「First layer」を含む例文一覧(24472)
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コート層を塗布し、乾燥工程の前半部分の温度を下げるとともに後半部分の温度を上げて、恒率乾燥の時間が６秒以上となるように調整した。 - 特許庁 - The encapsuled part 1 has a second cavity 9 at least bordering on the whole of the upper wall of the first cavity 3 and a second cover 10 formed of a thin layer.
カプセル封じ部品１は、少なくとも第１の空洞３の上壁７全体と薄い層で形成された第２のカバー１０とに境界を接した第２の空洞９を有する。 - 特許庁 - A nonmetallic thin film 1 whose thermophysical value is unknown is sandwiched between a first metallic thin film 2 and a second metallic thin film 3 situated on its opposite side, and a sample of a three-layer structure is obtained.
熱物性値が未知の非金属薄膜１を、第１金属薄膜２とその反対側に位置する第２金属薄膜３とにより挟んで３層構造の試料を得る。 - 特許庁 - The first and third strip line conductor layers 16, 19 are set mutually opposed via the dielectric layer.
第１及び第２の段のストリップライン共振器Ｌ１、Ｌ２は、誘導体２と少なくとも第１、第２、第３及び第４のストリップライン導体層１６、１７１９，２０とグランド導体層２２，２５とを具備する。 - 特許庁 - The color image screen includes improved blue emitting phosphor layer which is furnished with a first blue emitting phosphor and a second phosphor to exhibit light emission in the range 380-450 nm.
本発明によるカラー画像スクリーンの青色発光蛍光体層は第１の青色発光蛍光体と、３８０−４５０ｎｍの範囲内の発光を示す第２の蛍光体とを具える。 - 特許庁 - The flat surface of the first structural part of one of two adjacent layers is in contact with the surface of the second structural part of the other layer opposite to the flat surface.
隣接２層のうち一方の層における第１の構造部分での平坦面が、他方の層における第２の構造部分の上記平坦面とは反対側の面に接している。 - 特許庁 - On a p- first clad layer 106 on a ridge side face and at the side of a ridge, the optical reflection structure 111 of a DBR mirror structure is formed and a current non-injection region 121 is constituted.
リッジ側面、及びリッジ脇のｐ−第一クラッド層１０６上には、ＤＢＲミラー構造の光反射構造部１１１が形成され、電流非注入領域１２１を構成する。 - 特許庁 - Thereby a first insulation film 106 formed by a thermal oxidation process has a uniform thickness on the side end corner part 111 of the active layer, and local thinning does not occur.
これにより、熱酸化工程により形成した第一の絶縁膜１０６は、活性層側端角部１１１においても一様な厚さとなり、局所的な薄膜化が生じない。 - 特許庁 - Each of the light-emitting elements 110 has a thin-film crystal layer, a second conductivity-type electrode, and a first conductivity-type side electrode on a transparent substrate, and a fist light extraction direction is a substrate side.
発光素子１１０は、透明な基板上に薄膜結晶層、第二導電型側電極、第一導電型側電極とを有し、第１の光取り出し方向が基板側とされる。 - 特許庁 - A filter layer 2a is provided inside a first casing 11 for passing high temperature exhaust gas discharged from a heat treatment furnace X and collecting the sublimed matter in the exhaust gas.
第１の筐体１１の内部に、熱処理炉Ｘから排出される高温の排気ガスを透過させて、当該排気ガス中の昇華物を捕集するフィルタ層２ａを設けた。 - 特許庁 - Heat generating resistors 11c-1 in the first region 11-1 traverse the surface side of the third region 11-3 via an insulating layer 11a and are pulled out up to the input/output terminals 11d-1 thereof.
前記第１領域(11-1)の発熱抵抗線状体(11c-1) は前記第３領域(11-3)の表面側を絶縁層(11a) を介して横断し、その入出力端子(11d-1)まで引き出されている。 - 特許庁 - When the first irradiating light 3 is continued, a layer 5 having a lower refractive index than that of the surface of the optical path part 4 is formed by a light component to the lateral side from the optical path part 4 (c).
第１の照射光３を継続すると、光路部分４から側方への光成分により、光路部分４の表面にそれよりも屈折率の低い層５が形成される（ｃ）。 - 特許庁 - The outer layer 9 has a region, made of a second element body that has ZnO as a main constituent, contains Co, and allows the content of Co to be smaller than that of the first element body.
外層部９は、ＺｎＯを主成分とすると共にＣｏを含み且つ当該Ｃｏの含有量が第１の素体よりも少ない第２の素体からなる領域を有する。 - 特許庁 - The conductive layer 32 is divided into a first region R1 connected to the center conductor 12, and a second region R2 connected to a wiring 52 of a PCB 50 as a mother board.
導電層３２は、中心導体１２に接続された第１領域Ｒ１と、母基板であるＰＣＢ５０の配線５２に接続される第２領域Ｒ２とに分けられている。 - 特許庁 - A first color layer is formed by using a mask pattern through spin coating and two protrusions 50 are also formed by using a mask pattern made in advance in the direction that the coating often becomes uneven.
マスクパターンとスピニング塗布により第１着色層を形成し、さらに、別途作成したマスクパターンを用いて塗りムラの発生する方向に二つの凸部５０を形成する。 - 特許庁 - The second winding part 26 is wound in a region outside an outermost layer of rows of coil wires 27, comprising the first winding part 25 in a coil-winding region A1.
第２巻装部２６は、コイル巻装領域Ａ１のうち、第１巻装部２５を構成するコイル巻線２７の列の最外層となる列よりも外側の領域において巻装された部分である。 - 特許庁 - In the state of covering the sacrificial layer 105, an insulating first material film 107 and a conductive second material film 109 having a larger coefficient of thermal expansion are deposited in order.
この犠牲層１０５を覆う状態で、絶縁性の第１材料膜１０７とこれよりも熱膨張係数の大きな導電性の第２材料膜１０９とをこの順に成膜する。 - 特許庁 - Since the Al oxide layer 88 is provided, the first semiconductor elements 84A, 84B are electrically isolated with each other like the semiconductor elements as if these were provided on an oxide insulating film.
Ａｌ酸化層８８を介在させることにより、第１の半導体素子８４Ａ、Ｂは、あたかも酸化絶縁膜上に設けられた半導体素子のように、相互に電気的に分離される。 - 特許庁 - The gate G_MT of the memory transistor MT is formed with a MONOS structure on the second body region 106 so as to straddle the second body region 106 and the first impurity diffusion layer 104.
第２ボディ領域１０６と第１不純物拡散層１０４に跨るように第２ボディ領域１０６上にメモリトランジスタMTのゲート部G_MTをＭＯＮＯＳ構造で形成する。 - 特許庁 - Thus, the exchange magnetic field Hex of the first antiferromagnetic layer AFM1 is increased even if it is reduced during it is subjected to the weak magnetic field annealing process, therefore, the stability of the exchange magnetic field is enhanced.
これにより、第１の反強磁性層ＡＦＭ１の交換磁界Ｈ_exは、たとえそれが弱磁界アニール期間中に低下していても、増加するため、その安定性が向上する。 - 特許庁 - A leading end of the first paper P1 is deviated rather on a rear end side than a leading end of the second paper P2 by lifting up the leading end PSa side of the paper layer PS by the lift plate 16.
用紙層ＰＳの先端ＰＳａ側をリフト板１６で持ち上げることにより、第１枚目の用紙Ｐ１の先端が第２枚目の用紙Ｐ２の先端よりも後端側にずれる。 - 特許庁 - The first pseudo-memory cell transistor 10 comprises a third gate 2 formed on an element separation layer 21 of the second region 32; and a fourth gate 3 formed on the side of the third gate 2.
第１擬似メモリセルトランジスタ１０は、第２領域３２の素子分離層２１上に形成された第３ゲート２と、第３ゲート２の側面に形成された第４ゲート３とを備える。 - 特許庁 - The transparent electrode 36 and the first reflective layer 32 form an electrode pair, and the reflectivity of the optical controller unit 8 is controlled by the electric field to be applied to the optical modulating film 34.
透明電極３６および第１反射層３２は電極対を形成し、光変調膜３４に印加する電界によって光制御装置８の反射率を制御する。 - 特許庁 - The first light-shieldable film 13 is a film that is not substantially etched by fluorine-based (F-based) dry etching and is formed with a layer mainly comprising Cr and having a thickness of 3 to 15 nm.
第１の遮光性膜１３はフッ素系（Ｆ系）のドライエッチングでは実質的にエッチングされない膜であり、Ｃｒを主成分とする膜厚３ｎｍ以上１５ｎｍ以下の層からなる。 - 特許庁 - A first panel (40) includes an outer panel (33), an inner plate (34) confronting the outer panel (33), and a heat insulating layer (32) formed of a heat insulating material filled between the outer plate (33) and the inner plate (34).
第１パネル（40）は、外板（33）と、該外板（33）に対向する内板（34）と、外板（33）と内板（34）との間に充填された断熱材によって形成された断熱層（32）とを備えている。 - 特許庁 - Then, a second resist film 13, in which a connection hole pattern 14 is formed, is formed, and the connection hole pattern 14 is transferred to the surface layer of the first resist film 9 and the insulating film 6.
次に、接続孔パターン１４を形成した第２のレジスト膜１３を形成し、第１のレジスト膜９および絶縁膜６の表層に接続孔パターン１４を転写する。 - 特許庁 - The toner comprises a core particle formed by aggregating at least first resin particles, colorant particles and first wax particles in an aqueous medium, and a second resin particle and second wax particle fused layer, on a surface of the core particle, formed by fusing second resin particles different from the first resin particles and second wax particles different from the first wax particles.
水系媒体中において、少なくとも、少なくとも、第一の樹脂粒子、着色剤粒子及び第一のワックス粒子が凝集した芯粒子と、前記芯粒子の表面に、前記第一の樹脂粒子と異なる第二の樹脂粒子及び前記第一のワックス粒子と異なる第二のワックス粒子が融着した第二の樹脂粒子及び第二のワックス粒子融着層とから構成されるトナー。 - 特許庁 - The semiconductor device is formed of a zinc oxide semiconductor having a hexagonal crystal structure and comprises a substrate 1 where four side surfaces orthogonal to a first main surface 111 being a polar surface are adjoined to the first main surface 111 at an angle 40-50° with respect to a reference non-polar surface orthogonal to the first main surface 111, and a semiconductor layer 2 arranged on the first main surface 111.
六方晶構造の酸化亜鉛系半導体からなり、極性面である第１の主面１１１、及びその第１の主面１１１に対し直交する基準の非極性面と４０度乃至５０度の角をなして第１の主面１１１と直交する４つの側面を第１の主面１１１に隣接させた基板１と、第１の主面１１１上に配置された半導体層２とを備える。 - 特許庁 - The liquid crystal display device includes a plurality of cell regions having a first substrate provided with a pixel electrode, a second substrate provided with a common electrode and a liquid crystal layer interposed between the first and second substrates and a cutting region positioned between the plurality of cell regions and having the first and second substrates extending from the cell regions and at least one peripheral spacer interposed between the first and second substrates.
画素電極が備えられた第１基板、共通電極が備えられた第２基板、及び第１、２基板に介された液晶層を備えた複数のセル領域と、複数のセル領域の間に位置し、そのセル領域から延びた第１基板と第２基板、及び第１、２基板に介された少なくとも一つの周辺スペーサを備えた切断領域と、を備える液晶表示装置である。 - 特許庁 - The multi-layer ceramic substrate 100 includes a first insulating sheet 120 having a first via contact 124 and a second insulating sheet 130 having a second via contact 134, jointed to the first via contact 124 so as to be vertically aligned, and the first via contact 124 and the second via contact 134 are formed of conductive paste having mutually different shrinkage ratios, when baking.
本発明の多層セラミック基板１００は、第１のビアコンタクト１２４を有する第１の絶縁シート１２０と、第１のビアコンタクト１２４と上下に整列されて接合された第２のビアコンタクト１３４を有する第２の絶縁シート１３０とを含み、第１のビアコンタクト１２４と第２のビアコンタクト１３４とは、焼成時に互いに異なる収縮率を有する導電性ペーストによって形成されている。 - 特許庁 - The electronic paper display element includes: a first electrode 110; a second electrode 120 facing the first electrode 110; a barrier layer 130 interposed between the first and second electrodes 110 and 120 to define a plurality of cells; and a microcapsule 140 disposed in each cell between the first and second electrodes 110 and 120 and maintaining a ratio of minor axis to major axis of 0.9 to 1.
本発明の電子ペーパ表示素子は、第１の電極１１０と、第１の電極１１０と向き合う第２の電極１２０と、第１の電極１１０と第２の電極１２０との間に介在し、多数のセルを画定する隔壁層１３０と、第１の電極１１０と第２の電極１２０との間の各セルに配置され、長軸と短軸との比率が０．９〜１を維持するマイクロカプセル１４０とを含む。 - 特許庁 - The first groove 35 divides the first conductive layer 31 into a portion 31a that is connected to a first internal electrode 21 but not connected to the weight 40 and a portion 31b that is connected to the weight 40 but not connected to the first internal electrode 21.
第１の導電層３１の表面からアクチュエータ本体１０の内部にまで至るように第１の端面２０ａに対して平行に形成された第１の溝３５により、第１の導電層３１は、第１の内部電極２１に接続されている一方、錘４０に接続されていない部分３１ａと、錘４０に接続されている一方、第１の内部電極２１には接続されていない部分３１ｂとに分断されている。 - 特許庁 - At the same time, the via electodes 15a existing at a first repeating pitch of a first repeating pattern of the electrodes 13a are pitch-converted through internal electrodes 13b (a first and a second electrode layer for conducting) and conducted to via electrodes 15b (a first and a second via electrode for conducting) formed at a second repeating pitch scattered on the rear surface of the capacitor.
その一方、内部電極１３ａの第１繰り返しパターンの第１繰り返しピッチで存在するビア電極１５ａは、第２繰り返しパターンで形成された内部電極１３ｂ（第１、第２の通電用電極層）を介してピッチ変換され、コンデンサ裏面において点在するような第２繰り返しピッチで形成されたビア電極１５ｂ（第１、第２の通電用ビア電極）と導通されている。 - 特許庁 - One polarizing plate of the first polarizing plate and the second polarizing plate is provided with a first retardation layer 12 which is disposed between the liquid crystal cell and one polarizer of the first polarizer and the second polarizer, and whose refractive index ellipsoid satisfies a relationship of nz>nx=ny, and transmittance of the second polarizing plate is larger than transmittance of the first polarizing plate.
第１の偏光板及び第２の偏光板のうち何れか一方の偏光板は、第１の偏光子及び第２の偏光子のうち何れか一方の偏光子と液晶セルとの間に配置され且つ屈折率楕円体がｎｚ＞ｎｘ＝ｎｙの関係を満足する第１の位相差層１２を具備し、第２の偏光板の透過率は、第１の偏光板の透過率よりも大きいことを特徴とする。 - 特許庁 - The array substrate 100 is equipped with a first electrode 60 formed in an independent island shape for every pixel PX arranged in a matrix, a second electrode 66 arranged facing to the first electrode 60 and formed commonly to all the pixels, an organic active layer 64 held between the first electrode 60 and the second electrode 66 and a separating wall 70 arranged along a peripheral edge of the first electrode 60 and separating each pixel.
アレイ基板１００は、マトリクス状に配置された画素ＰＸ毎に独立島状に形成された第１電極６０と、第１電極６０に対向して配置され全画素に共通に形成された第２電極６６と、第１電極６０と第２電極６６との間に保持された有機活性層６４と、第１電極６０の周縁に沿って配置され各画素を分離する隔壁７０と、を備えている。 - 特許庁 - The electrophoresis display device in which pixels each having a first electrode 21, a second electrode 22 opposed to the first electrode 21, and an electrophoresis element 23 having electrophoresis particles sandwiched between the first electrode 21 and the second electrode 22 and electrostatically charged are arrayed in a plane is characterized in that an insulating layer 31 is formed in a region between adjacent first electrodes 21.
第１の電極２１と、第１の電極２１と対向する第２の電極２２と、第１の電極２１と第２の電極２２とで挟持され帯電した電気泳動粒子を有する電気泳動素子２３とを備えた画素を平面的に配列してなる電気泳動表示装置において、隣り合う第１の電極２１の間の領域に絶縁層３１が形成されていることを特徴とする電気泳動表示装置とした。 - 特許庁 - A film deposition method of performing deposition processing to a workpiece W on whose surface an insulation layer 1 is formed includes: a first thin film formation process of forming a first thin film 60 consisting of first metal; an oxidation process of oxidizing the first thin film to form an oxide film 60A; and a second thin film formation process of forming a second thin film 62 containing second metal on the oxide film.
絶縁層１が表面に形成された被処理体Ｗに対して成膜処理を施す成膜方法において、第１の金属よりなる第１の薄膜６０を形成する第１の薄膜形成工程と、前記第１の薄膜を酸化して酸化膜６０Ａを形成する酸化工程と、前記酸化膜上に第２の金属を含む第２の薄膜６２を形成する第２の薄膜形成工程とを有する。 - 特許庁 - The photovoltaic cell includes a silicon substrate having a first surface and a second surface opposed to the first surface and having a plurality of recessed tanks on the second surface, a back electrode formed on the first surface of the silicon substrate and brought into ohmic contact with the first surface, a doped silicon layer formed on an inner surface of each recessed tank, and a front electrode formed on the second surface of the silicon substrate.
本発明の太陽電池は、太陽電池は、第一表面と該第一表面に対向する第二表面を有し、該第二表面に複数の凹槽が形成されたシリコン基板と、前記シリコン基板の第一表面に設置され、該第一表面とオーミック接触する背面電極と、前記凹槽の内表面に設置されたドープシリコン層と、前記シリコン基板の第二表面に設置された前面電極と、を含む。 - 特許庁 - The display element includes a first substrate with a first electrode disposed thereon, a second substrate with a second electrode disposed thereon, and a coloring layer disposed between the substrates, and is characterized by superposing a first mark arranged on the first substrate and a second mark arranged on the second substrate, and constructing a positioning mark for aligning the substrates.
本発明は、第１の電極が配設された第１の基板と、第２の電極が配設された第２の基板と、それらの基板間に設けられた発色層とから構成される表示素子であって、第１の基板上に設けた第１のマークと第２の基板上に設けた第２のマークとを重ね合わせて基板を貼り合わせる際の位置決めマークを構成することを特徴とする表示素子に関する。 - 特許庁 - The ferroelectric stacked-layer structure is fabricated by forming a first polycrystalline ferroelectric film 3a of polycrystal on a polycrystalline or amorphous substrate, and then planarizing a surface of the first ferroelectric film 3a, and laminating on the first ferroelectric film 3a having been planarized a second thin ferroelectric film 3b having the same crystalline structure as the first ferroelectric film 3a.
多結晶又は非晶質の基板上に、多結晶からなる第１の強誘電体膜３ａを形成した後、第１の強誘電体膜３ａの表面を平滑化処理し、平滑化処理された第１の強誘電体膜３ａ上に、第１の強誘電体膜３ａと同一の結晶構造を有する薄膜の第２の強誘電体膜３ｂを積層して、強誘電体積層構造を製造する。 - 特許庁 - A semiconductor device 100 includes: a first insulating film 103 formed on a semiconductor substrate 101; a contact 110 including a conductive film 109 buried in the first insulating film 103 and reaching the semiconductor substrate 101; and a first barrier layer 107 containing a high-melting-point metal and formed between the conductive film 109 and each of the semiconductor substrate 101 and the first insulating film 103.
半導体装置１００は、半導体基板１０１上に形成された第１絶縁膜１０３と、第１絶縁膜１０３に埋め込まれた導電膜１０９を含み且つ半導体基板１０１に達するコンタクト１１０と、半導体基板１０１及び第１絶縁膜１０３のそれぞれと、導電膜１０９との間に形成され、高融点金属を含む第１バリア層１０７とを備える。 - 特許庁 - The ESD protector 114 includes first and second semiconductor layers 109 and 113 containing an impurity of a first conductivity type, and a third semiconductor layer 111 formed between the first and second semiconductor layers 109 and 113, and having a wider forbidden band width than the first and second semiconductor layers 109 and 113 and an impurity concentration of ≤1×10^17 cm^-3.
ＥＳＤ保護部１１４は、第１導電型の不純物を含有する第１及び第２の半導体層１０９、１１３と、第１及び第２の半導体層１０９、１１３の間に形成され、第１及び第２の半導体層１０９、１１３の禁制帯幅よりも禁制帯幅が広く、かつ、不純物濃度が１×１０^１７ｃｍ^−３以下である第３の半導体層１１１と、を備える。 - 特許庁 - The liquid crystal display device is provided with a first substrate, a second substrate, a liquid crystal layer formed between both the first and second substrates, a first sealing material formed between both the substrates so as to surround the liquid crystal layer and having a liquid crystal injection port, and a second sealing material sealing the injection port of the first sealing material.
第１基板、第２基板、前記両基板間に形成された液晶層、及び前記液晶層を取り囲みながら前記両基板間に形成された第１シール材を備えてなる液晶セルを用意する工程と、前記液晶セル内の液晶量を検査する工程と、前記第１シール材に液晶の注入口を形成する工程と、前記注入口を介して液晶量を調節する工程と、及び前記注入口を封じる工程とを備えてなる液晶表示素子の製造方法及びその方法によって製造された液晶表示素子を提供する。 - 特許庁 - The dye-sensitized solar cell is provided with a first substrate 3, a second substrate 5 arranged in parallel with the first substrate 3, an electrode chamber 7 formed between the first substrate 3 and the second substrate 5, and an electrolyte layer 9 consisting of a liquid electrolyte (that is, liquid electrolytic solution adding organic solvent in ionic liquid).
色素増感型太陽電池１は、第１基板３と、第１基板３と平行に配置された第２基板５と、第１基板３と第２基板５との間に形成された電極室７と、電極室７内に充填された液体電解液（即ちイオン液体に有機溶媒を加えた液体電解液）からなる電解質層９とを備えている。 - 特許庁 - The method for manufacturing the thin film solar cells includes a first laser light irradiation step of forming first separation grooves by irradiating a transparent electrode layer formed on a transparent insulating substrate with laser light to separate the transparent electrode and forming alignment grooves on the right and left sides of a direction orthogonal to the longitudinal direction of each first separation groove.
透明絶縁基板に形成された透明電極層にレーザ光を照射することによって透明電極層を分離する第１分離溝を形成するとともに、第１分離溝の長手方向と直交する方向の左右にアライメント用の溝を形成する第１のレーザ光照射工程を含む、薄膜太陽電池の製造方法である。 - 特許庁 - The organic electroluminescent device comprises first and second electrodes 10, 11 arranged oppositely to each other, a light emitting layer 12 held between the first and second electrodes 10, 11, and voltage applying means 13 capable of applying either positive or negative voltage to the first and second electrodes 10, 11.
対向配置された第１の電極１０及び第２の電極１１と、前記第１の電極１０と前記第２の電極１１の間に挟持された発光層１２と、前記第１の電極１０と前記第２の電極１１のそれぞれに対して、正、負のいずれの極性の電圧も印加可能な電圧印加手段１３とを有する有機エレクトロルミネッセンス装置。 - 特許庁 - The amorphous semiconductor film is doped with a catalytic element, a crystal semiconductor film is formed by a first heat treatment, the catalytic element is transferred to an n-type dopant layer formed on the crystal semiconductor film by a second heat treatment, and the first/second island-like crystal semiconductor films are formed on the first/second gate electrodes by patterning.
非晶質半導体膜に触媒元素を添加し、第１の加熱処理により結晶性半導体膜を形成し、第２の加熱処理により、結晶性半導体膜に設けられたＮ型不純物層に、触媒元素を移動させ、パターニングして第１／第２のゲイト電極上に第１／第２の島状の結晶性半導体膜を形成する。 - 特許庁 - After a first-conductivity impurity is injected into the whole surface of a first-conductivity semiconductor substrate 201, a first-conductivity diffusing layer 200 and second-conductivity wells 202 and 203 higher in concentration that the substrate 201 are formed in a desired area by selectively injecting n-type dopants, such as the P, As, etc., into the area.
第１導電型の半導体基板２０１全面に半導体基板と同一導電型の不純物を注入した後、所望領域に、選択的に、Ｐ、Ａｓ等のＮ型ド−パンを注入し、熱拡散により半導体基板２０１より高濃度の第１導電型拡散層２００と第２導電型ｗｅｌｌ２０２，２０３を形成する。 - 特許庁 - An array base plate 100 includes an organic EL element 40 formed by a first electrode 60 formed like an independent island in each pixel arranged in a matrix, a second electrode 66 disposed opposite to the first electrode 60 and formed in common to all pixels, and a light emitting layer 64 held between the first electrode 60 and the second electrode 66.
アレイ基板１００は、マトリクス状に配置された画素毎に独立島状に形成された第１電極６０と、第１電極６０に対向して配置され全画素に共通に形成された第２電極６６と、第１電極６０と第２電極６６との間に保持された発光層６４と、によって構成された有機ＥＬ素子４０を備えている。 - 特許庁 - The semiconductor device has a first interlayer insulating film formed on an insulating film and a gate electrode on a semiconductor layer, a second interlayer insulating film formed on the first interlayer insulating film, and contact holes formed in the second interlayer insulating film, the first interlayer insulating film and the insulating film.
本発明における半導体装置において、半導体層上の絶縁膜およびゲイト電極上に形成された第１の層間絶縁膜と、前記第１の層間絶縁膜の上に形成された第２の層間絶縁膜と、前記第２の層間絶縁膜、前記第１の層間絶縁膜、および前記絶縁膜に設けられたコンタクトホールとを有する。 - 特許庁
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