「First layer」を含む例文一覧(24472)
＜前へ 1 2 .... 462 463 464 465 466 467 468 469 470 .... 489 490 次へ＞- Iodine ^129I is stored in the first target 2, neptunium ^237 Np, americium ^241Am, and curium ^245Cm are stored in the second target 3, iodine ^129I, technetium ^99Tc, and cesium ^135Cs are stored in the third target 5, and the moderate layer 4 is filled with water.
第一ターゲット２にはヨウ素^１２９Ｉを、第二ターゲット３にはネプツニウム^２３７Ｎｐ、アメリシウム^２４１Ａｍ、及びキュリウム^２４５Ｃｍを、第三ターゲット５にはヨウ素^１２９Ｉ、テクネチウム^９９Ｔｃ、及びセシウム^１３５Ｃｓをそれぞれ収納し、モデレート層４には水を満たす。 - 特許庁 - The semiconductor chip 100 includes: a semiconductor substrate (unillustrated); and a laminated film 150 including a carbon-containing insulating film such as a first interlayer insulating film 106 formed on the semiconductor substrate, and a carbon-free insulating film such as an underlying layer 102 and an overlying cover film 124.
半導体チップ１００は、半導体基板（不図示）と、半導体基板上に形成された第一の層間絶縁膜１０６等の炭素含有絶縁膜と、下地層１０２や上地カバー膜１２４等の炭素非含有絶縁膜とを含む積層膜１５０とを含む。 - 特許庁 - Then the parts of both a recording gap layer 8 and a second lower magnetic pole 7b are etched by RIE similarly to the above-mentioned method using a part of a first mask 21a and a tip part 11a (1) of the upper pole chip 11a as masks to form a magnetic part 100.
続いて、第１のマスク２１ａの一部と上部ポールチップ１１ａの先端部１１ａ(1) とをマスクとして、記録ギャップ層８および第２の下部磁極７ｂの双方の一部を上記と同様のＲＩＥによりエッチングして、磁極部分１００を形成する。 - 特許庁 - First type band-shaped coil conductor patterns 11a, 11b and 11c and via holes 21, 22, 23 and 24 for an inter-layer connection constitute spiral sections wound in one turn or more respectively at the places of virtual surfaces S1 and S2 vertical in the direction of the coil axis of the coil L1.
第１種の帯状コイル導体パターン１１ａ，１１ｂ，１１ｃと層間接続用ビアホール２１，２２，２３，２４は、コイルＬ１のコイル軸の方向と垂直な仮想面Ｓ１，Ｓ２の位置で、それぞれ１ターン以上周回する渦巻き部を構成している。 - 特許庁 - In the method, SOI (silicon-on-insulator) wafer structured by two silicon substrates 10 and 20 bonded with insulating layer 30 is etched, and the first silicon substrate 10 is provided with aperture 11 to form each area of circumference fixing part 12, a spindle fixing part 13, a beam part 14 and a stopper part 15.
２枚のシリコン基板１０，２０を絶縁層３０で貼り合わせたＳＯＩウェハをエッチングし、第１のシリコン基板１０に開口部１１を設けることによって、周辺固定部１２、錘固定部１３、梁部１４、ストッパ部１５の各領域を形成する。 - 特許庁 - This optical packaging substrate is constituted by forming a substrate layer disposed with a first integrated circuit having light emitting sections from which signal light is emitted and light receiving sections from which the signal light is received by separating at least one second integrated circuits from each other.
信号光が発光される発光部を備えた第１の集積回路と、前記信号光が受光される受光部を備えた少なくとも１つの第２の集積回路とを互いに離間して配設した基板層を形成してなる光実装基板である。 - 特許庁 - An organic dye is held in a film hole of an anodic oxidation film 3, and the surface of the aluminum-based member 2 is uniformly colored to form a first colored layer 42, and thereafter, a second organic dye is diagonally sprayed to color a part of the surface of the aluminum-based member 2.
陽極酸化皮膜３の皮膜孔に有機染料を保持させ、アルミニウム系部材２の表面を均一に着色して第１の着色層４２を形成した後、第２の有機染料を斜めに吹き付け、アルミニウム系部材２の表面の一部を着色する。 - 特許庁 - Next, a portion of both a recording gap layer 8 and a second lower magnetic pole 7b is etched by the similar RIE by using a portion of a first mask 21a and a tip part 11a (1) of the upper pole chip 11a as a mask to form a magnetic pole part 100.
続いて、第１のマスク２１ａの一部と上部ポールチップ１１ａの先端部１１ａ（１） とをマスクとして、記録ギャップ層８および第２の下部磁極７ｂの双方の一部を上記と同様のＲＩＥによりエッチングして、磁極部分１００を形成する。 - 特許庁 - A light-emitting device WM according to one embodiment comprises a light transmission layer 1 containing a first and a second region and a third region interposed between the two regions and a light-emitting part 2 overlapping the second region or the second and the third regions.
一実施形態に係る発光装置ＷＭは、第１及び第２領域とそれらの間に介在した第３領域とを含んだ光透過層１と、前記第２領域と又は前記第２及び第３領域と重なり合った発光部２とを具備する。 - 特許庁 - The air cleaner 10 itself is composed of a foam body such as foam urethane, and is formed into a two-layer structure for covering a side surface part 13 and an upper surface part 12 of a substantially truncated cone-shaped first foam body 15 for forming the hollow part 14 with a second foam body 16.
エアクリーナ１０自体は、発泡ウレタンなどの発泡体から構成されており、中空部１４を形成する略円錐台形の第一発泡体１５の側面部１３と上面部１２を第二発泡体１６が覆う二層構造となっている。 - 特許庁 - A half-wave retardation film 30 consisting of a uniaxially stretched single-layer polycarbonate film is joined with a photosetting adhesive 4 between the inclined end face 11 of the first light transmitting base material 10 and the inclined end face 21 of the second light transmitting base material 20.
第１の透光性基材１０の傾斜端面１１と第２の透光性基材２０の傾斜端面２１との間には、一軸延伸された単層のポリカーボネートフィルムからなるλ／２位相差フィルム３０が光硬化性の接着剤４で接合されている。 - 特許庁 - The organic EL panel 100 has an organic EL element 2 to become a picture element formed in a matrix form on a first transparent substrate 1, a second transparent substrate 3 is arranged on an organic light-emitting film of this organic EL element 2, and these are adhered by an adhesive layer 4.
この有機ＥＬパネル１００は、第一透明基板１上に画素となる有機ＥＬ素子２をマトリックス状に成膜し、この有機ＥＬ素子２の有機発光膜上に第二透明基板３を配置し、これらを接着層４により固着した構造である。 - 特許庁 - After making wire bonding to the bonding pad 31, a probe is connected to the probing pads 32, and the conduction state of the first layer internal wire 21 is measured, to thereby enable easy inspection of a failure generated on the wiring or the like of the semiconductor device at the mounting time.
ボンディング用パッド３１にワイヤボンディングを行った後、プロービング用パッド３２にプローブを接続し、第１の層内配線２１の導通状態を測定することにより、半導体装置の配線等に実装時に生じる不良を簡便に検査することができる。 - 特許庁 - A mask 10 having a machining pattern for a laser machining is formed of a mask member layer 12 made of a metallic material having the machining pattern and a first and a second base plate members 11 and 13, composed of a laser beam transmissible material, which clamp the mask member layers on the upper and lower faces.
レーザ加工用の加工パターンを持つマスク１０を、前記加工パターンを持つ金属材料によるマスク部材層１２と、該マスク部材層を上下両面から挟んでいるレーザ光の透過材料より成る第１、第２の基板部材１１、１３とで形成した。 - 特許庁 - An electrically insulating film 103 is deposited to cover the edge part of an electric conductor 105 being the first electrode of the light emitting element and then polished by a chemical mechanical polishing (CMP) method so that the surfaces of the conductor 105 and a flattened insulating layer 106 form the same plane.
発光素子の電極となる導電体１０５の端部を覆うように絶縁膜１０６を形成した後、ＣＭＰ（Chemical Mechanical Polishing）法を用いて研磨し、第１の電極１０５及び平坦化絶縁層１０６の表面が同一平面を有する構造を形成する。 - 特許庁 - Then, the thin film aperture part 33 is expanded in the lateral direction by wet etching, the second shallow recessed part 41 is formed on the operating layer 111 against the first recessed part by wet etching through the expanded thin film aperture part 34, and it is used as the second recessed groove.
次にウェットエッチングにより薄膜の薄膜開口部３３を横方向に拡大し、この拡大された拡張薄膜開口部３４を通してウェットエッチングにより動作層１１に第１凹部に対して浅い第２凹部４１を形成し第２リセス溝とする。 - 特許庁 - The holes "m" in the easily broken section 70 have diameters which are smaller than the width of the break detection circuit section 23 and do not penetrate through a first joining layer 30, and the easily broken section 70 has at least one section formed, at a position which is in contact with the outer periphery of the base 20.
易破断部７０の孔ｍは、その径が破断検知回路部２３の幅より小さく、かつ、第１接合層３０を貫通しないものであり、易破断部７０は、少なくとも一部が基材２０の外周に接する位置に形成されているものとした。 - 特許庁 - This illumination device is specially provided with a first reflection layer (204) on an upper surface (203) facing the light radiation surface (11) of the channels, and also an input joining of light to the light guide plate is proceeded from the side walls (201, 202) of the channels.
この照明装置は、特に、前記チャネルの光放射表面（１１）に面するそれらの上面（２０３）に第１反射層（２０４）が設けられ、且つ前記導光板への光の入力結合が前記チャネルの側壁（２０１、２０２）から行なわれる点を特徴とする。 - 特許庁 - The main fluorescent dichroic dye for the objective emission color is added to the liquid crystal layer to be sealed between a first substrate and a second substrate, and further an auxiliary fluorescent dichroic dye functioning as a sensitizer to emit light at the absorption wavelength of the main fluorescent dichroic dye is added.
第１の基板と第２の基板との間に封入する液晶層に、目的の発光色の主蛍光二色性色素を添加し、さらに、主蛍光二色性色素の吸収波長の光を発光する増感剤となる副蛍光二色性色素を添加する。 - 特許庁 - A semiconductor layer 1 has a first non-diffusion region 12 and a second non-diffusion region 13 respectively in contact with one width-direction end and the other width-direction end of a diffusion region 11 involving a source region 1s, a channel region 1ch and a drain region 1d.
半導体層１は、ソース領域１ｓ、チャネル領域１ｃｈおよびドレイン領域１ｄを含む拡散領域１１の幅方向の一方端および他方端にそれぞれ接する第１非拡散領域１２および第２非拡散領域１３を有する。 - 特許庁 - A second information display part 5 where the name of a publisher, a pattern for design and the like are printed by offset printing or the like is provided on the surface of a medium base material 1 so as not to overlap with the first information display part 4 constituted by a leuco dye layer 2.
メディア基材１の表面には、ロイコ染料層２により構成される第１の情報表示部４に対してオフセット印刷等により発行元名や、デザイン用の絵柄などを印刷している第２の情報表示部５と重ならないように設けてある。 - 特許庁 - An inorganic material such as SiO2, TiO2 and ZrO2 is dissolved into a solvent including an alkoxide, methoxide, proxide, n-methylpropiden, or the like and a dissolution material of the solvent and an epoxy photosensitive resin is subjected to spin-coating on a metallic substrate 9 to be prebaked to form a first layer 10.
まず、金属基板９上に、ＳｉＯ_2やＴｉＯ_2、ＺｒＯ_2などの無機物をアルコキシド、メトキシド、プロキシドをｎ−メチルプロピドン等の溶媒に溶解し、エポキシ系の感光性樹脂との溶解物をスピンコートし、プリベークすることで第１の層１０を形成する。 - 特許庁 - The bearing rolling faces have an effectively hardened layer comprising a first composition including C of 0.6 to 1.2 wt.%, Si of less than 0.35 wt.%, Mn of 0.2 to 1.5 wt.% Cr of 0.8 to 1.40 wt.% and Mo of 0.15 to 0.35 wt.% and Fe as reminder and obligatory impurity.
ベアリング転動面は、Ｃ：０．６〜１．２wt％、Ｓｉ：０．３５wt％未満、Ｍｎ：０．２０〜１．５wt％、Ｃｒ：０．８〜１．４０wt％、Ｍｏ：０．１５〜０．３５wt％を含み、残部Ｆｅおよび不可避不純物からなる第１組成から構成される有効硬化層を有している。 - 特許庁 - In addition, a part of the inner wall face of the cavity 11 is constituted, and first, second and third heat transmission bodies 17, 18, 19 whose ends 17D, 18D, 19D come into contact with the die attach layer 15 and in which the other ends 17U, 18U, 19U extend up to a substrate main face 2 are provided.
また、キャビティ１１の内壁面の一部を構成し、一方の端部１７Ｄ，１８Ｄ，１９Ｄがダイアタッチ層１５に接触し、他方の端部１７Ｕ，１８Ｕ，１９Ｕが基板主面２まで延びる第１，第２，第３伝熱体１７，１８，１９を備える。 - 特許庁 - A first pulley 8 for driving alternator 7 which is a sub flywheel system is divided into an inner peripheral part 9 directly fixed to a crankshaft 2 and an outer peripheral part 10 receiving a belt 6, and the inner peripheral part 9 and the outer peripheral part 10 are connected by a rubber layer 12 serving as a spring element.
副フライホイール系となるオルタネータ７を駆動する第１のプーリ８は、クランクシャフト２に直接固定された内周部９と、ベルト６を受ける外周部１０と、に二分割されており、ばね要素となるゴム層１２によって結合されている。 - 特許庁 - A uniform heating layer is formed between the first EL light-emitting part and the second EL light-emitting part, and since heat caused by light emission of one EL light-emitting part reduces the change with the passage of time in light emission of the other EL light-emitting part, occurrence of light emission unevenness is suppressed.
第１のＥＬ発光部と第２のＥＬ発光部との間に均熱層を形成し、一方のＥＬ発光部の発光による熱が他方のＥＬ発光部の発光における経時的な変化を低減させて、発光むらが発生することを抑制した。 - 特許庁 - In the first and second configurations, the reflective section is formed by using a portion corresponding to the auxiliary capacitor section formed at the bottom end of a pixel region and the buffer layer corresponding to the reflection section is formed to a stripe shape extending to one direction when viewed from the entire part of the substrate.
上記第1及び第2構成で、上記反射部は画素領域の下端に構成された補助容量部に対応する部分を使用し、上記反射部に対応するバッファ層は基板の全体から見た時一方向に延びたストライプ形状に構成される。 - 特許庁 - In forming a laminated layer film comprising a first conductive film 106, a dielectric film 108 and a second conductive film 110 on a semiconductor substrate 102, an etching process is performed after protecting a sidewall of the second conductive film 110 with a second protective film (buffer film).
半導体基板１０２上に第１導電膜１０６と、誘電体膜１０８と、そして第２導電膜１１０からなる積層膜を形成する際、第２導電膜１１０の側壁を第２保護膜（バッファ膜）で保護してからエッチング工程を実施する。 - 特許庁 - The water-soluble resin composition comprises a water-soluble polymer represented by (Formula 1) as specified, and a first water-soluble solvent, and is coated and heat-treated on a photoresist layer having a contact hole pattern formed, to reduce the size of the contact hole.
下記の（式１）のように表示される水溶性重合体および第１水溶性溶媒を含み、コンタクトホールパターンが形成されているフォトレジスト膜上に塗布および熱処理することによって、前記コンタクトホールの大きさを減少させる水溶性樹脂組成物。 - 特許庁 - In addition, a counter electrode 6 is provided on the organic EL layer 5, the auxiliary electrode 3 is connected to one power supply through a first electrode extracting terminal 7, and the end part of the counter electrode 6 is connected to the other power supply as a second electrode extracting terminal.
更に、有機ＥＬ層５上に対向電極６が設けられ、補助電極３は第１の電極取り出し端子７を通して一電源に接続し、対向電極６の端部が第２の電極取り出し端子として他電源につながるようになる。 - 特許庁 - The third wiring layer includes a fifth wiring 17a located in the upper part of the first element region 1a, and a sixth wiring 17b located in the upper part of the second element region 1b and electrically connected to the third wiring 11b via the conductive pattern 14b for connection.
第３配線層は、第１素子領域１ａの上方に位置する第５配線１７ａと、第２素子領域１ｂの上方に位置していて接続用導電パターン１４ｂを介して第３配線１１ｂに電気的に接続する第６配線１７ｂを具備する。 - 特許庁 - When the thickness of the upper clad layer of a first actual refractive index-guiding type laser section is controlled to a prescribed value, the surface of the laser section can be planarized sufficiently and a second laser section having good crystallinity can be laminated upon the planarized surface.
実屈折率ガイド型の第１のレーザ部の上側クラッド層の層厚を所定の厚みとすることにより、第１のレーザ部の表面を十分に平坦化することが可能となり、その上に結晶性の良好な第２のレーザ部を積層することができる。 - 特許庁 - The liquid crystal display includes a conductive pattern part 7 formed through a first insulating layer on the measurement wiring 4-1, 4-2 excluding branch points and formed over the measurement wirings 4-1, 4-2 branched from each of the plurality of the wirings 3a-1, 3a-2.
そして、分岐点を除く測定配線４−１，４−２上に第１の絶縁層を介して形成され、各複数の配線３ａ−１，３ａ−２から分岐した測定配線４−１，４−２同士にまたがって形成される導電性パターン部７とを備える。 - 特許庁 - Substantially similar rhombic driving electrodes 20A are formed at positions corresponding to respective ink chambers 19A on the upper surface of the first piezoelectric layer 21, and a land pattern 20B is formed continuously from the acute angle part of the driving electrode 20A.
また、第１圧電層２１上面部の各インク圧力室１９Ａに対応する位置には、相似形状の略菱形形状の駆動電極２０Ａが形成されると共に、この駆動電極２０Ａの鋭角部から連続してランドパターン２０Ｂが形成されている。 - 特許庁 - An insulation film formed on a Si substrate and containing Hf or Zr and a deposited film present on the upper or lower layer thereof or in the film are removed by repeating dry etching and wet etching one or more times by putting the wet etching first.
Si基板上に形成されたHfあるいはZrを含む絶縁膜とその上層あるいは下層あるいは膜中に存在するMg,YあるいはAlとを含む堆積膜の除去を、ドライエッチングとウエットエッチングを、ウエットエッチングを先にして少なくとも1回繰り返して行う。 - 特許庁 - Then a junction type FET is constituted by providing a source electrode/drain electrode 7 in ohmic contact with the pair of first conductivity type contact layers 6 respectively and a gate electrode 8 in ohmic contact with the second conductivity type contact layer 2.
そして、一対の第一導電型コンタクト層６のそれぞれにオーミックコンタクトしてソース電極／ドレイン電極７が、また、第二導電型コンタクト層２にオーミックコンタクトしてゲート電極８がそれぞれ設けられることにより、接合型ＦＥＴが構成されている。 - 特許庁 - The electrolyte membrane layer 10 is configured so that thermal contraction amount of the first electrolyte membrane 11 in the long side direction and short side direction becomes smaller than that of the second electrolyte membrane 12 in the long side direction and short side direction.
電解質膜層１０は、第１の電解質膜１１の長辺方向および短辺方向における熱収縮量が、第２の電解質膜１２の長辺方向および短辺方向における熱収縮量よりも小さくなるように構成されている。 - 特許庁 - The wires 2 and 3 are jointed by welding the end faces with the identical outer diameter, and a metal coating layer 6 is formed on the outer surface of the joint part 14 to reduce the difference of angles between the outer surface of the proximal end of the first wire 2 and the outer surface of the tapered part 16.
両ワイヤ２、３は、この外径が同一な端面同士を溶接して接合されており、該接合部１４の外周には、第１ワイヤ２の基端部外周面とテーパ部１６の外周面との角度の差を緩和する金属被覆層６が形成されている。 - 特許庁 - In the LED, the specific resistance of the GaN substrate 1 is 0.5 Ωcm or less, the side of the P-type Al_xGa_1-xN layer 5 is down-mounted, and light is emitted from a second principal surface 1a opposite to the first principal surface of the GaN substrate 1.
このＬＥＤでは、ＧａＮ基板１の比抵抗が０．５Ω・ｃｍ以下であり、ｐ型Ａｌ_xＧａ_1-xＮ層５の側をダウン実装し、ＧａＮ基板１の第１の主表面と反対側の主表面である第２の主表面１ａから光を放出する。 - 特許庁 - The first photodetector 4 is aligned to receive light made incident through the light exit opening into the hollow body at both the positions, and the second photodetector 5 is aligned to receive light scattered by the diffusion/scatter layer at both the positions.
第１光検出器４は両位置において光出口開口部を通って中空体の中に入射する光を受信するよう整列され、第２光検出器５は両位置において拡散散乱層による散乱光を受信するよう整列される。 - 特許庁 - The resin layer 6 includes an optical path conversion part 10 in which first and second lens parts 11 and 12 are stacked, provided at a position covering the light-receiving element 3; and a fixing mechanism 7 for attaching an optical fiber 14 to the vicinity of the optical path conversion part 10 via a ferrule 13.
樹脂層６には、受光素子３を覆う位置に第１，第２のレンズ部１１，１２を積み重ねた光路変換部１０を設けると共に、光路変換部１０の近傍にフェルール１３を介して光ファイバ１４を取り付ける固定機構７を設ける。 - 特許庁 - Furthermore, a second interconnection 15 is formed to intersect the first interconnection 13 substantially perpendicularly and a second ferromagnetic layer 41 is formed to cover the second interconnection 15 partially or entirely under a state where a magnetic field is applied in the same direction as the second interconnection 15.
更に、第１配線１３と略直交するように第２配線１５を形成すると共に、第２配線１５と同方向の磁場を印加した状態で、この第２配線１５の一部又は全部を覆うように第２強磁性層４１を形成した。 - 特許庁 - After first-layer wiring L1 having a conductor film 16d using aluminum as a main constituent is subjected to patterning by a dry etching method, a sidewall protection film 18 of the machining sidewall and a photoresist pattern 17a used as an etching mask are removed by plasma ashing treatment.
アルミニウムを主成分とする導体膜１６ｄを有する第１層配線Ｌ１をドライエッチング法によってパターニングした後、その加工側壁の側壁保護膜１８およびエッチングマスクとして使用したフォトレジストパターン１７ａをプラズマアッシング処理によって除去する。 - 特許庁 - For these ferromagnetic tunnel magneto-resistive elements, the number of terminals is reduced by providing one electrode for conducting sense current in the direction of traversing a tunnel barrier layer by the first magnetic shield, and drawing it as one common terminal.
これら強磁性トンネル型磁気抵抗効果素子に対し、トンネルバリア層を横切る方向にセンス電流を通電する一方の電極を、第１の磁気シールドによって共通に構成し、共通の１端子として導出することによって端子数の減少化を図る。 - 特許庁 - A first contact hole 46 that communicates with one of the source area 34 and the drain area 36, and a recessed part 48 that is on the upside of the gate electrode 28 but does not communicate with the gate electrode 28 are simultaneously formed in the second insulating layer 42 by dry etching.
第２の絶縁層４２に、ソース領域３４及びドレイン領域３６の一方に連通する第１のコンタクトホール４６と、ゲート電極２８の上方であるがゲート電極２８に連通しない凹部４８を同時にドライエッチングによって形成する。 - 特許庁 - Three strip line conductors 118, 119 and 120 electromagnetically coupled mutually are arranged on the same layer, the first and the second strip line conductors 118 and 119 and the second and the third strip line conductors 119 and 120 are capacitively coupled by capacitors 202 and 203, respectively.
互いに電磁結合する３本のストリップ線路導体１１８，１１９，１２０を同一層に配置し、第１と第２のストリップ線路導体１１８，１１９及び、第２と第３のストリップ線路導体１１９，１２０をそれぞれ容量２０２，２０３で容量結合させる。 - 特許庁 - To ensure insulation between second electrodes formed on an organic EL layer or that between second and first electrodes and to ensure sealing of an organic EL film contributing to emission even if it is sealed with a thin film.
有機ＥＬ層の上に形成される第２電極間あるいは第２電極と第１電極との間の絶縁性を確保して、かつ有機ＥＬ素子の封止を薄膜で行う場合にも発光に寄与する有機ＥＬ膜の封止を確実に行うことを可能にする。 - 特許庁 - The manufacturing method contains a first process forming the gas diffusion electrode with a catalyst layer on a substrate, and a second process joining the gas diffusion electrode to both surfaces of the polymer electrolyte membrane and then peeling and removing the substrate.
また、その製造方法は、基材上で触媒層付きの上記ガス拡散電極を得る第１工程と、高分子電解質膜の両面にこのガス拡散電極を接合した後、基材を剥離除去する第２工程とを有することを特徴とするものである。 - 特許庁 - The process for fabricating the nonvolatile memory includes forming the isolation structures protrudent over the substrate in the substrate, forming the tunneling layer over the substrate, and then forming the floating gates as conductive spacers on the sidewalls of the first isolation structures protrudent over the substrate.
また、不揮発性メモリの製造プロセスは、基板上に突き出た分離構造が基板に形成され、トンネル層が基板上に形成され、その後、浮遊ゲートが基板上に突き出た第１分離構造の側壁上に導電性スペーサーとして形成されることを含む。 - 特許庁 - The substrate 10 is formed by a dielectric, namely ceramic, a plurality of electrodes are laminated inside while sandwiching a dielectric layer, and the first electrode 14 and the second electrode 16 are connected to the laminated electrodes, thus composing a capacitor.
基体１０は誘電体であるセラミックで形成され、その内部には複数の電極が誘電体層を挟んで積層されており、第１電極１４と第２電極１６が、積層された電極にそれぞれ接続されることにより、キャパシタを構成する。 - 特許庁
- 特許庁
- Copyright © Japan Patent office. All Rights Reserved.
