「First layer」を含む例文一覧(24472)
＜前へ 1 2 .... 91 92 93 94 95 96 97 98 99 .... 489 490 次へ＞- The recording layer 15 is formed by the first constituent layer to the X-th constituent layer (X is an integer equal to 2 or more), disposed in the order in the direction of the thickness of the recording layer 15.
前記記録層１５は、第１構成層〜第Ｘ構成層（Ｘは２以上の整数）を、前記記録層１５の厚み方向に順に配置することによって形成されている。 - 特許庁 - A second fiber layer 41 formed with a fluid absorptive core material 4 abuts the bottom surface of the first fiber layer 13 and a third fiber layer 42 abuts the bottom surface of the second fiber layer 41.
第１繊維層１３の下面には吸液性芯材４を形成する第２繊維層４１が当接し、第２繊維層４１の下面には第３繊維層４２が当接する。 - 特許庁 - A removal process for allowing a portion of the first metal layer and the second metal layer 14 to remain on the semiconductor layer 12 and, on the other hand, removing the other portion from the semiconductor layer 12 is carried out.
そして、第１および第２金属層１４の一部分を半導体層１２上に残存させる一方、他の部分を半導体層１２上から除去する除去工程を実施する。 - 特許庁 - The liquid crystal device has a reflection layer 11, insulating film 12, color filter layer 13 and transparent electrode layer 15 on at least a first substrate 10 facing a liquid crystal layer 50.
液晶装置は、少なくとも第１基板（１０）上の液晶層（５０）に面する側に、反射層（１１）、絶縁膜（１２）、カラーフィルタ層（１３）及び透明電極層（１５）を備える。 - 特許庁 - The second insulator layer 28 is provided to cover the metallic layer 26e and the first insulator layer 4a, and the resistor 34 is provided on the second insulator layer 28.
第２絶縁体層２８は、金属層２６ｅ及び第１絶縁体層４ａを覆うように設けられており、抵抗体３４は、第２絶縁体層２８上に設けられている。 - 特許庁 - The display device includes a second insulating layer 408 between the active layer 409 and the first insulating layer 404, the second insulating layer having a hydrogen content of less than 3×10^21 (atoms/cm^3).
活性層４０９と第１の絶縁層４０４との間に、含有水素量が３×１０^２１（ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３）未満である第２の絶縁層４０８を有する。 - 特許庁 - The optical waveguide 120 has a structure, wherein a lower clad layer 130, a core layer 140, a first upper clad layer 150 and a second upper clad layer 160 are laminated in this order.
光導波路１２０は，下部クラッド層１３０とコア層１４０と第１上部クラッド層１５０と第２上部クラッド層１６０とが順次積層された構成となっている。 - 特許庁 - A thickness of the lower buried layer is determined so that the lower buried layer contacts the end of the first clad layer but does not contact the end of the second active layer at both the sides of the mesa structure of the optical amplifier.
光増幅器のメサ構造の両側においては、下部埋込層が第１のクラッド層の端面に接するが第２の活性層の端面には接しない厚さとされている。 - 特許庁 - The melting temperature of the first PP layer 2a is higher than that of the second PP layer 2b, and the melting temperature of the second PP layer 2b is higher than that of the PE layer 2c.
第二のＰＰ層２ｂよりも第一のＰＰ層２ａの溶融温度が高く、かつ、ＰＥ層２ｃの溶融温度よりも第二のＰＰ層２ｂの溶融温度が高くなるようにしてある。 - 特許庁 - This thin-film solar cell 10 is provided with a substrate 11, a conductive layer 12, a second semiconductor layer 13, a first semiconductor layer 14, a window layer 15 and a transparent conductive film 16.
本発明の薄膜太陽電池１０は、基板１１、導電層１２、第２の半導体層１３、第１の半導体層１４、窓層１５および透明導電膜１６を備えている。 - 特許庁 - In the organic EL device 1, a low refractive index layer 2, a functional layer 3, a transparent first electrode 4, a hole injection layer 7, a light-emitting layer 5 and a second electrode 6 are laminated in this order in contacting states.
有機ＥＬ素子１は、低屈折率層２、機能層３、透明な第１電極４、正孔注入層７、発光層５、および第２電極６がこの順に接して積層される。 - 特許庁 - The first lamination part 110 includes a block insulating layer 113, a charge storage layer 114, and an n-type semiconductor layer 116 formed in contact with a sidewall of a tunnel insulating layer 115.
第１積層部１１０は、ブロック絶縁層１１３、電荷蓄積層１１４、及びトンネル絶縁層１１５の側壁の側壁に接して設けられたｎ−型半導体層１１６を備える。 - 特許庁 - A lid plate 13 is successively constituted of a first base material layer 13a, a strong self-adhesive layer 13b, a second base material layer 13c and a weak self-adhesive layer 13d from its surface side.
蓋板１３を、蓋板１３の表面側から順に第１基材層１３ａ、強粘着層１３ｂ、第２基材層１３ｃ、弱粘着層１３ｄという構成にする。 - 特許庁 - Relating to the refractive indices of the respective layers of the films 13, that of the second layer 13b is highest and those of the first layer 13a and the third layer 13c are lower than the refractive index of the second layer 13b.
また、光学多層膜１３における各層の屈折率は、第２層１３ｂが最も高く、第１層１３ａ及び第３層１３ｃが第２層１３ｂの屈折率よりも低い。 - 特許庁 - The light emitting device 100 includes a support part 120, a first clad layer 104, an active layer 106, a second clad layer 108, and a reflective part 140 formed separate from the active layer.
発光装置１００は、支持部１２０と、第１クラッド層１０４と、活性層１０６と、第２クラッド層１０８と、活性層と離間して形成された反射部１４０と、を含む。 - 特許庁 - The intermediate layer 15 has a two-layer structure where a first resin layer 3 and a second resin layer 5 having a Tg of 150°C or higher are sequentially stacked from the light incidence side.
また、中間層１５は、第１の樹脂層３及び１５０℃以上のＴｇを有する第２の樹脂層５が光入射側から順に積層された２層構造を有している。 - 特許庁 - This processed food as an unsticky sweet potato processed food 1 has sweet potato 11 as a vegetable material, a honey layer 21 as a first coating layer and a ground sesame layer 31 as a second coating layer.
本発明のべたつかないイモ加工食品１は、植物性素材であるサツマイモ１１、第１被覆層としての蜂蜜層２１、第２被覆層としての擂りゴマ層３１を有する。 - 特許庁 - Further, in the optical resonator 3, a first auxiliary active layer 7 is provided in the vicinity of the lower reflective layer 4 and a second auxiliary active layer 8 is provided in the vicinity of the upper reflective layer 5.
また、光共振器３には、下部反射層４の近傍に第１の副活性層７を設けると共に、上部反射層５の近傍に第２の副活性層８を設ける。 - 特許庁 - The laser module 20 includes a photonic crystal laser element 1 comprising a substrate, a first conductivity type clad layer, a light-emitting layer, a second conductivity type clad layer, and a photonic crystal layer.
レーザモジュール２０は、基板と、第１導電型のクラッド層と、発光層と、第２導電型のクラッド層と、フォトニック結晶層とを含むフォトニック結晶レーザ素子１を備えている。 - 特許庁 - The elapsed image is created by using first layer meshes 61x and 61y, second layer meshes 62x and 62y, third layer meshes 63x and 63y and fourth layer meshes 64x and 64y.
経過画像は、第１層メッシュ６１ｘ、６１ｙと、第２層メッシュ６２ｘ、６２ｙと、第３層メッシュ６３ｘ、６３ｙ、第４層メッシュ６４ｘ、６４ｙを用いて作成する。 - 特許庁 - In the multilayer wiring board 3 for mounting high-frequency chips, an intermediate layer 5 is stacked under a surface layer 4, and a first ground surface 6a is formed in the ground layer 6 of the intermediate layer 5.
この高周波チップ搭載用多層配線板３は、表面層４の下方に中間層５を積層させ、中間層５のグランド層６に第１のグランド面６ａが形成される。 - 特許庁 - A solar battery layer 24 comprising a first electrode layer 11, a semiconductor layer 13, and a second electrode layer 12, is provided with opening domains 25A and 25B with an opening part 17 formable therein.
第１電極層１１、半導体層１３および第２電極層１２から成る太陽電池層２４に、開口部１７が形成可能な開口領域２５Ａ、２５Ｂを設ける。 - 特許庁 - The menu has a layered structure including a fist layer through a third layer, and at least each menu of the first layer and second layer is a seamless menu in which a forefront menu and a tail menu are connected.
また、メニューを第１〜第３の階層構造とし、すくなくとも第１，第２階層の各メニューは、先頭のメニューと後尾のメニューとが接続されたシームレスなメニューとする。 - 特許庁 - A sealing frame member 11 is constituted of a two-layer silicon elastomer layer composed of a first layer 11a coming into contact with a substrate which mounts a semiconductor chip and a second layer 11b laminated thereon.
封止枠部材11は半導体チップを実装する基板に接する第１層11ａと、その上に積層された第２層11ｂとの２層のシリコーンエラストマー層により構成されている。 - 特許庁 - A printed wiring board 101 is configured by laminating a power supply layer 11, a ground layer 12, a first signal wiring layer 13, and a second signal wiring layer 14 with insulation layers interposed therebetween.
プリント配線板１０１は、電源層１１、グラウンド層１２、第一の信号配線層１３、及び第二の信号配線層１４が絶縁層を介して積層されて構成されている。 - 特許庁 - A p-second clad layer 7 and a p-contact layer 8 are successively formed on the n-current block layer 6 and the p-first clad layer 5 within the opening part 20.
ｎ−電流ブロック層６上およびストライプ状開口部２０内のｐ−第１クラッド層５上にはｐ−第２クラッド層７およびｐ−コンタクト層８が順に形成される。 - 特許庁 - The first p-type group III nitride semiconductor layer 27 is composed of an InAlGaN layer, and the second p-type group III nitride semiconductor layer 29 is composed of a semiconductor different from a material of the InAlGaN layer.
第１ｐ型III族窒化物半導体層２７はＩｎＡｌＧａＮ層からなり、第２ｐ型III族窒化物半導体層２９は該ＩｎＡｌＧａＮ層と異なる半導体からなる。 - 特許庁 - The hose 10 for refrigerant transportation has a four-layered structure and is obtained by laminating a fluororesin layer 1, a first rubber layer 2, a brass plated wire layer 3, and a second rubber layer 4 in the order named from the inner side.
冷媒輸送用ホース１０は４層構造になっており、内側からフッ素樹脂層１、第１のゴム層２、ブラスメッキワイヤ層３及び第２のゴム層４の順に積層されている。 - 特許庁 - The intermediate layer 14A is applied to the organic electric device having a layer constitution of laminating two members of a first organic compound layer and a second organic compound layer, without being limited to an organic transistor.
本中間層１４Ａは、有機トランジスタに限られず、第１有機化合物層と第２有機化合物層の２者を積層する層構成を持つ有機電気デバイスに適用される。 - 特許庁 - A first photosensitive insulation resin layer 5 is formed on one side of a metallization layer 1, while a second photosensitive insulation resin layer 6 is formed on the other side of the metallization layer 1.
金属層１上の片方の面に第一の感光性絶縁樹脂層５を形成し、金属層１のもう片方の面に第二の感光性絶縁樹脂層６を形成する。 - 特許庁 - The point source light emitting diode comprises a substrate 100, an epitaxial structure 102, a first electrode layer 104, an insulating layer 108, a bonding layer 112, a contact layer 110, and a coupling bridge 114.
点光源発光ダイオードは、基板１００、エピタキシャル構造１０２、第１の電極層１０４、絶縁層１０８、ボンディング層１１２、コンタクト層１１０および連結ブリッジ１１４を備える。 - 特許庁 - There is formed on a growth surface 11A a two-layer structure type mask layer comprising a first layer 21A made of silicon dioxide and a second layer 21B made of silicon nitride having an etching resistance against hydrofluoric acid.
成長面１１Ａ上に、二酸化シリコンよりなる第１層２１Ａとフッ酸に対する耐エッチング性を有する窒化シリコンよりなる第２層２１Ｂとの２層構造のマスク層を形成する。 - 特許庁 - The spacer layer 40 is formed in a region at the lower side of the gate electrode 80 and is provided with a first spacer layer 41 that is larger in a band gap than any of the channel layer 30 and barrier layer 50.
スペーサ層４０は、ゲート電極８０の下側の領域に形成され、チャネル層３０およびバリア層５０のいずれよりもバンドギャップが大きい第１のスペーサ層４１を備える。 - 特許庁 - In a circuit portion 11, a capacitor electrode 150 formed from a silicon layer 261 and a first metallic layer on the silicon layer 261 while sandwiching a gate insulating layer 282 is provided under a pixel display unit 26.
回路部１１内に、画素表示部２６の下方に、シリコン層２６１とその上にゲート絶縁層２８２を挟んで第１金属層により形成したコンデンサ電極１５０を設ける。 - 特許庁 - The layer structure LS includes an antireflection film 2, an n-type (first conduction type) high concentration carrier layer 3, an n-type optical absorption layer 5 and an n-type cap layer 7, which are sequentially laminated.
層構造体ＬＳは、順次積層された、反射防止膜２、ｎ型（第一導電型）の高濃度キャリア層３、ｎ型の光吸収層５及びｎ型のキャップ層７を含む。 - 特許庁 - The memory device has a structure of a field effect transistor wherein a semiconductor layer 1, first charge barrier layer 2, charge accumulation layer 3, second charge barrier layer 4, and gate electrode 4 are stacked in this order.
半導体層１、第１の電荷障壁層２、電荷蓄積層３、第２の電荷障壁層４、および、ゲート電極４を順次積層した電界効果トランジスタ構造とする。 - 特許庁 - The spin accumulation magnetic sensor includes a pinned layer 5A provided on a first area of a nonmagnetic layer 2 and a free layer 5B provided on a second area of the nonmagnetic layer 2.
このスピン蓄積型磁気センサは、非磁性層２の第１領域上に設けられたピンド層５Ａと、非磁性層２の第２領域上に設けられたフリー層５Ｂとを備えている。 - 特許庁 - The lenticular lens sheet 20 of the transmission type screen 10 includes a lenticular lens layer 29, a light shield layer 23, a first diffusion layer 24, a translucent substrate 25, and a second diffusion layer 26.
この透過型スクリーン１０のレンチキュラーレンズシート２０は、レンチキュラーレンズ層２９と、遮光層２３と、第１拡散層２４と、透光性基板２５と、第２拡散層２６とを備える。 - 特許庁 - The optical fiber 5 is communicated from a first wiring layer to a second wiring layer through the cut-out portion 2a, and from the second wiring layer to the third wiring layer through the cut-out portion 3a.
光ファイバ５を、切り欠き２ａを通して第１配線層から第２配線層へ連絡し、切り欠き３ａを通して、第２配線層から第３配線層へ連絡する。 - 特許庁 - In another embodiment, the substrate 22 is eliminated, and the alumina layer 57 and the aluminum layer 55 are directly formed on the lower face of the first-conductivity-type cladding layer 44 with a glass layer 61.
他の実施の形態では、前記基板２２を除き、第１導電型クラッド層４４の下面に直接前記アルミナ層５７とアルミニウム層５５をガラス層６１と共に形成することもできる。 - 特許庁 - An angle θ1, which is the angle between an edge section of the first wiring layer and a bottom layer surface, is made larger than an angle θ2, which is the angle formed by the edge section in the second wiring layer and the bottom layer surface.
第１配線層におけるエッジ部の下層面とのなす角度θ１が、第２配線層における下層面とのなす角度θ２より大きいことを特徴とする。 - 特許庁 - A protective layer 24 (first insulating layer) is provided on the redistribution layer 22, and includes openings so that external connection pads P of the redistribution layer 22 are exposed.
再配線層２２上には保護層２４（第１絶縁層）が設けられており、再配線層２２における外部接続用パッドＰの部分が露呈するように開口が設けられている。 - 特許庁 - First, the barrier layer 81 is formed by extruding the fluorocarbon onto the outer periphery 800 of the inner layer 80 and the hose base body 83 having the inner layer 80 and the barrier layer 81 is made.
まず、内層８０の外周面８００にフッ素樹脂を押出成形してバリア層８１を形成し、内層８０とバリア層８１とを有するホース基体８３を作製する。 - 特許庁 - In a mask blanks 1 having a hard mask layer 3 on a substrate 2, the hard mask layer 1 includes a lamination structure where a first layer 5 and a second layer 6 are arranged from the substrate 2 side.
基板２上にハードマスク層３を有するマスクブランクス１において、前記ハードマスク層１は、前記基板２の側から第一層５と第二層６とが配される積層構造を有する。 - 特許庁 - The solid electrolytic capacitor includes an anode body 1, an anode lead-out layer 2, a dielectric layer 3, a first electrolyte layer 4, an electric insulation part 61, and a cathode layer 5.
本発明に係る固体電解コンデンサは、陽極体１、陽極引出し層２、誘電体層３、第１電解質層４、電気絶縁部６１、及び陰極層５を備えている。 - 特許庁 - A second conducting layer pattern 32 is formed so that the whole overlaps with the first conducting layer pattern 24 by etching the second conducting layer 26 with the metal layer 30 as a mask.
金属層３０をマスクとして第２の導電膜２６をエッチングして、全体が第１の導電膜パターン２４とオーバーラップするように第２の導電膜パターン３２を形成する。 - 特許庁 - Also, the layer is provided with a second intermediate layer 6b of non-granular structure of Ru metal film or Ru group alloy film is provided between a soft magnetic backlining layer 4 and the first intermediate layer 6a.
また、軟磁性裏打層４と第１の中間層６ａとの間に、Ｒｕ金属膜あるいはＲｕ系合金膜の非グラニュラー構造の第２の中間層６ｂを備えるようにした。 - 特許庁 - The forming method is repeated to form a first layer 6a, a second layer 6b and a third layer 6c of the pattern layer 6 to produce a mold precursor 7 with the fine pattern formed thereon.
前記の形成方法にて繰り返し、一層目６ａ、二層目６ｂ、三層目６ｃとパターン層６の形成を行い、微細パターンを形成した金型原版７を作製した。 - 特許庁 - A second insulating layer 42 is formed on the first insulating layer 41 so as to cover the wiring patterns W1, R1, and a third insulating layer 43 is formed on the second insulating layer 42.
第１の絶縁層４１上に配線パターンＷ１，Ｒ１を覆うように第２の絶縁層４２が形成され、第２の絶縁層４２上に第３の絶縁層４３が形成される。 - 特許庁 - The cap layer of the first infrared ray absorbing layer 54a is formed from Al_0.15Ga_0.85As, and the cap layer of the second infrared ray absorbing layer 54b is formed from Al_0.2Ga_0.8As.
また、第１の赤外線吸収層５４ａのキャップ層はＡｌ_0.15Ｇａ_0.85Ａｓにより形成され、第２の赤外線吸収層５４ｂのキャップ層はＡｌ_0.2Ｇａ_0.8Ａｓにより形成されている。 - 特許庁
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