「First layer」を含む例文一覧(24472)
＜前へ 1 2 .... 23 24 25 26 27 28 29 30 31 .... 489 490 次へ＞- A lower portion of the third reinforcing layer 24 is held between the first reinforcing layer 20 and the second reinforcing layer 22.
第三補強層２４の下側部分は、第一補強層２０と第二補強層２２とに挟まれている。 - 特許庁 - The mounting substrate 12 includes: a first insulating layer 31, a second insulating layer 32 and a third insulating layer 33.
実装基板１２は、第１絶縁層３１、第２絶縁層３２および第３絶縁層３３を備えている。 - 特許庁 - A third metal layer that covers the first metal layer, the second metal layer, and an inner wall of the through via is formed.
第１および第２金属層ならびにスルービアの内壁を被覆する第３金属層が形成される。 - 特許庁 - On the peripheral surface of the main layer 11, a first cover layer 12 is provided, and on the inner surface side, a second cover layer 13 is provided.
その主層11の外周面には第１カバー層12、内周面側には第２カバー層13が設けられる。 - 特許庁 - The semiconductor device comprises an organic tape layer 16 that formed between a first metal layer 12 and a second metal layer 14.
本発明は、第１と第２の金属基板層12、14及びそれらの間に取付けられた有機テープ層16を有する。 - 特許庁 - The plurality of layer portions include at least one first-type layer portion and at least one second-type layer portion.
複数の階層部分は、第１の種類の階層部分と第２の種類の階層部分とを含んでいる。 - 特許庁 - A second cover insulation layer 44 is formed on the first cover insulation layer 42 so as to cover the ground layer 43.
グランド層４３を覆うように、第１のカバー絶縁層４２上に第２のカバー絶縁層４４が形成される。 - 特許庁 - The insulating substrate 30 includes a first wiring layer 31, a ceramic insulating layer 32 and a second wiring layer 33.
絶縁基板３０は、第１配線層３１とセラミック絶縁層３２と第２配線層３３を備えている。 - 特許庁 - The circumference of the first germanium layer 102 and the second germanium layer 103 is covered by an insulation layer 105.
第１ゲルマニウム層１０２および第２ゲルマニウム層１０３は、周囲が絶縁層１０５により覆われている。 - 特許庁 - The first wiring layer 20 and the second wiring layer 22 are insulated electrically by the insulation layer 30.
第１の配線層２０と第２の配線層２２とを絶縁層３０によって電気的に絶縁されている。 - 特許庁 - An n-InP buffer layer 2, an InGaAsP active layer 3, and a first p-InP clad layer 4 are stuck on an n-type InP substrate 1.
ｎ型InP基板１の上に、ｎ−InPバッファ層２、InGaAsP活性層３、第１ｐ−InPクラッド層４が積層されている。 - 特許庁 - A multilayer information recording medium has a first layer L0, a second layer L1 and a third layer L2.
多層情報記録媒体は、第一層目のＬ０、第二層目のＬ１、第三層目のＬ２で構成されている。 - 特許庁 - The fourth layer is grown selectively under conditions in which the fourth layer is grown on a region removed in the first layer.
第１の層の除去された領域上に成長する条件で、第４の層を選択的に成長させる。 - 特許庁 - The power feed electrode layer 6 consists of a first power feed electrode layer 6a and a second power feed electrode layer 6b.
給電電極層６は、第一給電電極層６ａと第二給電電極層６ｂとからなる。 - 特許庁 - A second nitride semiconductor layer (7) is arranged on the first nitride semiconductor layer (6) and the conductor layer (10).
第１の窒化物半導体層（６）と導電体層（１０）の上に第２の窒化物半導体層（７）を配置する。 - 特許庁 - The first collector layer abuts on part of the reverse side of the buffer layer, and has a higher impurity concentration than the second base layer.
第一のコレクタ層は、バッファ層の裏面の一部に接し、第二のベース層よりも不純物濃度が高い。 - 特許庁 - One layer excluding the uppermost layer and the lowermost layer is a first metal film 22 composed of the aluminum or aluminum alloy.
最上層及び最下層を除く１層は、アルミニウム又はアルミニウム合金からなる第１金属膜２２である。 - 特許庁 - The light-emitting part is provided between the n-type semiconductor layer and the p-type semiconductor layer and includes a first light-emitting layer.
発光部は、ｎ形半導体層とｐ形半導体層との間に設けられ、第１発光層を含む。 - 特許庁 - This waveguide element includes a first clad layer 30, a waveguide layer 40, and a second clad layer 50 in order on a substrate 20.
基板２０上に、第１クラッド層３０、導波路層４０及び第２クラッド層５０を順に備えている。 - 特許庁 - A first electrode 16 which includes a close-contact layer 18 and a second layer 20 is formed on the stress buffer layer.
密着層１８と第２層２０とを含む第１電極１６を応力緩和層上に形成する。 - 特許庁 - The laminate comprises the two-layer protective coating film consisting of a first layer and a second layer on the surface of the substrate.
基材表面に、以下の第１層および第２層からなる二層構造の保護被膜を有する積層体。 - 特許庁 - The power source layer 3 and a second insulation substrate layer 7 are formed on one surface of an insulation layer 2 in which a first signal wiring layer 1 is formed and the ground layer 4 and a first insulation substrate layer 5 are formed on the other surface of the layer 2.
内部に第１の信号配線層１が設けられた絶縁層２には、一方の面に電源層３及び第２の絶縁基板層７が設けられ、他方の面にグランド層４及び第１の絶縁基板層５が設けられている。 - 特許庁 - The N-type structure layer is of sandwich structure composed of a first N layer, a second N layer, and a third N layer which are successively laminated, and the second N layer is wider in optical band gap than the first N layer and third N layer.
ｎ型構造層は、第一ｎ層、第二ｎ層、第三ｎ層を順次積層して構成されたサンドイッチ構造を有し、第二ｎ層の光学的帯域ギャップの幅は、第一ｎ層及び第三ｎ層の光学的帯域ギャップの幅より広い。 - 特許庁 - The intermediate layer films 3, 4 include a lower layer intermediate layer film 3 having a first percentage content of silicon and an upper layer intermediate layer film 4 which is formed on the lower layer intermediate layer film and has a second percentage content of silicon lower than the first percentage content of silicon.
中間層膜３、４は、第１のシリコン含有率を有する下層中間層膜３と、該下層中間層膜の上に形成され、第１のシリコン含有率よりも低い第２のシリコン含有率を有する上層中間層膜４を含む。 - 特許庁 - The protective layer 5 comprises an inner protective layer 9 having a first layer 6 containing a rear earth element and covering the magnet element 3 and a second layer 7 having content of rear earth element lower than that of the first layer and covering the first layer, and a resin layer 8 containing resin and additive and covering the second layer 7.
保護層５は、磁石素体３を覆い希土類元素を含有する第１の層６、及び、第１の層を覆い第１の層よりも希土類元素の含有量が少ない第２の層７を有する内部保護層９と、第２の層７を覆い樹脂及び添加剤を含有する樹脂層８とを備えている。 - 特許庁 - When the first conductive layer has the two or more layer laminate structure, the ionization tendency of the second conductive layer 4 is larger than that of the outermost layer of the first conductive layer, and the melting point of the second conductive layer 4 is lower than that of the outermost layer of the first conductive layer.
上記第１の導電層が２層以上の積層構造を有する場合には、上記第２の導電層４のイオン化傾向は上記第１の導電層の最外層のイオン化傾向よりも大きく、かつ上記第２の導電層４の融点は上記第１の導電層の最外層の融点よりも低い。 - 特許庁 - The semiconductor mesa 14 includes: an n-ty pe first clad layer 18 provided on an n-type clad layer 18 provided on the n-type InP substrate 12; an n-type second clad layer 24 provided on the first clad layer 18; an active layer 20 provided between the first clad layer 18 and second clad layer 24; and a tunnel junction layer 22.
半導体メサ１４は、ｎ型ＩｎＰ基板１２上に設けられたｎ型の第１クラッド層１８と、第１クラッド層１８上に設けられたｎ型の第２クラッド層２４と、第１クラッド層１８及び第２クラッド層２４の間に設けられた活性層２０と、トンネル接合層２２とを備える。 - 特許庁 - The core layer 10 is made of a material whose strength is higher than those of the first layer 20 and the second layer 30, and has a reticular structure spreading flat, with the outer periphery 11 of the core layer 10 arranged inside the outer peripheries of the first layer 20 and the second layer 30 and further, is sealed between the first layer 20 and the second layer 30.
芯層１０は、第１の層２０及び第２の層３０よりも強度が高い材質からなり、平面状に広がる網状構造を有し、外周１１が第１の層２０及び第２の層３０の外周よりも内側に配置され、第１の層２０と第２の層３０との間に封止されている。 - 特許庁 - A second substrate layer 6 having thermal deformation temp. higher than that of the first substrate layer 4 is formed on the rear surface of the first substrate layer 4 through a self-adhesive layer 5 and a surface layer 1 containing photocatalyst particles is formed on the surface of the first substrate layer 4 through a primer layer 3 and an intermediate layer 2 and shows hydrophilicity corresponding to light excitation.
第１の基体層と第２の基体層を有する多層フィルムであって、前記第１の基体層の表面には、光触媒粒子を含有する表面層を備えてなり、該表面が前記光触媒の光励起に応じて親水性を呈することを特徴とする光触媒性親水性フィルム - 特許庁 - The first end of the first wiring and the first element electrode are joined, and the second end of the first wiring and a part of the first wiring layer are joined.
第１の配線の第１端と第１の素子電極とが接合され、第１の配線の第２端と第１の配線層の一部とが接合されている。 - 特許庁 - A memory device at least has a first conductive layer 110, a second conductive layer 112, and a memory layer 111 sandwiched between the first conductive layer 110 and the second conductive layer 112.
記憶素子を少なくとも第１の導電層１１０と、第２の導電層１１２と、第１の導電層１１０と第２の導電層に挟持されたメモリ層１１１とを有する構成とする。 - 特許庁 - The memory element has: at least a first conductive layer 110; a second conductive layer 112; and a memory layer 111 sandwiched by the first conductive layer 110 and the second conductive layer 112.
記憶素子を少なくとも第１の導電層１１０と、第２の導電層と１１２、第１の導電層１１０と第２の導電層１１２に挟持されたメモリ層１１１とを有する構成とする。 - 特許庁 - The memory element has: at least a first conductive layer 110; a second conductive layer 112; and a memory layer 111 sandwiched by the first conductive layer 110 and the second conductive layer 112.
記憶素子を少なくとも第１の導電層１１０と、第２の導電層１１２と、第１の導電層１１０と第２の導電層１１２に挟持されたメモリ層１１１とを有する構成とする。 - 特許庁 - In the laminate, it is preferable that the first layer and the second layer are laminated at least one time in the order of the core material having the inner layer circuit, the first layer and the second layer.
また、上述の積層板は、前記第１層および第２層は、内層回路を有するコア材、第１層、第２層の順で少なくとも１回以上積層されているものであることが好ましい。 - 特許庁 - Then, a groove at least from the second inter-layer insulating layer into the first inter-layer insulating layer is disposed in the region of the first and second inter-layer insulating layers corresponding to the element isolation region.
そして、少なくとも第２の層間絶縁層から第１の層間絶縁層内に達する溝が素子分離領域に対応する第１及び第２の層間絶縁層の領域に配されている。 - 特許庁 - The conductive layer 40 discharges static electricity, the first retardation layer 41 prevents light reflection by the conductive layer 40, and the second retardation layer 39 prevents a decrease in quantity of light in the first retardation layer 41.
導電層４０で静電気を逃がし、第１位相差層４１で導電層４０での光反射を防止し、第２位相差層３９で第１位相差層４１における光量低下を防止する。 - 特許庁 - The reading structure has: a first free layer in which a magnetization direction changes; a magnetization fixing layer in which the magnetization direction is fixed; and a tunnel insulating layer provided between the first free layer and the magnetization fixing layer.
読み出し構造体は、磁化方向が変化する第１のフリー層と、磁化方向が固定された磁化固定層と、第１のフリー層と磁化固定層との間に設けられたトンネル絶縁層とを備える。 - 特許庁 - The magnetic capacitor 140 has: a first magnetic layer 142; a dielectric layer 144 formed on the first magnetic layer 142; and a second magnetic layer 146 formed on the dielectric layer 144.
磁器コンデンサ１４０は、第１の磁性層１４２と、第１の磁性層１４２上に形成した誘電体層１４４と、誘電体層１４４上に形成した第２の磁性層１４６とを有する。 - 特許庁 - A porous layer is dipped in liquid and pressure difference between a first liquid layer on a first surface side of the porous layer and a second liquid layer on a second surface side of the porous layer.
多孔質層が液体中に浸漬され、前記多孔質層の第１の面側の第１の液体層と前記多孔質層の第２の面側の第２の液体層との間に圧力差を生じさせる。 - 特許庁 - The cathode side electrode 14 formed on the intermediate layer 18 comprises, for example, a first layer 22a adjacent to the intermediate layer 18, and a second layer 22b adjacent to the first layer 22a.
このような中間層１８上に形成されるカソード側電極１４は、例えば、中間層１８に隣接する第１層２２ａと、該第１層２２ａに隣接する第２層２２ｂとを有する。 - 特許庁 - Each reinforced sheet 4 has a first bonding layer 42, a gas barrier layer 43 formed on the first bonding layer 42, and a second bonding layer 44 formed on the gas barrier layer 43.
また、各補強シート４は、第１の溶着層４２と、第１の溶着層４２上に形成されたガスバリア層４３と、ガスバリア層４３上に形成された第２の溶着層４４とを有している。 - 特許庁 - The stencil mask 10 comprises a first conductive layer 22, a first insulating layer 24 formed on the layer 22, and a second conductive layer 26 formed on the layer 24.
ステンシルマスク１０は、第１導電層２２と、その第１導電層２２上に形成されている第１絶縁層２４と、その第１絶縁層２４上に形成されている第２導電層２６を備えている。 - 特許庁 - The lower metal layer including a first internal metal layer 36, a first metal layer 37 and a second internal metal layer 38 is formed, and contact hole shutdown conductive layer 40 is formed thereon.
第１内部金属層３６、前記第１金属層３７、および前記第２内部金属層３８を含む下部金属層を形成し、その上にコンタクトホール停止導電層４０を形成する。 - 特許庁 - The clad layer 3 is provided with a first layer 5 formed in the outside of the core 2 and a second layer 6 formed in the outside of the first layer 5, and the fiber grating is formed in the second layer 6.
クラッド層３は、コア２の外側に形成された第一の層５と、第一の層５の外側に形成された第二の層６とを有しており、第二の層６にファイバグレーティングが形成されている。 - 特許庁 - Consequently, the memory element having the first conductive layer, the second conductive layer, and the memory layer sandwiched by the first conductive layer and the second conductive layer is manufactured simply and quickly, by conducting the preprocessing.
よって、第１の導電層と、第２の導電層と、第１の導電層と第２の導電層に挟持されたメモリ層とを有する記憶素子を、前処理を行うことで簡便に作製することができる。 - 特許庁 - An optical body include a first optical layer with a randomly indented surface, a reflective layer on the randomly indented surface of the first optical layer, a second optical layer placed on the reflective layer to flatten the randomly indented surface.
光学体は、ランダムな凹凸面を有する第１の光学層と、凹凸面上に形成された反射層と、凹凸面を埋めるように反射層上に形成された第２の光学層とを備える。 - 特許庁 - For example, a third mixture layer 13 in which a component of the first reaction layer 12 and a component of the electrolyte layer 14 are intermingled is formed between the first reaction layer 12 and the electrolyte layer 14.
例えば、第１の反応層１２と電解質層１４の間に第１の反応層１２の構成材料と電解質層１４の構成材料が混在する第３の混合層１３を形成した。 - 特許庁 - Regarding a ball hitting part for the bat 1, one surface has a laminated structure having: a first resin layer 2; a metal layer 3 outside of the first resin layer 2; and a second resin layer 4 outside of the metal layer 3.
バット１の打球部は、１つの局面では、第１樹脂層２と、第１樹脂層２の外側に金属層３と、金属層３の外側に第２樹脂層４とを有する積層構造を有する。 - 特許庁 - There are laminated on an insulating substrate a first insulating buffer layer, a heat storage light shielding layer including a silicon layer on at least the surface thereof, a second insulating buffer layer, and a first silicon layer in this order from below.
絶縁性基板上に、第１の絶縁バッファ層、少なくとも表面にシリコン層を有する蓄熱遮光層、第２の絶縁バッファ層及び第１のシリコン層を、この順に下から積層する。 - 特許庁 - A first noble metal layer (26) containing Au through a first adhesion layer (22) is formed on a first substrate (20) having a first flow passage part (28) formed thereon, and an Au structure body (40) comprising a cylindrical structure is formed on the first noble metal layer (26).
第１流路部(28)が形成された第１基板(20)に、第１密着層（22）を介してＡｕを含む第１貴金属層(26)が形成されており、第1貴金属層(26)上に筒状構造からなるＡｕ構造体（40）が接合されている。 - 特許庁
- 特許庁
- Copyright © Japan Patent office. All Rights Reserved.
