「First layer」を含む例文一覧(24472)
＜前へ 1 2 .... 391 392 393 394 395 396 397 398 399 .... 489 490 次へ＞- This pneumatic radial tire comprises a plurality of first steel element wires for which a steel chord 8 of a belt layer 7 is formed and aligned, and a second steel element wire 10 formed and arranged around its outer circumference side.
ベルト層７のスチールコード８を型付けして引き揃えた複数の第１スチール素線９と、その外周側に型付けして配置された第２スチール素線１０とから構成する。 - 特許庁 - As a method for forming the low oxidation concentration layer, the flow rate of oxygen which is introduced when the transparent electrode is formed is changed in film thickness direction, i.e., the flow rate is made small at first and increased later.
低酸化濃度層の形成方法としては、透明電極形成時に導入する酸素の流量を始めは少なくし、その後多くするというふうに膜厚方向で変える。 - 特許庁 - The silica layer, normally continuous in the direction of line B-B with no break, can be cut off in the way by means of the embedded first insulation film 5.
通常、Ｂ−Ｂ’線方向に沿ってシリカの層が途切れること無く続いてしまうが、この埋め込まれた第一の絶縁膜５により、シリカ６の層を途中で遮断することができる。 - 特許庁 - To provide a manufacturing method of a semiconductor device in which a poor connection is less likely to occur between a first electrode (chip pad) and an external electrode (bump) in a wafer-level CSP having a thick insulating resin layer.
厚い絶縁樹脂層のウェハレベルＣＳＰで、第１電極(チップパッド)と外部電極(バンプ)との接続不良が発生しにくい半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁 - A drain region (30a5) and the first conductive layer are connected through a contact hole (33) opened in an insulating film on at least partly mutually overlapping part in an intersection region.
ドレイン領域（３０ａ５）及び第１導電層は、交差領域内で、少なくとも部分的に互いに重なる部分にて、絶縁膜に開孔されたコンタクトホール（３３）を介して接続されている。 - 特許庁 - A first growth layer 21 is grown on a base body 10 for growth in such a manner that the growth velocity in the direction perpendicular to the growth surface is higher than 10 μm/h.
成長用基体１０上に、成長面に対して垂直な方向の成長速度が１０μｍ／ｈより大きくなるように第１の成長層２１を成長させる。 - 特許庁 - The liquid crystal display device is equipped with a first coloring layer having a pattern composed of pixel edges, which are formed by alternately removing the pixel edges in a signal line direction and in a scanning line direction.
信号線の方向に１つの画素おきに間引かれ、かつ走査線の方向に１つの画素おきに間引かれて形成されるパターンを有する第１着色層を備える。 - 特許庁 - The second insulating layer at the intersection is preliminarily provide with a first to fourth through-holes (41 to 44), and the external harness and the touch panel push each other to connect, while heating at the intersection.
両者の交差部の第２絶縁層には予め第１〜４貫通穴（４１〜４４）を設けておき、交差部で外部ハーネスとタッチパネルを加熱しながら互いに押圧し接合する。 - 特許庁 - The binding members included in the anode mixture layer have a particle size distribution having two peaks, a first peak of relatively small particle size and a second peak of relatively large particle size.
上記負極合材層に含まれる結着材は、相対的に粒径の小さい第１のピークと相対的に粒径の大きい第２のピークとの２つのピークを有する粒度分布を有している。 - 特許庁 - A standoff 18 is provided between the first bottom electrode termination and second bottom electrode termination, and attached to the passivation layer so that it serves as a support of an electronic component at the time of packaging.
第１ボトム電極成端部と第２ボトム電極成端部との間にスタンドオフ１８を設け、パシベーション層に装着し、これによって実装時、電子コンポーネントの支持体とする。 - 特許庁 - The second fiber layer runs on the first wire 22 so that it may go into the sticking section at an angle less than 90 degree 44 to the belt 12 entering into the sticking section.
第２ファイバ層は、貼り合わせセクションに進入するベルト１２に対して、９０度よりも小さい角度４４で、貼り合わせセクションに進入するように、第１ワイヤ２２上で走行する。 - 特許庁 - The second well 3 is formed on the substrates 1 and 10, is provided on the other side of the high-concentration diffusion layer region 11, and has a second conductivity type that is the reverse conductivity type with respect to the first conductivity type.
第２ウェル３は基板１、１０上に形成され、高濃度拡散領域１１の他方側に設けられ、第１導電型と逆導電型となる第２導電型である。 - 特許庁 - The non-capacitive layers 212 to 214 are laminated on the capacitive layer 211 on one-side of the capacitive layers 212 to 214 including the first capacitive electrode 201 and an extraction electrode 205 is provided on an outer side of the non-capacitive layers 212 to 214.
非キャパシタ層２１２〜２１４は、一面が、第１のキャパシタ電極２０１のある側において、キャパシタ層２１１の上に積層され、外面に取出電極２０５を有する。 - 特許庁 - The reinforced woven fabric layer 12 sandwiched between the first and second adhesive resin film layers 11 and 13 is jointed in thermal fusion with upper surface of the ends of the belt 1 in abutting relation.
第１及び第２の接着樹脂フィルム層１１，１３に挟まれた状態で補強職層１２を、互いに突き合わされたベルト端部の上面側に熱融着してジョイントする。 - 特許庁 - In the upper side area and lower side area of a plane including the upper surface or lower surface of a recording gap layer 22, a first non- magnetic body 31 and a second non-magnetic body 30a are disposed.
記録ギャップ層２２の上面または下面を含む平面の上側領域および下側領域に、第１の非磁性体３１および第２の非磁性体３０ａを配設する。 - 特許庁 - Two light transmitting substrates whereupon a first photosensitive polymer and a second photosensitive polymer are developed, respectively, are bonded to each other on the photosensitive polymer layers to form one recording layer.
第１感光性ポリマーと第２感光性ポリマーをそれぞれ展開した２つの光透過性基板を感光性ポリマーの層同士を貼り合わせるようにして１つの記録層を形成する。 - 特許庁 - A manufacturing method of a semiconductor device according to an embodiment comprises: a polishing step; a first amorphous silicon film formation step; a monocrystallization step; and a buffer layer formation step.
一つの実施形態によれば、半導体装置の製造方法は、研磨工程、第１のアモルファスシリコン膜形成工程、単結晶化工程、及びバッファ層形成工程を有する。 - 特許庁 - The pneumatic tire 1 also includes a belt reinforcing layer 17 arranged outside in the tire radial direction of a pair of crossing belt plies 141 and 142 and under a groove of the first shoulder main groove 23.
また、空気入りタイヤ１は、一対の交差ベルトプライ１４１、１４２のタイヤ径方向外側かつ第一ショルダー主溝２３の溝下に配置されるベルト補強層１７を備える。 - 特許庁 - A first opening part and second opening part are formed in a phase-shift layer 402 by patterning for exposing part of a mask substrate 400.
位相シフト層がマスク基板上に形成され、かつ、第１および第２開口部が、前記マスク基板の一部を露光させるためにパターン化により前記位相シフト層内に形成されている。 - 特許庁 - First layers being gate electrode layers 21a, 21b, second layers being drain-to-drain connecting layers 31a, 31b and third layers being drain-to- gate connecting layers 41a, 41b form a conductive layer for flip flops.
第１層であるゲート電極層２１ａ、２１ｂと、第２層であるドレイン−ドレイン接続層と、第３層であるドレイン−ゲート接続層と、がフリップフロップ用の導電層となる。 - 特許庁 - Further, a first and a second internal leads 12, 22 are juxtaposed on the third layer 3-3 of the insulating layers 3, and are connected to the coil bodies 10, 20 via through holes 37b, 37b.
そして、第１及び第２内側引き出し部１２，２２を絶縁層３の第３層３−３に並設して、コイル本体１０，２０にスルーホール３７ｂ，３７ｂを介して接続した。 - 特許庁 - The first cutter blade 18 and the second cutter blade 20 can cut respectively the sheet layer 13 supported on the substrate 12 at the usage position according to the cutter blade assembly 16 moving on the cutting passage.
第一カッター刃18と第二カッター刃20は、夫々、使用位置では、カッター刃のアセンブリ16が截断路上を移動するに従って、基盤12上に支持されたシート層13を截断できる。 - 特許庁 - Neighbored first polycrystalline silicon 102 and second polycrystalline silicon 104 are connected to a wiring layer 106 so as to be in parallel connection through contact holes 105, respectively.
隣接する第１の多結晶シリコン１０２と第２の多結晶シリコン１０４はそれぞれコンタクトホール１０５を介して並列接続となるように配線層１０６に接続されている。 - 特許庁 - The first layer 7 is removed by selective chemical etching through the passage 10, and the passage 10 is sealed so as to obtain a metallic capsule for airtight sealing of the microsystems.
通路１０を介して第１の層７を選択的な化学エッチングにより除去し、通路１０が各マイクロシステムを気密的に封入する金属カプセルを得るために密閉する。 - 特許庁 - In discriminating the number of layers of the optical disk by the number-of-layer discriminating means 27, the discrimination of the number of layers is performed by adjusting the light to the first light intensity by the light intensity adjusting means.
そして、層数判別別手段２７により光ディスクの層数を判別する場合には、光量調節手段により第一の光量に調節して層数の判別を行う。 - 特許庁 - In the fourth step, a second bonding layer is arranged on a second functional region 102 on the first substrate, or a region, to which the second functional region is to be transferred, on a third substrate.
第４工程では、第１の基板上にある第２の機能性領域１０２又は第３の基板上の第２の機能性領域の移設予定領域に第２の接合層を設ける。 - 特許庁 - The first and second green sheets are laminated, adhered by an unburned adhesive layer to manufacture an unburned laminate having a hollow portion formed between the two, and the laminate is baked.
また，第１及び第２のセラミックグリーンシートを未焼接着層により積層，接着して，両者間に中空部が形成された未焼積層体を作製，これを焼成する製造方法。 - 特許庁 - To provide an optical disk recording device and an optical disk recording method to specify a recording method for a guard track zone GTZ provided at a first recording layer irradiated with a laser beam.
レーザ光が照射される第１記録層に設けられるガードトラックゾーンＧＴＺへの記録方法を特定する光ディスク記録装置及び光ディスク記録方法を提供する。 - 特許庁 - This first substrate and a second substrate that is to be a deposition target substrate are arranged to face each other, and the light absorption layer is heated by being irradiated with light, whereby a film is deposited on the second substrate.
この第１の基板と被成膜基板となる第２の基板とを対向して配置し、光吸収層に光の照射を行って加熱し、第２の基板に成膜を行う。 - 特許庁 - To provide a surface-mounted light-emitting diode of a structure, wherein the mass production of the diode is simply enabled and a fluorescent agent and the like can be mixed in the optimum position on a first resin layer, and the production method of the diode.
簡単に且つ大量な生産が可能で、蛍光剤等を最適位置に混入することが可能な表面実装型発光ダイオード及びその製造方法を提供する。 - 特許庁 - The end part waterproof structure 24 includes a first fold back part 1 at which the substrate 12 is folded back at outside of the end part of the laminate 14 such that the substrate 12 is opposed to the moisture-proof layer 22, and a sealant 28.
端部防水部２４は、基材１２を防湿層２２と対向するように、積層体１４の端部よりも外側で折り返した第１折返部と、封止材２８とを含む。 - 特許庁 - A phosphor layer 5 is formed in a predetermined position of the inside wall surface of a glass tube 11, and a first mount 3 is sealed at the lower end of a bulb part 12 of the glass tube 11 by a primary sealing means.
ガラス管１１の内壁面の所定部位に蛍光体層５を形成し、一次シール手段で、ガラス管１１のバルブ部１２下端部に第１マウント３を封止する。 - 特許庁 - Specifically, the shutter 3 slidably contacts the contact portions 18 of the feeding terminals 2 and polishes the portions when opening and closing the first openings 11, so that dust, a chemically-changed surface layer, and the like are removed.
つまり、シャッタ３が第１の開口１１を開閉するときに給電端子２の接点部１８に摺接して当該個所を磨き、塵埃や化学変化した表面層などを取り除く。 - 特許庁 - The protective layer has a mean thickness from not less than 5 nm to not more than a radius of the fluorescent material, and the fluorescent material has a discontinuous exposure region exposed from the first protective film.
保護層の平均暑さが，５ｎｍ以上、かつ蛍光体の半径以下であり、前記第１保護膜によって、蛍光体が露出する露出領域が非連続であることを特徴とする。 - 特許庁 - In the fourth step, a second bonding layer is arranged on a second functional region 102 on the first substrate, or a region, to which the second functional region is to be transferred, on a third substrate.
第４工程では、第１の基板上の第２の機能性領域１０２又は第３の基板上の第２の機能性領域の移設予定領域に第２の接合層を設ける。 - 特許庁 - Then, in a first gas flow passage layer 22, a flow passage cross-sectional area in a site adjacent to a high temperature part of the fuel cell stack 10 is made to be larger than that in other sites.
そして、第１のガス流路層２２の、燃料電池スタック１０の高温部と近接する部位における流路断面積を、他の部位における流路断面積よりも大きくする。 - 特許庁 - First welded parts 19 are formed by welding the end surfaces of the strands 5a, 5b to the end surface of strands for external conductors, having the same diameters as the end surfaces of the strands 5a, 5b, and are wound on the reinforcing layer 11.
素線５ａ、５ｂの端面にこれと同径の外部導体用素線１７の端面を溶接して第１の溶接部１９を形成し、絶縁補強層１１の上に巻き付ける。 - 特許庁 - A position bringing the fellow end faces of the first and second surface layers 27, 28 into contact is different, in the belt longitudinal direction L', from a position of bringing end faces 26A, 26B of the core body layer 26 into contact.
第１及び第２の表面層２７、２８の端面同士を突き合わせる位置は、芯体層２６の端面２６Ａ、２６Ｂを突き合わせる位置とベルト長手方向Ｌ’において異なる。 - 特許庁 - This method is provided with a process for removing an etching damaged layer 11 which occurs in a source/drain formation region when dry- etching the first thick oxide film 9 of the high breakdown strength MOS transistor.
高耐圧ＭＯＳトランジスタの厚い第１の酸化膜９をドライエッチングする際にソースドレイン形成領域に発生したエッチング・ダメージ層１１を除去するための工程を設ける。 - 特許庁 - The sheet body 11 of the sheet 1 comprises the first flexible nonwoven fabric 12 and the second flexible nonwoven fabric 13, and is produced by laminating both the nonwoven fabrics 12, 13 to each other through an adhesive layer 14.
シート体１のシート本体１１を、柔軟性を有した第１不織布１２と第２不織布１３とで構成し、両不織布１２，１３を接着層１４で貼り合わせて接合する。 - 特許庁 - The method for manufacturing the electro-optic device of the present invention is the method for manufacturing the electro-optic device including an electro-optic material layer 70 between a first electrode 50 and a second electrode 60.
本発明の電気光学装置の製造方法は、第１電極５０と第２電極６０との間に電気光学物質層７０を有する電気光学装置の製造方法である。 - 特許庁 - An auxiliary electrode 48 is extended from an outside of the recess area up to an inside thereof, and one part thereof is positioned in an inside of the cut-out part 46c of the first electrode 46 to support one part of the piezoelectric layer 47.
補助電極４８は、凹部領域の外部から内部まで延在し、一部が第１電極４６の切欠き部４６ｃの内部に位置して圧電層４７の一部を支持する。 - 特許庁 - A die pad plate 20 is covered with a resin layer while exposing the outer surface at the opposite side of junction surface of the semiconductor chip, and a first metal projection section 28 is located on the outer surface of the die pad plate.
ダイパッド板２０は、半導体チップの接合面とは反対側の外面を外に出して樹脂層で覆われ、ダイパッド板の外面上には第１の金属突起部２８がある。 - 特許庁 - The electrophoretic display device 1 includes a liquid layer dispersion medium 5 containing first particles A and second particles to be negatively charged, and third particles C to be positively charged.
電気泳動表示装置１は、負に帯電する第１粒子Ａおよび第２粒子Ｂと、正に帯電する第３粒子Ｃとが含有した液層分散媒５を有している。 - 特許庁 - The core 2 is formed of a plurality of units 15, and the units 15 are stackedly formed between first fiber assembly layers 15a and 15b clamping a second fiber assembly layer 15c therebetween.
コア２は複数のユニット１５から形成され、それらユニット１５は、第１繊維集合層１５ａ，１５ｂの間に第２繊維集合層１５ｃを挟むように積層して形成されている。 - 特許庁 - An element conduction part 71 which conducts to the driving transistor Tdr through a contact hole Ha3 is formed on a surface of a first insulating layer L1 covering the driving transistor Tdr and capacitive element C1.
駆動トランジスタＴdrと容量素子Ｃ1とを覆う第１絶縁層Ｌ1の面上には、コンタクトホールＨa3を介して駆動トランジスタＴdrに導通する素子導通部７１が形成される。 - 特許庁 - In the image display apparatus, a first base 10 on which a fluorescent screen and a metal back layer 17 are formed is arranged opposite to a second base 12 on which a plurality of electron emission sources 19 are provided.
蛍光面およびメタルバック層１７が形成された第１基板１０と、複数の電子放出源１８が設けられた第２基板１２とが対向して配置されている。 - 特許庁 - A lower-layer electrode film of the image signal wire is formed on a first insulation substrate of a back panel, with a thick film applied and embedded by printing method, in a groove formed by a sandblast method or the like.
背面パネルの第１絶縁基板にサンドブラスト法等で形成した溝に印刷法で塗布し埋設した厚膜で画像信号配線の下層電極膜を形成する。 - 特許庁 - A through-hole 12a is formed in each cross portion of the first electric conductive wire 14 and the second electric conductive wire 15 orthogonal each other via an insulating layer 12 to be opposed.
絶縁層１２を介して互いに直交する第１の導電線１４と第２の導電線１５の各交差部分に貫通孔１２ａを形成して対向し合うようにした。 - 特許庁 - The insulating film 16 has a structure, in which a first AlN insulating film 16a and a second SiO2 insulating film 16b are laminated sequentially from a side of the electron transit layer 15.
絶縁膜１６はＡｌＮよりなる第１の絶縁膜１６ａとＳｉＯ_2 よりなる第２の絶縁膜１６ｂとが電子走行層１５の側から順に積層された構造を有している。 - 特許庁
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