「First layer」を含む例文一覧(24472)

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  • A first electrode 20 at the side that is irradiated with light, produced on a transparent substrate 10, and a photoelectric conversion layer 30 made of at least two types of components and a charge transport layer 40 are laminated successively in between with an area to a counter electrode (second electrode) 50, so that they serve as the first and second electrode sides, respectively, to form a light-receiving element.
    光が照射される側の第１電極２０が透明基板１０上に作製され、その対向電極（第２電極）５０との間に、少なくとも２種以上の成分で構成される光電変換層３０が第１電極側、電荷輸送層４０が第２電極側となるように順次積層されることで構成される受光素子。 - 特許庁
  • The organic light-emitting device 70 includes first and second substrates 1, 21 wherein at least either of the substrates is composed of a light-transmittable material, a laminate 20 wherein a first electrode layer 2, light-emitting layers 30, 31, and 32, and a second electrode layer 14 are laminated in order, and a sealing member 29 for sealing the laminate 20.
    本発明による有機発光装置７０は、少なくともいずれか一方が光透過可能な材料からなる第１及び第２の基板１，２１と、第１の電極層２、発光層（３０，３１，３２）及び第２の電極層１４が順次積層された積層体２０と、積層体２０を封止する封止部材２９とを備える。 - 特許庁
  • A graphene electronic element includes: a conductive substrate acting as a gate electrode, a gate oxide disposed on the substrate; a pair of fist metals separated from each other on the gate oxide; a graphene channel layer extending between the first metals on the first metals; and a source electrode and a drain electrode which are respectively disposed on both ends of the graphene channel layer.
    ゲート電極として作用する導電性基板と、基板上に配置されたゲートオキサイドと、ゲートオキサイド上で互いに離隔された一対の第１金属と、第１金属上で、第１金属の間に延びたグラフェンチャネル層と、グラフェンチャネル層の両端にそれぞれ配置されたソース電極及びドレイン電極と、を備えるグラフェン電子素子である。 - 特許庁
  • The linear body 15 includes a center portion extending on the other surface of the substrate 11; and one end portion 15a and the other end portion 15b, that penetrate, from the other surface of the substrate 11, the substrate 11 and each of the first and second circuit pattern layer portions, and are disposed on each surface of the first and second circuit pattern layer portions.
    線状体１５は、基材１１の他方表面の上に延在する中央部と、基材１１の他方表面から基材１１と第１と第２の回路パターン層部分のそれぞれとを貫通して第１と第２の回路パターン層部分のそれぞれの表面上に配置された一方端部１５ａと他方端部１５ｂとを含む。 - 特許庁
  • The method for manufacturing an SiC substrate includes a step of removing at least a part of a process-modified layer 3a from the SiC substrate by vapor phase etching, the SiC substrate having first and second principal faces and having the process-modified layer 3a produced by mechanical plane processing or cutting on the first principal face.
    本発明のＳｉＣ基板の製造方法は、第１および第２の主面を備え、機械的平面加工あるいは切削加工により生じた加工変質層３ａを前記第１の主面に有するＳｉＣ基板１から、前記加工変質層３ａの少なくとも一部を気相エッチング法により除去する工程を包含する。 - 特許庁
  • Both or one of the first member 1 and the second member 2 is provided with an inflow part Fb for fuel, and a sheet-like or mat-like filter material 3 having a single-layer or multi-layer structure is interposed between the first member 1 and the second member 2 to cover the inflow part Fb from the internal space Fa side.
    第一部材１及び第二部材２の双方又はいずれか一方の部材には燃料の流入部分Ｆｂが形成してあると共に、第一部材１と第二部材２との間に、内部空間Ｆａ側から流入部分Ｆｂを覆うようにして、シート状又はマット状をなす単層又は多層構造を持ったろ材３が介装されている。 - 特許庁
  • This method for processing a semiconductor compries a process for forming a first insulating film (24) containing silicon on the surface of a GaN system semiconductor layer (20) and a process for removing the first insulating film (24) formed on the surface of the GaN system semiconductor layer (20), and a semiconductor device and its manufacturing method are provided with this method for processing a semiconductor.
    本発明は、ＧａＮ系半導体層（２０）の表面にシリコンを含有する第１絶縁膜（２４）を形成する工程と、ＧａＮ系半導体層（２０）の表面に形成された第１絶縁膜（２４）を除去する工程と、を有することを特徴とする半導体の処理方法、半導体装置およびその製造方法である。 - 特許庁
  • Thus, since a hot carrier flows within the first embedded layer 110a formed near the first mesa 109 in a low voltage region before starting multiplication, a flat part of M=1 appears in optical current/voltage characteristics, and a leak bus of a current is hardly formed on an interface of a protecting film 113 and the second embedded layer 110b.
    これにより、増倍開始前の低電圧領域において、第１メサ１０９の近傍に形成された第１埋込み層１１０ａ内をホットキャリアが流れるので、光電流−電圧特性に増倍率（Ｍ）＝１の平坦部が現れるようになり、かつ保護膜１１３と第２埋込み層１１０ｂとの界面に電流のリークバスが形成され難くなる。 - 特許庁
  • A nonvolatile semiconductor memory has a substrate 1 having stripe-like trenches 50, each first electrode 10 buried in the bottom of each trench 50, each second electrode 20 covering the surface of the substrate interposed between the adjacent first electrodes to each other, each diffusion layer 40 served as each source or each drain, and each trap film 30 served as a charge accumulating layer.
    本発明に係る不揮発性半導体記憶装置は、ストライプ状のトレンチ５０を有する基板１と、トレンチ５０の底部に埋設された第１の電極１０と、隣り合う第１の電極間１０の基板表面を覆う第２の電極２０と、ソース／ドレインとしての拡散層４０と、電荷蓄積層としてのトラップ膜３０とを備える。 - 特許庁
  • Since the porous part 182 is provided from a domain in contact with the electrode 44 to a domain reaching the side face of the first solid electrolyte layer 170, the heater part 190 is coupled with the electrode 44 of the pump cell 40, and simultaneously oxygen discharged from the introduction space 210 through the first solid electrolyte layer 170 is discharged to the sensor outside.
    また、上記多孔質部１８２を、電極４４と接触する領域から第１固体電解質層１７０の側面へと至る領域にわたって設けたことで、ヒータ部１９０とポンプセル４０の電極４４を結合させつつ、導入空間２１０から第１固体電解質層１７０を介して排出される酸素をセンサ外部に排出できる。 - 特許庁
  • The ceramic circuit substrate 10 is provided with the ceramic substrate 12 having opposed first surface and second surface, a wiring conductor 14 formed on the first surface of the ceramic substrate 12 wherein its principal component is tungsten or molybdenum and a copper layer 16 formed on the second surface of the ceramic substrate 12 wherein the copper layer 16 is provided with heat-resistant and impact resistant characteristics.
    セラミック回路基板１０は、対向する第１面と第２面を有するセラミック基板１２と、セラミック基板１２の第１面に形成されたタングステン又はモリブデンを主成分とする配線導体１４と、セラミック基板１２の第２面に形成された銅層１６を備え、銅層１６は耐熱衝撃特性を有している。 - 特許庁
  • In addition, since both the two-layer resist pattern 5 and a soluble layer pattern 2A are removed by dissolution through one time operation by using a solvent which can dissolve both the patterns 5 and 2A, the first thin film pattern 17 having more minute size can be formed easily with high accuracy by performing smooth lift-off operation without causing any burrs in the first thin film pattern 17.
    また、２層レジストパターン５および可溶層パターン２Ａを共に溶解可能な溶剤を用いてこれらを１回の操作で溶解除去するので、第１の薄膜パターン１７にバリを発生させることなく円滑なリフトオフ操作を行うことができ、より微小な寸法を有する第１の薄膜パターン１７を高精度かつ容易に形成することができる。 - 特許庁
  • When interlaminar separation of a laminated sheet having at least a structure in which a water-containing electroconductive composition layer 4 is interposed between first and second electrodes 2 and 3 is carried out, voltage is applied to a space between the first and second electrodes 2 and 3 and hydrogen is generated on an anode and the laminated sheet is released on the interface between these electrodes and the water-containing electroconductive composition layer 4.
    第１，第２の電極２，３間に含水導電性組成物層４が挟まれている構造を少なくとも有する積層接合体を層間剥離するに際し、第１，第２の電極２，３間に電圧を印加し、陰極上で水素を発生させ、該電極と含水導電性組成物層４との間の界面で剥離する。 - 特許庁
  • A first laminate sheet for molding has one or more ink layers (B) of an ink containing a fine metal piece obtained from an electrodeposited metal film dispersed in a resin varnish on a first transparent or translucent film (A), the film layer being a right surface, wherein the film layer contains a fluorine resin.
    第一の構成は、透明又は半透明である第一のフィルム層（Ａ）上に、蒸着金属膜から得られる金属細片を樹脂ワニス中に分散したインキを１層以上設けたインキ層（Ｂ）を有し、該フィルム層を表面層とする成型用積層シートであって、該フィルム層がフッ素樹脂を含有することを特徴とする成型用積層シート。 - 特許庁
  • The growing step includes a first supplying step of supplying Be for use as a p-type impurity to the p-type semiconductor layer 11 and a second supply step of supplying at least one kind of group VI element out of S, Se, and Te having the amount smaller than that of Be supplied in the first supplying step to the p-type semiconductor layer 11.
    成長工程は、ｐ型不純物１０としてのＢｅをｐ型半導体層１１に供給する第１供給工程と、Ｓ、Ｓｅ、およびＴｅの少なくともいずれか１種のＶＩ族元素を、第１供給工程で供給されるＢｅよりも少ない量で、ｐ型半導体層１１に供給する第２供給工程とを含んでいる。 - 特許庁
  • The power generation element 100 includes: a first piezoelectric elements 110 including electrodes 111 sequentially laminated on a base material 102, a first piezoelectric material layer 113, and an electrode 112; a second piezoelectric element 120 including electrodes 121 sequentially laminated on the base material 102, a second piezoelectric material layer 123, and an electrode 112; and a vibrating member 101.
    本発明の発電素子１００は、基材１０２上に順に積層された電極１１１、第１の圧電体層１１３および電極１１２を含む第１の圧電素子１１０と、基材１０２上に順に積層された電極１２１、第２の圧電体層１２３および電極１１２を含む第２の圧電素子１２０と、振動部材１０１とを含む。 - 特許庁
  • The spherical element equipped with an electrode formed on an area exposed from a part of a second semiconductor layer covering the spherical first semiconductor is positioned in the recess provided to the support of the first conductor layer, so as to protrude its electrode toward the back of the support and fixed by a process of thermally treating conductive paste applied around the bottom hole of the recess provided to the support.
    球状の第１半導体を被覆する第２半導体層の一部から露出させた面に電極を形成した球状素子を、第１導電体層である支持体の凹部に、電極が支持体の裏側に突出するように位置決めし、支持体の凹部の底部の孔周辺部に塗布した導電性ペーストの熱処理により固定する。 - 特許庁
  • In the solar cell comprising an intrinsic microcrystalline silicon layer 2, and an amorphous or microcrystalline silicon layer 3 of second conductivity type opposite to first conductivity type formed in this order on a first conductivity type crystalline silicon substrate 1, total impurity concentration of the crystalline silicon substrate 1 is in the range of 1 ppm to 2%.
    第１の導電型の結晶シリコン基板１上に、真性微結晶シリコン層２と、第１の導電型と反対導電型の第２の導電型の非晶質或いは微結晶シリコン層３の順に形成された太陽電池において、結晶シリコン基板１の不純物濃度の総量が１ｐｐｍ〜２％の範囲であることを特徴とする。 - 特許庁
  • The organic electroluminescence element and its manufacturing method are such that by thin forming an inorganic pixel defining film layer having an opening exposing at least a part of the upper part of a first electrode by a vapor deposition method, breakage of the formed organic film layer pattern caused by the step between the first electrode and the inorganic pixel defining film can be prevented.
    前記有機エレクトロルミネッセンス素子及びその製造方法は、第１の電極の上部の少なくとも一部を露出させる開口部を具備する無機画素定義膜を蒸着法を用いて薄く形成することにより、形成される有機膜層パターンが第１の電極と無機画素定義膜との段差によって切れることを防ぐといった効果がある。 - 特許庁
  • A display device 1 has a display layer 5 which includes a cell 51, in which a positively charged first particle A and a negatively charged second particle B whose color has a relation of complementary color with the color of the first particle A are stored; and display surface side electrodes 321, 322 which are provided at one surface side of the display layer 5 corresponding to the cell 51.
    表示装置１は、正に帯電する第１の粒子Ａと、第１の粒子Ａの色と補色の関係にある色をなし負に帯電する第２の粒子Ｂとが収容されたセル５１を備える表示層５と、表示層５の一方の面側に、セル５１に対応して設けられた表示面側電極３２１、３２２とを有している。 - 特許庁
  • A display device with a touch detection function comprises: a display function layer (liquid crystal layer 6); a plurality of touch detection electrodes TDL arranged in parallel so as to extend in a first direction; and a plurality of driving electrodes (common electrodes COML) which are arranged in parallel so as to extend in a second direction crossing the first direction and form capacitance at an intersection with the plurality of touch detection electrodes.
    表示機能層（液晶層６）と、第１の方向に延在するように並設された複数のタッチ検出電極ＴＤＬと、第１の方向と交差する第２の方向に延在するように並設され、複数のタッチ検出電極との交差部分に静電容量を形成する複数の駆動電極（共通電極ＣＯＭＬ）とを備える。 - 特許庁
  • The dye-sensitized solar battery includes a translucent substrate, a first electrode made of a micro metal wiring selectively buried in the translucent substrate, an oxide semiconductor layer formed on the translucent substrate so as to cover the electrode, a second electrode layer formed opposite to the oxide semiconductor layer, and electrolyte solution filled between the oxide semiconductor layer and the second electrode layer.
    本発明に係る色素増感太陽電池は、透光性基板と；前記透光性基板に選択的に埋め込まれた微細金属配線からなる第１の電極と；前記電極を覆うように前記透光性基板上に形成された酸化物半導体層と；前記酸化物半導体層に対向して形成された第２の電極層と；前記酸化物半導体層と前記第２の電極層との間に充填された電解溶液とを備えたことを特徴とする。 - 特許庁
  • The organic electronic device has a first and a second electrodes facing each other on a substrate and has at least one layer of organic functional layer between both electrodes, and at least one of the electrodes has a conductive polymer-contained layer, and the conductive polymer contained in the conductive polymer-contained layer contains a π-conjugated system conductive polymer and polyanion; and an excimer light irradiation treatment is applied on the surface of the conductive polymer-contained layer.
    基板上に、対向する第１、第２電極を有し、両電極間に少なくとも１層の有機機能層を有する有機電子デバイスであって、少なくとも一方の電極が導電性ポリマー含有層を有し、該導電性ポリマー含有層に含まれる導電性ポリマーがπ共役系導電性高分子及びポリアニオンを含有し、該導電性ポリマー含有層の表面にエキシマ光照射処理を施したことを特徴とする有機電子デバイス。 - 特許庁
  • In addition, two regions of the second multilayered semiconductor mirrors 109 and 113, having different reflectance, are formed by interposing a first spacer layer 118 which includes an Al-containing semiconductor layer and a second spacer layer 117 formed by oxidizing the layer 118 between the mirrors 109 and 113 in the emitting center region of the laser light generated from the active layer 105 and the peripheral region of the center region, respectively.
    活性層１０５で発生したレーザ光の出射中心領域において、第２の半導体多層膜ミラー１０９、１１３の途中にＡｌを含んだ半導体層を含む第１のスペーサ層１１８が挿入され、出射中心領域の周辺部において、第１のスペーサ１１８層を酸化することで形成された第２のスペーサ層１１７が挿入されていることで、第２の半導体多層膜ミラー１０９、１１３の反射率が異なる２つの領域が形成されている。 - 特許庁
  • The organic electroluminescence panel having an electroluminescence element including a first and second electrodes and one or more organic function layer composed of layered organic compounds interposed between the first and second electrodes, and a resin substrate supporting the electroluminescence element, comprises a polymer compound layer interposed between the electroluminescence element and the resin substrate, and an inclusion inorganic barrier layer contacting the electroluminescence element.
    第１及び第２表示電極並びに第１及び第２表示電極間に挟持かつ積層された有機化合物からなる１以上の有機機能層からなる有機エレクトロルミネッセンス素子と、有機エレクトロルミネッセンス素子を担持する樹脂基板と、からなる有機エレクトロルミネッセンス表示パネルであって、少なくとも有機エレクトロルミネッセンス素子及び樹脂基板の間に、高分子化合物層を備えかつ有機エレクトロルミネッセンス素子に接触する包接無機バリア層を有する。 - 特許庁
  • In the storage element, the layer containing a compound for showing liquid crystal properties is formed in contact with the first conductive layer and is a layer being subjected to phase transition at least from the first phase to the second phase.
    第１の導電層と、第２の導電層と、第１の導電層と第２の導電層とに挟持される液晶性を示す化合物を含む層と、第１の導電層と第２の導電層に挟持され、液晶性を示す化合物を含む層に接する有機化合物を含む層と、を有し、液晶性を示す化合物を含む層は第１の導電層に接して形成されており、少なくとも第１の相から第２の相へ相転移する層である記憶素子である。 - 特許庁
  • This antifouling-processed product includes a metallic substrate and an antifouling coating film, where the metallic substrate comprises aluminum or zinc as a forming material; and the antifouling coating film comprises a first layer containing an alkali silicate and formed on the metallic substrate and a second layer containing at least one kind selected from a zirconium oxide, yttrium oxide, hafnium oxide and rare earth oxide, and formed on the first layer.
    金属基体と、前記金属基体の表面に形成された防汚コーティング膜と、を含み、金属基体は、アルミニウムまたは亜鉛を形成材料とし、防汚コーティング膜は、金属基体上に形成され珪酸アルカリを含む第１層と、第１層上に形成されるとともにジルコニウム酸化物、イットリウム酸化物、ハフニウム酸化物および希土類酸化物から選ばれた少なくとも１種を含む第２層と、を有することを特徴とする。 - 特許庁
  • The nitride based compound semiconductor light emitting element comprising a first ohmic electrode, a first bonding metal layer, a second bonding metal layer and a second ohmic electrode formed in this order on a conductive substrate is provided with a nitride based compound semiconductor layer on the second ohmic electrode, and one surface of the second ohmic electrode is exposed.
    本発明は、導電性基板上に、第一のオーミック電極、第一の接着用金属層、第二の接着用金属層および第二のオーミック電極をこの順番で備え、該第二のオーミック電極上に窒化物系化合物半導体層を備える窒化物系化合物半導体発光素子であって、前記第二のオーミック電極の一表面が露出していることを特徴とする窒化物系化合物半導体発光素子を提供する。 - 特許庁
  • The method includes: a step of removing a chemically stable first impurity-containing layer by performing dry etching to a Zn polar face (+c face) in the surfaces of the substrate; and a step of removing a second impurity-containing layer lying at a position deeper than the first impurity-containing layer.
    ）」で表される組成を有する酸化亜鉛系基板の処理方法であって、前記基板の表面のうち、Ｚｎ極性面（＋ｃ面）をドライエッチングすることにより、化学的に安定な第一の不純物含有層を除去する工程と、前記ドライエッチング面をさらにウェットエッチングすることにより、前記第一の不純物含有層よりも深い位置にある第二の不純物含有層を除去する工程と、を有することを特徴とする酸化亜鉛系基板の処理方法。 - 特許庁
  • The flexible printed wiring board 20 having a bent portion 21 repeatedly bent at an intermediate portion includes an insulating base 41, a first conductive layer 42 laminated on one side of the base and made of an electrolytic copper foil, and a second conductive layer 43 laminated on the other side of the base and formed of a rolled copper foil, wherein the bent portion is formed by removing the first conductive layer.
    中間部において繰り返し屈曲させられる屈曲部２１を備えるフレキシブルプリント配線板２０であって、絶縁性の基材４１と、上記基材の一方に積層されるとともに電解銅箔から構成される第１の導電層４２と、上記基材の他方に積層されるとともに圧延銅箔から形成される第２の導電層４３とを備え、上記第１の導電層を除去することにより、上記屈曲部が形成されている。 - 特許庁
  • A hard magnetic layer for imparting a bias magnetic field to a magnetoresistive element which is a multi-layered film comprising a fixed magnetic layer having magnetization fixed in a prescribed first direction and a free magnetic layer having an axis of easy magnetization in a prescribed second direction is formed in a region including at least one of the front and the back of the prescribed first direction when observed from the magnetoresistive element.
    所定の第１の方向に固定された磁化を有する固定磁性層と所定の第２の方向に磁化容易軸を持つ自由磁性層とを含む多層膜である磁気抵抗効果素子にバイアス磁界を付与する硬磁性層を、上記磁気抵抗効果素子からみて、上記所定の第１の方向前方およびその第１の方向後方のうちの少なくともいずれか一方を含む領域に形成する硬磁性層形成を行う。 - 特許庁
  • The semiconductor device includes a semiconductor substrate 10 having electrodes 12, resin protrusions 20 formed on a surface 15 whereon the electrodes 12 of the semiconductor substrate 10 are formed, and wiring 30 connected electrically with the electrodes 12 each of which comprises an electrically connective portion 32 disposed on each resin protrusion 20 and a first metal layer 34 and a second metal layer 36 so formed as to cover the first metal layer 34.
    半導体装置は、電極１２が形成された半導体基板１０と、半導体基板１０における電極１２が形成された面１５に形成された樹脂突起２０と、樹脂突起２０上に配置された電気的接続部３２を有し、第１の金属層３４と、第１の金属層３４を覆うように形成された第２の金属層３６とを有する、電極１２と電気的に接続された配線３０と、を含む。 - 特許庁
  • The organic light emitting element comprises an anode, a cathode and a layer interleaved between the anode and the cathode and consisting of organic compounds containing a light emitting region layer, and the light emitting region layer comprises a first organic compound represented by general formula (I) and a second organic compound, the second organic compound has a pyrene skeleton or a fluorene skeleton, and energy gap larger than that of the first compound.
    陽極と陰極と、該陽極と該陰極との間に挟持され発光領域層を含む有機化合物からなる層とから構成され、該発光領域層が、下記一般式（Ｉ）で表される第一の有機化合物と、第二の有機化合物とを有し、該第二の有機化合物がピレン骨格又はフルオレン骨格を有し、該第一の有機化合物よりもエネルギーギャップが大きい有機化合物であることを特徴とする、有機発光素子。 - 特許庁
  • A laminated foamed sheet 1 is constituted of a polystyrenic resin first foamed layer 2 with a mean cell diameter L1 of 150-450 μm, a polystyrenic resin second foamed layer 4 with a mean cell diameter L2 of 35-180 μm (mean cell diameter L1> mean cell diameter L2) and the thermoplastic resin reinforcing layer 4 between the first and second foamed layers.
    本発明の積層発泡シート１は、平均気泡径Ｌ１が１５０〜４５０μｍのポリスチレン系樹脂第一発泡層２と、平均気泡径Ｌ２が３５〜１８０μｍのポリスチレン系樹脂第二発泡層４（但し、平均気泡径Ｌ１＞平均気泡径Ｌ２）と、上記ポリスチレン系樹脂第一発泡層と上記ポリスチレン系樹脂第二発泡層の間に熱可塑性樹脂補強層４が設けられているという構成を採用することによって得ることができる。 - 特許庁
  • In the organic electroluminescent element including a rear face substrate 35 and an organic electroluminescent part that is formed on one face of the rear face substrate 35 and that is formed with a first electrode 32, an organic layer 31, and a second electrode 30 laminated sequentially, a nano-porous layer 34 and a high refractive index layer 33 are included between the rear face substrate 35 and the first electrode 32.
    本発明により，背面基板３５と，背面基板３５の一面に形成され，第１電極３２，有機層３１及び第２電極３０が順次に積層されて形成された有機電界発光部とを含む有機電界発光素子において，背面基板３５と第１電極３２との間にナノ多孔質層３４及び高屈折率層３３を含むことを特徴とする有機電界発光素子及びその製造方法が提供される。 - 特許庁
  • The fuel cell 100 includes a cathode side catalyst layer 14 being formed such that the weight of a catalyst per unit area of a first region (region Ra; high catalyst density catalyst layer 14a) on an upstream side in a flow direction of the oxide gas is to be larger than that of the catalyst per unit area in a second region (region Rb; low catalyst density catalyst layer 14b) other than the first region.
    燃料電池１００において、カソード側触媒層１４は、酸化剤ガスの流れ方向についての上流側の第１の領域（領域Ｒａ；高触媒密度触媒層１４ａ）における単位面積当たりの触媒の重量が、第１の領域以外の第２の領域（領域Ｒｂ；低触媒密度触媒層１４ｂ）における単位面積当たりの触媒の重量よりも多くなるように形成されている。 - 特許庁
  • The photosensitive transfer sheet is obtained by sequentially stacking on a support a first photosensitive layer comprising a photosensitive resin composition containing a binder, a polymerizable compound and a photoinitiator; a second photosensitive layer comprising a photosensitive resin composition containing a binder, a polymerizable compound and a photopolymerization initiator and exhibiting a relatively higher photosensitivity than the first photosensitive layer; and a polypropylene film having a thickness of 2-15 μm.
    支持体上に、バインダー、重合性化合物、及び光重合開始剤を含む感光性樹脂組成物からなる第一感光層、バインダー、重合性化合物、及び光重合開始剤を含む感光性樹脂組成物からなり、第一感光層の光感度よりも相対的に高い光感度を示す第二感光層、そして厚みが２〜１５μｍの範囲にあるポリプロピレンフィルムがこの順に積層されてなる感光性転写シート。 - 特許庁
  • The method for producing the enteric granules comprises a step for forming the first enteric layer by coating raw granules or granules containing one or more layers for applying the raw granules with an enteric coating agent containing HPMCAS and a step for forming the second enteric layer on the first enteric layer by using an enteric coating agent containing HPMCAS having dissolution pH which is lower than that of the above HPMCAS.
    また、素顆粒又は素顆粒を被覆する一以上の層を含む顆粒を、ＨＰＭＣＡＳを含む腸溶性コーティング剤で被覆して第１腸溶性層を形成する工程と、上記第１腸溶性層の上に、上記ＨＰＭＣＡＳよりも溶解ｐＨが低いＨＰＭＣＡＳを含む腸溶性コーティング剤を用いて第２腸溶性層を形成する工程とを含んでなる腸溶性顆粒剤の製造方法を提供する。 - 特許庁
  • The nonlinear resistance element 33 is formed by laminating a first metal layer 36, an insulating layer 37, and a second metal layer 38 in order from the side of the substrate, and the pixel electrode 24a is made of polycrystallized indium tin oxide, and the second metal layer 38 is made of an alloy having molybdenum (Mo) as a main component and is connected on the pixel electrode 24a.
    そして、非線形抵抗素子３３が、基材側から第１金属層３６、絶縁層３７、及び第２金属層３８の順に積層されて形成され、画素電極２４ａが、多結晶化されたインジウム錫酸化物から形成されてなり、第２金属層３８が、モリブデン（Ｍｏ）を主成分として成る合金によって形成されるとともに、画素電極２４ａ上に接続されていることを特徴とする。 - 特許庁
  • Next, ions are implanted into the structure, the ions forming defects by which mechanical decoupling is achieved at the interface or vicinity of the interface; then a heating step is performed to the structure including the implanted ions, by which mutual diffusion of Ge through the first single crystal Si layer and SiGe layer is achieved; thereby a SiGe layer that is substantially relaxed single crystal and homogenous is formed on the barrier layer.
    次に、界面での、または界面付近での機械的な分断を可能にする欠陥を形成することができるイオンが構造内に注入され、その後、注入されたイオンを含む構造に、第１の単結晶Ｓｉ層およびＳｉＧｅ層を通るＧｅの相互拡散を可能にする加熱ステップを施して、障壁層の上に、実質的に緩和された単結晶であり均質のＳｉＧｅ層を形成する。 - 特許庁
  • The electrophotographic photoreceptor having a photosensitive layer 23 on a conductive substrate 21 contains at least a polymer charge transfer material in a layer farthest apart from the substrate 21 in the first layer from the surface side and this charge transfer layer contains at least a sulfur compound having a ≥8C straight alkyl structure and phenol compound.
    導電性基体２１上に感光層２３を有する電子写真用感光体において、導電性基体より最も離れた表面側から少なくとも１層に少なくとも高分子電荷輸送物質を含有し、且つこの電荷輸送層に、少なくともフェノール系化合物と炭素８以上の直鎖状アルキル構造を有する硫黄系化合物を含有することを特徴とする電子写真感光体。 - 特許庁
  • In the multilayer printed wiring board comprising a plurality of metal foils and conductor layers laid alternately in layers, an interlayer contact via pad provided in a first insulation layer, a wiring circuit, and an interlayer contact via bottom pad of a second insulation layer are provided in the same surface layer and the thicknesses at least of the interlayer contact via pad and the second insulation layer interlayer contact via bottom pad are identical.
    複数の金属箔と導体層を交互に積層してなる多層プリント配線板であって、第一の絶縁層に設けられた層間接続ビアパッドと配線回路と第二の絶縁層の層間接続ビア底部パッドが同一表面層に設けられ、かつ少なくとも当該層間接続ビアパッドと第二の絶縁層層間接続ビア底部パッドの厚みが同じであることを特徴とする多層プリント配線板。 - 特許庁
  • The variable capacitive element using a ferroelectric substance is provided with a ferroelectric layer 21, connected between first and second electrodes 22, 24; the ferroelectric layer 21 has a Perovskite structure that is phase-transformed from cubic crystal to tetragonal phase by compression stress Y that the ferroelectric layer has inside; and by using the ferroelectric layer, the variable capacitive element can be reduced in size.
    本発明は、強誘電体を用いた可変容量素子において、第１及び第２の電極２２、２４の間に接続された強誘電体層２１を備え、前記強誘電体層２１は、自らが内部に持つ圧縮応力Ｙにより立方晶から正方晶へ相変態したペロブスカイト型構造を有することを特徴とする可変容量素子を用いることで、可変容量素子の小型化を実現できるものである。 - 特許庁
  • Copper wiring formed on an amorphous silicon layer formed of an amorphous silicon film is provided with a thin-film transistor substrate having a copper alloy layer 107A formed of alloy with copper, as main components, which contains elements in which the generation energy of hydride is negative as first additional elements and second additional elements, and a pure copper layer 107B formed of pure copper on the copper alloy layer.
    非晶質ケイ素の膜により形成された非晶質ケイ素層上に形成される銅配線において、第１添加元素として水素化物の生成エネルギーが負の元素、さらに第２添加元素を含む銅を主成分とする合金により形成された銅合金層１０７Ａと、前記銅合金層の上に純銅により形成された純銅層１０７Ｂとを有する薄膜トランジスタ基板を備える。 - 特許庁
  • A technique includes processes of: generating a data packet in accordance with a communications protocol such that generating the data packet includes encoding the data packet according to a second layer of the protocol in a frame format according to a third layer of the protocol; transmitting the data packet from a computer system to an external printing device according to a first layer of the protocol; and decoding the data packet in accordance with the second layer of the protocol.
    技術は、通信プロトコルに従ってデータパケットを生成する工程であって、プロトコルの第３層に従ったフレーム形式のデータパケットをプロトコルの第２層に従ってエンコードすることを含む、データパケットを生成する工程と、プロトコルの第１層に従ってコンピュータシステムから外部プリント装置にデータパケットを伝送する工程と、プロトコルの第２層に従ってデータパケットをデコードする工程とを含む。 - 特許庁
  • The manufacturing method of the light-emitting device comprises a process of forming a mixed layer containing a compound selected from an oxide semiconductor and metal oxide, and an aromatic amine compound on a first electrode by co-deposition, a process of forming a layer containing a light-emitting material on the mixed layer, and a process of forming a second electrode on the layer containing the light-emitting material.
    第１の電極の上に、共蒸着によって、酸化物半導体および金属酸化物の中から選ばれた一の化合物と芳香族アミン化合物とを含む混合層を形成し、前記混合層の上に発光性の物質を含む層を形成し、前記発光性の物質を含む層の上に第２の電極を形成する工程を有することを特徴とする発光装置の作製方法。 - 特許庁
  • The hard candy-containing gumi candy has the following structure: hard candies containing foaming components therein are dispersed in gumi candy having a moisture content of ≤20 wt.%; the hard candy contains maltitol and/or reduced paratinose; a coating layer containing shellac as a first layer is formed on the surface of the hard candy; and a coating layer containing maltitol and/or reduced paratinose is formed as a second layer.
    内部に発泡性成分を含有するハードキャンディが水分含量２０重量％以下のグミキャンディに分散されているハードキャンディ含有グミキャンディであって、前記ハードキャンディがマルチトール及び／又は還元パラチノースを含み、前記ハードキャンディの表面に第一層としてシェラックを含む被覆層があり、かつ第二層にマルチトール及び／又は還元パラチノースを含む被覆層があることを特徴とするハードキャンディ含有グミキャンディ。 - 特許庁
  • The method for manufacturing the catalyst electrode includes a first process for forming a catalyst ink layer by coating the catalyst ink, a second process for arranging minute waterdrops on the catalyst ink layer by contacting high humid air to the catalyst ink layer and a third process for forming the catalyst layer by drying and removing the minute waterdrops.
    触媒電極の製造方法として、触媒インクを塗布することにより、触媒インク層を形成するための第１の工程と、前記触媒インク層に高湿空気を接触させることにより、前記触媒インク層に微小水滴を配列するための第２の工程と、前記微小水滴を乾燥除去することにより、触媒層を形成するための第３の工程を有する触媒電極の製造方法を用いること。 - 特許庁
  • In the original disk for the optical recording medium using a two layer photoresist original disk wherein a first photoresist layer, an intermediate layer consisting of an oxide film and a second photoresist layer are sequentially laminated on a substrate, exposure linear speed is changed in the same surface and different patterns are exposed in respective regions having linear speeds different from each other in an exposure step of the photoresist original disk.
    基盤上に第一のフォトレジスト層、酸化膜からなる中間層、および第二のフォトレジスト層が順次積層されている二層フォトレジスト原盤を使用した光記録媒体用原盤において、該フォトレジスト原盤の露光工程で、同一面内で露光線速を変更させ、線速が異なる各領域で異なったパターンが露光されたものであることを特徴とする光記録媒体用原盤。 - 特許庁
  • To provide a manufacturing method of an organic electroluminescent element forming a base material; a first electrode, an organic light emitting media layer including an organic light emitting layer, and a second electrode formed on the base material; and an inorganic sealing layer formed on the second electrode; prevented from generation and spread of defect for a long period by providing the inorganic sealing layer excellent in a barrier property and free from defect.
    基材と、この基材上に、第一電極と、有機発光層を含む有機発光媒体層と、該有機発光媒体層、第二電極を形成し、第二電極上に無機封止層を形成する有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法において、バリア性に優れた欠陥のない無機封止膜を提供することにより、長期にわたり欠陥の発生、拡大のない有機エレクトロルミネセンス素子を製造することにある。 - 特許庁
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