「First layer」を含む例文一覧(24472)
＜前へ 1 2 .... 94 95 96 97 98 99 100 101 102 .... 489 490 次へ＞- A portion formed on an auxiliary electrode 14 of the first organic layer 16A and a second organic layer 16B is removed selectively by irradiating a laser beam LB on a first organic layer 16A.
第１の有機層１６Ａにレーザ光ＬＢを照射することにより、第１の有機層１６Ａと第２の有機層１６Ｂとの補助電極１４上に形成された部分を選択的に除去する。 - 特許庁 - A second polysilicon layer 109 which serves as a floating gate electrode with first polysilicon layer 103 is formed on the element isolation region 108 of the first polysilicon layer 103 and the STI structure.
第１ポリシリコン層１０３及びＳＴＩ構造の素子分離領域１０８上には、第１ポリシリコン層１０３と共に浮遊ゲート電極となる第２ポリシリコン層１０９が形成されている。 - 特許庁 - The first copper metallization is formed in the dielectric layer on a semiconductor substrate, where a barrier metallic layer is formed under the first copper metallization and above the dielectric layer.
最初の銅メタライゼーションを半導体基板上の誘電体層中に形成し、ここで、バリヤー金属層が上記最初の銅メタライゼーションの下に、そして上記誘電体層の上に、形成される。 - 特許庁 - The first conductivity type nitride semiconductor layer 11 is, for instance, formed by a p-type nitride semiconductor layer, and the first electrode 21 is a p-electrode which contacts the p-type nitride semiconductor layer.
第１の導電型の窒化物半導体層１１は例えばｐ型窒化物半導体層から形成され、第１の電極２１はｐ型窒化物半導体層と接するｐ電極とすることができる。 - 特許庁 - A first adhesive layer 12a having a second size d2 smaller than the first size d1 is formed on the nitride semiconductor layer 11, and a second adhesive layer 12b is formed on a second substrate 32.
窒化物半導体層１１上に第１のサイズｄ１より小さい第２のサイズｄ２を有する第１接着層１２ａを形成し、第２基板３２上に第２接着層１２ｂ形成する。 - 特許庁 - The MOS device comprises a first conduction-type semiconductor layer and second conduction-type first and second source/drain regions, which are formed in the semiconductor layer closely to an upper face of the semiconductor layer.
ＭＯＳデバイスは、第１の伝導型の半導体層と、半導体層の上面に近接して半導体層中に形成された第２の伝導型の第１および第２のソース／ドレイン領域とを含む。 - 特許庁 - This LED structure includes a substrate having a surface and a cylindrical photonic crystal, a first doping semiconductor layer, a first electrode, a light emitting layer, a second doping semiconductor layer and a second electrode.
このＬＥＤ構造は、表面と円筒形フォトニック結晶とを有する基板と、第1型ドーピング半導体層と、第１電極と、発光層と、第2型ドーピング半導体層と、第2電極と、を備えている。 - 特許庁 - A face of the first electrode in contact with the second semiconductor layer and a face of the second electrode in contact with the first semiconductor layer and the second semiconductor layer are formed from the same metal material.
第１の電極の、第２の半導体層に接する面と、第２の電極の、第１の半導体層及び第２の半導体層に接する面とが、同一の金属材料で形成されている。 - 特許庁 - Moreover, the thickness of the second metal layer 5 is 20% of that of the first metal layer 3 or larger, and they are provided with a resin sealant that encloses at least the heating element and the first metal layer 3.
さらに、第２金属層５の厚みが第１金属層３の厚みの２０％以上であり、少なくとも前記発熱素子及び第１金属層を取り囲む樹脂封止体を備えている。 - 特許庁 - The reference layer (912 and 912') includes a dielectric layer (914), first and second conductors (20 and 22) separated by the dielectric layer (914), and a ferromagnetic cladding (912a, 912b, 912a', and 912b') on the first and second conductors (20 and 22).
基準層(912、912’)は、誘電体層(914)と、その誘電体層(914)によって分離される第１および第２の導体(20と22)と、その第１および第２の導体(20、22)上の強磁性被覆(912a、912b、912a’、912b’)とを含む。 - 特許庁 - A semiconductor device forms a first resist pattern by exposure using a fist multi-gradation photomask (gray-tone or half-tone mask), and etches a first conductive layer, a first insulating layer, and first and second semiconductor layers, and forms an island-shaped single layer and an island-shaped laminate.
第１の多階調フォトマスク（グレートーンマスクまたはハーフトーンマスク）を用いた露光により第１のレジストパターンを形成し、第１の導電層、第１の絶縁層、第１の半導体層及び第２の半導体層をエッチングし、島状の単層および島状の積層を形成する。 - 特許庁 - A first resin layer 10 is formed on a substrate 30 where the first wiring pattern including a mounting land 11c is formed, the second wiring patterns 21a to 21c are formed on the first resin layer, and an opening 15 is formed in the first resin layer to expose the mounting land 11c.
実装ランド１１ｃを含む第１配線パターンが形成された基板３０の上に第１の樹脂層１０を形成し、第１の樹脂層上に第２配線パターン２１ａ〜２１ｃを形成し、第１の樹脂層に開口部１５を形成し、実装ランド１１ｃを露出させる。 - 特許庁 - A first substrate layer 13A including a catalyst material for electroless plating treatment is formed in a first region D1 and a second region D2 on a substrate 11, and thereafter, a second substrate layer 13B is formed in a region corresponding to the first region D1 on the first substrate layer 13A.
基板１１上の第１領域Ｄ１および第２領域Ｄ２に、無電解めっき処理の触媒材料を含む第１下地層１３Ａを形成したのち、この第１下地層１３Ａ上の第１領域Ｄ１に対応する領域に第２下地層１３Ｂを形成する。 - 特許庁 - The light emitting element includes a group III nitride compound semiconductor laminate structure including a light emitting layer emitting first light, the phosphor layer excited by the first light to perform conversion into second light having a longer wavelength than the first light, and a reflecting layer reflecting the first light and second light.
第１の光を発光する発光層を含むＩＩＩ族窒化物化合物半導体積層構造と、第１の光に励起されて、第１の光より長波長の第２の光に変換する蛍光体層と、第１の光と第２の光を反射する反射層とを有する。 - 特許庁 - The filter with the catalyst has a carrier (51), on which a first alkali metal having a low reactivity with the carrier is supported as a first layer (54) and a second alkali metal having a higher reactivity with the carrier than the first alkali metal is supported on the first layer as a second layer (55).
触媒付きフィルタは担体（５１）を備え、この担体上に、担体との反応性の低い第１アルカリ金属が第一層（５４）として担持され、また、第一層上に、第１アルカリ金属よりも担体との反応性の高い第２アルカリ金属が第二層（５５）として担持される。 - 特許庁 - The first organic pigment 42R is contained in the first pigment layer 40R and the first organic pigment 42R in the first pigment layer 40R can be translated and diffused to a polymeric luminous layer 32 by heating with a laser beam 50 selectively.
第１の有機色素４２Ｒは第１の有機層４０Ｒに含まれ、第１の有機層４０Ｒを選択的にレーザ光５０で加熱することにより、第１の色素層４０Ｒの第１の有機色素４２Ｒを高分子発光層３２に移行拡散させることができる。 - 特許庁 - In this production method of the integrated circuit, the step parts in the integrated circuit are reduced by providing a step for sticking a first conductive material layer 14 on a first inductive material layer 12 and a step for forming a first conductive pattern 15 by patterning the first conductive material layer 14.
第一の導電材料層１４を第一の誘電材料層１２の上に付着するステップと、第一の導電材料層１４をパターン化して第一の導電性パターン１５を形成するステップとを備える、集積回路中の段部を少なくする、集積回路の製造方法である。 - 特許庁 - A first molybdenum layer 3a is formed on a surface of a glass substrate 2 in a first atmosphere containing a predetermined amount of oxygen, and a second molybdenum layer 3b is formed on the surface of the first molybdenum layer 3a in a second atmosphere low in content percentage of oxygen relative to that of the first atmosphere.
所定量の酸素を含有する第１の雰囲気中で、ガラス基板２の表面に第１のモリブデン層３ａを成膜し、第１の雰囲気よりも酸素の含有率が低い第２の雰囲気中で、第１のモリブデン層３ａの表面に第２のモリブデン層３ｂを成膜する。 - 特許庁 - This label/sheet-like non-contact data carrier has a base material layer having a first main face and the second main face opposed to the first main face, penetrated from a second main face to the first main face, and formed with a cut line without reaching an outer edge, and an adhesive material layer provided on the first main face of the base material layer.
第１の主面と該第１の主面に対向する第２の主面とを有し、該第２の主面から該第１の主面に貫通して、外縁に達せず切れ目が形成された基材層と、基材層の第１の主面上に設けられた粘着材層とを具備する。 - 特許庁 - The first intake port is constructed to make fluid through the first intake port form a first layer (191) near a spark plug (17), and the second intake port is constructed to make fluid through the second intake port form a second layer (192) around the first layer.
ここで、第１吸気ポートは、第１吸気ポートを介する流体が点火プラグ（１７）の近傍に第１層（１９１）を形成するように構成され、第２吸気ポートは、第２吸気ポートを介する流体が第１層の周囲に第２層（１９２）を形成するように構成されている。 - 特許庁 - A first layer 14, which is a first resistor metal of thickness between 50 Å and 2 μm, is arranged on the interlayer 18, and further a second layer 16, which is a second resistor metal of thickness between 50 Å and 2 μm, is arranged on the first layer 14, which is the first resistor metal.
５０Åと２μｍの間の厚さの第一抵抗金属である第一の層１４を中間層１８上に配置して、さらに５０Åと２μｍの間の厚さの第二抵抗金属である第二の層１６を第一抵抗金属である第一の層１４上に配置する。 - 特許庁 - The semiconductor device has a first interconnect 12 formed in a first insulating layer 10, and a second interconnect 22 formed in a second insulating layer 20 which is formed on the first insulating layer 10 and the first interconnect 12.
本発明にかかる半導体装置は、第１の絶縁層１０内に形成されている第１の配線１２と、第１の絶縁層１０および第１の配線１２上に形成されている第２の絶縁層２０内に形成されている第２の配線１２とを有する半導体装置である。 - 特許庁 - The present disclosure concerns a multilevel magnetic element comprising a first tunnel barrier layer between a soft ferromagnetic layer having a magnetization that can be freely aligned and a first hard ferromagnetic layer having a magnetization that is fixed at a first high temperature threshold and can be freely aligned at a first low temperature threshold.
本発明は、自由に整列させることができる磁化を有する軟強磁性層と、第１の高温しきい値では固定され、第１の低温しきい値では自由に整列可能な磁化を有する第１の硬強磁性層との間に第１のトンネル障壁層を備えるマルチレベル磁気素子に関する。 - 特許庁 - The electrode layer 7 is provided with a 1st layer 7a arranged so as to overlap with a part of upper surface of the MR element 5 through a protecting layer and a second layer 7b arranged so as to partially overlap with this first layer 7a.
電極層７は、保護層を介してＭＲ素子５の上面の一部に重なるように配置された第１層７ａと、この第１層７ａに部分的に重なるように配置された第２層７ｂとを有している。 - 特許庁 - The adhesive layer 14 has a structure sequentially laminating a first adhesion layer with a high adhesive property with the electrolyte membrane 11, a barrier layer, a strength retaining layer, and a second adhesion layer with a high adhesive property with the connection member 20.
接着層１４は、電解質膜１１との接着性の高い第１密着層，バリア層，強度保持層および接続部材２０との接着性の高い第２密着層を順に積層した構成とする。 - 特許庁 - In the capacitor, a first buffer layer 31, a second buffer layer 32 and a main electrode layer 33 are formed on both principal planes of a dielectric board 30 in order from a lower layer by a dry film layer formation method such as sputtering.
整合用コンデンサは、誘電体基板３０の両主面に下層から第１緩衝層３１、第２緩衝層３２及び主電極層３３がスパッタリング等の乾式薄膜形成法によって形成されている。 - 特許庁 - To transit a third optical transmission layer deposited on a stripping layer of a substrate for transfer via a second optical transmission layer by a transparent adhesive agent on a first optical transmission layer deposited on a signal layer of a disk substrate.
ディスク基板の信号層上に成膜した第１光透過層上に、透明接着剤による第２光透過層を介して転写用基板の剥離層上に成膜した第３光透過層を移行させる。 - 特許庁 - In an infrared laser region; a lower side clad layer 12, an active layer 13, a first upper side clad layer 14, an etching stop layer 15, and a second upper side layer 16 that is to be a ridge section, are sequentially laminated on the substrate 10.
赤外レーザ領域においては、基板１０上に下側クラッド層１２、活性層１３、第１上側クラッド層１４、エッチングストップ層１５、及びリッジ部となる第２上側クラッド層１６が順次積層されている。 - 特許庁 - The organic light-emitting element includes a first electrode, positive-hole injection layer, positive-hole transportation layer, light-emitting layer, and a second electrode, wherein the thickness ratio of the positive-hole injection layer to the positive-hole transportation layer is between 1:1 and 1:10.
有機発光素子は，第１電極，正孔注入層，正孔輸送層，発光層および第２電極を含み，正孔注入層と正孔輸送層の厚さ比が１：１〜１：１０であることを特徴とする。 - 特許庁 - Heat generated from the semiconductor element 3 is efficiently transferred to the first heat transfer layer 4, the second heat transfer layer 5, and the third heat transfer layer 6 to be radiated to the exterior from the third heat transfer layer 6 exposed from the resin layer 7.
半導体素子３で発生した熱は、第１伝熱層４、第２伝熱層５、第３伝熱層６へと効率的に伝熱され、樹脂層７から表出する第３伝熱層６から外部へと放熱される。 - 特許庁 - A (first) nickel iron layer 13, a (second) antiferromagnetic layer 14, a nonmagnetic layer 31, a (second) nickel iron layer 32, and a read layer 15 are sequentially laminated on both sides of a spin valve structure 10 while keeping in contact with a side slope 10S.
スピンバルブ構造１０の両側に、側斜面１０Ｓに接するように、（第１の）ニッケル鉄層１３、（第２の）反強磁性層１４、非磁性層３１、（第２の）ニッケル鉄層３２およびリード層１５を順次設ける。 - 特許庁 - In a manufacturing method for the near-field light generating element 16, first, a polishing stop layer is formed on a metal layer, and the polishing stop layer and the metal layer are etched so that the slope 16b is formed on the metal layer.
近接場光発生素子１６の製造方法では、まず、金属層の上に研磨停止層を形成し、金属層に斜面１６ｂが形成されるように研磨停止層および金属層をエッチングする。 - 特許庁 - The method comprises steps of forming a recessed portion 4A in the usual way by forming a photoresist layer 3 on a first electrode layer 2 of a substrate 1; and forming a light-emitting layer by laminating a buffer layer 7A, an organic phosphor layer 8A or the like in the recessed portion 4A.
基板１の第１電極層２上に、フォトレジスト層３を設け、常法により凹部４Ａを形成し、凹部４Ａ内に、バッファー層７Ａ、有機蛍光体層８Ａ等を積層して発光層を形成した。 - 特許庁 - This device comprises a first N-type epitaxial growth layer 112 on an N-type substrate 110, a P-type embedded layer 14 on the upper part of the layer 112 and further a second N-type epitaxial growth layer 116 over the l layer 114.
Ｎ型基板１１０上に第１のＮ−型エピタキシャル成長層１１２を有し、この上層にＰ型埋め込み層１１４を有し、その上層に第２のＮ−型エピタキシャル成長層１１６を有する。 - 特許庁 - The transfer paper 1 is formed by laminating a lame-containing cover layer 3 on one surface of a base sheet 2, and laminating an adhesive agent containing ink accepting layer 4 comprising a second layer 4b and a first layer 4a on the lame-containing cover layer 3.
転写紙（１）は、ベースシート（２）の片面にラメ入りカバー層（３）を積層し、ラメ入りカバー層（３）の上に第２層（４ｂ）と第１層（４ａ）とからなる接着剤含有インク受容層（４）を積層してなる。 - 特許庁 - An eyeglass lens 10 is obtained by layering a first primer layer 101, a hard coat layer 102, an organic antireflection layer 103, a second primer layer 104 and the antifouling layer 105 in this order on the surface of a lens base material 100.
眼鏡レンズ１０は、レンズ基材１００の表面に、第一のプライマー層１０１、ハードコート層１０２、有機系反射防止層１０３、第二のプライマー層１０４、防汚層１０５が順に積層されている。 - 特許庁 - An SOG (spin-on-glass) layer to be a first hard mask layer and a CVD formation silicon oxide film layer to be a second hard mask layer are successively laminated on a polysilicon layer, and the gate electrode of the polysilicon is patterned by etching.
ポリシリコン層上に第１のハードマスク層としてＳＯＧ（スピンオングラス）層を、その上に第２のハードマスク層としてＣＶＤ形成シリコン酸化膜層を積層して、エッチングによりポリシリコンのゲート電極のパターニングを行う。 - 特許庁 - A tunnel dielectric layer 210, a charge capture layer 230, a first length setting layer 310 and a second length setting layer 330 for localizing the charge capture layer 230 are formed in order on a semiconductor substrate 100.
半導体基板１００上にトンネル誘電層２１０、電荷捕獲層２３０、電荷捕獲層２３０を局部化するための第１長さ設定層３１０及び第２長さ設定層３３０を順に形成する。 - 特許庁 - The semiconductor laser element 1 has a first conductivity clad layer 13, a second conductivity clad layer 17, and a quantum well active layer 15 sandwitched by the layer 13 and the layer 17.
半導体レーザ素子１は、第１導電型クラッド層１３と、第２導電型クラッド層１７と、第１導電型クラッド層１３と第２導電型クラッド層１７とに挟まれた量子井戸活性層１５とを有している。 - 特許庁 - The spacer layer 16 has a main spacer layer 16b containing gallium oxide as a main component, and a bottom layer 16a located between the main spacer layer 16b and the first magnetic layer L1, and containing partially oxidized copper as a main component.
スペーサ層１６は、酸化ガリウムを主成分とする主スペーサ層１６ｂと、主スペーサ層１６ｂと第１の磁性層Ｌ１との間に位置し、一部が酸化された銅を主成分とするボトム層１６ａと、を有している。 - 特許庁 - By using specified materials for the semiconductor layer 1, the first charge barrier layer 2, and the charge accumulation layer 3; electric conduction is induced between the semiconductor layer 1 and the charge accumulation layer 3 by Schottky discharge.
半導体層１、第１の電荷障壁層２、電荷蓄積層３に所定の材料を用いることにより、半導体層１と電荷蓄積層３間にショットキー放出による電気伝導を生じせしめる。 - 特許庁 - A magnetic memory comprises: a magnetic recording layer 10; a reference layer 12 which is connected to the magnetic recording layer 10 via a non-magnetic layer 11; and first and second magnetization fixing layers 19 and 20 which are arranged under the magnetic recording layer 10.
磁気メモリは、磁気記録層１０と、非磁性層１１を介して磁気記録層１０に接続された参照層１２と、磁気記録層１０より下方に設置された第１、２磁化固定層１９、２０とを具備する。 - 特許庁 - An optical conductive layer including a first electric charge generation layer and a second electric charge generation layer which are a pair of electric charge generation layers, and an electric charge transportation layer sandwhiched between the electric charge generation layers is laminated with a display layer having storage nature.
一対の電荷発生層である第１電荷発生層及び第２電荷発生層並びにこれらに挟まれた電荷輸送層を含む光導電層と、記憶性を有する表示層とを積層する。 - 特許庁 - A p-type contact layer 16 is formed of a three-layered structure stacked from the side of a p-type clad layer 15 in the order of a first p-type contact layer 16a, a second p-type contact layer 16b, and a third p-type contact layer 16c.
ｐ型コンタクト層１６は、ｐ型クラッド層１５側から第１ｐ型コンタクト層１６ａ、第２ｐ型コンタクト層１６ｂ、第３ｐ型コンタクト層１６ｃの順に積層された３層構造である。 - 特許庁 - The semiconductor optical element according to one embodiment is provided with a first conductive type lower cladding layer, a second conductive type upper cladding layer and an active layer provided between the lower cladding layer and the upper cladding layer.
本発明の一実施形態に係る半導体光素子は、第１導電型の下部クラッド層と、第２導電型の上部クラッド層と、下部クラッド層と上部クラッド層の間に設けられた活性層とを備えている。 - 特許庁 - The perforate face skin includes an outer face skin layer having a first plurality of spaced openings, an inner face skin layer having a second plurality of spaced openings, and a porous layer disposed between the outer face skin layer and the inner face skin layer.
孔付きの表皮は、間隔を置いた第１複数の開口を有する外側表皮層と、間隔を置いた第２複数の開口を有する内側表皮層と、それらの間に配置された多孔質層とを含む。 - 特許庁 - The gas diffusion layer 32 is provided with a cathode gas diffusion base material, and a first porous layer 33a, as well as, a second porous layer 33b coated on the cathode gas diffusion layer in that order from a side of the catalyst layer 30.
ガス拡散層３２は、カソードガス拡散基材、およびカソードガス拡散基材に塗布された第１の微細孔層３３ａおよび第２の微細孔層３３ｂを触媒層３０の側からこの順で有する。 - 特許庁 - The light detecting part 120 contains a second contact layer 112, a light absorbing layer 113 provided above the second contact layer 112, and a first contact layer 114 provided above the light absorbing layer 113.
光検出部１２０は、第２コンタクト層１１２と、第２コンタクト層１１２の上方に設けられた光吸収層１１３と、光吸収層１１３の上方に設けられた第１コンタクト層１１４とを含む。 - 特許庁 - The composite plating layers consist of three layers: a first layer comprising an electroless nickel plating layer, a second layer obtained by dispersing ceramics particles in electroless nickel plating, and a third layer comprising an electroless nickel plating layer.
複合メッキ層は、無電解ニッケルメッキ層から成る第一層、無電解ニッケルメッキ中にセラミックス粒子を分散させた第二層、および無電解ニッケルメッキ層から成る第三層を有する三層構成を成す。 - 特許庁 - The current diffusion layer includes: an island-like or netlike salient; a processing layer having a surface including a bottom portion provided adjacently to the salient; and a first layer provided between the processing layer and the clad layer.
電流拡散層は、島状または網状の凸部および前記凸部に隣接して設けられた底部を含む表面を有する加工層と、前記加工層と前記クラッド層との間に設けられた第１の層と、を含む。 - 特許庁
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