「First layer」を含む例文一覧(24472)

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  • One end side of the layer unit 21 is supported rotatably by the first support structure 22, and the other end side is rotatably supported slidably by the second support structure 23.
    レイヤーユニット21の一端側を第1の支承構造22によって回動自在に支承し、他端側を第2の支承構造23によって回動自在にかつスライド自在に支承する。 - 特許庁
  • In order to flat the rugged pattern forming the recording layer 32-1, polishing is conducted by disposing a second filler 38 with a low polishing rate on a first filler 36 with a high polishing rate.
    記録層32−1を形成する凸凹パターンを平坦化するため、高研磨レートの第1の充填材36の上に、低研磨レートの第2の充填材38を設け、研磨する。 - 特許庁
  • A plurality of signal lines for electrically coupling outer input terminals to terminals of the driver IC 80 are formed on the substrate 50 at the mounting face (a first layer 50a) of the driver IC 80.
    外部入力端子とドライバIC80の端子とを導通する複数の信号線が基板50におけるドライバIC80の実装面(第1層50a)に形成されている。 - 特許庁
  • A refractive index waveguide mechanism consisting of a ridge shaped stripe 24 which confines light in the lateral direction is formed in the first upper clad layer 23 to interrupt modes other than a basic lateral mode.
    そして上部第一クラッド層23に、横方向に光を閉じ込めるリッジ状ストライプ24からなる屈折率導波機構を形成して、基本横モード以外のモードを遮断する。 - 特許庁
  • As a result, all solder balls of the BGA 60 is electrically connected to the second exposed part 30 from the intermediate part 40 through a gold plated layer 20b of the first exposed part 20.
    この結果、BGA60のすべてのハンダボール64は、第1露出部20の金メッキ層20bを介して中間部40から第2露出部30へと電気的に導通される。 - 特許庁
  • The first elastic units (3 and 4) have a hardness difference between one side and the other side along a thickness direction and hardness of one side and the other side, different from that of the second elastic unit (elastic layer) 5.
    第1の弾性ユニット(3,4)は、厚さ方向に沿って一側と他側で硬さが異なるとともに、一側および他側の硬さが第2の弾性ユニット(弾性層)5と異なっている。 - 特許庁
  • And in particular, the liquid crystal display is characterized by arranging moisture absorption layers 6 between the pixel regions 1a, 2a and the seal layer 4 of at least one out of first and second substrates 1, 2.
    そして特に、第1基板1および第2基板2の少なくとも一方における画素領域1a,2aとシール層4との間に、吸湿層6を設けたことを特徴としている。 - 特許庁
  • The resin application device 4 of the first layer divides eight coated optical fibers 2 into every four ones, applies ultraviolet curable resin and produces two optical fiber ribbon parts 5 covered with a tape cover part.
    1層目樹脂塗布装置4は、8本の光ファイバ心線2を4本ずつに分けて紫外線硬化樹脂を塗布し、テープ被覆部で覆われた2枚のテープ心線部5を生成する。 - 特許庁
  • A first protective film 6 made of Sr-SION is formed on the upper side of a heating element 3 and an electrode layer 4, and then, the heat treatment is carried out under a state of a vacuum degree of 2 to 30 Pa (Figure (e)).
    発熱体3および電極層4の上側に、Sr−SIONからなる第1保護膜6を形成してから、真空度2〜30Paの真空中で熱処理を施す(図(e))。 - 特許庁
  • To provide a heat exchanger capable of restraining sensible heat exchanging quantities of the first and second heat exchangers from getting low, even when a support layer for carrying an adsorbent is formed on a surface of a fin.
    フィンの表面に吸着剤を担持する担持層が形成されても、第1、2の熱交換器の顕熱交換量の低下を抑制することができる熱交換器を提供する。 - 特許庁
  • A roof material 10 comprises a laminate 14 including a first sheet 18, a solar battery cell 16, a second sheet 20, and a moisture-proof layer 22 which are arranged on the top surface of a metal substrate 12.
    屋根材10は、金属製の基材12の上面に、第1シート18、太陽電池セル16、第2シート20及び防湿層22を含む積層体14を配置して形成されている。 - 特許庁
  • A second electronic component 8 having an adhesive layer 9 formed on its rear surface is held with a normal temperature suction tool 22, and gradually moved down from the upper part of the first electronic component 5.
    裏面側に接着剤層9が形成された第2の電子部品8を、常温の吸着ツール22で保持して第1の電子部品5の上方から徐々に下降させる。 - 特許庁
  • A bath tub 10 consists of first and second reinforcement layers 13, 14 arranged in the rear surface side of a bottom face part 11 and a forming layer 15 forming a part excepting it.
    底面部11の裏面側に設けられた第1及び第2の補強層13,14と、それ以外の部分を形成する形成層15とを備えて浴槽10が構成される。 - 特許庁
  • A first substrate 10 on which a phosphor and a metal-back layer 17 are formed, and a second substrate 12 on which a plurality of electron-emitting sources 18 are provided, are arranged in an opposed relationship to each other.
    蛍光面およびメタルバック層17が形成された第1基板10と、複数の電子放出源18が設けられた第2基板12とが対向して配置されている。 - 特許庁
  • Coating liquid for performing UV hardening is applied on a support medium, this coated layer is half-hardened with a first UV irradiation machine, embossing is performed to it and after that, all-hardened with a second UV irradiation machine.
    支持体にUV硬化する塗布液を塗布し、この塗布層を第1UV照射機により半硬化させエンボス加工してから第2UV照射機により全硬化させる。 - 特許庁
  • To provide a multi layer detached concrete house capable of using a space from the first floor to the top floor as a detached dwelling space, freely forming the dwelling space and being freely carried out renovation.
    1階から最上階に至る空間を戸建て居住空間とし、該居住空間を自在に形成でき、内部の改装が自由に行える複層戸建てコンクリート住宅を提供する。 - 特許庁
  • Further, a transparent adhesive layer 50 is provided at the whole first region 43 and a region including at least a part of the second region 44 in the back of the cover member 40.
    さらに、透明接着層50は、カバー部材40の裏面において、第一の領域43の全体と第二の領域44の少なくとも一部とを含む領域に設けられている。 - 特許庁
  • The semiconductor light-emitting device comprises a light-emitting part 10d, a first conductive part 30a, a second conductive part 30b, an encapsulation part 50, and an optical layer 60.
    実施形態によれば、発光部10dと第1導電部30aと第2導電部30bと封止部50と光学層60とを備えた半導体発光装置が提供される。 - 特許庁
  • An IC chip 30 is adhered and fixed by a brazing filler material 29 onto a die pad 15, provided over a first layer substrate 11 serving as the bottom section of the recession of a recession section of a package 10.
    ICチップ30は、パッケージ10の凹部の凹底部分となる第1層基板11上に設けられたダイパッド15上に、ろう材29によって接着・固定されている。 - 特許庁
  • The mask layer is removed from the substrate, a ratio of the flow of CO to the flow CO_2 is selected, thereby, a second roughness smaller than a first roughness is produced.
    基板からマスク層が除去され、二酸化炭素の流量に対する一酸化炭素の流量の比を選択することにより、第1の粗さよりも小さい第2の粗さが生成される。 - 特許庁
  • The light scattering layer 7 has a light-transmissive base material 8, and many first columnar areas 9 transmissive to light and different in refractive index from the base material 8.
    光散乱層7は、光透過性を有するベース基材8と、光透過性を有しベース基材8と屈折率の異なる多数の第1の柱状領域9を有している。 - 特許庁
  • To provide a method for manufacturing an image recording body wherein a first curable solution layer to be cured is used as a base material, and an image recording body having an ink image integrated with the base material is obtained.
    硬化させる第1硬化性溶液層を基材とし、これにインクによる画像が一体的に形成された画像記録体が得られる画像記録体の製造装置を提供すること。 - 特許庁
  • At least one of the first and second conductivity-type clad layers is an In_xAl_yGa_(1-x-y)N layer (0<x<1, 0<y<1, 0<x+y<1), and the dispersion in the thickness lies within 6%.
    第1および第2導電型クラッド層の少なくとも一方がIn_xAl_yGa_(1-x-y)N層(0<x<1、0<y<1、0<x+y<1)であり、厚みのばらつきが6%以内である。 - 特許庁
  • The plated layer cutting/peeling-off machine for a plated metal plate comprises a transfer table device 10 having a clamping mechanism 15 for fixing by projecting an end 1a of the plated metal plate 1, and first and second cutting tool drive devices 20, 40.
    メッキ金属板1の端部1aを突出させて固定するクランプ機構15を有する移送テーブル装置10と、第1、第2の切削工具駆動装置20、40とを備える。 - 特許庁
  • The hole selectively passing film 43 has: a first partial region 42 which comes into contact with the heterojunction layer 27; and a second partial region 44 which comes into contact with the electrode for hole discharge 46.
    正孔選択通過膜43は、へテロ接合層27に接触する第1部分領域42と正孔排出用電極46に接触する第2部分領域44を有している。 - 特許庁
  • The main pipes 1, 3 are constituted by the pipe bodies each having a metallic reinforcing layer 20, and the first branched pipes 2, 4 are constituted by the pipe bodies being more flexible than the main pipes 1, 3.
    前記メイン配管1、3は金属補強層20を有する管体からなり、前記第1分岐配管2、4は前記メイン配管1、3よりも可撓性が大きい管体からなる。 - 特許庁
  • The light-shielding layer has a thickness of 20 nm or more and 95.2 nm or less and has a third optical density that gives a sum of the first optical density and the second optical density of 3.0 or more.
    遮光層は20nm以上95.2nm以下の厚さを有し、第1の光学濃度及び第2の光学濃度との和が3.0以上である第3の光学濃度を有する。 - 特許庁
  • In the manufacturing method of a semiconductor device, an adhesive layer 10 is formed on a first surface 1b in the chip region of a semiconductor wafer having a plurality of chip regions formed while being separated by dicing regions.
    半導体装置の製造方法は、複数のチップ領域がダイシング領域を介して形成された半導体ウェーハのチップ領域の第1の面1bに接着層10を形成する。 - 特許庁
  • (1) The heat-insulating dummy cell 40 arranged at an end of a cell layered product of a fuel cell stack and having a conductive first layer 42 arranged between separators 41 and having a heat insulating property is composed.
    (1)燃料電池スタックのセル積層体の端部に配置され、セパレータ41間に配置された断熱性を有する導電性の第1の層42を有する断熱性ダミーセル40。 - 特許庁
  • The heat insulator includes ridges 2 of a resin foam provided on one surface of a resin foam sheet 1 and a first metal foil layer 3 provided on at least the other surface.
    樹脂発泡体シート1の一面に、樹脂発泡体からなる突条2が設けられ、少なくとも他の面に第1の金属箔層3が設けられていることを特徴とする断熱材。 - 特許庁
  • The second plate coil member 6 displaying the frame shape surrounding the outsides of the side core sections 14-17 and being combined with the first plate coil member under a laminated state through an insulating layer 7 is fitted.
    サイドコア部14〜17の外方を囲む枠状を呈し、第1のプレートコイル部材と絶縁層7を介して積層状態に組み合わされる第2のプレートコイル部材6を備える。 - 特許庁
  • A part 8b on the winding start side in a first-reel conductor 8 forming the coil 8 is positioned outside the coil 8 so as to be replaced with the second-layer conductor 8.
    コイル8を形成している1巻目の導電線8のうち、巻き始め側の一部分8bが2層目の導電線8と入れ替わるようにコイル8の外側に位置している。 - 特許庁
  • When an upper wiring layer (not illustrated) is connected to the Cu wiring member 12 via a via hole VH by etching the first insulation film 101, a considerable alignment allowance can be expected.
    上層の配線層(図示せず)が第1絶縁膜101のエッチングによりビアホールVHを介してCu配線部材12と接続される場合、相当の合わせ余裕が見込める。 - 特許庁
  • This organic EL element 10 is constituted by laminating an anode 2, a first light emitting unit 3, an electric charge generating layer 4, a second light emitting unit 5 and a cathode 6 in this order on a substrate 1.
    有機EL素子10は、基板1に、陽極2、第1の発光ユニット3、電荷発生層4、第2の発光ユニット5、陰極6がこの順に積層されて構成される。 - 特許庁
  • A magnetization direction Y_1 in the first ferromagnetic layers 5X (5x) in non-energization (see Fig. A) is opposite to a magnetization direction Y_2 in the second ferromagnetic layer 5Z (5z).
    非通電時(図3(A)参照)における第1の強磁性層5X(5x)の磁化の向きY_1と、第2の強磁性層5Z(5z)の磁化の向きY_2とは、互いに逆向きである。 - 特許庁
  • The light emitting module 21 comprises a module substrate 22, a first wiring pattern 25, a hemimorphic second wiring pattern 26, a plurality of semiconductor light emitting elements 45, a transparent sealing resin 57 and a protective layer 37.
    発光モジュール21は、モジュール基板22、第1配線パターン25と、異極の第2配線パターン26、複数の半導体発光素子45、透光性の封止樹脂57、及び保護層37を具備する。 - 特許庁
  • Then, a shielding film S made of a stripe shape Al_2O_3 extended in the resonance direction in the flat top surface of the first metal layer 106a is formed by about 180 nm of thickness by a lift-off method.
    その後、リフトオフ法によって、第1金属層106aの平頂部に共振方向に伸びるストライプ状のAl_2 O_3 から成る遮蔽膜Sを膜厚約180nmで形成した。 - 特許庁
  • The gradient coil 300 and other elements of a magnetic resonance imaging system include at least one layer 302 made of copper and having a first surface 31 and a second surface 318.
    磁気共鳴撮像システムの傾斜コイル(300)やその他の素子は、第1の表面(316)及び第2の表面(318)を有する銅からなる少なくとも1つの層(302)を備える。 - 特許庁
  • A first impurity region 5, a second impurity region 6, a third impurity region 7, a fourth impurity region 8 and a fifth impurity region 9 are formed in a semiconductor layer.
    半導体層には、第1不純物領域5、第2不純物領域6、第3不純物領域7、第4不純物領域8および第5不純物領域9が形成されている。 - 特許庁
  • In this light emitting device 11, an EL element body 13 equipped with a first electrode 15 and a second electrode 16 disposed laminated so as to sandwich an EL layer 14 is formed on a substrate 12.
    発光装置11は基板12上に、EL層14を挟んで積層配置される第1電極15及び第2電極16を備えたEL素子本体13が形成されている。 - 特許庁
  • Further, in a ridge forming process, the second p-type clad layer 6 is removed partially by a first etching process through dry etching and a second etching process through wet etching.
    また、リッジ形成工程において、第2のp型クラッド層6を、ドライエッチングによる第1のエッチング工程と、ウェットエッチングによる第2のエッチング工程とにより、部分的に除去する。 - 特許庁
  • The gate electrode for an insulation gate electric field effect transistor is formed in the logical operation circuit area by patterning the first conductive layer excluding the element separating area in the logical operation circuit area.
    ロジック回路領域内の素子分離領域を除く第1導電層をパターニングして、ロジック回路領域内に絶縁ゲート電界効果トランジスタのゲート電極を形成する。 - 特許庁
  • On an anode electrode 8, a thin phosphor layer 9 formed in a shape of display pattern equivalent to the background and the first luminous display part A with a prescribed opening, are formed.
    陽極電極8上には、背景相当の表示パタン形状に薄膜の蛍光体膜9が形成され、所定開口を有した第1発光表示部Aが設けられる。 - 特許庁
  • The subcarrier 3 consists of a ceramic substrate 11 which in its edge areas 12 on the first side 2, has a ductile metal layer 13 arranged in a ring shape.
    ここで、サブキャリア3は、セラミック基板11を含み、このセラミック基板は、第1の面2の、その周縁領域12において、環状に配置された延性の金属層13を有する。 - 特許庁
  • To provide a pressure-sensitive adhesive agent sheet having excellent releasability of a release sheet, and obtained by laminating a first release sheet and a second release sheet through an pressure-sensitive adhesive agent layer.
    粘着剤層を介して第1の剥離シートと第2の剥離シートとが積層されてなる粘着剤シートであって、剥離シートの剥離性に優れた粘着剤シートを提供する。 - 特許庁
  • A first coating layer made of a compound semiconductor containing Al as a group III element and P as a group V element is arranged between side surfaces of the laminate structure and the buried layers.
    積層構造体の側面と埋込層との間に、III族元素としてAlを含み、V族元素としてPを含む化合物半導体からなる第1の被覆層が配置されている。 - 特許庁
  • The plurality of diffusion layers having a first refractive index, respectively, is placed in the plurality of through-holes having an absorption structure, and contacts with the part of the reflective layer exposing out of the plurality of through-holes.
    第一屈折率を有する複数の拡散層は、それぞれ、吸光構造の複数の貫通穴内に設置され、また、複数の貫通穴から露出する反射層の一部と接触する。 - 特許庁
  • The control means apply first and second potentials to the both electrodes so that polarities of electric field generated in the liquid crystal layer are periodically reversed to subject the liquid crystal modulation elements to optical modulation operation.
    制御手段は、液晶層に生じる電界の符号が周期的に反転するように両電極にそれぞれ第1及び第2の電位を与えて光変調動作を行わせる。 - 特許庁
  • The ON resistance is thereby reduced without decreasing the drain offset length DL2, i.e. the separation distance of a part on the first gate insulating film 6A and the drain N^+ diffusion layer 5.
    これによって、第1ゲート絶縁膜6A上の部分と、ドレインN^+拡散層5との離隔距離であるドレインオフセット長DL2を小さくすることなく、ON抵抗を低下させることができる。 - 特許庁
  • In an MONOS memory, a first insulation film 4 of an ONO laminate film of the cell transistor is composed of a silicon oxide film or a silicon oxide nitride film having oxygen compositions more than a charge storage layer 5.
    MONOS メモリにおいて、セルトランジスタのONO 積層膜の第1の絶縁膜4 は、シリコン酸化膜または電荷蓄積層5 よりも酸素組成の多いシリコン酸窒化膜からなる。 - 特許庁
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