「First layer」を含む例文一覧(24472)
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化粧材は、第１基材３と、第１基材３表面に接着された延伸配向性の結晶質ポリエチレンテレフタレート樹脂製透明性フィルム４と、透明性フィルム４の表面に形成された無溶剤系透明性樹脂塗料の塗膜層８とからなる。 - 特許庁 - The CWDM filter is composed of a first part containing at least two Fabry-Perot cavity structures and a second part containing a plurality of non-quarter wavelength film layer structures for which high and low refractive index film layers are alternately laminated on the first part.
少なくとも２つのファブリ・ペロットキャビティー構造を含む第１部分と、該第１部分上に高、低屈折率のフィルム層を交互に積層した複数層の非４分の１波長フィルム層構造を含む第２部分とによってＣＷＤＭフィルタを構成する。 - 特許庁 - When a virtual machine (5) moves as a virtual machine (B) from a physical machine 1 accommodated in a first subnet in a fixed network to a physical machine 2 accommodated in a second subnet which is different from the first subnet, a layer 2 tunnel extending from the physical machine 1 to the physical machine 2 is constructed.
仮想マシン(5)が、固定網内の第1のサブネットに収容されている物理マシン1から第1のサブネットとは異なる第2のサブネットに収容されている物理マシン2に仮想マシン(B)として移動した場合、物理マシン1から物理マシン2へ至るレイヤ2トンネルを構築する。 - 特許庁 - The dielectric film 8 has an opening for injecting current into the upper surface of the ridge part 6a, is formed with a first electrode 9 to contact the contact layer 7 exposed to the opening, and is formed with a second electrode 10 on the first electrode 9.
誘電体膜８は、リッジ部６ａの上面に電流を注入するための開口部を有し、当該開口部に露出したコンタクト層７に接するように第一電極９が形成され、第一電極９上に第二電極１０が形成されている。 - 特許庁 - A plurality of first and second internal electrodes are alternately disposed so that internal electrodes different in polarity face each other through the dielectric layer in the body, and a plurality of first and second external electrodes are provided on a surface of the capacitor body.
複数の第１及び第２内部電極は上記本体内で上記誘電体層を介して異なる極性の内部電極が対向するように交互に配置され、複数の第１及び第２外部電極は上記キャパシタ本体の表面に提供される。 - 特許庁 - The free magnetization layer 10 is composed of a ferromagnetic body having vertical magnetic anisotropy, and has a first fixed magnetization region 11a, a second fixed magnetization region 11b, and a free magnetization region 12 adjacent to the first fixed magnetization region and second fixed magnetization region.
磁化自由層１０は、垂直磁気異方性を有する強磁性体により構成され、第１磁化固定領域１１ａと、第２磁化固定領域１１ｂと、第１磁化固定領域と第２磁化固定領域とに隣接した磁化自由領域１２とを備える。 - 特許庁 - Subsequently, heat treatment (baking) is executed, thereby suppressing crystallization from the zirconium film 51 side in the first piezoelectric precursor film 15a to allow crystallization from the lower electrode 14 layer side, and thus, a first piezoelectric film 15 preferentially oriented to (002) is formed.
次に、熱処理（焼成）を行うことにより、第１圧電体前駆体膜１５ａにおけるジルコニウム膜５１側から結晶化することを抑え、下部電極層１４側から結晶化させることができ、（００２）に優先配向する第１圧電体膜１５が形成される。 - 特許庁 - Exposure to imaging radiation causes the first layer and the substrate to irreversibly detach without substantial ablation, thereby facilitating removal, by subjection to the cleaning liquid, of the first and second layers 304, 306 where detachment has taken place.
イメージング放射線に対する露光は第１の層３０４及び基板を実質的融除なしに不可逆的に分離する様にさせ、それにより、洗浄液の下におくことにより、分離が生起した所での第１及び第２の層３０４，３０６の除去を促進する。 - 特許庁 - The semiconductor device comprises a substrate provided with semiconductor elements, a first wire and a second wire formed on the substrate, a via connected to an undersurface beneath the first wire and on the side of the second wire, and a via layer insulation film including the via.
半導体素子が設けられた基板と、前記基板上に形成された第１および第２の配線と、前記第１の配線の下面の前記第２の配線側に接続されたビアと、前記ビアを含むビア層絶縁膜と、を有する半導体装置を提供する。 - 特許庁 - For instance, a first electrode is formed on the exposed surface of a first spherical conductive semiconductor and a second electrode is formed on the outer peripheral surface of a second conductive semiconductor layer for the spherical semiconductor element employed mainly for photoelectric conversion respectively.
例えば、主として光電変換用に用いる球状半導体素子には、上記方法により球状の第１導電型半導体の露出面に第１電極を、第２導電型半導体層の外周面の一部に第２電極を、それぞれ形成する。 - 特許庁 - The photoelectric conversion element has a first electrode 1 to which a semiconductor 3 carried with sensitized dye is bonded, a second electrode 2 countering the semiconductor 3, and a charge transport layer 4 interposed between the first electrode 1 and the second electrode 2.
増感色素が担持された半導体３を付着した第１の電極１と、半導体３に対向配置された第２の電極２と、第１の電極１と第２の電極２により挟持された電荷輸送層４とを有する光電変換素子に関する。 - 特許庁 - When first and second stress films 4 and 5 are dividedly applied on the upper layer of a gate electrode 1 and then a contact hole leading to the gate electrode 1 is formed to form a contact electrode, a contact hole formation region 9 is laid out on the side of the first stress film 4.
ゲート電極１の上層に第１，第２の応力膜４，５を張り分けてからそのゲート電極１に通じるコンタクトホールを形成してコンタクト電極を形成する際、そのコンタクトホール形成領域９を第１の応力膜４側にレイアウトする。 - 特許庁 - The inter-layer insulating film 10 comprises a first silicon oxide film 10a provided by HDP(high density plasma)-CVD substantially comprising no impurities and a second silicon oxide film 10b whose main material is PSG (phospho silicate glass) deposited on the first silicon oxide film 10a.
層間絶縁膜１０は、実質的に不純物を含まないＨＤＰ−ＣＶＤによる第１のシリコン酸化物膜１０ａと、この第１のシリコン酸化物膜１０ａ上に堆積されたＰＳＧを主体とする第２のシリコン酸化物膜１０ｂとを有する。 - 特許庁 - A first plastic material and a second plastic material are melted by the rotation of the extrusion screw, and subsequently extruded as the double layer plastic, wherein the first plastic material is fed between the extrusion cylinder and the extrusion screw, and the second plastic material is fed between the extrusion screw and the mandrel.
押出シリンダと押出スクリューの間に供給された第１プラスチック材料、及び押出スクリューとマンドレルの間に供給された第２プラスチック材料を，押出スクリューの回転により溶融し、続いて２層の筒状プラスチックとして押し出す。 - 特許庁 - The laminated ceramic capacitor 1 has first and second electrode layers 121, 122 alternately arranged on the inside of a capacitor substrate 11 through a ceramic layer, and the first and second electrode layers are formed with the paste for the conductor.
また、本発明の積層セラミックコンデンサ１は、コンデンサ基体１１の内部にセラミック層を介して交互に配設されている第１及び第２電極層１２１、１２２を備え、第１及び第２電極層が本発明の導体用ペーストを用いて形成されている。 - 特許庁 - A skin sheet is arranged between both molds to perform the clamping operation of the molds and, in such a state that both molds are set to preset first mold opening quantity, a first layer elastomer molten resin is injected in the space formed by a fixed mold and the skin sheet to fill the space.
両金型の間に表皮シートを配して型閉じ動作を行ない、予め設定した第一型開量に両金型を保持した状態で、固定金型と表皮シートとで形成される空間内に第一層エラストマ溶融樹脂を射出充填する。 - 特許庁 - In this case, a relay electrode pad RP connected to the coupling electrode pad P of a first chip 12 by a relay wiring 23 is further provided on the pad formation surface of the first chip 12 as a lower surface in such a way that the pad RP is exposed on a second chip 16 as an upper layer.
このとき、下層になる第１チップ１２のパッド形成面には、中継配線２３によりその連結電極パッドＰと接続された中継電極パッドＲＰが、上層になる第２チップ１６に露出されるかたちでさらに備えられる。 - 特許庁 - Also, in the first member forming process 18, a layer forming material containing at least one or more kinds of polymerizable compositions and a chain transfer agent comprising a thiol group is poured into a hollow tube and polymerized, with this process repeated to form the first member 17.
第１部材形成工程１８では、少なくとも１種類以上の重合性組成物と、チオール基を有する連鎖移動剤とを含む層形成材料を中空管の中に注入し、重合させる工程を繰り返し行なって第１部材１７とする。 - 特許庁 - This ceramics member is provided with substrate wherein first ceramics material is used as the main component, and a covering layer which covers the surface of the substrate which surface faces the inside of the reaction vessel and in which second ceramics material whose plasma etch-proof property is higher than that of the first ceramics material is made the main component.
第１のセラミックス材を主成分とする基材と、基材の反応容器内に面した表面を被覆し、第１のセラミックス材より耐プラズマエッチング性が高い第２のセラミックス材を主成分とする被覆層とを有するセラミックス部材である。 - 特許庁 - A part of an electron charge storage layer 7 on a first gate insulating film 22 is partially overlapped on said first part in the isolation region to be formed in a self-aligning manner to the second part, and has a flat top surface flush with the top surface of the second part.
第１のゲート絶縁膜２２上の電荷蓄積層７は、一部分が素子分離領域の前記第１の部分上にオーバーラップして第２の部分と自己整合的に形成され、第２の部分の上面と一致された平坦な上面を有している。 - 特許庁 - After the formation of the second droplet 1b, a voltage impulse is applied between a first electrode 17, which is placed under the electrical insulating layer 14 of the analyzing support 7 under the first droplet 1a, and a second electrode 18 which is placed in the vicinity of an outlet orifice 10 of the injector 8.
第２滴１ｂの形成後、電圧インパルスが第１滴１ａの下の分析支持体７の電気絶縁層１４の下に配置された第１電極１７と、噴射器８の出口オリフィス１０の近くに配置された第２電極１８との間に印加される。 - 特許庁 - The electro-optical device is equipped with: a liquid crystal display panel having a liquid crystal layer held between first and second substrates essentially comprising glass; and polarizing plates (an optical member) stuck to the outer surfaces of the first and second substrates through pressure-sensitive adhesive layers.
電気光学装置は、ガラスを主材料とする第１及び第２の基板間に液晶層を挟持してなる液晶表示パネルと、第１及び第２の基板の外面上に粘着層を介して貼り付けられた偏光板（光学用部材）とを備える。 - 特許庁 - In the filter area 39 for the near view observation, by making the area of a filter 41B for a first B narrow band region light larger than the area of a filter 41G for a first G narrow band region, it results in the B emitting time>the G emitting time, and the blood vessel in the surface layer is emphasized.
近景観察用フィルタエリア３９では、第１Ｂ狭帯域光用フィルタ４１Ｂの面積を第１Ｇ狭帯域光用フィルタ４１Ｇの面積よりも大きくすることで、Ｂ出射時間＞Ｇ出射時間となり表層血管が強調表示される。 - 特許庁 - This image sensor is provided with a first conductive semiconductor substrate where a trench is formed in a predetermined region, a second conductive impurity region formed in a semiconductor substrate at the lower part of a trench bottom face, and a first conductive epitaxial layer embedded in the trench.
所定領域にトレンチが形成された第１の導電型の半導体基板と、トレンチ底面の下部の前記半導体基板内に形成された第２の導電型の不純物領域と、前記トレンチに埋め込まれた第１の導電型のエピタキシャル層とを備える。 - 特許庁 - The lower magnetic pile layer 8 has a first part 8a arranged in a position opposite to the thin-film coil 10 and a second part 8b connected to the first part 8a to define a throat height, and the thin-film coil 10 is arranged on the side of the second part 8b.
下部磁極層８は、薄膜コイル１０に対向する位置に配置された第１の部分８ａと、第１の部分８ａに接続され、スロートハイトを規定する第２の部分８ｂとを有し、薄膜コイル１０は第２の部分８ｂの側方に配置されている。 - 特許庁 - The gold plating layer has an end face extending toward the first end face, which is located in a range between the first end face of the semiconductor substrate and a middle position relevant to one half of a length A of the light non-absorbing area along the optical axis.
この金メッキ層は前記第１端面に向かって延びた端面を有し、この金メッキ層の端面が、半導体基体の第１端面と、光軸に沿った前記光非吸収領域の長さＡの１／２に相当する中間位置との間の範囲に位置する。 - 特許庁 - By the selection of the degree of polarization, that is, by the ratio of a first intensity of a first plane of polarization to a second intensity of a second plane of polarization, the change in the ratio of the width to the length of a resist pattern 38 formed on a resist layer 14 is made possible.
偏光度の選択によって、すなわち、第２の偏光面の第２の強度に対する第１の偏光面の第１の強度の比によって、レジスト層１４上に形成されるレジストパターン３８の長さに対する幅の比の変更が可能になる。 - 特許庁 - A deformed protruding part 32b provided on a second coupling member is loosely fit in an inner side of a deformed recessed part 31d provided on a first coupling member, and an elastic body made spacer 33 and buffer layer 34 provided by filling synthetic rubber are interposed in a gap between the first and second coupling members.
第１連結部材に設けた異形の凹部３１ｄの内側に、第２連結部材に設けた異形の凸部３２ｂを遊嵌し、これらの両者の隙間に、弾性体製のスペーサ３３と、合成ゴムを充填して得られる緩衝層３４とを介装する。 - 特許庁 - The plasma display panel is composed of a first base plate and a second base plate facing each other, at least one discharge cell formed by demarcating a space between the first base plate and the second base plate, and a phosphor layer contained in the discharge cell.
本発明のプラズマディスプレイパネルは，互いに対向して配置された第１基板と第２基板と，第１基板と第２基板との間の空間が区画されることにより形成される少なくとも一つの放電セルと，放電セル内に蛍光体層が形成される。 - 特許庁 - The reflectance characteristics and the durability to withstand high temperature storage equivalent to those of a single layer optical disk are obtained by designing light transmittance of the first reflection film to be larger than that of a second reflection film, and constructing the first reflection film with AgBi and the second reflection film with AgGaCuCa.
第１反射膜の光透過率を第２反射膜の光透過率よりも大きく、且つ、第1の反射膜はAgBiからなり、前記第2の反射膜はAgGaCuCaからなる構成とすることで、単層光ディスクと同等の反射率特性と高温保存耐久性得た。 - 特許庁 - With a second oxide film 3 coated with a second photoresist layer 20, a first oxide film 2 is etched with a first gate electrode 7 as a mask, so that the thin second oxide film 3 is over-etched to prevent a semiconductor substrate 1 from being exposed.
第２の酸化膜３を第２のフォトレジスト層２０で被覆した状態で第１のゲート電極７をマスクにして第１の酸化膜２をエッチングしているので、薄い第２の酸化膜３がオーバー・エッチングされて半導体基板１が露出することが防止される。 - 特許庁 - The base insulator 10 has a through hole 3 corresponding to the spring piece 31 of the first body 60, and hold the FFC 50 together with the cover insulator 20, and the FFC 50 is connected to a connector shield layer 56 by the spring piece 31 of the first main body 60.
ベースインシュレータ１０は、第１の本体部６０のバネ片３１に対応する貫通孔３を有し、カバーインシュレータ２０とともに、ＦＦＣ５０を挟みつけ、第１の本体部６０のバネ片３１によりＦＦＣ５０のコネクタシールド層５６とが接続するようにした。 - 特許庁 - Then, a first protruded anode terminal is formed at the capacity formation section formed on one surface of the base material, and a first protruded cathode terminal is formed in the cathode layer at the side of the capacity formation section as the capacity formation section for transition responses.
そして、前記基材の一方の面に形成された容量形成部に突起状の第１の陽極端子を形成すると共に、該容量形成部側の陰極層に突起状の第１の陰極端子を形成して過渡応答用の容量形成部とする。 - 特許庁 - The driving mechanism (59), in order to coat the layer, moves the coating element (61) forward/backward on a circular passage between the first end position on the first side of the molding region and the second end position on the second side of a place opposite to the molding region.
駆動機構（５９）は、層の塗工のために、造形領域の第１の側の第１の端位置と造形領域の対向する第２の側の第２の端位置との間で、塗工要素（６１）を、円形通路上で前後に動かすように構成されている。 - 特許庁 - First and second color layers 33 and 46 are formed, and openings 49 are formed in an etching step, and then a third color layer 50 is formed so as to cover all of the surfaces of first and second color layers 33 and fill the openings 49.
第１及び第２の着色層３３，４６を形成し、さらにエッチング工程にて開口部４９を形成した後に、第１及び第２の着色層３３上全体を覆うと共に、開口部４９に埋め込むようにして、第３の着色層５０を形成する。 - 特許庁 - In forming the terminal electrode of the multilayer electronic component structured by alternately laminating an internal electrode and an insulation layer, a first terminal forming surface is tilted to an irradiation surface of a target with at least a periphery of the first terminal forming surface surrounded.
内部電極と絶縁層とを交互に積層して構成される積層型電子部品の端子電極を形成するにあたり、第１端子形成面の周囲を少なくとも囲んだ状態で、ターゲットの照射面に対して前記第１端子形成面を傾斜させる。 - 特許庁 - Ferrite bead inductors 12, 13 comprise a ferrite bead element 18 in which a magnet layer 24 and internal electrodes 25a to 25d are laminated; and first and second outer electrodes 19, 20 arranged on first and second side surfaces 18c, 18d of the ferrite bead element 18.
フェライトビーズインダクタ１２，１３は、磁性体層２４と内部電極２５ａ〜２５ｄとが積層されるフェライトビーズ素体１８と、フェライトビーズ素体１８の第１及び第２の側面１８ｃ，１８ｄに配置される第１及び第２の外部電極１９，２０とを備えている。 - 特許庁 - After depositing a coating film layer on the surface of the panel substrate 3' by hydraulic pressure transfer in use of a transfer film with a coating film deposited thereon, the first place 19 and second place 21 for scheduled openings are removed so that the first opening 11 and second opening 13 are formed, so that the center panel is obtained.
パネル基材３′の表面に、塗膜が形成された転写フィルムを使用して水圧転写により塗膜層を形成した後、第１及び第２開口予定部１９，２１を切り取って第１及び第２開口部１１，１３を形成してセンターパネルを得る。 - 特許庁 - An insulating film laminate 8 wherein the first insulating film 1 to the sixth insulating film 6 are laminated is formed on a substrate, and the first layer internal wire 21 comprising copper electrically insulated from the substrate is formed inside the second insulating film 2.
基板の上に第１の絶縁膜１から第６の絶縁膜６が積層された絶縁膜積層体８が形成されており、第２の絶縁膜２の内部には、基板と電気的に絶縁された銅からなる第１の層内配線２１が形成されている。 - 特許庁 - The second metal film 24 is etched anisotropically, by using the second resist 33 as a mask to form the bonding pad having the first metal film 20 and second metal film 24, and the upper-layer wire 22 which has the second metal film 24 but does not have the first metal film 20.
第２レジスト３３をマスクとして第２金属膜２４を異方性エッチングして、第１金属膜２０と第２金属膜２４とを有するボンディングパッドと、第２金属膜２４を有するが第１金属膜２０を有しない上層配線２２とを形成する。 - 特許庁 - In this organic EL display panel of a passive matrix system, an insulating layer provided between an area other than a pixel area on a first electrode on a transparent substrate and the first electrode is made of an insulating carbon film formed by the dry process.
パッシブマトリクス方式の有機ＥＬディスプレイパネルにおいて、透明基板上の第一電極上の画素領域以外の領域および第一電極間に設けられる絶縁層が、ドライプロセスで製造された絶縁性炭素膜からなることを特徴とする。 - 特許庁 - The emitter layer consists of s first emitter region 11 of undoped semiconductor which is not doped with dopant intentionally and a second emitter region 12 of semiconductor which is doped with second conductivity dopant, and the second emitter region 12 surround the whole of the first emitter region 11.
また、エミッタ層は、故意に不純物をドーピングしていないアンドープ半導体の第１エミッタ領域１１と、第２導電型ドーパントをドーピングした半導体の第２エミッタ領域１２とから成り、第２エミッタ領域１２が第１エミッタ領域１１全体を囲っている。 - 特許庁 - This patch having an adhesive layer on at least one side of the support is obtained by crosslinking the first polymer having butadiene skeleton portions and the second polymer different from the first polymer in the presence of an organic peroxide.
支持体の少なくとも片面に粘着剤層を備える貼付剤であって、粘着剤層がブタジエン骨格部分を有する第一ポリマーと、第一ポリマーと異なる第二ポリマーとを、有機過酸化物の存在下で架橋して得られることを特徴とする、貼付剤。 - 特許庁 - In the semiconductor device 10, the wiring layer 122 is composed of a first copper-containing material containing copper and a metal having a smaller thermal expansion coefficient than copper, and the thermal expansion coefficient of the first copper-containing material is smaller than that of copper.
この半導体装置１０において、配線層１２２は、銅と、銅より熱膨張係数が小さい金属とを含む第１の銅含有材料から構成されており、第１の銅含有材料の熱膨張係数は、銅の熱膨張係数より小さい。 - 特許庁 - This device is provided with a porous layer pinched by a semiconductor substrate and a first semiconductor film and a second semiconductor film formed on the first semiconductor film, and the second semiconductor film contains a II-VI group compound semiconductor.
本発明は、半導体基板と第一の半導体膜とに挟まれた多孔質層を持ち、該半導体膜上に第二の半導体膜を有した構成において、第二の半導体膜にＩＩ−ＶＩ族化合物半導体が含まれていることを特徴とする。 - 特許庁 - One or a plurality of kinds of pigments are disposed in the first vapor deposition source 21, and a colored layer is deposited on the surface of an object 50 to be colored by the vapor of the first vapor deposition material composed of pigment vapor.
第１の蒸着源２１内には１種類又は複数種類の顔料が配置され、顔料蒸気によって構成された第１の蒸着材料蒸気によって着色対象物５０の表面に着色層を形成するようになっている。 - 特許庁 - On the main structure 100, there is formed a second substructure 114 which is spatially separated from the first substructure 111 and is further provided with a current block layer 113 on the second conductivity-type structure identical to the first substructure 111.
上記第１副構造体１１１と空間的に分離されて主構造体１００上に、第１副構造体１１１と同一の第２導電型の構造体上に電流遮断層１１３をさらに有する第２副構造体１１４を形成する。 - 特許庁 - The flat display includes: the circuit board having the reflection function, which includes a circuit board body 12 having first and second surfaces 12a and 12b, a reflection layer 14 attached to the first surface 12a of the circuit board body 12 and an electronic component 16 provided at the second surface 12b of the circuit board body 12.
第１表面と第２表面を有する回路基板本体１２と、該回路基板本体１２の第１表面１２ａに付着された反射層１４と、前記回路基板本体１２の第２表面１２ｂに設置された電子部品１６とを含む。 - 特許庁 - Further, the device includes a first light shielding section 11a disposed in a layer different from the gate electrode over an insulating film 41a, at least partially overlapping the first and the second LDD regions, and electrically connected to the gate electrode.
更に、ゲート電極と、絶縁膜（４１ａ）を介して互いに異なる層に配置されており、第１及び第２のＬＤＤ領域と少なくとも部分的に重なるように形成されると共にゲート電極と電気的に接続された第１遮光部（１１ａ）を備える。 - 特許庁 - The heater X1 equipped with a substrate 1 composed of a first face 10 and a second face 11 and with heating elements 2, 3 arranged at the side of the first face 10 of the substrate 1 is provided further with a high thermal conductive layer 6A with higher thermal conductivity than the substrate 1.
第１面１０および第２面１１を有する基板１と、この基板１の第１面１０側に設けられた発熱体２，３と、を備えた加熱ヒータＸ１において、基板１よりも熱伝導率の高い高熱伝導層６Ａをさらに設けた。 - 特許庁
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