「First layer」を含む例文一覧(24472)
＜前へ 1 2 .... 26 27 28 29 30 31 32 33 34 .... 489 490 次へ＞- The alloying reaction layer 12 is formed merely in a first emitter contact layer 7.
この合金化反応層１２は、第１のエミッタコンタクト層７内のみに形成されている。 - 特許庁 - An insulation layer 14 composed of magnesium oxide is formed on the first ferromagnetic layer 13.
酸化マグネシウムからなる絶縁層１４は、第１の強磁性層１３上に形成される。 - 特許庁 - The second magnetization fixing layer 20 has lower coercivity than that of the first magnetization fixing layer 19.
第２磁化固定層２０が、第１磁化固定層１９と比較して保磁力が低い。 - 特許庁 - A first protective layer 4a constituting the protective layer is formed on a film 3 for insert.
保護層を構成する第１保護層４ａをインサート用フィルム３上に形成する。 - 特許庁 - Coupling between the first layer 11 and the intermediate layer 13 is performed by a resin curing reaction.
第１層１１と中間層１３との間は樹脂硬化反応によって結合する。 - 特許庁 - A read-only device reproduces the multilayer optical disk having a first layer and a second layer.
第１層及び第２層を有する多層光ディスクを再生専用機で再生する。 - 特許庁 - Resin solubility by desmear treatment liquid of the first layer 3 is lower than that of the second layer 4.
第一層３が第二層４よりも、デスミア処理液による樹脂溶解性が低い。 - 特許庁 - A second spacer layer 66 is formed on the first spacer layer and the ohmic electrode.
次に、第１スペーサ層及びオーミック電極上に第２スペーサ層６６を形成する。 - 特許庁 - The first metal film layer comprises chromium 6 and the second metal film layer comprises silver 7.
第１の金属膜層はクロム６からなり、第２の金属膜層は銀７からなる。 - 特許庁 - The second quantum well layer 26 has larger emission wavelength than the first quantum well layer 22.
第２量子井戸層２６は、第１量子井戸層２２よりも発光波長が長い。 - 特許庁 - Either the TiO_2 layer 50 and 52 or the conductive layer 72 and 74 may be deposited first.
ＴｉＯ_２層（５０，５２）及び伝導層（７２、７４）のいずれが最初に堆積されてもよい。 - 特許庁 - A flattened layer 810 is formed on the passivation layer, and the first via hole is filled.
パッシベーション層上に平坦化層８１０を形成して、第１ビアホールを充填する。 - 特許庁 - Another substrate layer is then overlaid upon the first layer, and the substrates are pressed to bond the substrate layers together.
別の素地層を第一の素地層に重ね合わせ、両素地を加圧して結合させる。 - 特許庁 - This double-side adhesive fabric is prepared by forming a first resin layer on the surface of a cloth and forming a second resin layer so that at least a part of the second resin layer is formed on top of the first resin layer, provided that the melting point of the first resin layer is lower than that of the second resin layer.
布帛表面に第１樹脂層が形成され、該第１樹脂層と少なくとも一部分が重なるようにして、第２樹脂層が形成されており、該第１樹脂層の融点が該第２樹脂層の融点より低い両面接着性布帛とする。 - 特許庁 - The first fiber layer 232 has a relative surface area smaller than that of the second fiber layer 234.
第１の繊維層２３２は、第２の繊維層２３４に比べて比表面積が小さい。 - 特許庁 - Formation of a first via filling layer and partial removal of the formed layer yield formation of a preliminary via plug.
第１ビア充填膜の形成及び部分的に除去して予備ビアプラグを形成する。 - 特許庁 - A first diamond layer 1 and a second luminous diamond layer 2 are joined with each other.
第１のダイヤモンド層１と発光する第２のダイヤモンド層２とが接合されている。 - 特許庁 - The heat transfer element 130 is located between the metal layer 150a and the first adhesive layer.
熱伝導素子１３０は金属層１５０ａと第１粘着層との間に位置する。 - 特許庁 - The compensation temperature of the second recording layer 6' is varied from the compensation temperature of the first recording layer 6.
第２記録層６’の補償温度を第１記録層６の補償温度と異ならせる。 - 特許庁 - The second passing layer 20 is in a structure to be crushed more easily than the first passing layer 10.
第２の通過層２は、第１の通過層１０よりも潰れやすい構造である。 - 特許庁 - A second layer made of a material having a second yield strength is deposited on the first layer.
第２の降伏強度を有する材料の第２の層を第１の層の上に配置する。 - 特許庁 - A memory cell 8 comprises a conductor 34 covered with a ferromagnetic material 36, a first spacer layer 16 and a second spacer layer 24 that are on opposite sides of the covered conductor 34, a first data layer 12 on the first spacer layer 16, and a second data layer 22 on the second spacer layer 24.
メモリセル8は、強磁性材料36で被覆された導体34と、該被覆された導体34の両側にある第１及び第２のスペーサ層16,24と、該第１のスペーサ層16上にある第１のデータ層12と、該第２のスペーサ層24上にある第２のデータ層22とを含む。 - 特許庁 - A magnet is stuck to the first adhesive layer 32.
又、この第１粘着層３２に、磁石が接着される。 - 特許庁 - A first signal wire 1 includes a portion that is distributed in a first layer and a portion that is distributed in a second layer.
第１の信号配線１は、第１の層に配された部分と第２の層に配された部分とを含んでいる。 - 特許庁 - The support layer is formed over the first surface of the substrate.
支持層は、基材の第１の表面上に形成される。 - 特許庁 - A dielectric layer 2 is composed of a first dielectric.
第１の誘電体により、誘電体層２を構成する。 - 特許庁 - The inner layer 8 is composed of a first air permeable sheet layer 14, a first reinforcing wire 16, and two second reinforcing wires 18.
内層８は、第一通気性シート層１４と、第一補強線１６と、２つの第二補強線１８とからなる。 - 特許庁 - The edge of the first layer and the second layer is coated with an overcoat material to prevent wear of the first and second layers.
第１の層および第２の層の端部を保護膜材料で被覆して第１および第２の層の磨耗を防止する。 - 特許庁 - The first antiferromagnetic layer 74 is disposed on an underlayer 73 disposed on the first main shield layer 71.
第１の反強磁性層７４は、第１の主シールド層７１の上に配置された下地層７３の上に配置されている。 - 特許庁 - In the bottom layer of the memory part 20, a first phase change layer 22 formed of a first phase change material is disposed.
メモリ部２０の最下層には、第１の相変化材料で形成された第１の相変化層２２が配置されている。 - 特許庁 - The method of forming the electrical connection structures includes forming a first electrically insulating layer 200 on a semiconductor substrate 100, and then forming an opening in the first electrically insulating layer.
半導体基板１００上に第１絶縁層２００を形成し、第１絶縁層に開口を形成する。 - 特許庁 - The constant first power terminal and the provisional first power terminal are disposed in the layer different from the power layer.
前記常時第１電源端子及び前記一時的第１電源端子は、前記電源層とは別の層に配置される。 - 特許庁 - A second buried layer 112 is of the first conductivity type, and connects the first buried layer 114 to the gate electrode 106.
第２埋込層１１２は第１導電型であり、第１埋込層１１４とゲート電極１０６とを接続している。 - 特許庁 - The first silicon layer 3 is eliminated in the connecting area.
第１シリコン層３は接続領域において除去される。 - 特許庁 - The first wiring layer 12 has first wiring 32, and the second wiring layer 16 has second wiring 39.
第１配線層１２は第１配線３２を有しており、第２配線層１６は第２配線３９を有している。 - 特許庁 - The primer layer 60 is formed on a first portion P1.
プライマ層６０は、第１の部分Ｐ１上に形成される。 - 特許庁 - The n-type semiconductor layer 43 includes a first surface and a second surface, and the first surface directly contacts the buffer layer 42.
ｎ型半導体層４３は第１の面及び第２の面を有し、第１の面はバッファ層４２に直接に接する。 - 特許庁 - The pitch between the first wiring layer 12 and the second wiring layer 13 is the same as that between the first wiring layers 13.
第１の配線層１２と第２の配線層１３との間隔は、第１の配線層１３の間隔と同じである。 - 特許庁 - As a second step, a second layer 7 is laminated to the first layer 6 having the first grooves 6a formed therein.
次に、第２の工程として、第１の溝６ａが形成された第１の層６に、第２の層７を貼り合わせる。 - 特許庁 - A first recess 23 is formed by a first method on a region overlapping the wiring layer 20 of the resin layer 22.
樹脂層２２の配線層２０とオーバーラップする領域に、第１の方法によって、第１の凹部２３を形成する。 - 特許庁 - A first magnetic layer is provided on the lower electrode.
前記下部電極上に第１の磁性層が設けられる。 - 特許庁 - Then, the insulating layer of the first substrate and a second substrate 15 are laminated, and the first substrate is divided by the ion implanted layer.
次いで、第１の基体の絶縁層と第２の基体１５を貼り合わせ、イオン注入層で第１の基体を分離する。 - 特許庁 - The first layer 73 includes silica derived from polysilazane.
前記第一の層７３がポリシラザン由来のシリカを含有する。 - 特許庁 - The semiconductor layer 3 is formed on the first electrode 2.
半導体層３は、第１電極２上に設けられる。 - 特許庁 - An HBT further includes a first segment 126 of an etch stop layer, wherein the first segment of the etch stop layer contains InGaP.
ＨＢＴはエッチストップ層の第１の部分１２６をさらに含み、エッチストップ層の第１の部分はＩｎＧａＰを含む。 - 特許庁 - To easily peel a nitride semiconductor layer from a first substrate.
第１基板から窒化物半導体層を容易に剥離する。 - 特許庁 - An SOI substrate having a thick SOI layer is first prepared.
まず、厚いＳＯＩ層を有するＳＯＩ基板を準備する。 - 特許庁 - A first wall and a sacrificial layer are sequentially formed on a substrate, and a hole is formed through the first wall and the sacrificial layer.
第１の壁および犠牲層が基板上に順番に形成され、穴が第１の壁および犠牲層に形成される。 - 特許庁 - The first semiconductor layer forms a light extraction surface.
前記第１半導体層は、光取り出し面を形成する。 - 特許庁 - The stacked structure has a first primary surface at the first semiconductor layer side and a second primary surface at the second semiconductor layer side.
積層構造体は、第１半導体層側の第１主面と、第２半導体層側の第２主面と、を有する。 - 特許庁
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