターン３００とを含んでなる。 - 特許庁
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