「First layer」を含む例文一覧(24472)
＜前へ 1 2 .... 384 385 386 387 388 389 390 391 392 .... 489 490 次へ＞- A chromium brazing filler metal layer 21 is formed after applying the Cr electroplating of a plating thickness of 15 μm on both end faces of first and second forming stainless steel plates 1 and 2 alternately stacked on each other in the thickness direction, and then a nickel brazing filler metal layer 22 is formed after applying the Ni-P plating of a plating thickness of 35 μm on the chromium brazing filler metal layer 21.
板厚方向に複数交互に積層されるステンレス鋼よりなる各第１、第２成形プレート１、２の両端面に１５μｍの鍍金厚さの電気Ｃｒ鍍金してクロム系ろう材層２１を形成した後に、そのクロム系ろう材層２１上に３５μｍの鍍金厚さのＮｉ−Ｐ鍍金を施してニッケル系ろう材層２２を形成する。 - 特許庁 - Specially in the case where the heat-resistant alloy is a niobium-based alloy, the first layer alloy film is made to contain Re and at least two kinds of elements forming a stable phase with Re, and the second layer film is made to be a film, in which oxide fibers and oxide particles are scattered in an alloy layer containing at least Al and at least one kind of Cr and Ni.
とくに耐熱合金が二オブ基合金の場合に、第一層の合金皮膜はＲｅ及びＲｅと安定な相を形成する元素を２種以上含むものとし、第二層皮膜は、少なくともＡｌを含みＣｒとＮｉのうちの１種以上を含む合金層中に、酸化物繊維および酸化物粒子が分散されたものとする。 - 特許庁 - In the method, integration of the first resin insulation resin layer 2 with the first metal layer 1 and the second metal layer 3, and the molding of the addition of the second resin insulation layer 4 is executed in the same die.
第１樹脂絶縁層２と、厚み０．５mm以上の第１金属層１と、厚み１mm以上の第２金属層３で構成され、第１金属層１の端縁は第１樹脂絶縁層２の周縁より内側に位置し、第１樹脂絶縁層２には第１金属層１の端縁全周に接するように第２樹脂絶縁層４が付加されており、少なくとも第１金属層１が電気配線の機能を有する配線板の製造方法であって、第１樹脂絶縁層２と第１金属層１及び第２金属層３の一体化、ならびに第２樹脂絶縁層４の付加の成形は同一金型内で実施される。 - 特許庁 - An improvement of the viewing angle characteristics is realized by conducting rubbing processing in a first direction and in a direction reverse to the first direction with the same strength and obtaining the alignment film with a small tilt angle in reference to rubbing treatment directions to be applied to the alignment layer of a liquid crystal display element substrate.
液晶表示素子の基板の配向膜に施すラビング処理の方向を、第１の方向と前記第１の方向とは反対の方向に等しい強度でラビングすることで、ティルト角の小さい配向膜を得ることで視角特性の改善を実現する。 - 特許庁 - A first resin coat layer for insulating electrically an LSI (large scale integrated circuit) pad 2 and a first contact electrode 4 which are formed on an individualized LSI chip 1 is extended to the outside of the outer rim end of the LSI chip 1 to enlarge a package so as to be bigger than the LSI chip 1.
個片化されたＬＳＩチップ１上に形成されたＬＳＩパッド２及び第１コンタクト電極４を電気的に絶縁する第１樹脂コート層を、ＬＳＩチップ１外縁端よりも外側まで延出させ、ＬＳＩチップ１よりもパッケージを大きくする。 - 特許庁 - The protection layer 102 is provided with a first protection film 106 formed by a plasma CVD method without damaging the organic element 101, and a highly adhesive high-density second protection film 107 formed on the first protection film 106 by a sputtering method.
保護層１０２は、プラズマＣＶＤ法によって有機素子１０１にダメージを与えることなく成膜された第１の保護膜１０６と、第１の保護膜１０６上にスパッタリング法によって成膜された密着性が高く高密度な第２の保護膜１０７を有する。 - 特許庁 - The gas sensor element 100 is constituted so that at least the surfaces of the first and second solid electrolytes 17 and 19 (excepting the parts of a pump electrode 10 and a detection electrode 11) facing the inside of a first measuring chamber 5 are covered with an insulating layer 60.
ガスセンサ素子１００は、少なくとも、第１測定室５内に面する第１固体電解質体１７及び第２固体電解質体１９の表面（ポンプ用電極１０、検知用電極１１の部分を除く）が、絶縁層６０で被覆されている。 - 特許庁 - The surface layer 3 is solidified by a composition in which a first component capable of forming an alkaline earth carbonate at the normal temperature and a second component capable of forming a solid hydrate at the normal temperature together with the first component or singly are at least mixed.
表層３は、常温下でアルカリ土類炭酸塩を生成し得る第１成分と、この第１成分とともに又は単独で常温下で固体水和物を生成し得る第２成分とが少なくとも混合されてなる調合物により固化されている。 - 特許庁 - The anamorphic prism 7, with the horizontal width of the active layer expanded through the refraction of a light beam by a first and a second prism 72, 74, corrects a beam shape in a manner that the first and the second light intensity distribution nearly coincide.
アナモフィックプリズム７は、光ビームが第１、第２のプリズム７２、７４で屈折されることで活性層の水平方向における幅が拡大され、これにより第１の光強度分布と第２の光強度分布とがほぼ一致するようなビーム形状の補正を行なう。 - 特許庁 - After that, the unwanted first substrate 1 is peeled, by mechanically destroying the easily peelable layer 2 between the first substrate 1 and the shaped article 3 (and an electrode 4) and the device, such as a piezoelectric film type elements, is manufactured by transferring the shaped article 3 on the second substrate 5.
その後に、第一の基板１と造形物３（および電極４）との間の易剥離層２を機械的に破壊することにより不要な第一の基板１を剥離し、第二の基板５上に造形物３を転写して、圧電膜型素子等のデバイスを作製する。 - 特許庁 - The electroluminescent device has a functional region to emit light of a first spectrum distribution and a filter layer which is arranged at the light path of the functional region and absorbs a prescribed spectrum portion region of the light of the first spectrum distribution, and thereby, light of a second spectrum distribution is emitted.
第１のスペクトル分布の光を発光する機能領域と、この機能領域の光路に配置され第１のスペクトル分布の光の所定のスペクトル部分領域を吸収するフィルタ層とを有し、これにより第２のスペクトル分布の光が発光される。 - 特許庁 - The solar cell includes a first substrate 10, a photoelectric conversion film 20 formed on the surface of the first substrate 10, a second substrate 50, and a sealing resin film 60 and a color pattern layer 70 interposed between the second substrate 50 and the photoelectric conversion film 20.
太陽電池は第１基板１０、第１基板１０の表面に形成された光電変換膜２０、第２基板５０、及び第２基板５０と光電変換膜２０の間に設置された封止樹脂膜６０及びカラーパターン層７０を包含する。 - 特許庁 - Because the interference filter FR completed first can be covered with the first transparent etching stopper layer 54, the completed interference filter FR is not damaged in a patterning of the interference filter FB to be completed next and interference filters with various hues can be formed successively.
最初に完成された干渉フィルタＦ_R を第１の透明エッチングストッパ層５４で覆うことができるため、次に完成すべき干渉フィルタＦ_B のパターニングの際に完成済み干渉フィルタＦ_R を損傷せず、異なる色相の干渉フィルタを順に形成できる。 - 特許庁 - A contact hole 12 formed by removing portions of the first insulating film 2, the second insulating film 7 and the organic film 8, and a base layer metal thin film 13 formed so as to cover the contact hole and electrically connected to the first conductive film are provided.
第１の絶縁膜２、第２の絶縁膜７及び有機膜８の一部を除去することにより設けられたコンタクトホール１２と、前記コンタクトホールを覆うように設けられ、第１の導電膜と電気的に接続された下地金属薄膜１３とを備えている。 - 特許庁 - One of a first housing 61 and a second housing 62 is opened to the other, to allow the access of a TFT substrate 16 and a radiation converting layer 50 disposed in the first housing 61, and to allow the access of a circuit substrate disposed in the second housing 62.
第１筐体６１及び第２筐体６２の一方に対して他方を開放して、第１筐体６１に配置されたＴＦＴ基板１６及び放射線変換層５０と、第２筐体６２に配置された回路基板とにそれぞれアクセス可能にする。 - 特許庁 - On a first conductive semiconductor layer formed on a first conductive semiconductor substrate so as to be isolated by an insulating film by a gate pre-production process, a NAND cell unit is formed to have a memory cell formed by laminating a floating gate and a control gate, and a select gate transistor.
第１導電型半導体基板上に絶縁膜で分離されて形成された第１導電型半導体層に、ゲート先作りプロセスによって、浮遊ゲートと制御ゲートが積層されたメモリセルと選択ゲートトランジスタとを有するＮＡＮＤセルユニットを形成する。 - 特許庁 - When the focal length of the first lens array 11 or the second lens array 15 is defied as T, a diffusion layer 21 is provided at a position apart with respect to the exit side by T to <2T than the focal positions of the first lens array and the second lens array.
また、第１のレンズ列１１又は第２のレンズ列１５の焦点距離をＴとしたとき、当該第１のレンズ列及び当該第２のレンズ列の焦点位置よりＴ以上２Ｔ未満だけ出射側に離れた位置に拡散層２１を設けている。 - 特許庁 - Disclosed is the method of manufacturing an optical film including the steps of laminating a peel layer and an optical filter on a first substrate, peeling the optical filter off the first substrate, and bonding the optical filter to a second substrate.
本発明は、第１の基板上に、剥離層及び光学フィルターを積層して形成する工程と、前記第１の基板から光学フィルターを剥離する工程と、前記光学フィルターを第２の基板に接着する工程とを有する光学フィルムの作製方法である。 - 特許庁 - The superabrasive wheel 1 has: a disc-shaped superabrasive layer having a first side face 11 and a second side face 12 which face each other; and at least one of coating layers 21, 22 formed of nickel plating, which may be formed on the first and second side faces 11, 12, respectively.
超砥粒ホイール１は、互いに対向する第一および第二側面１１，１２を有する円板形状の超砥粒層と、第一および第二側面１１，１２の少なくとも一方に設けられたニッケルメッキからなるコーティング層２１，２２とを備える。 - 特許庁 - The signal wiring 11 is formed on a lower layer of the scanning wiring 13 via a first interlayer insulating film 12 and is electrically connected to a source electrode 14S of the thin film transistor 14 via a contact hole 12' formed in the first interlayer insulating film 12.
信号配線１１は、第１の層間絶縁膜１２を介して走査配線１３の下層に形成されており、第１の層間絶縁膜１２に形成されたコンタクトホール１２’を介して薄膜トランジスタ１４のソース電極１４Ｓに電気的に接続されている。 - 特許庁 - In the first wiring layer L1 of the package substrate 2, a first electrode plane connecting to terminals which are arranged more in an innermost periphery of array-like arrangement out of a power terminal VDDC for internal circuit and a ground terminal GNDC for internal circuit is formed.
パッケージ基板２の第１の配線層Ｌ１には、内部回路用電源端子ＶＤＤＣと内部回路用グランド端子ＧＮＤＣの内でアレイ状配置の最内周に多く配置されている方の端子に接続する第１の電極プレーンを形成する。 - 特許庁 - For a semiconductor device in a control system circuit region around a cell, an element isolation region 16 to isolate the element region 10 of a semiconductor substrate 11 is made, and a first conductive layer 13 is made through a first insulating film 12 in the element region 10.
セル周辺制御系回路領域における半導体装置は、半導体基板１１の素子領域１０を分離する素子分離領域１６が形成され、素子領域１０に第１の絶縁膜１２を介して第１の導電層１３が形成されている。 - 特許庁 - As an external electrode 16, plating deposit deposited starting from an exposed end of each internal electrode 5 is grown at least on an end face 12 of a component body 2, thus forming a first plating layer 18 consisting of an Ni-B plating film at first.
外部電極１６として、各内部電極５の露出端を起点として析出しためっき析出物を部品本体２の少なくとも端面１２上に成長させてなるもので、Ｎｉ−Ｂめっき膜からなる第１のめっき層１８をまず形成する。 - 特許庁 - In the sealing lid 1, there are formed cutting lines 41 which reach the inner part of the lower layer 21 of the second sheet 20 from the one face of the first sheet 10 in the thickness direction, and extend radially in the orientation direction of the first sheet 10 and the second sheet 20.
シール蓋１には、厚み方向において、第１シート１０の一方面から、第２シート２０の下層２１の内部に到達し、前記第１シート１０及び前記第２シート２０の延伸方向において、放射状に伸びる切断線４１が形成される。 - 特許庁 - The annealing method has a first annealing step for bringing the structure into contact with a holder (312) at a first position, and annealing the structure in an oxidizing atmosphere so that an oxidized layer (310) is formed at least on a part of the exposed surface of the structure.
アニール方法は、構造体の露出した表面の少なくとも一部上に酸化物層（３１０）を形成するように酸化性雰囲気中で構造体をアニールする第１のステップであって、構造体は第１の位置にてホルダ（３１２）と接触する、ステップを含む。 - 特許庁 - The middle word regulation creation procedure creates a middle word regulation which arranges a first non-end symbol for the middle word in the left edge, and which arranges a second non-end symbol for the middle word that is a lower layer than the first non-end symbol for the middle word in the right edge.
中間語規則生成手順は、左辺に第１の中間語用非終端記号を配置すると共に、右辺に第１の中間語用非終端記号よりも下位の階層となる第２の中間語用非終端記号を配置した中間語規則を生成する。 - 特許庁 - The copper wiring layer 13 includes: first terminals 13D connected with each electrode 15A on the semiconductor chip 15; second terminals 13E connected with each external wiring member 21; and wiring sections 13C connecting each first terminal 13D with each second terminal 13E.
銅配線層１３は、半導体チップ１５上の電極１５Ａと接続される第１端子部１３Ｄと、外部配線部材２１と接続される第２端子部１３Ｅと、第１端子部１３Ｄと第２端子部１３Ｅとを接続する配線部１３Ｃとを含んでいる。 - 特許庁 - A template 10 is used in imprinting where a second irregular pattern consisting of a hardening agent is formed on a layer to be processed by filling a first irregular pattern with a hardening agent and then hardening the hardening agent thereby transferring the first irregular pattern to the hardening agent.
実施形態のテンプレート１０は、第１凹凸パターンに硬化剤を充填して硬化させることにより第１凹凸パターンを硬化剤に転写して硬化剤からなる第２凹凸パターンを被加工層上に形成するインプリントに用いるテンプレートである。 - 特許庁 - When attached, the first opposite portion 62 contacts the housing 13 and the second opposite portion 63 contacts a layer-thickness restricting blade 85 attached to the housing 13, wherein the interval between the first opposite portion 62 and the second opposite portion 63 becomes equal to an interval in non-attachment L1.
装着状態では、第１対向部６２が筐体１３に当接するとともに、第２対向部６３が筐体１３に取り付けられた層厚規制ブレード８５に当接し、第１対向部６２と第２対向部６３との間隔が非装着時間隔Ｌ１となる。 - 特許庁 - Moreover, the element has a first electrode (64) formed of silicide, electrically connected to the first conductivity-type semiconductor substrate or the semiconductor layer, covered by an upper film (59), constituting the antireflection film (57), and formed along the surface of the isolation region (55).
さらに、第１導電型の半導体基板または半導体層に電気的に接続され、反射防止膜（５７）を構成する上層膜（５９）で被覆されて分離領域（５５）の表面に沿って形成されたシリサイドによる第１電極（６４）を有する。 - 特許庁 - Forming the first insulating film 10 with a material that can be etched selectively against the second insulating film 14 makes the mask of photo-resist unnecessary in removing the first insulating film 10 in through holes 11 on the lower layer metal wiring 2.
そして第１の絶縁膜１０は第２の絶縁膜１４に対して選択にエッチング可能な材料により形成することでスルーホール１１内の下層金属配線２上の第１の絶縁膜１０を除去する際フォトレジストによるマスクを不要とする。 - 特許庁 - It is preferable to form a multilayer sealing film with at least one first film and at least one second film laminated, and the adhesion improving layer may be formed between at least one first film and at least one second film.
前記多層封止膜を少なくとも一つの第１の膜と少なくとも一つの第２の膜とを積層して形成することが、好ましく、前記密着性向上層は、前記少なくとも一つの第１の膜と少なくとも一つの第２の膜との間に形成してもよい。 - 特許庁 - The spin torque oscillating element includes first and second magnetic body layers containing an Fe-Co-(Al, Si, Ge, Mn, Cr, B) alloy and an intermediate layer provided between the first and second magnetic body layers.
Ｆｅ−Ｃｏ−（Ａｌ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｍｎ、Ｃｒ、Ｂ）合金を含む第１の磁性体層と、第２の磁性体層と、前記第１の磁性体層と前記第２の磁性体層との間に設けられた中間層と、を備えたことを特徴とするスピントルク発振子が提供される。 - 特許庁 - A liquid crystal display device is provided with a first substrate having a plurality of pixel electrodes 23 disposed in a matrix shape, a second substrate having a counter electrode and a liquid crystal layer packed between the first and the second substrates and comprising an OCB mode liquid crystal.
液晶表示装置は、マトリクス状に配置される複数の画素電極２３を有した第１基板と、対向電極を有した第２基板と、前記第１基板と第２基板との間に充填されているＯＣＢモード液晶からなる液晶層とを具備している。 - 特許庁 - Light, emitted by injecting current to the active layer 43 by applying voltage between the first and second electrodes 471, 472, allows intensity distribution to be annular in the two-dimensional photonic crystal 45, since the first electrode 471 is annular.
第１電極４７１と第２電極４７２との間に電圧を印加して活性層４３に電流を注入することにより発光した光は、第１電極４７１が環状であることにより、２次元フォトニック結晶４５内において強度分布が環状になる。 - 特許庁 - The solid-state imaging device manufacturing method comprises the step of exposing a transparent resin layer on a semiconductor substrate, forming a first and a second resin patterns with heights different from each other, and forming a first and a second microlenses with heights different from each other.
半導体基板上の透明樹脂層を露光する工程と、互いに高さが異なる第１、第２の樹脂パターンを形成する工程と、互いに高さが異なる第１、第２のマイクロレンズを形成する工程と、を具備する固体撮像装置の製造方法。 - 特許庁 - The first layer 11 is composed of a first nonwoven fabric containing a hydrophobic fiber in a content exceeding 50% by dry weight, and the second later 12 is composed of a second nonwoven fabric containing a hydrophilic fiber in a content exceeding 50% by dry weight.
第一層１１は乾燥重量で５０％を越える含有量の疎水性繊維を含む第一不織布により構成され、第二層１２は乾燥重量で５０％を越える含有量の親水性繊維を含む第二不織布により構成される。 - 特許庁 - The isolation region 13 is composed of: a first isolation region 131 including an impurity diffusion region formed in the vicinity of a boundary of an n-type semiconductor layer 2 of a p type semiconductor substrate 1; and a second isolation region 132 on the first isolation region 131.
分離領域１３をｐ型半導体基板１のｎ−型半導体層２の境界付近に設けた不純物拡散領域からなる第１分離領域１３１と、第１分離領域１３１上の第２分離領域１３２から構成とする。 - 特許庁 - The first and the second members are made of different materials, and a site of the lyophobic layer formed on the first member is made of a material more easily lyophilicized than that on the second member, in the second lyophilicizing process.
また前記第１の部材と第２の部材とは、互いに異なる材料からなり、前記撥液層は、第２の部材の表面上に形成された部位よりも、第１の部材に形成された部位の方が、第２の親液化工程においてより親液化される材料からなる。 - 特許庁 - The optical recording medium D is provided with an information layer D2 formed by layering at least a first protective film 8, a second protective film 9, a third protective film 10 and a recording film 11 in this order on a first substrate 1 having an incidence surface 1A in which laser light L is made incident as a bottom surface.
光記録媒体Ｄは、レーザ光Ｌが入射する入射面１Ａを底面とした第１基板１上に、少なくとも第１保護膜８、第２保護膜９、第３保護膜１０、記録膜１１をこの順に積層した情報層Ｄ２を備えている。 - 特許庁 - At an end part of a first common gate which included in a second CMOS inverter 20, a first contact part 20c is formed which is electrically connected to a p-type drain diffusion layer 21d of a p-type MOSFET 21p of the second CMOS inverter 20.
第１共有ゲート１０Ｇの第２のＣＭＯＳインバータ２０に含まれる端部には、第２のＣＭＯＳインバータ２０におけるｐ型ＭＯＳＦＥＴ２１ｐのｐ型ドレイン拡散層２１ｄと電気的に接続される第１コンタクト部１０ｃが形成されている。 - 特許庁 - In the liquid crystal display device 15, a first and a second optical retardation plates 17 and 18 and a polarizing plate 19 are successively laminated on a liquid crystal panel 16, and an optical scattering layer 20 lies between the first and the second optical retardation plates 17 and 18.
液晶表示装置１５によれば、液晶パネル１６上に第１位相差板１７と第２位相差板１８と偏光板１９とを順次積み重ねるが、さらに第１位相差板１７と第２位相差板１８との間に光散乱層２０を介在する。 - 特許庁 - At this time, the diffusion width of the protective layer forming material is narrowest at the first jet gun tips 44a and successively made large in the order of the first-third interposed jet gun tips 44c, 44d and 44e and the second jet gun tips 44b.
この際、保護層形成材の拡散幅は、第１噴出ガンチップ４４ａで最も狭く、第１介在噴出ガンチップ４４ｃ、第２介在噴出ガンチップ４４ｄ、第３介在噴出ガンチップ４４ｅおよび第２噴出ガンチップ４４ｂの順に大きくなる。 - 特許庁 - A PTFE content in the first region 251 is controlled to 5% by weight of the anode gas diffusion layer 25 and a PTFE content in the second region 252 is to 30% by weight, thus providing the water permeability of the first region 251 more than that of the second region 252.
そして第一領域251中のＰＴＦＥ含有量をアノードガス拡散層25の5ｗｔ％、第二領域252のＰＴＦＥ含有量を30ｗｔ％にそれぞれ調整することによって、第一領域251の水分透過性を第二領域252よりも向上させる。 - 特許庁 - The core member 36 of a first (or second) double-sided copper clad laminate 30 (31) is constituted of a first and a second curing resin layers 41, 43 which have small parts 44, and a semi-cured resin layer 42 which has mobility in semi-cured status sandwiched in the center of the layers 41, 43.
第１（又は第２）の両面銅張積層板３０（３１）のコア材３６は、小径部４４を有する第１及び第２の硬化樹脂層４１、４３と、その中心に挟まれた半硬化状態で流動性を有する半硬化樹脂層４２とからなる。 - 特許庁 - On the surface of a first-conductivity epitaxial layer 2b formed on a first-conductivity semiconductor substrate 1, an anode electrode 5 for forming a Schottky junction is provided, and a second-conductivity guard ring 6 is formed, so that the lower region of the anode electrode is surrounded.
第一導電型の半導体基板１上に形成された第一導電型のエピタキシャル層２ｂ表面に、ショットキー接合を形成するアノード電極５が設けられ、アノード電極の下部領域を包囲するように第二導電型のガードリング６が形成される。 - 特許庁 - A wiring board 3 according to one embodiment of this invention includes: multiple first inorganic insulation particles 12 connecting with each other through neck structures 11; and an insulation layer 9 having a resin member 13 disposed at gaps between the first inorganic insulation particles 12.
本発明の一形態にかかる配線基板３は、ネック構造１１を介して互いに接続した複数の第１無機絶縁粒子１２と、該複数の第１無機絶縁粒子１２同士の間隙に配された樹脂部材１３とを有する絶縁層９を備えている。 - 特許庁 - Also, the ultrasonic probe comprises the vibrator array including the composite piezoelectric material, an acoustic matching layer and/or an acoustic lens arranged on the first surface of the vibrator array, and a backing material arranged on a second surface opposing the first surface of the vibrator array.
また、超音波探触子は、複合圧電材料を含む振動子アレイと、振動子アレイの第１の面に配置された音響整合層及び／又は音響レンズと、振動子アレイの第１の面に対向する第２の面に配置されたバッキング材とを具備する。 - 特許庁 - In the phase shift distribution feedback type semiconductor laser 11, an active layer 17 includes first, second and third parts 17a, 17b and 17c arranged in a direction of an axis Ax extending from a first semiconductor end face 23a to a second semiconductor end face 23b.
位相シフト分布帰還型半導体レーザ１１では、活性層１７は、第１の半導体端面２３ａから第２の半導体端面２３ｂに延びる軸Ａｘの方向に配列された第１、第２及び第３の部分１７ａ、１７ｂ、１７ｃを含む。 - 特許庁 - In the dye sensitized solar battery, first and second electrodes 10, 20 are disposed opposite to each other, a buffer layer 30 and a porous film 40 are formed on one surface of the first electrode, and dye 50 is absorbed to the film 40.
本発明の一実施例による染料感応太陽電池は、第１電極１０と第２電極２０が互いに対向配置され、第１電極の一面にバッファー層３０、多孔質膜４０が形成され、前記多孔質膜には染料５０が吸着される。 - 特許庁
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