「First layer」を含む例文一覧(24476)

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  • The elongated members or the second layer has a thickness larger than that of the first layer.
    細長い部材又は第２層は、第１層の厚さよりも大きい厚さを有する。 - 特許庁
  • (2) The first diffusion layer part is compressed by contact pressure higher than the second diffusion layer part.
    （２）第１の拡散層部分が第２の拡散層部分より高い面圧で圧縮される。 - 特許庁
  • The second layer 21b moves to between the first layer 21a and the semiconductor region 13.
    第２の層２１ｂが第１の層２１ａと半導体領域１３との間に移動する。 - 特許庁
  • Consequently, light incident on the diffusion layer 9 is reflected by the first reflection layer 11.
    これにより、拡散層９に入射した光が第１反射層１１で反射される。 - 特許庁
  • The elongated members or the second layer has a thickness greater than that of the first layer.
    細長い部材又は第２層は、第１層の厚さよりも大きい厚さを有する。 - 特許庁
  • The conductive core substrate 10 includes a first core layer 21 and a second core layer 22.
    導電性コア基板１０は第１のコア層２１及び第２のコア層２２を有する。 - 特許庁
  • The first insulating layer 103 has a smaller elastic modulus than the second insulating layer 104.
    第一の絶縁層１０３は第二の絶縁層１０４よりも弾性率が小さい。 - 特許庁
  • The first core layer enhances optical coupling efficiency from the light source to the second core layer.
    第１のコア層は、光源から第２のコア層までの光結合効率を向上させる。 - 特許庁
  • On the other surface of the first base layer, a second conductivity type second base layer is formed.
    第１ベース層の他方の面に第２導電型の第２ベース層が形成される。 - 特許庁
  • The first layer interconnect line and the second layer interconnect line are connected together through Via at intersections.
    また、第１層の配線と第２層の配線は直交部でＶｉａで接続する。 - 特許庁
  • The second layer 13 is formed of a material having a higher level of thermal conductivity than the first layer 12.
    第２の層１２は、第１の層１１の熱伝導率よりも高い材質よりなる。 - 特許庁
  • A first silicon layer 210 and a second silicon layer 230 include the same crystal orientations.
    第１のシリコン層２１０及び第２のシリコン層２３０は、同一の結晶配向を含む。 - 特許庁
  • The semiconductor layer 103 and the first n+a-Si layer 104 are simultaneously patterned.
    半導体層１０３と１層目のｎ＋ａ−Ｓｉ層１０４を同時にパターニングする。 - 特許庁
  • Both the first graphite layer 171 and the second graphite layer 172 consist of graphite.
    第１の黒鉛層１７１、第２の黒鉛層１７２は、共にグラファイトで構成される。 - 特許庁
  • The first reinforcing layer 20 and the second reinforcing layer 22 include cords consisting of organic fibers.
    第一補強層２０及び第二補強層２２は、有機繊維からなるコードを含む。 - 特許庁
  • A first metal layer 24 is used as a mask layer in ion milling process with a multilayer film T1.
    第１金属層２４を多層膜Ｔ１のイオンミリング加工時のマスク層として用いる。 - 特許庁
  • After that, an embedding insulation layer 31 is embedded instead of a first silicon germanium layer 15a.
    そのあと、第１シリコンゲルマニウム層１５ａに代えて埋め込み絶縁層３１を埋め込む。 - 特許庁
  • The first adhesive layer 3 and the second adhesive layer 7 are composed of a urethane based adhesive.
    第１接着層３及び第２接着層７は、ウレタン系接着剤からなる。 - 特許庁
  • A second semiconductor spacer layer 19 is provided on the first semiconductor spacer layer 17.
    第２の半導体スペーサ層１９は、第１の半導体スペーサ層１７上に設けられる。 - 特許庁
  • The first conductive layer and/or the second conductive layer include carbon nanotube films.
    前記第一導電層及び／又は前記第二導電層は、カーボンナノチューブフィルムを含む。 - 特許庁
  • The second-layer pad is so provided as to cover the whole top side of the first-layer pad.
    前記２層目のパッドを、前記１層目のパッドの上側面全面を覆って設けた。 - 特許庁
  • To reduce dead spaces caused by a first intermediate conductive layer and a second intermediate conductive layer.
    第１中間導電層や第２中間導電層に起因したデッドスペースを削減する。 - 特許庁
  • The first metal layer 110 is patterned and a patterned conductive layer 110' is formed.
    第１金属層１１０がパターン化されてパターン化導電層１１０’を形成する。 - 特許庁
  • A second buried insulating layer is provided on an upper surface of a first buried insulating layer.
    第１埋め込み絶縁層の上面に第２埋め込み絶縁層が設けられている。 - 特許庁
  • The first active layer 1 and the second active layer 2 are butt-joint connected to each other.
    第１の活性層１と第２の活性層２とが互いにバットジョイント接合されている。 - 特許庁
  • The first heat reflecting layer 1 and the intermediate heat reflecting layer 3 are composed of a metallic material.
    また、第１熱反射層１、中間熱反射層３は金属材料からなる。 - 特許庁
  • The first interconnection layer 4 is connected with the second interconnection layer 5 via a through hole 10.
    第１配線層４と第２配線層５はスルーホール１０を介して接続されている。 - 特許庁
  • In this process step, the width of the first layer 102 is made greater than the width of the second layer 103.
    この工程では、第１の層１０２の幅を第２の層１０３の幅以上とする。 - 特許庁
  • The second coating layer 6 is removed only by a specified length to expose the first coating layer 4.
    第２被覆層６を所定長だけ除去して、第１被覆層４を露出させる。 - 特許庁
  • The second layer 24 is formed to be dispersed on the first layer 22.
    第２層２４は、第１層２２上に分散して形成されていることを特徴としている。 - 特許庁
  • A printed wiring board 1 is provided with a first conductive layer 3, an insulating layer 2 provided on the surface of the first conductive layer 3, and a second conductive layer 4 provided on the surface of the insulating layer 2 and electrically connected with the first conductive layer 3.
    本発明のプリント配線板１は、第１の導電層３と、第１の導電層３の表面上に設けられた絶縁層２と、絶縁層２の表面上に設けられ、第１の導電層３と電気的に接続される第２の導電層４とを備えている。 - 特許庁
  • The first insulating layer and the second insulating layer are etched using the gate electrode as a mask.
    該ゲート電極をマスクとして、第１の絶縁層及び第２の絶縁層をエッチングする。 - 特許庁
  • One surface of a nonmagnetic metal layer 343 is adjacent to one surface of a first shield layer 31.
    非磁性金属層３４３は、一面が第１のシールド層３１の一面に隣接する。 - 特許庁
  • The first silicide layer 262 is formed on the diffusion layer 14 in a self-aligning manner.
    第１シリサイド層２６２は、拡散層１４の上に自己整合的に形成されている。 - 特許庁
  • The first clad layer 2 is brought into line contact with the inner surface of the second clad layer 3 to be held.
    第１クラッド層２を第２クラッド層３の内面に線接触させて保持する。 - 特許庁
  • At this point, the buffer layer is formed thicker than the buffer layer of the first configuration.
    この時、上記バッファ層は上記第1構成のバッファ層に比べて厚く構成する。 - 特許庁
  • The second electrode is provided with at least a first material layer and a second material layer.
    第２の電極は、少なくとも第１の材料層と第２の材料層とを有する。 - 特許庁
  • The air filter is provided with a first filter layer 11 impregnated with oil and a second filter layer 12 as an oil repellent layer having an oil repellent property installed on the downstream of the first filter layer 11, and the first filter layer 11 is provided to be denser than the second filter layer 12.
    油が含浸された第１のフィルタ層１１と、第１のフィルタ層１１よりも下流に設けられ、油をはじく性質を有する撥油層たる第２のフィルタ層１２とを備え、第１のフィルタ層１１を第２のフィルタ層１２より密に設ける。 - 特許庁
  • The process in a second layer 12 is identical to that in the first layer 11.
    第２階層１２における処理は、第１階層１１における処理と同様である。 - 特許庁
  • The first semiconductor substrate 2 includes a P+ diffusion layer 4 and an N+ diffusion layer 13.
    第１半導体基板２はＰ^+拡散層４とＮ^+拡散層１３を含んでいる。 - 特許庁
  • The electrolyte membrane 21 includes a first electrolyte layer 25 and a second electrolyte layer 26.
    電解質膜２１は、第１電解質層２５と第２電解質層２６とを備える。 - 特許庁
  • An oxygen-diffused layer is formed on the first metal layer 1 at the substrate 11 side.
    第一金属層１の圧電基板１１側には酸素拡散層が形成されている。 - 特許庁
  • The data is additionally written to a first layer 12 and a second layer 14 of a multilayer optical disk 10.
    多層光ディスク１０の第１層１２及び第２層１４にデータを追記する。 - 特許庁
  • A capacitor 22 is constituted of a first annular conductive material layer 30 and a second annular conductive material layer 39.
    コンデンサ２２は環状の第１及び第２導電材料層３０，３９からなる。 - 特許庁
  • The first buffer layer is silicon-doped at a higher concentration than the second buffer layer.
    前記第１のバッファ層は、前記第２のバッファ層よりも高濃度でシリコンドープされる。 - 特許庁
  • This integrated single Ni layer M1 corresponds to the inventive first metal layer.
    この一体化された１層のＮｉ層Ｍ１が本発明の第１金属層に相当する。 - 特許庁
  • The young modulus of the second bump layer is 0.1 to 0.4 time as large as that of the first bump layer.
    そして、第２バンプ層のヤング率は、第１バンプ層のヤング率の０．１〜０．４倍とする。 - 特許庁
  • The main component of the first intermediate layer 12 and the second intermediate layer 14 is ionomer resin.
    第一中間層１２及び第二中間層１４の主成分は、アイオノマー樹脂である。 - 特許庁
  • The outside of the first sealing layer 6 is covered with a second sealing layer 7 made of epoxy resin.
    第一封止層６の外側をエポキシ樹脂からなる第二封止層７で覆う。 - 特許庁
  • A first inductor 310 is provided in the n-th wiring layer of the multilayer wiring layer 400.
    第１インダクタ３１０は、多層配線層４００の第ｎ配線層に設けられている。 - 特許庁
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