「First layer」を含む例文一覧(24472)
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表示領域と前記表示領域の周辺に形成され、前記表示領域に駆動信号を提供する駆動領域を有する下部基板と結合し、その間に液晶層を介在して画像を表示するための上部基板は、透明電極及び第１スペーサを具備する。 - 特許庁 - A plurality of transparent electrode patterns 11 respectively formed by connecting a plurality of single transparent electrode patterns 11a consisting of a diamond mark in the direction of the X-axis are formed in parallel, and low-resistance metal thin lines 15 of visually unrecognizable thickness are provided on the patterns to form a first transparent electrode layer 12.
Ｘ軸方向に、ダイヤマークからなる単一透明電極パターン１１ａを複数繋げた透明電極パターン１１を複数、平行に形成し、そのパターン上に目に視認できない太さの低抵抗金属細線１５を設けて第１透明電極層１２を構成する。 - 特許庁 - The first configuration of the reflection transmission liquid crystal display device comprises a structure forming the buffer layer on an upper substrate corresponding to a reflection section in order to vary the thickness of color filters and forming a difference in level on a lower substrate corresponding a transmission section in order to vary cell gaps.
本発明による反射透過型液晶表示裝置の第1構成は、カラーフィルタの厚みを異なるようにするために、反射部に対応する上部基板にバッファ層を形成し、また、セルキャップを異なるようにするために透過部に対応する下部基板に段差を形成する構造とする。 - 特許庁 - The phase change type optical disk formed with a recording layer on a substrate mingled with the ROM section where at least the first session is formed of pits and the wobble signal does not exist in the segment of the data and the RAM section where grooves are formed and the wobble signal exist is provided.
少なくとも第一セッションがピットで形成されており、データの部分にウォブル信号が存在しないＲＯＭ部と、グルーブが形成されてウォブル信号が存在したＲＡＭ部とが混在している基板上に記録層を形成した相変化型光ディスクとする。 - 特許庁 - A conductive thin film 14 each is formed on a first electrode 24 connected to the wiring 18 and a second electrode 25 connected to the wiring 17, and an electron emission part 13 formed on the conductive thin film 14 is arranged on an insulating layer 51 with the barrier film 15 and the insulating film 16 laminated.
配線１８に接続する第１電極２４と配線１７に接続する第２電極２５とに導電性薄膜１４を形成し、導電性薄膜１４に形成された電子放出部１３が、バリア膜１５と絶縁膜１６とが積層した絶縁層５１の上に配置されている。 - 特許庁 - In addition, even when stress is added to an exposed part of the electrode body 60 constituting the pad 60P at the mounting onto an external substrate, since the electrode body 60 except for the exposed part is protected by the first insulating layer 50, cracks or the like are less likely generated to the electrode body 60.
また、パッド６０Ｐを構成する電極体６０の露出部分に対して、外部基板への実装の際に応力が加わっても、該電極体６０は露出部分以外は第１絶縁層５０により保護が図られるので、電極体６０にクラック等が生じ難い。 - 特許庁 - A light-shieldable film 12 is provided on an optical film 15 such as a half-tone phase shift layer formed on one principal plane of an optically transparent substrate 11, and the light-shieldable film 12 is configured by sequentially laminating a first light-shieldable film 13 and a second light-shieldable film 14.
光学的に透明な基板１１の一方主面に形成されたハーフトーン位相シフト膜などの光学膜１５上に遮光性膜１２が設けられており、この遮光性膜１２が第１の遮光性膜１３と第２の遮光性膜１４を順次積層させて構成されている。 - 特許庁 - The method for forming the image on the substrate 14 has a step for arranging a first layer on the substrate 14 so as to forming "a printing pattern" and a step for providing "an arranged design" on the substrate 14 in both the inner side and the outer side of the areas of the printing pattern.
「印刷パターン」を形成するように基材１４上に第１の層を設けるステップと、印刷パターンの領域の内側及び外側の双方において基材１４に「配置されたデザイン」を提供する第２のステップとを有した、基材１４へのイメージ形成方法。 - 特許庁 - The main body 2 includes: a main part 2M including a plurality of layer portions; a plurality of first terminals 4 disposed on the top surface of the main part 2M and connected to the wiring; and a plurality of second terminals disposed on the bottom surface of the main part 2M and connected to the wiring.
本体２は、複数の階層部分を含む主要部分２Ｍと、主要部分２Ｍの上面に配置されて配線に接続された複数の第１の端子４と、主要部分２Ｍの下面に配置されて配線に接続された複数の第２の端子とを有している。 - 特許庁 - In this electro-optical device, a flattening film 80 is formed between electrodes 74, 75 and the like each of which is connected to the wiring formed on a junction board such as a flexible board and the like and a first interlayer insulating layer 284 is formed on the flattening film 80 and at edge parts of the electrodes 74, 75.
フレキシブル基板等の中継基板に形成された配線に接続される電極７４，７５等の電極の間に平坦化膜８０が形成されており、平坦化膜８０上及び電極７４，７５の端部に第１層間絶縁層２８４が形成されている。 - 特許庁 - Consequently, two huge magnetoresistance effect elements whose magnetic field detection directions are antiparallel mutually can be formed close, by forming on a substrate 11 the first huge magnetoresistance effect element 20 wherein the direction of magnetization of the fixed layer is fixed to the same direction and an ordinary huge magnetoresistance effect element.
従って、固定層の磁化の向きを同じ向きに固定した第１巨大磁気抵抗効果素子２０と通常の巨大磁気抵抗効果素子とを基板１１上に形成すれば、互いに磁界検出向きが反平行の二つの巨大磁気抵抗効果素子を近接して形成することができる。 - 特許庁 - When the lamination accuracy between a completed TFT substrate and a CF substrate is out of a predetermined range, a magnification correction value for the first layer to retain the lamination accuracy within the predetermined is calculated, and the consecutive TFT substrate is manufactured based on the calculated magnification correction value.
また、完成後したＴＦＴ基板とＣＦ基板との貼り合せ精度が所定の範囲内でない場合には、貼り合せ精度を所定の範囲内にするための１層目の倍率補正値を算出し、算出した倍率補正値に基づいて次のＴＦＴ基板を製造する。 - 特許庁 - To provide a DC magnetron sputtering reactor for sputtering copper, its use, a shield or the like for enhancing self-ionized plasma(SIP) sputtering at low pressure, and a method for applying copper coating to a narrow via or trench by using SIP for a first copper layer.
銅をスパッタリングするための直流マグネトロンスパッタ反応器、その使用方法、低圧での自己イオン化プラズマ（ＳＩＰ）スパッタリングを増進させるシールド等、及び第１の銅層のためにＳＩＰを使用して狭くて深いビアまたはトレンチ内へ銅をコーティングする方法を提供する。 - 特許庁 - When viewed in stacking direction of a dielectric layer 32, capacitance formation parts 48 and 51 of the first and fourth internal electrodes 42 and 45 do not overlap each other, while capacitance formation parts 49 and 50 of the second and third internal electrodes 43 and 44 do not overlap each other.
誘電体層３２の積層方向で見たとき、第１および第４の内部電極４２および４５の各々の容量形成部４８および５１が重なり合わず、第２および第３の内部電極４３および４４の各々の容量形成部４９および５０が重なり合わない。 - 特許庁 - Since the intermediate layer 26 having stiffness higher than that of the resin frame 32 is manufactured first and then positioned to each of the separators 22, 24, this manufacturing method does not take time compared with work in which the resin frame 32 is positioned to each of the separators 22, 24, and work efficiency can be enhanced.
この製造方法によれば、樹脂フレーム３２より剛性がある中間層２６を先に作製し、これを各セパレータ２２，２４に対して位置決めするので、樹脂フレーム３２単体を各セパレータ２２，２４に位置決めする作業に比べ手間がかからず、作業効率の向上を図ることができる。 - 特許庁 - The first light absorption layer 26 is formed by vapor-depositing an Au thin film 27 on the inner wall of a trench formed to separate an operation region of each circuit, and heat treating the same to form an Au-Si eutectic crystal section 28, and further embedding the trench with an insulating film 29.
この第１光吸収層２６は、各回路の動作領域を分離する形で形成されたトレンチ溝の内壁にＡｕ薄膜２７を蒸着させ、熱処理してＡｕ−Ｓｉ共晶部２８を形成し、このトレンチ溝内を絶縁膜２９で埋め込むことにより形成される。 - 特許庁 - In the translucent electrode 170, through holes 180 are provided so that a ratio (an opening ratio) in which the surface of the p-type semiconductor layer 160 is exposed is different from a region (C) adjacent to a first-type electrode 190 and a region (A) adjacent to a second-type electrode 200.
透光性電極１７０には、第１型電極１９０に近接した領域（Ｃ）と、第２型電極２００に近接した領域（Ａ）とで、ｐ型半導体層１６０の表面が露出する割合（開口率）が異なるように貫通孔１８０が設けられている。 - 特許庁 - As the result, a detecting rotary part supporting the first drive mass part 29a and the second drive mass part 29b rotates in directions of (iii) and (iv) and the amount of this rotation is detected as a change in the capacitance of movable electrode parts 28 and a fixed electrode layer opposite to these parts.
その結果、第１の駆動質量部２９ａと第２の駆動質量部２９ｂを支持している検出回動部が（ｉｉｉ）（ｉｖ）方向へ回動し、この回動量が可動電極部２８とこれに対向する固定電極層との静電容量の変化として検出される。 - 特許庁 - The user terminals 300 are respectively provided with a printer 302 for executing image formation and image erasure by heating to a rewritable recording medium P having a recording layer P2 presenting developing performance in accordance with the appliance of first thermal energy and presenting decolorable performance in accordance with the appliance of second thermal energy.
利用者端末３００は、第１の熱エネルギーの印加により顕色性を呈して第２の熱エネルギーの印加により消色性を呈する記録層Ｐ２を有するリライタブル記録媒体Ｐに対して加熱により画像形成及び画像消去を実行するプリンタ３０２を備える。 - 特許庁 - In an optical information recording medium equipped with an information recording layer in which information is recorded by using holography, a known pattern is recorded as a recording pattern of a specific page or block for a first reference light, and a data pattern is recorded for a second reference light.
ホログラフィを利用して情報を記録した情報記録層を備えた光情報記録媒体において、情報記録層には、特定のページ又はブロックの記録パターンとして、第１の参照光に対しては既知パターンが記録され、第２の参照光に対してはデータパターンが記録されている。 - 特許庁 - Cell gaps are uniformized over the entire display area and the irregularity of display, etc., can be prevented by raising the bottom of the respective layers of the second light shielding area by providing the cell thickness adjustment layer and making the entire thickness as approximately equal to the entire thickness of the first light shielding area.
セル厚調整層を設けて第２の遮光領域の各層を底上げし、全体の厚さを第１の遮光領域全体の厚さとほぼ等しくすることにより、表示領域全体に渡ってセルギャップが均一化され、表示ムラなどを防止することができる。 - 特許庁 - When forming a lubricant layer 14 of the magnetic recording disk 1, a lubricant having the composition ratio: the first element=71.7%, the second element=15.7%, the third element=11.7%, the fourth element=0.3%, and the fifth element=0.6% is used in the perfluoro polyether compound.
磁気記録ディスク１の潤滑層１４を構成する際、下式で表わすパーフルオロポリエーテル化合物において、組成比 第１成分＝７１．７％ 第２成分＝１５．７％ 第３成分＝１１．７％ 第４成分＝０．３％ 第５成分＝０．６％を有する潤滑剤を用いる。 - 特許庁 - A first mesa part 2a and a second mesa part 2b are formed on a GaAs substrate 1, a resist pattern 15 comprising opening parts 13 and 14 is formed, a semiconductor layer 2 is etched to a specified depth with the resist pattern 15 as a mask, and a recess 16 and a recessed part 17 for alignment mark are formed.
ＧａＡｓ基板１の上に第１メサ部２ａおよび第２メサ部２ｂを形成し、開口部１３，１４を有するレジストパターン１５を形成し、レジストパターン１５をマスクとして半導体層２を所定の深さまでエッチングし、リセス１６とアライメントマーク用凹部１７を形成する。 - 特許庁 - The liquid crystal display wherein display is performed so that first and second images on a common display screen can be visually confirmed from respectively different directions is characterized in that an anti-glare layer (122) is provided on the front surface side of a liquid crystal panel (110).
本発明は、共通の表示画面上の第１の画像および第２の画像をそれぞれ異なる方向から視認できるように表示する液晶表示装置において、液晶パネル（１１０）の表面側にアンチグレア層（１２２）を具備することを特徴とする液晶表示装置である。 - 特許庁 - In the same low pressure CVD furnace, a buffer film is formed on a semiconductor wafer by introducing a first reaction gas in a step 2, an N2 gas is purged in the furnace in a step 3, and then a mask layer for oxidation resistance is formed on the buffer film.
同一の減圧ＣＶＤ炉内においてステップ２の第１の反応ガス導入により、半導体ウェハ上にバッファ膜を形成し、ステップ３の炉内Ｎ_2 ガスパージ後、ステップ４において第２の反応ガス導入によって上記バッファ膜上に耐酸化用のマスク層を形成する工程とを有する。 - 特許庁 - In the liquid crystal display element 31, a liquid crystal layer (not illustrated) is interposed between a pair of glass substrates 10 and 12, and a specified shaped micro-lens region having plural micro-lenses corresponding to pixels is formed on a first glass substrate 10 which is one substrate of the pair of substrates.
液晶表示素子３１には、一対のガラス基板１０，１２によって液晶層（不図示）が狭持されて成り、一対の基板の一方の第１のガラス基板１０上には、画素に対応した複数のマイクロレンズを有する一定形状のマイクロレンズ領域が作製されている。 - 特許庁 - To reduce the number of steps in a manufacture process, to prevent the defect of a contact between a substrate and a lower electrode (first electrode) and a cylinder fall and to improve yield by manufacturing a cylindrical capacitor having a support structure without using an adhesion enhanced layer.
密着性改善層を用いることなくサポート構造を有するシリンダ型キャパシタを作製することで、製造工程の工程数を削減し、基板と下部電極（第１の電極）とのコンタクト不良及びシリンダ倒れを防止し、歩留まりを向上させることを課題とする。 - 特許庁 - The humidifying device 240 comprises first to third bubble jetting bodies 242-246 on different positions of in a container 241, the hydrogen gas is jetted as bubbles from the one selected bubble jetting body, and the gas is humidified during a time when the bubbles rise and pass through a liquid layer in the container.
加湿装置２４０は、容器２４１の内部の異なる位置に第１〜第３気泡噴出体２４２〜２４６を備え、選択された一の気泡噴出体から水素ガスを気泡として噴出し、容器内の液層を気泡が上昇通過する間にガスを加湿する。 - 特許庁 - To prevent the deterioration of device characteristics due to lattice mismatching or an unclear impurity level in a light emitting thyristor in which first conductive and second conductive AlGaAs layers are alternately laminated in four layers on a GaAs buffer layer on a GaAs substrate.
ＧａＡｓ基板上のＧａＡｓバッファ層の上に、第１導電形および第２導電形のＡｌＧａＡｓ層が交互に４層積層された発光サイリスタにおいて、格子不整合や不明瞭な不純物準位の形によるデバイス特性の劣化のおそれがないようにする。 - 特許庁 - Each light emitting element U comprises a light emitter 20 composed by the lamination of a plurality of functional layers including a light emitting layer 23 which emits light when a current is applied, and a first wiring 11 (a positive pole) and a second wiring 12 (a negative pole) which face each other while sandwiching the light emitter 20.
各発光素子Ｕは、電流の供給により発光する発光層２３を含む複数の機能層を積層してなる発光体２０と、当該発光体２０を挟んで相互に対向する第１配線１１（陽極）および第２配線１２（陰極）とを備える。 - 特許庁 - Then, the battery 10 has a negative electrode 12 and a positive electrode 11 including a positive electrode first part 11a arranged at a position opposed to the negative electrode 12 while pinching an electrolyte cell, and a positive electrode third part 11c arranged on the negative electrode 12 while pinching an insulating layer 14a.
電池１０は、負極１２と、電解槽を挟んで負極１２に対向する位置に配置された正極第１部分１１ａおよび負極１２の上に絶縁層１４ａを挟んで配置された正極第３部分１１ｃを含む正極１１とを有する。 - 特許庁 - This silicon carbide material is obtained by forming one or plural layers of a polycrystal SiC film on the surface of a porous SiC, and forming the crystal face constituting the SiC at the first layer formed on the most outside surface therein into (111) face, (220) face, (220) face, (311) face or (222) face of β-type silicon carbide.
多孔質ＳｉＣの表面に１若しくは複数層の多結晶ＳｉＣ膜を形成し、そのうち最外表面に形成されている第１層目のＳｉＣを構成する結晶面を、β型炭化ケイ素の（１１１）面、（２００）面、（２２０）面、（３１１）面、（２２２）面とする。 - 特許庁 - The light diffusion layer 45 contains a first translucent light diffusion material 452 composed of silica particulates of a mean particle diameter 1 to 100 nm in an acrylic translucent resin 451, and a second translucent light diffusion material 452' composed of resin particulates of a mean particle diameter 1 to 15 μm in an acrylic translucent resin 451.
光拡散層４５は、アクリル系透光性樹脂４５１中に平均粒子径１ｎｍ〜１００ｎｍのシリカ微粒子からなる第１透光性光拡散材４５２及び平均粒子径１μｍ〜１５μｍの樹脂微粒子からなる第２透光性光拡散材４５２’を含有してなる。 - 特許庁 - A first region 15 comprising the p-type GaN group compound semiconductor including at least Ni is formed on the surface of a principal side 14b opposed to a principal side 14a of the p-type GaN group compound semiconductor 14 in contact with an MQW light emitting layer 13.
ＭＱＷ発光層１３と接触するｐ型ＧａＮ系化合物半導体１４の主面１４ａと対向する主面１４ｂの表面には、少なくともＮｉを含むｐ型ＧａＮ系化合物半導体で構成された第１の領域１５が形成されている。 - 特許庁 - In an electromechanical conversion device 10, a plurality of electromechanical conversion elements 2, which include a first electrode 3 and a second electrode 6 that are provided so as to face each other via an insulator 7, are formed on an insulating layer 5 formed on one surface of a semiconductor substrate 1.
電気機械変換装置１０では、絶縁部７を介して対向する位置に設けられた第１電極３と第２電極６とを含む電気機械変換エレメント２が半導体基板１の一方の面に形成された絶縁層５上に複数形成されている。 - 特許庁 - This organic EL panel 9 has the substrate 10, a laminated body 11 having at least a first electrode 13, a luminous layer 15a and a second electrode 16 which are laminated and formed on the substrate 10, and a sealing member 12 having an adhesive surface 12a glued on the substrate 10 with an adhesive G.
有機ＥＬパネル９は、基板１０と、基板１０に積層形成された少なくとも第一電極１３と発光層１５ａと第二電極１６とを有する積層体１１と、基板１０に接着剤Ｇによって接着される接着面１２ａを有する封止部材１２とを有する。 - 特許庁 - In the technique, after forming a Ni-Pt alloy film on a semiconductor substrate 1, a first heat treatment having a heat-treatment temperature of 210-310°C is performed by a heater heating apparatus as to form a Pt addition Ni silicide layer 33 of (PtNi)_2Si phase by making a Ni-Pt alloy film react on Si.
半導体基板１上にニッケル−白金合金膜を形成した後、熱処理温度が２１０〜３１０℃の１回目の熱処理をヒータ加熱装置で行うことで、ニッケル−白金合金膜とシリコンとを反応させて（ＰｔＮｉ）_２Ｓｉ相の白金添加ニッケルシリサイド層３３を形成する。 - 特許庁 - In the method of manufacturing a semiconductor device; a gate insulating film and a gate electrode are provided in this order on the substrate via the semiconductor thin-film layer, a gate electrode 7 is formed on one main surface of a first substrate 1, and a gate insulating film 9 is formed while covering the gate electrode 7.
基板上に半導体薄膜層を介してゲート絶縁膜とゲート電極とがこの順に設けられた半導体装置の製造方法であって、第１基板１の一主面上にゲート電極７を形成し、これを覆う状態でゲート絶縁膜９を形成する。 - 特許庁 - The method advances etching of a film to be etched by positioning a substrate (S) having laminated structure in which the film to be etched (F) is formed on a base layer (Z) in a space between a first electrode and a second electrode, and introducing etching gas into the space and generating a plasma.
本方法では、被エッチング膜（Ｆ）が下地層（Ｚ）上に形成された積層構造を持つ基板（Ｓ）を第１電極及び第２電極間の空間に位置させ、該空間内にエッチングガスを導入するとともにプラズマを発生させることで、前記被エッチング膜のエッチングを進行させる。 - 特許庁 - This magnetic head is provided with a first pole having a bulged rear gap part and a bulged writing gap part both having smooth and flat upper surfaces, and an insulating layer surrounding both gaps, and having a smooth and flat upper surfaces positioned in the same plane as that for both gap upper surfaces.
共に平滑な平坦上面を有する膨出後方ギャップ部及び膨出書き込みギャップ部を備えた第１極と、前記両ギャップを囲繞すると共に、該両ギャップの上面と同一平面内に位置する平滑な平坦上面を有する絶縁層とを備えている。 - 特許庁 - Both of the scattering films 10a, 10b constituting the scattering film layer 10 are forward scattering films which scatter transmitted light from a second incident angle region containing no film normal stronger than transmitted light from a first incident angle region containing the film normal.
この散乱フィルム層１０を構成する散乱フィルム１０ａ、１０ｂの双方を、フィルム法線方向を含む第１の入射角領域からの透過光よりもフィルム法線方向を含まない第２の入射角領域からの透過光を強く散乱させる前方散乱フィルムとする。 - 特許庁 - Then, after a double-layer sheet 5 is obtained by pressing the exposed surfaces of the sheets 2 and 4 against each other, while the sheets 2 and 4 are respectively adhered to the carrier films 1 and 3, the second carrier film 3 is removed while the sheet 5 is adhered to the first carrier film 1.
第１と第２のセラミックグリーンシート２，４をそれぞれ第１，第２のキャリアフィルム１，３に付けた状態で、その露出面どうしを対面圧着させ、複数層シート５を得た後、第１のキャリアフィルム１に複数層シート５を付けたまま、第２のキャリアフィルム３を剥がす。 - 特許庁 - The intermediate layer (6) includes both modules connected in series, and the first formed body (4) of the both formed bodies is formed by at least a part of the insulating substrate and the second formed body (5) is formed by at least a part of the arc extinguishing medium.
中間層(6) は直列に接続された両方のモジュールを含み、両方の成形体のうちの第一の成形体(4) は電気的に絶縁する基体の少なくとも一部により形成されかつ第二成形体(5) は消弧媒体の少なくとも一部により形成される。 - 特許庁 - This nonvolatile semiconductor storage device is provided with channel forming regions CH1, CH2a, CH2b, two source drain regions S/D composed of first conductivity semiconductor sandwiching the channel forming regions, and gate electrodes MGa, MGb which are formed on the channel forming regions interposing laminated layer films GD having charge storing ability.
チャネル形成領域ＣＨ１，ＣＨ２ａ，ＣＨ２ｂと、チャネル形成領域を挟む第１導電型半導体からなる２つのソース・ドレイン領域Ｓ／Ｄと、電荷蓄積能力を有した積層膜ＧＤを介在させてチャネル形成領域上に形成されたゲート電極ＭＧａ，ＭＧｂとを有している。 - 特許庁 - The DC current is either a constant value DC current, or a DC current that swept and/or stepped from a first value toward a second value in a manner whereupon the electric field and, hence, a DC voltage induced across the dielectric layer 4 increases as the DC current approaches the second value.
直流電流は一定値の直流電流、または直流電流が第２の値に近づくと電界、つまり誘電層４を横切って誘起される直流電圧が増大する形で、第１の値から第２の値へ掃引され、および／またはステップされる直流電流のいずれかである。 - 特許庁 - The method for dry etching a magnetoresistance effect element is composed of a magnetic multilayer film including at least two magnetic layers, wherein a second mask formed of one of Ru, Rh, Os, Nb, Ir, and Re is doubly stacked on a lower layer of a first mask formed of Ta.
少なくとも２層の磁性層を含む磁性多層膜からなる磁気抵抗効果素子のドライエッチング方法であって、Ｔａからなる第１のマスクの下層にＲｕ、Ｒｈ、Ｏｓ、Ｎｂ、Ｉｒ、及びＲｅのいずれか１つである第２のマスクを二重に積層する方法である。 - 特許庁 - To provide an ink jet recording medium which can meet first the wettability with ink, dyeing properties and water resistance, which is very excellent, secondly, in an image quality and the feel of gloss even when photocuring is used for forming an ink image receiving layer and which has high transparency thirdly, and a method for manufacturing the same.
第１はインクのぬれ性、染着性、耐水性を共に満足でき、第２はインク受像層形成に光硬化を用いても、画質や光沢感が非常に優れていること、第３は高い透明性を備えているインクジェット用記録媒体とその製造方法を提供する。 - 特許庁 - A second liquid droplet ejecting device ejects second liquid droplets D2 toward a plurality of second lattice points K2 regulated between the first lattice points adjacent to each other in the direction Y to laminate an alignment layer whose film thickness in regions on the streak parts A1 is made to be relatively thin on the transparent electrode.
そして、第二液滴吐出装置が、Ｙ方向に隣接する第一格子点の間に規定された複数の第二格子点Ｋ２に向けて第二液滴Ｄ２を吐出させ、スジ部Ａ１上の領域の膜厚を相対的に薄くした配向膜を前記透明電極に積層する。 - 特許庁 - To suppress the remainder after etching in the second insulating film 2 or generation of side etching for a device separating structure comprising the first and second insulating films for suppressing a mixed colors and avoiding short-circuiting in a display of an organic electroluminescence in which a luminescence layer is formed by an ink-jet process.
インクジェットプロセスにより発光層が形成される有機エレクトロルミネッセンス表示装置において、混色抑制と短絡回避のために、第１の絶縁膜および第２の絶縁膜を備えた素子分離構造に対して、第２の絶縁膜2のエッチング残さやサイドエッチの発生を、抑制する。 - 特許庁 - The composition comprises a mixture solvent of a first organic solvent (A) having a surface tension of than 32 mN/m or more and containing nitrogen in the molecule and a second organic solvent (B) having a surface tension of 32 mN/m or less, and a material for forming a liquid crystal alignment layer dissolved in the mixture solvent.
表面張力が３２ｍＮ／ｍ以上の、分子内に窒素を有する第１有機溶剤Ａと、表面張力が３２ｍＮ／ｍ未満の第１有機溶剤Ｂとを含む混合溶剤と、この混合溶剤に溶解されてなる液晶配向膜形成用材料と、を含有してなる。 - 特許庁
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