「First layer」を含む例文一覧(24476)

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  • The first metal layer 1 has a higher strength than that of the second metal layer 2.
    第１の金属層１は第２の金属層２より高い強度を有している。 - 特許庁
  • On the gate electrode layer 42, a first inter-layer insulating film 33 is formed.
    ゲート電極層４２の上には、第１層間絶縁膜３３が形成されている。 - 特許庁
  • A first layer is connected to the bottom surface of any other layer, and has an index of refraction n2.
    第１の層は他の層の底面に連結され、屈折率ｎ２を有している。 - 特許庁
  • The intermediate wiring is provided between the first conductive layer and the second conductive layer.
    中間配線は、第１導電層と第２導電層との間に設けられる。 - 特許庁
  • Because the volumetric ratio of the cells of the second layer L is larger than that of the first layer H, the refractive index of the second layer L is lower than that of the first layer H.
    第二層Ｌのセル体積率は、第一層Ｈのセル体積率よりも大きいため、第二層Ｌの屈折率が第一層Ｈの屈折率よりも低い。 - 特許庁
  • A thermal conductance of the first layer member 212 is less than a thermal conductance of the second layer member 214.
    第１層部材２１２は第２層部材２１４よりも熱コンダクタンスが小さい。 - 特許庁
  • A wiring board comprises: a core substrate; a first wiring layer; and a second wiring layer.
    配線基板は、コア基板と、第１の配線層と、第２の配線層とを有する。 - 特許庁
  • A shell layer 12 covering the periphery of a core material 18 includes a first coat layer 14 and a second coat layer 16 having a hardness higher than the first coat layer 14, which are laminated with each other.
    芯材１８の周囲を覆う外皮層１２は、互いに積層された第１コート層１４と、第１コート層１４よりも硬度が高い第２コート層１６とを含む。 - 特許庁
  • The first metal layer 1 has higher strength than that of the second metal layer 2.
    第１の金属層１は第２の金属層２より高い強度を有している。 - 特許庁
  • A first gate wiring layer 17 is arranged above a P layer 19, and a second gate wiring layer 28 is arranged above the first gate wiring layer 17.
    Ｐ層１９の上方には、第１ゲート配線層１７が配置されており、その第１ゲート配線層１７の上方には第２ゲート配線層２８が配置されている。 - 特許庁
  • The conductive substrate 1 comprises a first metal layer 1a and a second metal layer 1b disposed on a surface of the first metal layer 1a on a side closer to the photosensitive layer 6.
    導電性基体１は、第１の金属層１ａと、該第１の金属層１ａの感光層６に近い側の面上に設けられた第２の金属層１ｂと、を有する。 - 特許庁
  • A third insulating layer 1c for covering the central part of the first capacitor electrode layer 5a and compensating the second insulating layer 1b is formed on the first insulating layer 1a.
    第１の絶縁層１ａ上に、第１のキャパシタ電極層５ａの中央部を覆いかつ第２の絶縁層１ｂを相補する第３の絶縁層１ｃを設ける。 - 特許庁
  • A second metallic layer containing platinum is formed on a first metallic layer.
    第１の金属層上に、白金を含有する第２の金属層を形成させる。 - 特許庁
  • The second layer 103 is formed on the first layer 102 by the resist.
    次に、第１の層１０２の上にレジストによって第２の層１０３を形成する。 - 特許庁
  • A first semiconductor layer 20 including an active layer 23 is formed on this substrate 10.
    この基板１０に、活性層２３を含む第１半導体層２０を形成する。 - 特許庁
  • First wiring is formed in at least a three-layer lamination structure, and for example a first conductive layer 106a, a second conductive layer 106b, and a third conductive layer 106c are formed.
    第１の配線を三層以上の積層構造とし、例えば、第１の導電層１０６ａ／第２の導電層１０６ｂ／第３の導電層１０６ｃを形成する。 - 特許庁
  • The second layer is a high-speed and transparent display provided to the first layer.
    第２表示層は、第１層の上に設けられた高速で透明なディスプレイである。 - 特許庁
  • The second plating film 24a, 24b are formed into lamination structures respectively formed by a pair of the first plating layer 26a and the second plating layer 28a and a pair of the first plating layer 26b and the second plating layer 28b.
    第２のめっき皮膜２４ａ、２４ｂは、第１のめっき層２６ａ、２６ｂおよび第２のめっき層２８ａ、２８ｂにより積層構造に形成される。 - 特許庁
  • The heat slinger 10 is provided with an inside first layer 11 and an outside second layer 12 while the heat conductivity of the second layer 12 is smaller than that of the first layer 11.
    放熱板１０は、内側の第１層１１と外側の第２層１２とを有し、第２層１２の熱伝導率は、第１層１１の熱伝導率よりも小さい。 - 特許庁
  • The first metal layer 1 and the second metal layer 2 are connected to each other through the first contact hole 4 and the second metal layer 2 and the ITO layer 3 are connected to each other through the second contact hole 5.
    第１のコンタクトホール４により第１のメタル層１と第２のメタル層２が、第２のコンタクトホール５により第２のメタル層２とＩＴＯ層３が接続される。 - 特許庁
  • A heat conductivity of the second layer 16 is less than that of the first layer 15.
    第２層１６の熱伝導率は第１層１５の熱伝導率よりも小さい。 - 特許庁
  • The optical recording medium has two recording layers, i.e., a first recording layer (2) and a second recording layer (3).
    記録層として第一記録層（２）と第二記録層（３）との二層を設ける。 - 特許庁
  • The underlying layer 40 includes a first magnetic underlying layer 41 formed from a magnetic material and a non-magnetic underlying layer 42 formed on the first magnetic underlying layer 41.
    下地層４０は、磁性材料で形成された第１磁性下地層４１と、第１磁性下地層４１の上に形成された非磁性下地層４２とを備えている。 - 特許庁
  • The first ferromagnetic layer (12) has a coercive force higher than that of the second ferromagnetic layer (14).
    第1の強磁性層(12)は、第2の強磁性層(14)よりも高い保磁力を有する。 - 特許庁
  • The second well layer 22 has higher band gap energy than the first well layer 21.
    第１井戸層２２は、第１井戸層２１よりも高いバンドギャップエネルギーを有する。 - 特許庁
  • The cord spacing of the second belt layer 16B is wider than that of the first belt layer 16A.
    第２ベルト層１６Ｂのコード間隔は、第１ベルト層１６Ａに比べて広い。 - 特許庁
  • The first surface layer 14 and the second surface layer 15 are made of a hydrophobic organic material.
    第１表層１４，第２表層１５は，疎水性の有機材料からなる。 - 特許庁
  • The syringes and the first layer are preferably sterilized within the second layer 34.
    注射器と第一の層とは、第二の層（３４）内で滅菌されるのが好ましい。 - 特許庁
  • A first conductive layer (signal layer) and a second conductive layer (protecting plane layer) are integrated on the substrate and arranged between the first substrate and common electrode.
    第１の導電層（信号層）及び第２の導電層７３（保護プレーン層）が、第１の基板上に一体化され、第１の基板と共通電極間に配置される。 - 特許庁
  • The contact conductive layer 110 is provided above the first plug conductive layer 30 and includes a first contact conductive layer 40 and a second contact conductive layer 60.
    コンタクト導電層１１０は、第１プラグ導電層３０の上方に設置され、かつ、第１コンタクト導電層４０および第２コンタクト導電層６０を含む。 - 特許庁
  • The dielectric layer 32 of the PDP 1 is composed of a first dielectric layer 32A and a second dielectric layer 32B formed on the first dielectric layer 32A.
    ＰＤＰ１の誘電体層３２を第１誘電体層３２Ａと、第１誘電体層３２Ａ上に形成された第２誘電体層３２Ｂとで構成している。 - 特許庁
  • The patterned supporting layer is on the inner front diffusion layer between the first electrodes.
    パターン化支持層は、第一電極間で内側前方光拡散層上にある。 - 特許庁
  • A semiconductor device comprises: a semiconductor layer of a first conductivity type; a plurality of trenches; an insulating layer; a conductive layer; a first semiconductor diffusion layer; and an anode electrode.
    一態様に係る半導体装置は、第１導電型の半導体層、複数のトレンチ、絶縁層、導電層、第１半導体拡散層、及びアノード電極を有する。 - 特許庁
  • A gate electrode G comprises a second conductive layer different from the first conductive layer.
    ゲート電極Ｇは、第一の導電層とは異なる第二の導電層からなる。 - 特許庁
  • Subsequently, the first layer is selectively oxidized while the oxidation speed of the second layer and the third layer is smaller than that of the first layer.
    次に、前記第２の層および前記第３の層の酸化速度を前記第１の層よりも酸化速度よりも小さくしながら、前記第１の層を選択的に酸化する。 - 特許庁
  • Each of the magnetic islands includes a first magnetic sub-layer adjacent a second magnetic sub-layer, wherein the first sub-layer has a relatively high magnetic anisotropy that is greater than a magnetic anisotropy of the second sub-layer.
    各磁気アイランドが第２の磁気サブレイヤに隣接する第１の磁気サブレイヤを含み、それは第２のサブレイヤよりも大きい比較的高い磁気異方性を有する。 - 特許庁
  • The second conductive layer 51 has a conductivity larger than that of the first conductive layer 52.
    第二導電層５１は、第一導電層５２より大きい導電率を有する。 - 特許庁
  • The first semiconductor layer 15 and the second semiconductor layer are in contact with each other.
    前記第１の半導体層１５と前記第２の半導体層とが接している。 - 特許庁
  • Subsequently, a first magnetic layer 4 is formed on the surface of the lower electrode layer 3.
    続いて、下部電極層３の表面上に第１磁性層４を形成する。 - 特許庁
  • The first layer 40 and the second layer 41 are molded integrally with each other.
    この場合、第１の層４０と第２の層４１とは一体に成型されている。 - 特許庁
  • A groove 14 is formed in a p-type InP cladding layer 12 (a first semiconductor layer).
    ｐ型ＩｎＰクラッド層１２（第１の半導体層）に溝１４を形成する。 - 特許庁
  • The electrolyte layer comprises a first electrolyte layer for jointing to one of the two electrodes and a second electrolyte layer jointed to the first electrolyte layer.
    この電解質層は、２つの電極のいずれか一方に接合されるための第１の電解質層と、第１の電解質層に接合された第２の電解質層とを備える。 - 特許庁
  • The first electrode layer 31 is formed on a surface of the dielectric layer 2.
    第１電極層３１は、誘電体層２の表面上に形成されている。 - 特許庁
  • The semiconductor device is provided with; a semiconductor layer; a first metal part facing the semiconductor layer; and an insulating layer provided between the semiconductor layer and the first metal part.
    本発明の半導体装置は、半導体層と、半導体層と対向する第１メタル部と、半導体層と第１メタル部との間に設けられた絶縁層とを備える。 - 特許庁
  • A gate electrode 14 includes a first silicide layer 142 on a polysilicon layer 141.
    ゲート電極１４は、ポリシリコン層１４１上に第１シリサイド層１４２を有する。 - 特許庁
  • The second metal layer has a thickness dimension larger than that of the first metal layer.
    第２の金属層は第１の金属層より大きい厚さ寸法を有している。 - 特許庁
  • The resin layer 20 includes a first layer 22 made of a thermoplastic resin, and a second layer 24 made of a thermosetting resin interposed between the first layer 22 and the wiring 30.
    樹脂層２０は、熱可塑性樹脂からなる第１の層２２と、第１の層２２と配線３０の間に介在する熱硬化性樹脂からなる第２の層２４と、を含む。 - 特許庁
  • A method of decoding a video bitstream includes receiving a first layer of data and a second layer of data, combining the received first layer data and the received second layer data, and decoding the combined data.
    第一層データおよび第二層データを受信し、受信された第一、第二層データを組み合わせ、この組み合わされたデータを復号化する、ビデオビットストリームを復号化する。 - 特許庁
  • Next, a photoresist layer having a first opening is formed on the dielectric layer.
    次に、第一の開口部を有するフォトレジスト層が誘電層上に形成される。 - 特許庁
  • An insulating layer 7 for charge storage is formed on the first insulating layer 6.
    電荷蓄積用絶縁層７は第１の絶縁層２上に形成されている。 - 特許庁
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