The other end of the first and the second conductive layer is connected to the contact pad to be connected to an external circuit through the conductor layer 38a which is integrally formed with the upper shield 34, and through the conductor layers 51a, 52a which are simultaneously formed with thin film coils 40, 42. 第1および第2の導電層の他端は、上部シールド34と一体に形成される導体層38a並びに薄膜コイル40,42と同時に形成される導体層51aおよび52aを介して外部回路に接続される接点パッドに接続する。 - 特許庁
Then, the second connector section has a discharge suppressing layer 220 which is jointed to the discharge suppressing member and covers the surroundings of the surface of the insulation layer to become the conductive passage and further, has a coming-off stop engaging part 240 which is engaged with the connector part 120 of the first connector section. そして、第2コネクタ部は、前記放電抑止部材と接合されると共に、導電経路となる絶縁層表面の周囲を覆う放電抑止層220を有し、さらに第1コネクタ部の接続端子部120と係合される抜け止め係合部240を有する。 - 特許庁
A first metal layer is made to serve as a standard cell GND wiring 1, and a second metal layer is made to serve as a standard cell power supply wiring 2a, that is, two different wiring layers are provided, by which the wiring layers can be laminated easily, and the power supply wiring and the GND wiring can be lessened in dedicated area. スタンダードセル用GND配線1を第1メタル層、スタンダードセル用電源配線2aを第2メタル層というように互いに異なる配線層とすることで、容易に積層化でき、電源及びGND配線の占有面積を削減できる。 - 特許庁
A first resin layer 14 which is comparatively low in linear expansion coefficient and surrounds a semiconductor chip 12 and a second resin layer 14 which is comparatively high in linear expansion coefficient and covers bonding wires 13 are laminated inside a stepped recess 11 for resin sealing. 階段状凹部11内に、半導体チップ12の周囲を覆う、比較的線膨張係数の低い第1の樹脂層14と、その上に、ボンディングワイヤ13を覆う、比較的線膨張係数の高い第2の樹脂層15とを積層して樹脂封止する。 - 特許庁
(4) A field effect transistor uses a third electrode to control the current amount of a semiconductor layer as a current flow passage between a first electrode and a second electrode, wherein the semiconductor layer is made of the functional organic thin film according to (1) or (2). (4)第一の電極と第二の電極間の電流流路である半導体層の電流量を、第三の電極によって制御する電界効果型トランジスタにおいて、該半導体層が(1)又は(2)記載の機能性有機薄膜からなる電界効果型トランジスタ。 - 特許庁
According to the invention, an enamelled part includes at least one other enamel layer (6', 8', 9, 14, 16, 25, 35, 37, 39, 41, 43, 45) partially covering the first enamel layer (4', 12, 24, 33) so as to form a decoration with a similar improved appearance. 本発明によると前記部品は、部分的に第1のエナメル層(4’、12、24、33)を被覆して同様に向上した外観を有する装飾を形成する、少なくとももう1つの別のエナメル層(6’、8’、9、14、16、25、35、37、39、41、43、45)を含む。 - 特許庁
When an X-ray detection layer and a first electrode layer are newly formed on the surface of a substrate 610 for the X-ray detector, after a stripping operation, the elastic sheet 602 acts as a heat conductive material, and the temperature of the substrate 610 for the X-ray detector will not be raised unnecessarily. 剥離後のX線検出器用基板610表面に、新しいX線検出層や第1電極層を形成するとき、弾性シート602が熱導電材料になり、X線検出器用基板610が不必要に昇温しない。 - 特許庁
More preferably the width of the grooves 4A and 4B is 1 to 5 mm and when the adhesive layer 15 is interposed between the adhesion surface 10b of the first optical part 10 and the adhesion surface 3a of the mount 3, the depth of the adhesive layer 15 is 1 to 3 μm. 好ましくは、溝4A、4Bの幅が1−5mmであり、第一の光学部品10の接着面10bとマウント3の接着面3aとの間に、接着剤層15が介在している場合には、接着剤層15の厚さが1−3μmである。 - 特許庁
In addition, in a method of manufacturing a light-emitting device, the first substrate provided with the material layer which is patterned by the above method is irradiated with second light, whereby the material layer can be evaporated onto a third substrate which is a deposition target substrate. また、上述した方法によりパターン形成された材料層を有する第1の基板に第2の光を照射することにより、材料層を被成膜基板である第2の基板上に蒸着させることが可能な発光装置の作製方法である。 - 特許庁
The hose for refrigerant transportation has a five-layer structure, in which the first and second reinforcing layers are individually formed by spirally winding reinforcing threads in opposite directions to each other between the inside, middle and outside layers in a three-layer rubber lamination each of which has a thickness of 0.3 mm or more. それぞれ0.3mm以上の厚さを持つ内側,中央,外側の3層のゴム層の間に、補強糸が互いに逆方向に1層スパイラル巻きされた第1補強層と第2補強層をそれぞれ形成した5層構造の冷媒輸送用ホース。 - 特許庁
In addition, as for a gate electrode of a P channel type MOS transistor, a thin oxide film 3 used in the step for forming the field oxide film is used as a gate oxide film, and the first poly-silicon layer 4 and the second poly-silicon layer 8 are laminated and used as the gate electrode 9. また、Pチャネル型MOSトランジスタのゲート電極については、フィールド酸化膜形成工程で用いた薄い酸化膜3をゲート酸化膜として用い、且つ第1のポリシリコン層4と第2のポリシリコン層8を積層してゲート電極9としている。 - 特許庁
Amount of metallic compound layer formed in at least a part of a surface of the nanostructural body by applying different voltages to the first electrode and the second electrode, containing the metallic element included in the nanostructural body, and having a refractive index being different from that of the ion transmission layer differs. 第1及び第2電極への異なる電圧の印加によって、ナノ構造体の表面の少なくとも一部において形成され、ナノ構造体に含まれる前記金属元素を含み、イオン伝導層とは屈折率が異なる金属化合物層の量が異なる。 - 特許庁
The acrylic laminated film is constituted of a firstlayer comprising an acrylic material (A) containing 50 wt.% or above of a methacrylic resin and a second layer comprising an acrylic material (B) containing acrylic rubber particles and having a Vicat softening temperature lower than that of the acrylic material (A) at least by 5°C. メタクリル樹脂を50重量%以上含有するアクリル材料(A)からなる第1層と、アクリルゴム粒子を含有し、アクリル材料(A)よりビカット軟化温度が少なくとも5℃低いアクリル材料(B)からなる第2層とから、アクリル積層フィルムを構成する。 - 特許庁
A concentration distribution of a dopant included in the first epitaxial layer 11 in a surface parallel with the surface of the substrate main body 13 is configured to match with a concentration distribution of the dopant included in the second epitaxial layer 12 in a surface parallel with the surface of the substrate main body 13. 第1エピタキシャル層11に含まれるドーパントの基板本体13表面に平行な面における濃度分布は、第2エピタキシャル層12に含まれるドーパントの基板本体13表面に平行な面における濃度分布に合うように構成される。 - 特許庁
Each of the organic light emitting elements 10R, 10G and 10B is so structured that, for instance, a first electrode 14 as a positive electrode, an insulation film 15, an organic layer 16 including a luminescent layer, and a second electrode 17 as a negative electrode are stacked in that order from the side of a substrate 11. 有機発光素子10R,10G,10Bは、例えば、基板11の側から、陽極としての第1電極14、絶縁膜15、発光層を含む有機層16、および陰極としての第2電極17がこの順に積層されている。 - 特許庁
A low-reflectivity film 21 containing SiO_2 as a main constituent is formed as a firstlayer on the frost 19 by applying it by a dipping method and thereafter baking it; and a high-reflectivity film 22 containing Fe_2O_3 as a main constituent is formed as the second layer by applying it by a dipping method and thereafter baking it. フロスト19上に1層目としてSiO_2を主成分とする低屈折率膜21を、ディピング方式で塗布後に焼成して形成し、2層目にFe_2O_3を主成分とする高屈折率膜22を、ディピング方式で塗布後に焼成して形成する。 - 特許庁
A touch panel sensor with a protective cover includes a touch panel sensor 30, a protective cover 12 provided on one side of the touch panel sensor 30 through a first adhesion layer 14, and a transparent sheet 27 provided on the other side of the touch panel sensor 30 through a second adhesion layer 19. 保護カバー付タッチパネルセンサは、タッチパネルセンサ30と、タッチパネルセンサ30の一側に第1接着層14を介して設けられた保護カバー12と、タッチパネルセンサ30の他側に第2接着層19を介して設けられた透明シート27と、を備えている。 - 特許庁
By this manufacturing method, the single-layer fine particle film 17 wherein the fine particles of one film layer formed on the surface of the base material are mutually bonded by a covalent bond through the first organic film formed on the surfaces of the fine particles and the second organic film formed on the surface of the base material is obtained. 基材表面に1層形成された微粒子の膜が微粒子表面に形成された第1の有機膜と基材表面に形成された第2の有機膜を介して互いに共有結合している単層微粒子膜17を得る。 - 特許庁
In the method of manufacturing SOI wafer in which at least an SOI layer is formed on an insulating material, the SOI wafer is formed first on the SOI layer, and thereafter it is processed with a chemical solution including CN^-. 本発明は、少なくとも、絶縁体上にSOI層を形成したSOIウエーハを製造する方法であって、前記SOIウエーハを、SOI層を形成した後に、CN^−を含む薬液で処理することを特徴とするSOIウエーハの製造方法を提供する。 - 特許庁
In an optical information recording medium, a part corresponding to an innermost peripheral region 24 in a first information recording layer 14 is specified to be a system lead-in area 24A and a part corresponding to the innermost peripheral region 24 in a second information recording layer 18 is specified to be a system lead-out area 24B. 第1情報記録層14のうち、最内周の領域24に対応する部分がシステム・リードイン領域24Aとされ、第2情報記録層18のうち、最内周の領域24に対応する部分がシステム・リードアウト領域24Bとされている。 - 特許庁
The double-sided pressure-sensitive adhesive sheet 10 includes a transparent conductive base material 11, a first pressure-sensitive adhesive layer 12 provided on one face of the transparent conductive base material 11, and a second pressure-sensitive adhesive layer 13 provided on the other face of the transparent conductive base material 11. 本発明の両面粘着シート10は、透明導電基材11と、透明導電基材11の一方の面に設けられた第1の粘着剤層12と、透明導電基材11の他方の面に設けられた第2の粘着剤層13とを備える。 - 特許庁
The connection structure of circuit boards is constituted in such a structure that in the case where the connection parts in the mutual wiring patterns 1 and 9 of the first-layer single-sided circuit board and the second-layer circuit board are connected by continuity with a creamy solder 14, a gas releasing hole 13 is provided in the conduction and connection part of the solder 14. 1層目の片面回路基板と2層目の回路基板との相互の配線パタ−ン1,9に於ける接続部をクリーム半田14で導通接続する場合に、クリーム半田14の導通接続部にガス逃げ穴13を設けるように構成する。 - 特許庁
The environmentally resistant film structure is a film structure covering a support having a low coefficient of thermal expansion, wherein hafnon (HfSiO_4) is a firstlayer 2 directly formed on a support 1, and hafnia is formed thereon as a second layer 3. 更には、低熱膨張係数を有する基材を被覆する皮膜構造体において、ハフノン(HfSiO_4)を基板1上に直接形成される第1層2とし、その上にハフニアを第2層3として皮膜するようにして耐環境性皮膜構造体を構成するようにしている。 - 特許庁
In addition, the bumps 8 can be brought into contact surely with the lands 9A, because all adhesive layers 10 can be softened sufficiently even when the adhesive layer 10 is unevenly heated by holding the layer 10 at the first pressing temperature for the prescribed period of time. また、第1のプレス温度で所定時間保持することにより、接着剤層10の加熱にむらが生じる場合においても、すべての接着剤層10を充分に軟化させることができ、導電性バンプ8をランド9Aに確実に接触させることができる。 - 特許庁
When a voltage V0 for holding a first electrode terminal 163 at a higher potential than a 2nd electrode terminal 164 is applied, a continuous potential gradient which linearly descends in a Z direction is formed in an incidence-side resistance element layer 13 and a projection-side resistance element layer 15. 第1電極端子163を第2電極端子164より高電位とする電圧V0を印加すると、入射側抵抗体層13及び出射側抵抗体層15にZ方向へ直線的に降下する連続的な電位勾配が形成される。 - 特許庁
The charging roller body of the electrifying roller apparatus 100 makes the load with respect to the first photoreceptor coating layer 221 of the photoreceptor 200 to be less than the load with respect to the second photoreceptor coating layer 222 of the photoreceptor 200, when the body is brought into a pressurized contact with the photoreceptor 200. 帯電ローラ装置100の帯電ローラ本体は、感光体200に圧接したときに、感光体200の感光体の第1のコート層221に対する荷重を、感光体200の感光体の第2のコート層222に対する荷重よりも低減させる。 - 特許庁
The power supply wiring group includes: an interruption power supply line for connecting the power supply switch cell and the power interruption object cell through firstlayer metal wiring; and a reference potential supply line for connecting the power supply switch cell and the constantly energized cell through second layer metal wiring. 電源配線群は、第1層メタル配線を介して電源スイッチセルと電源遮断対象セルを接続する遮断用電源供給線と、第2層メタル配線を介して電源スイッチセルと常時通電セルを接続する基準電位供給線とを含む。 - 特許庁
By applying a voltage pulse to the first and second electrodes 111, 112 sandwiching the variable resistance layer 120 in the variable resistance element unit 100, carriers are injected into the variable resistance layer 120, whose resistance increases in response to the carrier injection by three or more orders of magnitude. 可変抵抗素子部100では、可変抵抗層120を挟む第1電極111と第2電極112とに、電圧パルスを印加することによって可変抵抗層120にキャリアの注入を行い、その抵抗値を3桁以上増大される。 - 特許庁
The transistor 100 includes a substrate 11, a gate electrode 112, a gate insulating film 113, a first semiconductor layer 114, a second semiconductor layer 115, a stopper film 116, ohmic contact layers 117, 118, a drain electrode 119, and a source electrode 120. トランジスタ100は、基板11と、ゲート電極112と、ゲート絶縁膜113と、第1の半導体層114と、第2の半導体層115と、ストッパ膜116と、オーミックコンタクト層117、118と、ドレイン電極119と、ソース電極120と、を備える。 - 特許庁
In the pneumatic tire 1, the inner liner 8 includes a first film layer 81 composed of a rubber material, and a second film layer 82 composed of thermoplastic resin or thermoplastic elastomer composition in which elastomer is blended in the thermoplastic resin, wherein it is arranged in an inner peripheral face. この空気入りタイヤ1では、インナーライナ8が、ゴム材料から成る第一フィルム層81と、熱可塑性樹脂または熱可塑性樹脂中にエラストマーをブレンドした熱可塑性エラストマー組成物から成る第二フィルム層82とから成り、タイヤ内周面に配置されている。 - 特許庁
The magnetic recording layer 13 is etched with reactive ion etching under heating, by using a reaction gas composed of gaseous chlorine in a vacuum, and using the first mask layer 14a having a width corresponding to the width of a trailing side edge part of the magnetic recording head as a mask. 真空中で塩素ガスからなる反応ガスを用い、当該磁気記録ヘッドのトレーリング側端部の幅に対応する幅を有する第1のマスク層14aをマスクとして、加熱下で反応性イオンエッチングによって記録用磁性層13をエッチングする。 - 特許庁
An insulating film 21a has an opening 21b located on a first semiconductor region 19a of the n-type gallium nitride based semiconductor layer 19 and provided on the principal surface 11a of the substrate 11 and the n-type gallium nitride based semiconductor layer 19. 絶縁膜21aは、記n^−型窒化ガリウム系半導体層19の第1の半導体領域19a上に位置する開口21bを有しており、基板11の主面11a及びn^−型窒化ガリウム系半導体層19上に設けられている。 - 特許庁
This method comprises forming a first luminescent layer consisting of a luminescent material and the dopant by evaporation, and stopping the evaporation of the dopant while continuing the evaporation of the luminous material to form a second luminescent layer consisting of the luminous material. 発光性材料およびドーパントからなる第1の発光層を蒸着により成膜し、前記発光性材料の蒸着を続けたまま前記ドーパントの蒸着を止めて前記発光性材料からなる第2の発光層を成膜することを特徴とする。 - 特許庁
To provide a fogged glass excellent in durability such as shock and chemical resistance and having appearance similar to that of frosted glass by firing glass with a coating obtained by stacking a first inner layer and a second outer layer on a glass surface and to provide a method for manufacturing the fogged glass. ガラス表面に1層目の内層と2層目の外層を積層した皮膜付きのガラスを焼成することによって、耐衝撃性、耐薬品性等の耐久性にすぐれ、すりガラス様の外観を呈する曇化ガラスとその製造方法を提供する。 - 特許庁
The potential difference between the first magnetic layer 23 and the second magnetic layer 25 is preferably ≤0.1 (V). 二層の磁性層が絶縁層で分離されている多層膜を用いた磁気抵抗効果型磁気ヘッドにおいて、電極間の印加電圧をV(V)、上記多層膜の磁気抵抗変化率をP、電極間の電気抵抗をR(Ω)とした時に、VP/√Rの値が2.08/10^5 Ω・V以上となるように、VとRを設計する。 - 特許庁
The second semiconductor layer includes at least one kind of oxide particle selected from a group of Al_2O_3, SiO_2, ZrO_2, SrTiO_3, and Nb_2O_5, and the first semiconductor layer does not include oxide particle substantially. 第二の半導体層には、Al_2O_3、SiO_2、ZrO_2、SrTiO_3、Nb_2O_5からなる群から選択される少なくとも1種の酸化物粒子が含有されており、第一の半導体層には酸化物粒子が実質的に含有されていないことを特徴とする。 - 特許庁
The sidewalls of the first to fourth word line conductive layers 32a-32d on the memory columnar semiconductor layer 38 side are formed to tilt in a direction separating from the center axis of the memory columnar semiconductor layer 38 as they move from the upper side to the lower side. 第1〜第4ワード線導電層32a〜32dのメモリ柱状半導体層38側の側壁は、上方から下方へと移動するに従いメモリ柱状半導体層38の中心軸から離れる方向へ傾斜するように形成されている。 - 特許庁
In addition, the thread-shaped electrically-conductive rubber extending to the outside in the tire width direction along the extending direction of a slit 18 from the first electrically-conductive rubber layer 21, crossing a grounding end E and reaching a strip rubber 14 before vulcanization molding of the tire to form a second electrically-conductive rubber layer 22. また、タイヤ加硫成形前に、第1導電ゴム層21からスリット18の延在方向に沿ってタイヤ幅方向外側に延び、接地端Eを横切ってストリップゴム14に達する糸状導電性ゴムを配置して、第2導電ゴム層22を形成する。 - 特許庁
The control means apply third and fourth potentials by which the polarity of the electric field generated in the liquid crystal layer is made constant and difference is changed in an in-plane direction of the liquid crystal layer to the first and the second electrodes in such a state that the light source is turned off. 制御手段は、光源が消灯された状態において、液晶層に生じる電界の符号を一定とし、かつ液晶層の面内方向において差が変化する第3及び第4の電位を第1及び第2の電極にそれぞれ与える。 - 特許庁
A first rubbing density at the time when rubbing treatment is performed to an alignment layer 16 formed on an element substrate 10, and a second rubbing density at the time when rubbing treatment is performed to an alignment layer 22 formed on a counter substrate 20 are made mutually different. 素子基板10上に形成された配向膜16に対するラビング処理時の第1のラビング密度と対向基板20上に形成された配向膜22に対するラビング処理時の第2のラビング密度とを、相互に異ならせたことを特徴とする。 - 特許庁
The magnetic recording medium is characterized in that a first magnetic layer constituted of a ferromagnetic metal alloy containing cobalt and a non-magnetic metal oxide and a second magnetic layer consisting of a rare earth-transition metal alloy are laminated in this order on at least one surface of a substrate. 支持体の少なくとも一方の面に、コバルトを含有する強磁性金属合金と非磁性金属酸化物から構成された第一磁性層と希土類遷移金属合金からなる第二磁性層をこの順に積層したことを特徴とする磁気記録媒体。 - 特許庁
Between the substrate and a first conductivity type semiconductor layer, an optical coupling layer is formed which is provided between the plurality of light-emitting units in common and optically couples the plurality of light-emitting units to distribute light emitted from one light-emitting unit, to other optical units. 基板と第一導電型半導体層の間には、複数の発光ユニット間に共通して設けられ、複数の発光ユニットを光学的に結合し、1つの発光ユニットから発せられた光を他の光学ユニットに分布させる光学結合層を有する。 - 特許庁
A pin layer magnetization direction of the SV-GMR elements R1, R3 (first set) is in the direction reverse to the direction where the soft magnetic body gear 1 exists, and a pin layer magnetization direction of the SV-GMR elements R2, R4 (second set) is a direction where the soft magnetic body gear 1 exists. SV−GMR素子R1,R3(第1組)のピン層磁化方向は軟磁性体歯車1の存在する方向の逆方向であり、SV−GMR素子R2,R4(第2組)のピン層磁化方向は軟磁性体歯車1の存在する方向である。 - 特許庁
This composite sheet 10 comprises a firstlayer 1 which is composed of a short fiber, and a second layer 2 which is composed of a continuous filament 5 oriented in one direction; and both the layers 1 and 2 are partially joined together in many joints 3 so as to be integrated together in a thickness direction. 本発明の複合シート10は、短繊維からなる第1の層1と、一方向に配向した連続フィラメント5からなる第2の層2とを有し、両層1,2は多数の接合部3において部分的に接合されて厚さ方向に一体化されている。 - 特許庁
Then a cover 22 (press member) is closed to press the FPC 30 and then a state of contact between wiring 32 (second conductor layer) of the FPC 30 and wiring 12 (first conductor layer) of a PCB 10 (motherboard) is surely maintained by the elastic force of the folded FPC 30. そして、蓋22(押圧部材)を閉じることにより、FPC30を押圧すると、折り曲げられたFPC30の弾性力で、FPC30の配線32(第2の導体層)と、PCB10(母基板)の配線12(第1の導体層)との接触状態が確実に維持される。 - 特許庁
The second electroconductor is configured so that a third electroconductor arranged in a second hole formed at the first interlayer insulation layer and a fourth electroconductor arranged in a third hole formed at the second interlayer insulation layer can be laminated and electrically connected to each other. この第2の導電体は第1の層間絶縁層に配された第2のホールに配された第3の導電体と、第2の層間絶縁層に配された第3のホールに配された第4の導電体とが、積層され電気的に接続された構成である。 - 特許庁
The optical semiconductor device includes: an optical semiconductor element 10 including an optical waveguide core layer 14; and first and second anode electrodes 20 and 22 lined up on an upper surface of the optical semiconductor element 10 along an extending direction of the optical waveguide core layer 14. 光半導体装置は、光導波路コア層14を含む光半導体素子10と、光半導体素子10の上面において光導波路コア層14の延在方向に沿って並べて設けられた第1及び第2のアノード電極20,22とを備える。 - 特許庁
The second electrode plate includes a second substrate, a second conductive layer located on the second substrate, and two first electrodes and two second electrodes which are electrically connected to the second conductive layer. 前記第二電極板は、前記第一電極板から所定の距離だけ離れ、第二基板と、前記第二基板に設置された第二導電構造体と、それぞれ前記第二導電構造体に電気的に接続された二つの第一電極及び二つの第二電極と、を有する。 - 特許庁
The gate insulation layer 12 has regions containing nitrogen at the opposite end parts thereof wherein the concentration distribution of nitrogen atoms exhibits a first peak in the vicinity of interface with the gate electrode 14 and a second peak in the vicinity of interface with the semiconductor layer 10. ゲート絶縁層12は、両端部に窒素含有領域12aを有し、かつ、ゲート電極14との界面近傍に窒素原子の濃度分布の第1のピークを有し、さらに、半導体層10との界面近傍に窒素原子の濃度分布の第2のピークを有する。 - 特許庁
The elliptically polarizing plate comprises a polarizer, a first optically anisotropic layer having positive refractive index anisotropy and a tilted optical axis of the anisotropy and a second optical anisotropic layer having negative refractive index anisotropy and a tilted optical axis. 偏光子、正の屈折率異方性を有し、かつ該光軸が傾斜している第1の光学異方性層、および負の屈折率異方性を有し、かつ該光軸が傾斜している第2の光学異方性層を含有することを特徴とする楕円偏光板。 - 特許庁