「First layer」を含む例文一覧(24476)
＜前へ 1 2 .... 393 394 395 396 397 398 399 400 401 .... 489 490 次へ＞- On the condition of selectively removing the first layer insulating film 44, the contact hole is formed at a part adjacent to the TG 33 in the self-matching manner and inside that contact hole, a contact plug 50 is formed.
第１層間絶縁膜４４を選択的に除去する条件でＴＧ３３に隣接する部位に自己整合的にコンタクトホールを形成し、その中にコンタクトプラグ５０を形成する。 - 特許庁 - At the same time, the extended electrodes 12 in the neighborhood of the first non-conductive layer 11 heated and removed by the irradiation of the laser beam are fused and welded and electrically connected to the antenna 22.
同時に、レーザ光の照射により加熱除去された第１非導電層１１の近傍の拡大電極１２を融解してアンテナ２２に融着させて電気的に接続する。 - 特許庁 - To provide a semiconductor device capable of obtaining a high junction breakdown voltage between a first conductive semiconductor layer and a second conductive impurity diffusion area that a tunnel window faces.
第１導電型の半導体層とトンネルウィンドウが対向する第２導電型の不純物拡散領域との高い接合耐圧を得ることができる、半導体装置を提供する。 - 特許庁 - After forming a trench 2a which becomes a first trench in the front surface of an n^+ substrate 1, an epitaxial layer 14 is formed in a portion where the trench 2a is not formed among the n^+ substrate 1.
Ｎ^+型基板１の表面に第一トレンチとなるトレンチ２ａを形成したのち、Ｎ^+型基板１のうちトレンチ２ａが形成されていない部分にエピタキシャル層１４を形成する。 - 特許庁 - The first buffer layer 12 is epitaxially grown with a growth rate higher than the SiO_2 growth rate by irradiating the naturally oxide film coating Si with the metal plasma in the SiO sublimation region.
前記第一バッファ層１２は、ＳｉＯ昇華領域で自然酸化膜被覆Ｓｉに金属プラズマを照射してＳｉＯ_２成長速度より高速でエピタキシャル成長させたものである。 - 特許庁 - In a first method, an Si-Ge mixed crystal layer that becomes a base and a silicon epitaxial film that becomes an emitter are continuously formed, and the silicon epitaxial film is removed by wet etching for forming the emitter.
第１の方法は、ベースとなるＳｉ−Ｇｅ混晶層とエミッタとなるシリコンエピタキシャル膜を連続して成膜し、ウエットエッチングによりシリコンエピタキシャル膜を除去してエミッタを形成する。 - 特許庁 - n-Hexane is supplied to the upper layer 14 cooled to an ambient temperature, and the n-haxane dissolves the PCBs captured by the first column 10 to flow into the second column 20.
常温へ冷却した上層１４へｎ−ヘキサンを供給すると、このｎ−ヘキサンは、第一カラム１０において捕捉されているＰＣＢ類を溶解して第二カラム２０へ流れる。 - 特許庁 - A first conductor layer 12 of the multilayer wiring section 42 comprises a through hole receiving pad 24, a flatness improvement ring 48 for surrounding the pad, and a ground region 26 further surrounding the ring.
多層配線部４２の第１の導体層１２は、スルーホール受けパッド２４と、それを取り囲む平坦性改善リング４８と、さらにそれを取り囲む接地領域２６を含んでいる。 - 特許庁 - A lower conductive layer pattern of two-layered film composed of an upper first doped polysilicon film 22a, and a lower tungsten silcide film 22b is provided to a semiconductor substrate 20.
上部に第１のドープしたポリシリコン膜２２ａと第１のタングステンシリサイド膜２２ｂとの積層膜からなる下部導電層パターンを形成した半導体基板２０を提供する。 - 特許庁 - The distance from the top face of the second semiconductor layer 14 to a pn junction face 21 is shortest nearly in the middle between the first trenches 20.
前記第２の半導体層１４の上面から前記ＰＮ接合面２１までの距離が、前記第１のトレンチ間２０のほぼ中央部で最も近接となることを特徴とする。 - 特許庁 - A donor substrate 3 with an organic donor layer 13 formed at a deposition rate of 1 nm/sec or more by vacuum deposition, and a film-formed substrate 5 with a first electrode 17 formed are prepared.
真空蒸着により有機ドナー層１３が蒸着レート１ｎｍ／ｓｅｃ以上で形成されたドナー基板３と、第一電極１７が形成された被成膜基板５とを用意する。 - 特許庁 - In a semiconductor device that uses a high dielectric constant insulating film for a gate insulating film, a diffusion layer 12 requiring high temperature treatment is first formed, and then, a gate insulating film 15 is formed.
高誘電率絶縁膜をゲート絶縁膜に用いる半導体装置において、高温熱処理を必要とする拡散層１２を先に形成し、その後ゲート絶縁膜１５を形成する。 - 特許庁 - A magnetic detection element having a large magnetoelastic effect can be provided by increasing a magnetostriction constant λ by causing distortion in the crystal structure of the first magnetic layer 23a.
第１磁性層２３ａの結晶構造に歪を生じさせることによって磁歪定数λを大きくさせ、磁気弾性効果の大きな磁気検出素子を提供することができる。 - 特許庁 - The power to the amplification transistor M4 of the pixel column having no power supply line 4 is supplied from the power supply line 4 of the adjacent column through the first metal wiring layer (bridge line 45).
電源線４が配置されていない画素列の増幅トランジスタＭ４への電源は、隣の列の電源線４から第１の金属配線層（ブリッジ線４５）を介して供給する。 - 特許庁 - To reduce an aspect ratio in contact formation, and to suppress any conduction failure resulting from failure in contact formation by suppressing height from a semiconductor substrate to a first layer metal wiring.
半導体基板から１層目メタル配線までの高さを低く抑えることにより、コンタクト形成時にアスペクト比を小さくできて、コンタクト形成時の不良による導通不良を抑制する。 - 特許庁 - The fluorescence L4 excites positive residual charges existing near the first electrode layer 11 to promote a coupling of the positive residual charges concerned with the trapped negative charges.
この蛍光Ｌ４により、第１の電極層１１近傍に存在する正の残存電荷が励起され、該正の残存電荷とトラップされていた負の電荷との結合が促進される。 - 特許庁 - Breakages from the sintered metal fibers in the first and second layers 59a and 59b are filtrated in the third layer 59c to prevent admixture of a foreign matter of a metal fiber in the dope.
第１層５９ａ，第２層５９ｂの金属繊維から生じる破損物は第３層５９ｃで濾過され、金属繊維異物としてドープに混入してしまうことがなくなる。 - 特許庁 - On a semiconductor substrate 1, a first interlayer insulating film 3 is formed, so as to cover a plurality of lower-layer wiring 2 formed on the surface of the substrate 1.
半導体基板１の表面には複数の下層配線２が形成され、半導体基板１上に下層配線２を覆うようにして第１層間絶縁膜３が形成されている。 - 特許庁 - In this fuel cell, a cathode electrode 24 formed on an electrolyte layer 21 has a plurality of spaces 24b formed in a first direction (direction of an arrow C in the figure).
燃料電池において、電解質層２１上に形成されるカソード電極２４は、第１の方向（図２中矢印Ｃの方向）に形成される複数の間隙２４ｂを備えている。 - 特許庁 - This photosensitive resin containing a metal and/or a ceramic surface-chelating agent bringing a firm bonding of the photosensitive resin with an inorganic surface of a first information layer of the optical disc is used.
光学ディスクの第一の情報層の無機表面への感光性樹脂の強い結合をもたらす、金属及び／又はセラミック表面キレート剤を含む感光性樹脂を用いる。 - 特許庁 - The liquid crystal layer 3 has a pre-tilt angle of not more than 90°, and at least one of the first electrode 4 and the second electrode 5 has at least one slit 11.
液晶層３は９０°未満のプレチルト角をし、また、第１電極４および第２電極５のうちの少なくともいずれか一方は少なくとも１つのスリット１１を有する。 - 特許庁 - Next, a p-type impurity is ion-implanted through the opening of the first insulator 710, and a p-base layer 621 is formed in the main face 61S by performing heat treatment thereafter.
次に、第１絶縁体７１０の上記開口を介してｐ型不純物をイオン注入し、その後熱処理を施すことにより、主面６１Ｓ内にｐベース層６２１を形成する。 - 特許庁 - After an oxygen precipitated nucleus 12 is formed inside a semiconductor wafer 10 such as silicon or the like through a first heat treatment, hydrogen ion composed of H_2^+ is implanted into the surface layer of the wafer 10.
シリコン等の半導体ウエハ１０の内部に第１の熱処理により酸素析出核１２を形成した後、ウエハ１０の表面層にＨ_２^＋からなる水素イオンを注入する。 - 特許庁 - The vapor deposition apparatus 5 for the organic EL device 1 provided on a substrate 20 with first electrodes 23R etc., a light emission functional layer and a second electrode.
有機ＥＬ装置の蒸着装置５は、第１電極２３Ｒ等と、発光機能層と、第２電極とを基板２０上に備える有機ＥＬ装置１の蒸着装置５である。 - 特許庁 - The remaining portions of the trenches are then filled with a conductive material to form first and second field plate sections 103a and 103b that are insulated from the substrate 10 and epitaxial layer 101.
そして、溝部の残りの部分に導電材料が充填されて、基板及びエピタキシャル層から絶縁された第一及び第二のフィールドプレート部１０３ａ，１０３ｂが形成される。 - 特許庁 - The first intermediate layer 18 among the layers constituting the solid core 12 is made of thermoplastic resin such as polyamide thermoplastic elastomer, and the Shore D hardness HD2 is set 20-47.
ソリッドコア１２を形成する層の中、第１中間層１８は、ポリアミド系熱可塑性エラストマー等の熱可塑性樹脂からなり、且つショアＤ硬度ＨＤ２が２０〜４７に設定される。 - 特許庁 - A semiconductor layer is laminated on a substrate, and a first groove 26 for dividing each semiconductor chip is provided on the back of the semiconductor wafer 10 in which a plurality of semiconductor chips are formed by dicing.
基板上に半導体層を積層し、複数の半導体チップを形成した半導体ウェハ１０の裏面に個々の半導体チップを区切る第１の溝２６をダイシングによって設ける。 - 特許庁 - In the liquid crystal layer 20 of the liquid crystal lens 1, a variable lens region where a refractive index is changed by voltage applied to the first electrode 12 and the second electrode 32 is formed.
また、液晶レンズ１の液晶層２０は、第１電極１２及び第２電極３２に印可された電圧により、屈折率が変化する可変レンズ領域を形成する。 - 特許庁 - Resist patterns 21 and 22 of communication holes 18 and reservoirs 6 are formed on a substrate 19 rendered conductive and a first electroforming layer 23 of 200 μm thick is formed.
導電化処理基板１９上に連絡孔１８とリザーバー６のレジストパターン２１および２２を形成し、電鋳処理によって厚さ２００ミクロンの第一の電鋳層２３を形成する。 - 特許庁 - The initial circuit pattern contains a first and second circuit patterns isolated from each other, and a conductive layer formed in the thin part for temporarily and, electrically connecting between these circuit patterns.
初期回路パターンは、互いから孤立する第１および第２回路パターンと、これらの回路パターン間を一時的に電気接続するために薄肉部上に形成される導体層とを含む。 - 特許庁 - After removing the external magnetic field, their entire are heat treated at a temperature higher than a blocking temperature of an AFM layer and lower than a Curie temperature of the first to third patterns 43A to 43 C.
外部磁場を取り除いたのち、ＡＦＭ層のブロッキング温度よりも高く、かつ第１から第３のパターン４３Ａ〜４３Ｃのキュリー温度よりも低い温度で全体を熱処理する。 - 特許庁 - A thickness detection means for optically detecting the thickness of the polymer electrolyte layer is composed of the first and second sensor-amplifying parts 1, 2 and the thickness calculation means.
そして、第１及び第２のセンサーアンプ部１，２と上述の厚さ算出手段とから、ポリマー電解質層の厚さを光学的に検出する厚さ検出手段が構成される。 - 特許庁 - Since the second substrate 114 has a radiation blocking function, the radiation that has passed through the scintillator layer 117 without the wavelength conversion is difficult to reach the first substrate 11.
第２基板１１４が放射線遮蔽機能を有することにより、波長変換されずにシンチレータ層１１７を透過した放射線が第１基板１１へ到達しにくくなる。 - 特許庁 - A gate is partially formed between the first source/drain regions and the second source/drain regions and is electrically insulated from the semiconductor layer.
ゲートは、少なくとも部分的に第１のソース／ドレイン領域と第２のソース／ドレイン領域との間の半導体層の上に形成され、かつ半導体層から電気的に絶縁されている。 - 特許庁 - A poled piezoelectric material layer 154 of an acoustic stack 150 has an upper side and bottom side 166 and 170 and is formed of a poled piezoelectric material having a first acoustic impedance.
音響スタック１５０の有ポール圧電材料層１５４は上部側及び底部側１６６、１７０を有し、第１の音響インピーダンスを有する有ポール圧電材料から形成される。 - 特許庁 - A gate insulating film 6, a gate electrode 7, and an active region 5 functioning as a diode are provided on a silicon substrate and a first interlayer insulation layer 10 is formed by plasma process.
シリコン基板上に、ゲート絶縁膜６、ゲート電極７及びダイオードとして機能する活性領域５を設け、プラズマプロセスによって第１の層間絶縁層１０を形成する。 - 特許庁 - In one embodiment, the target assembly comprises a backing plate, a target having a first surface and a second surface, and a bonding layer disposed between the backing plate and the second surface.
一実施形態において、ターゲットアセンブリは、バッキングプレートと、第１の表面及び第２の表面を有するターゲットと、バッキングプレートと第２の表面の間に配置されたボンディング層とを含む。 - 特許庁 - A field plate electrode 14 is formed on a bottom side of a trench formed in the second semiconductor layer 12 so as to be embedded in a lower part of the trench via a first insulation film 13.
フィールドプレート電極１４が第２半導体層１２に形成されたトレンチの底面側であって、第１絶縁膜１３を介してトレンチの下部を埋め込むように形成されている。 - 特許庁 - At least an optical functional layer is sandwiched between a first electrode 102 and a second electrode 108 on a flexible substrate 100, and an intersecting point of both the electrodes has a display part 124.
可撓性基板１００上の第一電極１０２、第二電極１０８の間に少なくとも光機能層が挟持され、両電極の交点が表示部１２４を有する。 - 特許庁 - The laser absorbing layer 4 is heated thereafter up to the fusion temperature or more, by irradiating the second irradiation range P3 provided within the first irradiation range P2, with the laser beam L.
その後、第１照射範囲Ｐ２内に設けた第２照射範囲Ｐ３にレーザ光Ｌをレーザ吸収層４に照射することにより、レーザ吸収層４を融着温度以上に加熱する。 - 特許庁 - The diffraction element 20 is built by forming the surface of the cover layer 20D to cancel the wavefront aberrations generated at the first air boundary IFa.
本発明は、以上の構成によれば、回折素子２０は、第１空気界面ＩＦａで発生する波面収差を相殺するようにカバー層２０Ｄの表面形状を形成するようにする。 - 特許庁 - In a nonvolatile semiconductor memory device 10, an active region 12 having a first width W1 is separated by an element isolation layer 13 formed on a principal surface of a semiconductor substrate 11.
不揮発性半導体記憶装置１０では、第１の幅Ｗ１を有する活性領域１２が、半導体基板１１の主面に形成された素子分離層１３で分離されている。 - 特許庁 - A p electrode 12 is formed of a first Pd film 13, a Ta film 14 and a second Pd film 15, and is formed on a p type contact layer 11 of a nitride semiconductor.
ｐ電極１２は、第１のＰｄ膜１３、Ｔａ膜１４および第２のＰｄ膜１５によって構成され、窒化物半導体から成るｐ型コンタクト層１１上に形成される。 - 特許庁 - A conductive porous layer 29 comprising a cermet porous body formed by mixing platinum and zirconium oxide powder to get porous is provided inside a first measuring chamber 17 of an NOx sensor 1.
ＮＯｘセンサ１の第１測定室１７内には、白金と酸化ジルコニウム粉末を混合して多孔質化したサーメット多孔質体からなる導電性多孔質層２９が設けられている。 - 特許庁 - The method configured to synchronize databases includes the steps of establishing a transport layer connection for synchronization between a first and a second device which synchronize databases.
本発明は、データベースの同期を構成する方法であって、データベースを同期化する第１及び第２デバイス間の同期のためにトランスポート層コネクションを確立するステップを有している。 - 特許庁 - The transfer inhibitory layer 3 is formed of a strong acidic porous oxide having a stronger solid acidity than the first porous oxide and the second porous oxide, e.g. silicalite as a main component.
移動抑制層３は、第１多孔質酸化物及び第２多孔質酸化物よりも強い固体酸性をもつ強酸性多孔質酸化物、例えばシリカライトを主体として構成されている。 - 特許庁 - To provide a manufacturing method of a semiconductor substrate and that of a semiconductor device capable of etching a first semiconductor layer fully and preventing its etching residue.
第１半導体層を十分にエッチングすることができ、そのエッチング残りを防止できるようにした半導体基板の製造方法及び半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁 - The lubrication coating 24 has a first layer 26 formed from an at least partially curing org. siloxane copolymer and polydimethyl siloxane having tacky adhesive power of about ≥100 centistokes.
潤滑コーティングは、少なくとも部分的に硬化する有機シロキサン共重合体と約１００センチストーク以上の粘着力を有するポリジメチルシロキサンとから形成された第１層を有する。 - 特許庁 - A Schottky barrier semiconductor device comprises embedded semiconductor layers serving as a junction barrier 5 provided outside a guard ring 4 and at a predetermined depth from a surface of a first semiconductor layer.
ショットキーバリア型半導体装置において、ガードリング４の外側で、第１の半導体層の表面から所定の深さに配設されたジャンクションバリア５としての埋め込み半導体層を具備する。 - 特許庁 - The first cylindrical part is made of any of ferrite type stainless steel, chromium-based alloy and nickel-based alloy, and the second cylindrical part has a multilayer structure made of different materials containing a layer of zirconia principal phase.
第１の円筒部は、フェライト系ステンレス鋼、クロム基合金、ニッケル基合金のいずれかであり、第２の円筒部はジルコニア主相の層を含んだ材質の異なる多層構造体である。 - 特許庁
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