「First layer」を含む例文一覧(24472)
＜前へ 1 2 .... 459 460 461 462 463 464 465 466 467 .... 489 490 次へ＞- To enhance environmental durability of a composite optical element including a third optical element composed of a resin layer between a first optical element and a second optical element and a shading member for suppressing generation of flare generated at an end of the third optical element.
第１の光学要素と第２の光学要素の間に樹脂層からなる第３光学要素を備え、かつ、第３の光学素子の端部において発生するフレアの発生を抑える遮光部材を備えた複合光学素子の環境耐久性を高める。 - 特許庁 - A p-side electrode 24 is formed on slopes 26 and 28 of the upper clad layer 22 parallel to the first and second slopes 12 and 14 of the GaAs substrate 16, while an n-side electrode 30 is formed on the rear surface of the GaAs substrate 16.
ｐ側電極２４が、ＧａＡｓ基板１６の第１の傾斜面１２及び第２の傾斜面１４に平行な上クラッド層２２の傾斜面２６及び傾斜面２８上に、また、ｎ側電極３０がＧａＡｓ基板１６に裏面に、それぞれ、形成されている。 - 特許庁 - The first magnetic layer 31 has both-side ends 31b positioned on both of the sides in the track width direction and a center part 31a formed through a level difference (A) from the both-side ends 31b and having a thickness larger than that of the both-side ends 31b.
前記第１の磁性層３１は、トラック幅方向の両側に位置する両側端部３１ｂと、前記両側端部３１ｂから段差Ａを介して、前記両側端部３１ｂよりも厚い膜厚で形成された中央部３１ａとを有して構成される。 - 特許庁 - Test pads 204, 205 for measuring the characteristics of an electric circuit formed on the inside of the multilayer printed board or that of an electronic component 16 mounted on the multilayer printed board by using the inspection probe are formed on the surface of the first layer of the multilayer printed board, on which the electronic component 16 is mounted.
電子部品１６を搭載する多層プリント基板の１層目の表面に、検査プローブによって多層プリント基板の内部に形成した電気回路や実装した電子部品１６の特性を測定するためのテストパッド２０４、２０５を形成する。 - 特許庁 - At least one part of the data pads PD23 to PD0 is set into dual-purpose pads PD23, PD22 and first and second signals DP, DM constituting the differential signal are inputted to a receiver circuit 214 of the physical layer circuit via the dual-purpose pads PD23, PD22.
データパッドＰＤ２３〜ＰＤ０の少なくとも一部が兼用パッドＰＤ２３、ＰＤ２２に設定され、差動信号を構成する第１、第２の信号ＤＰ、ＤＭが、兼用パッドＰＤ２３、ＰＤ２２を介して物理層回路のレシーバ回路２１４に入力される。 - 特許庁 - As a result, the read gap, which is the distance between the first and second magnetic shields is reduced, as compared to the prior art by the thickness of the electrical leads, and the thickness of second insulation layer 104 of the prior art formed between the electrical leads and the second magnetic shield.
その結果、第１および第２の磁気シールド間の距離である読取りギャップは、従来技術に比べて、リード線の厚さと、リード線および第２の磁気シールドの間に形成される従来技術の第２の絶縁層１０４の厚さとの分だけ低減される。 - 特許庁 - The undercoat layer 26 is formed of a member having an adhesive feature with an electrode such as the first and second gate electrodes 34 and 41 higher than an adhesive feature between the electrode and the substrate body when forming the electrode on the one surface of the substrate body 25 by the coating method.
下地層２６は、第１および第２ゲート電極３４，４１などの電極との接着性が、基板本体２５の一表面上に塗布法で電極を形成した場合の電極と基板本体との接着性よりも高い部材によって形成される。 - 特許庁 - The electrolyte 30 is contained in spaces/a space of the porous oxide semiconductor layer 12 and/or the nonconductive film 25, and the second electrode 20 has a structure for exposing the plate-like nonconductive base material 22, in an angled part which is wound with the first electrode 10.
電解質３０は、多孔質酸化物半導体層１２及び／又は非導電性の膜２５の空間部に含まれており、第二電極２０は、第一電極１０を巻き付ける角部において板状の非導電性基材２２を露出させている構造を有する。 - 特許庁 - The composition contains a mixed solvent containing a first organic solvent A having a surface tension of 37 mN/m or more and a second organic solvent B having a surface tension less than 32 mN/m, and a material for forming the liquid crystal alignment layer dissolved in the mixed solvent.
表面張力が３７ｍＮ／ｍ以上の第１有機溶剤Ａと、表面張力が３２ｍＮ／ｍ未満の第２有機溶剤Ｂとを含む混合溶剤と、この混合溶剤に溶解されてなる液晶配向膜形成用材料と、を含有してなる。 - 特許庁 - A light-transmitting organic EL display body 5 is formed by stacking a first electrode 5b made of a transparent conductive material, an organic EL luminescent layer 5c, and a second electrode 5e made of a transparent conductive material, in this order, on a transparent substrate 5a, such as, glass substrate.
光透過型有機ＥＬ表示体５は、ガラス基板等の透明基板５ａ上に、透明な導電性素材による第１電極５ｂ、有機ＥＬ発光層５ｃ、透明な導電性素材による第２電極５ｅが順に積層されて形成される。 - 特許庁 - In the first process, a paste for an air electrode is produced by mixing a Pt-holding carbon catalyst, a Nafion (R) solution and carbon black, and after coating the paste for the air electrode on a conductive substrate, the paste is dried to form an air electrode reactive layer 3a.
第１工程において、Ｐｔ担持カーボン触媒とナフィオン（登録商標）溶液とカーボンブラックとを混合して空気極用ペーストを作製し、この空気極用ペーストを導電性のある基材に塗布した後、乾燥させて空気極反応層３ａを形成する。 - 特許庁 - A semiconductor substrate 1 which has a connection electrode 2 and is provided with a first metal film 4 and a second metal film 5, and an electrical connection projection 10 on the connection electrode 2 is provided with a metal protection layer 6 adjacently to an outer circumferential part of the electric connection projection 10.
接続用電極２を有し、接続用電極２の上に第１金属膜４と第２金属膜５と電気接続突起１０を設けた半導体基板１において、電気接続突起１０の外周部に隣接するように、金属保護層６を設ける。 - 特許庁 - This adsorber comprises a first internal fin member 221 holding an adsorbent 223 and having a heat transfer surface for promoting heat exchange with the adsorbent 223, and a groove-shaped steam passage 220c is formed on a filling layer formed by the adsorbent 223.
吸着剤２２３を保持するとともに、その吸着剤２２３との熱交換を促進するための伝熱面を有する第１内部フィン部材２２１を備え、吸着剤２２３が形成する充填層に溝状の蒸気通路２２０ｃが形成されている。 - 特許庁 - An insulator 30a which is formed on the side wall of a first trench 34a from the surface of a silicon layer 40b up to the specified depth is formed with a thickness larger than that of the insulator 30b of a second trench 34b from the specified depth up to an oxide film 40a.
シリコン層４０ｂの表面から所定の深さまでの第一トレンチ３４ａの側壁に形成されている絶縁体３０ａを、所定の深さから埋め込み酸化膜４０ａまでの第二トレンチ３４ｂの絶縁体３０ｂより厚く形成する。 - 特許庁 - This semiconductor device 202 is provided with concave portions 118 formed in a first region 104, a second region 106 and separation regions 108 respectively; and a dielectric layer 120 for backing the concave portions 118 so as to have a uniform thickness, on a substrate 102.
本発明の半導体装置２０２は、基板１０２上に、第１領域１０４、第２領域１０６、及び分離領域１０８に形成された凹部１１８と、上記凹部１１８を均一な厚さで裏打ちする誘電体層１２０とを備えた半導体装置。 - 特許庁 - In the buffer layer 3, the entire Al composition of one pair of the first buffer region 331 and the adjacent second buffer region 332 at the nitride-based compound semiconductor 4 side is set to be larger than the Al composition of one pair of the regions at the substrate side.
バッファ層３において窒化物系化合物半導体４側の第１のバッファ領域３３１とそれに隣接する第２のバッファ領域３３２との１組の全体のＡｌ組成は基板側の１組のＡｌ組成に対して大きく設定されている。 - 特許庁 - Further, the barrier forming composite is applied on top of it and dried, then a second barrier 2 is formed using a barrier forming die in the direction crossing at right angles the first barrier, and after forming the protection layer and removing the unnecessary portion and calcination, a barrier of lattice shape is formed.
更に、その上から隔壁形成用組成物を塗布乾燥後、第１の隔壁と直交する方向に、隔壁形成型を用いて第２の隔壁２を形成し、保護層形成と不要物の除去後に焼成を行って格子状の隔壁を形成する。 - 特許庁 - A flexible printed circuit 100 is formed by performing thermocompression bonding after first and second unit substrates 1 and 2 are disposed so that surfaces 11a and 21b are opposed to each other, and an adhesive layer 30 is formed by applying epoxy-based thermosetting adhesive to between the surfaces 11a and 21b.
フレキシブルプリント回路１００は、第１及び第２の単位基板１，２を、面１１ａと面２１ｂとが対向するように配置し、間にエポキシ系の熱硬化型接着剤を塗布等して接着剤層３０を形成した上で熱圧着して形成される。 - 特許庁 - In the pattern forming method in which the surface layer of a substrate 1 is patternwise etched using a resist pattern as a mask, the pattern forming region of the surface of the substrate 1 is divided into a dense first region 2a and a thin second region 2b in accordance with pattern forming density.
基板１の表面層に対して、レジストパターンをマスクに用いたパターンエッチングを施すパターン形成方法において、基板１表面のパターン形成領域を、パターンの形成密度に応じて密な第１領域２ａと疎な第２領域２ｂとに分割する。 - 特許庁 - The first under surface electrode 12 and the second under surface electrode 22 are formed mutually adjacently on the under surface of the solid electrolyte layer 4a, and the shape of an adjacent part in a plan view is a ridged and grooved shape, and the ridged portion is inserted into the grooved portion mutually.
また、第１下面電極１２と第２下面電極２２は、固体電解質層４ａの下面に互いに隣接して形成され、隣接する部分を平面視したときの形状が凹凸状であって互いに凸部が凹部に入り込んでいるものである。 - 特許庁 - To provide a technology which enables an even coat with a thin film that is an upper film on a continuously travelling web having a layer which consists of a coating liquid applied in a first coating process without bubbles entering both ends after coating in a method that multilayer coats the coating liquid.
塗工液を多層塗布する方法において、第１の塗布工程で塗工液が塗布された層が設けられた連続して走行するウェブに、塗工後に気泡が両端部より進入することなく上層である薄膜を均一塗布する技術を提供する。 - 特許庁 - The first substrate includes scribe marks 50, provided on a part positioned at the panel peripheral edge on the outer side of the sealant 40 on the display medium layer side; a plurality of pixel electrodes formed by a transparent conductive oxide film; and an electrode line formed by a metal material, respectively.
第１基板は、表示媒体層側に、シール４０の外側のパネル周縁に位置する部分に設けられたスクライブマーク５０と、各々、透明導電性酸化膜で形成された複数の画素電極と、金属材料で形成された電極線と、を有する。 - 特許庁 - The thin film magnetic head is equipped with; a magnetoresistive element 5; first and second reproduction shield layers 3 and 9 which are arranged so as to sandwich the magnetoresistive element 5; and a bias magnetic field impression layer to impress a bias magnetic field to the magnetoresistive element 5.
薄膜磁気ヘッドは、磁気抵抗効果素子５と、磁気抵抗効果素子５を挟むように配置された第１および第２の再生シールド層３，９と、磁気抵抗効果素子５に対してバイアス磁界を印加するためのバイアス磁界印加層とを備えている。 - 特許庁 - The index 7 is composed of the transmissive substrate 1 having the part 3a exfoliating the first metal thin film 3 and an exposure surface 1a and the second metal thin film 5, and makes a laminated layer of the transmissive substrate 1 having the exposure surface 1a and the second metal thin film 5.
指標７は第１の金属薄膜３の剥離した部分３ａと露出表面１ａを持った透過性基板１と第２の金属薄膜５とで構成し、露出表面１ａを持った透過性基板１と第２の金属薄膜５との積層構造にする。 - 特許庁 - In the belt 1 for forming the glass plate, a base fabric 3 whose surface is formed in a shape to draw the endless track and a felt layer 4 provided on a first surface oppositing to the glass plate at the time of bending the glass plate at the surface of the base fabric 3 are included.
ガラス板成形用ベルト１には、表面が無限軌道を描く形状に形成された基布３と、基布３の表面において、ガラス板を曲げ成形する際にガラス板に対向する第１の表面上に設けられたフェルト層４と、が含まれている。 - 特許庁 - The wafer identification information is acquired by detecting the displacement amount in the reference layer when the correction amount is determined through wafer alignment treatment in the exposure process for forming the patterns of the first hierarchy and the subsequent on the wafer, and by being based on the detected result.
ウエハ識別情報は、ウエハ上に形成される第一階層以降のパターンを形成する露光工程において、前記ウエハの位置合わせ処理で補正量を求める際に、基準層でのずらし量を検出し、検出結果に基づいて取得する。 - 特許庁 - The liquid crystal display panel includes a first substrate provided with a pixel pattern piled up on a display area R and a dummy pattern 41 having two or more kinds of dummy pattern parts of mutually different thicknesses, a second substrate, a liquid crystal layer, and a plurality of spherical spacers 15.
液晶表示パネルは、表示領域Ｒに重なった画素パターンと、互いに厚みの異なる複数種類のダミーパターン部を有したダミーパターン４１とを具備した第１基板と、第２基板と、液晶層と、複数の球状スペーサ１５とを備えている。 - 特許庁 - In the manufacturing method, an electrodeposition painting coating film, a first spray painting insulation coating film having a pencil hardness of 2H-4H and a second spray painting insulation coating film having a pencil hardness of 3H-6H are formed on a surface of the motor core so as to have a three-layer insulation coating film structure.
モータコアの表面に、電着塗装塗膜、鉛筆硬度２Ｈ〜４Ｈの第一のスプレー塗装絶縁塗膜、鉛筆硬度３Ｈ〜６Ｈの第二のスプレー塗装絶縁塗膜を形成して成る三層絶縁塗膜構造を有するモータコア及びその製造方法。 - 特許庁 - To provide a combination meter 1 having fresh appearances by disposing a first metallic layer 32 which has a minute through hole that allows light to pass from the backside, on the surface of a pointer 3 of the combination meter 1 that is a meter with the pointer for a vehicle.
車両用指針計器であるコンビネーションメータ１の指針３の表面に裏面からの光を透過する微小な貫通孔を有する第１の金属層３２を設けて、斬新な見栄えを有するコンビネーションメータ１を提供することを目的とする。 - 特許庁 - An organic EL panel 100 is so structured that organic EL elements 2 used as pixels are formed in a matrix-like film form on a first transparent substrate 1, a second transparent substrate 3 is disposed on organic luminescent films of the EL elements 2, and they are fixed by an adhesive layer 4.
この有機ＥＬパネル１００は、第一透明基板１上に画素となる有機ＥＬ素子２をマトリックス状に成膜し、この有機ＥＬ素子２の有機発光膜上に第二透明基板３を配置し、これらを接着層４により固着した構造である。 - 特許庁 - A disposal substrate 8 for eliminating the oxide layer having a division guidance part 7 is formed at a position that is set to the front of soldering when passing on a flow soldering bath 9, and at the same time allows solder to first come into contact with fluxing solder flow 22.
フロー半田槽９上を通過する際に半田付けの先頭部となる位置であって且つ、溶融半田流２２と最初に半田が接触する部分に、分割誘導部７を備えた酸化被膜除去用捨て基板８を形成するようにしたものである。 - 特許庁 - At the time, an align mark or an align-shape part is formed on the dielectric layer, an align mark or an align-shape part corresponding to above the align mark or the align-shape part is formed at least on one substrate among the first substrate or the second substrate.
この時、前記誘電層にアラインマークまたはアライン形状部が形成され、前記第１基板及び第２基板のうちの少なくとも一つの基板に前記アラインマークまたは前記アライン形状部に対応するアラインマークまたはアライン形状部が形成される。 - 特許庁 - A source 42SA and a gate 44A of an active layer 42 covered with a gate insulating film 13 are connected to a first power supply line 101 on one P-channel type thin film transistor TRA, and its drain 42D is connected to one end of a resistor element 45A.
一方のＰチャネル型薄膜トランジスタＴＲＡでは、ゲート絶縁膜１３に覆われた能動層４２のソース４２ＳＡとゲート４４Ａが第１の電源線１０１に接続されており、そのドレイン４２Ｄは抵抗素子４５Ａの一方の端に接続されている。 - 特許庁 - In this system, when performing hot water supply and heating, a coefficient of performance of the hot water supply heat pump 2 is increased by lowering the temperature of hot water supplied to the first heat exchanger 7 by cooling lower layer side hot water of a hot water storage tank 4 by a fifth heat exchanger 41.
当該システムにおいて、給湯と暖房を行う際に、貯湯タンク４の下層側の温水を第５熱交換器４１で冷却して第１熱交換器７に供給される温水の温度を下げ、給湯用ヒートポンプ２の成績係数を上昇させる。 - 特許庁 - According to the present invention, even when a resist film is made thick enough to form a flat film, the aspect ratio of a resist pattern finally formed can be decreased, because the surface layer of the resist film is exposed with a low dose in the first step.
本発明の構成によれば、レジスト膜が平坦となるように充分にレジスト膜を厚くした場合であっても、第一のステップによりレジスト膜の表層が低ドーズ量で露光されるため、最終的に形成されるレジストパターンのアスペクト比を低くすることが出来る。 - 特許庁 - Oxide layers 33 and 34 are formed on a substrate around the gate conductor stack 32, and an electric contact opening part etched to the substrate down to the oxide layer is filled with a first conductive material 40, establishing electric contact to the gate conductor stack.
ゲート導体スタック３２の周りの基板上に酸化物層３３、３４を形成し、酸化物層を貫通して基板までエッチングされた電気コンタクト開口部を第１の導電材料４０で充填して、ゲート導体スタックとの電気接触を確立する。 - 特許庁 - Thereafter, a heating/cooling process is performed on the bonded body 26 to give it a temperature change, causing interfacial separation to occur between an adhesion layer 16 on the Si substrate 14 side and a first electrode film 9 on the ceramic substrate 2 side, to separate the Si substrate 14 from the capacitor 11.
その後、接合体２６に加熱・冷却処理を施して温度変化を付与し、Ｓｉ基板１４側の密着層１６とセラミック基板２側の第１の電極膜９と間で界面剥離を生じさせ、Ｓｉ基板１４をキャパシタ部１１から分離する。 - 特許庁 - In a semiconductor device, the thin-film resistor 49 shown in a Fig. 4(b) forms aluminum electrodes 45a, 45c, and forms a trench 50 on a silicon substrate 33 so that the formation region of a CrSi film 41 is surrounded simultaneously when the aluminum electrode of a first layer is formed.
図４（ｂ）の薄膜抵抗体４９は、アルミ電極４５ａ、４５ｃを形成すると共に、第１層のアルミ電極を形成する際に、同時にＣｒＳｉ膜４１の形成領域を囲むようにシリコン基板３３にトレンチ５０を形成した構成としている。 - 特許庁 - In the method of manufacturing a semiconductor laser device 1, a dielectric film 31 is formed which is a first layer in a high reflective film 21 by ECR plasma method; and dielectric films 32 and 33 are formed which are second and subsequent layers by IAD method.
本実施形態に係る半導体レーザ素子１の製造方法では、高反射膜２１における第１層目の誘電体膜３１をＥＣＲプラズマ法によって形成し、第２層目以降の誘電体膜３２，３３をＩＡＤ法によって形成している。 - 特許庁 - An interlayer insulating film capacitor 19 is constituted by an interlayer insulating film 25 positioned in a region A where an end 38 of a second aluminum connection layer 27b overlaps in a flat manner with the first gate electrode 16, and is connected in series with the second gate electrode 17.
第２ゲート電極１７には、第２アルミ配線層２７ｂの一端３８と第１ゲート電極１６とが平面的に重なり合う領域Ａにある層間絶縁膜２５をキャパシタとした層間絶縁膜キャパシタ１９が、直列に接続されている。 - 特許庁 - The battery 10 includes a negative pole 12, a positive pole 11 including a positive pole first part 11a arranged at a place opposed to the negative pole 12 while pinching an electrolytic cell, and a positive pole third part 11c arranged on the negative pole 12 while pinching an insulating layer 14a.
電池１０は、負極１２と、電解槽を挟んで負極１２に対向する位置に配置された正極第１部分１１ａおよび負極１２の上に絶縁層１４ａを挟んで配置された正極第３部分１１ｃを含む正極１１とを有する。 - 特許庁 - A first resin layer 18 is provided on the active surface 10A of the semiconductor substrate 10, set thicker than the height of a part of the through-electrode 12 protruding from the active surface 10A, and openings that make, at least, parts of the through-electrodes 12 exposed to the outside.
半導体基板１０の能動面１０Ａ側に設けられ、かつ能動面１０Ｂ側に突出した貫通電極１２の高さよりも厚く、貫通電極１２の少なくとも一部を露出する開口を有した第１の樹脂層１８を備える。 - 特許庁 - The method of manufacturing an epitaxial wafer includes a first step (step S3) for performing hydrogen baking of a silicon wafer in a reactor, and a second step (step S4) for forming an epitaxial layer on the surface of the silicon wafer subjected to hydrogen baking by introducing a silicon material gas and a dopant gas into the reactor.
シリコンウェーハを反応炉内で水素ベークする第１の工程（ステップＳ３）と、反応炉にシリコン原料ガス及びドーパントガスを導入することにより、水素ベークされたシリコンウェーハの表面にエピタキシャル層を形成する第２の工程（ステップＳ４）とを備える。 - 特許庁 - This semiconductor device is provided with a circuit 6 for phase compensation which uses an MOS capacitance of a structure, having an insulating film between a gate electrode formed on a semiconductor substrate and a diffusion layer, wherein the circuit for phase compensation consists of first and second MOS capacitances 14, 15.
半導体基板上に形成されたゲート電極と拡散層間に絶縁膜を有する構造のＭＯＳ容量を用いた位相補償用回路６を備え、位相補償用回路は第１および第２のＭＯＳ容量１４、１５により構成される。 - 特許庁 - Light beams emitted from the first region, second region, and third region and external light incident on the lighting device 106 from an observer side through a part which does not overlap the light shield layer 216 is emitted as illumination light through the second substrate 211.
第１領域と第２領域と第３領域の各々から発光された光と、観察者側から遮光層２１６と重ならない部分を介して照明装置１０６に入射された外光とが、照明光として第２基板２１１を介して出射される。 - 特許庁 - Fuel supply efficiency to the fuel electrode 21 can be improved by drop of pressure from the first passage 31 through a diffusion layer 33 to the second passage 32, and exhaust efficiency of exhaust gas produced in the fuel electrode 21 can be improved.
また、第１流路３１から拡散層３３を介して第２流路３２への圧力降下により、燃料極２１への燃料供給効率を向上させると共に、燃料極２１で生成された排出ガスの排出効率を向上させることができる。 - 特許庁 - Therefore, even when the depth of a recording layer of the optical recording medium using the luminous flux of the second wavelength is different from the recording medium making the luminous flux of the first wavelength a reproduction light, the problem of insufficient condensing caused by spherical aberration of the condenser lens can be reduced.
このため、第２の波長の光束を用いる光記録媒体の記録層の深さが第１の波長の光束を再生光とする光記録媒体と相違しても、集光レンズの球面収差による集光不足の問題を軽減できる。 - 特許庁 - The micro lens substrate 1A includes a substrate with recessed part for microlens 2A that has a recessed part 31A and a first alignment mark 71, substrate with projected part for microlens 8A that has a projected part 32A and a second alignment mark 72, a resin layer 9A, a microlens 4A and a spacer 5.
マイクロレンズ基板１Ａは、凹部３１Ａと第１アライメントマーク７１とを備えたマイクロレンズ用凹部付き基板２Ａと、凸部３２Ａと第２アライメントマーク７２とを備えたマイクロレンズ用凸部付き基板８Ａと、樹脂層９Ａと、マイクロレンズ４Ａと、スペーサー５とを有している。 - 特許庁 - The composition comprises: a mixture solvent including a first organic solvent (A) having a surface tension of 32 mN/m or more and a second organic solvent (B) having a surface tension of 32 mN/m or less; and a material for forming liquid crystal alignment layer dissolved in the mixture solvent.
表面張力が３２ｍＮ／ｍ以上の第１有機溶剤Ａと、表面張力が３２ｍＮ／ｍ未満の第１有機溶剤Ｂとを含む混合溶剤と、混合溶剤に溶解されてなる液晶配向膜形成用材料と、を含有してなる。 - 特許庁 - Distribution of the cross section ratios of the superconducting wire with metal cover is calculated from an electric resistance actually measured depending on the electric resistance of a first material contained in the core part and the electric resistance of a second material composing the metal cover layer.
金属被覆超電導線の断面積比の長さ方向の分布は、芯線部に含まれる第１の材料の電気抵抗値と金属被覆層を構成する第２の材料の電気抵抗値に基づき、実際に測定した電気抵抗値から算出される。 - 特許庁
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