「First layer」を含む例文一覧(24476)
＜前へ 1 2 .... 469 470 471 472 473 474 475 476 477 .... 489 490 次へ＞- The semiconductor device comprises a fin-shape active region 12, a first gate insulating film 13t for covering the top surface of the active region, and a second gate insulating film 13s for covering the side of the active layer.
フィン状の活性領域１２と、活性領域の上面を覆う第１ゲート絶縁膜１３ｔと、活性領域の側面を覆う第２ゲート絶縁膜１３ｓとを備え、第１ゲート絶縁膜１３ｔの膜厚が第２ゲート絶縁膜１３ｓの膜厚よりも厚く構成される。 - 特許庁 - A vacuum deposition device is equipped with a wafer support substrate, a lamp heater, and a first and a second evaporation source that are all installed in the same vacuum device, and three processes of forming the barrier metal layer of the Schottky barrier diode, carrying out an annealing process, and forming a surface electrode are continuously carried out in the same vacuum device.
同一真空装置内にウェハ支持基板、ランプヒーター、第１および第２の蒸発源を設置した真空蒸着装置を用い、ショットキーバリアダイオードのバリアメタル層形成、アニール処理、表面電極形成の３工程を同一真空装置内で連続して行う。 - 特許庁 - The scanning line (806) is covered with a shielding electrode (816) through an insulator and the storage capacity part (817) is constituted of the planar overlapping of a semiconductor layer becoming the source and the drain of the transistor, a first insulation film (805) becoming a gate insulation film and the shielding electrode (816).
走査線（８０６）は、絶縁体を介してシールド電極（８１６）で覆われており、保持容量部（８１７）は、前記トランジスタのソース・ドレインとなる半導体層と、ゲート絶縁膜となる第1絶縁膜（８０５）と、前記シールド電極（８１６）とが平面的な重なりにより構成されてなる。 - 特許庁 - The light-emitting part is provided above the first semiconductor layer and includes a plurality of barrier layers and well layers that are provided between the adjacent plurality of barrier layers, have a smaller band gap energy than that of the plurality of barrier layers, and have a thickness thicker than that of the plurality of barrier layers.
前記発光部は、前記第１半導体層の上に設けられ、複数の障壁層と、前記複数の障壁層どうしの間に設けられ、前記複数の障壁層のバンドギャップエネルギーよりも小さいバンドギャップエネルギーを有し、前記複数の障壁層の厚さよりも厚い井戸層と、を含む。 - 特許庁 - By the use of a load locked type sputtering device with a front chamber and a film-forming chamber, with niobium as the target in the formation of the first superconductive material and with magnesium oxide as the target in the formation of the second dielectric layer, the above formations can be continuously laminated under the same vacuum.
前室と成膜室とを備えるロードロック式スパッタリング装置を用い、第一超伝導体層の形成にはニオブをターゲットとし、引き続き、第二誘電体層の形成には酸化マグネシウムをターゲットとして、同一真空下で連続的に成層するようにしてもよい。 - 特許庁 - High temperature thermal crimping in a cover film pasting process and a reinforcement plate sticking process is made possible by treating an anisotropic conductive adhesive layer forming process in the first connecting part as a later process than other processes, and reliability of a second connecting part is enhanced by using a heat resistant material.
第１接続部における異方導電性接着剤層形成工程を他の工程より後工程とすることにより、カバーフィルム貼り合わせ工程及び補強板接着工程での高温加熱圧着を可能とし、耐熱性材料を用いることにより、第２接続部の信頼性を高める。 - 特許庁 - The electrode system comprises a first part 25 made of a metal film 31 whose thickness is 1,000Å or less; and a second part 26 having a metal foundation film 27 whose thickness is 1,000 Å or less and a metal upper layer film 28 whose thickness is at least 300 Å on the metal foundation film.
電極系が、厚さ１０００オングストローム以下の金属膜３１からなる第一の部分２５と、厚さ１０００オングストローム以下の金属下地膜２７およびこの金属下地膜上の厚さ３００オングストローム以上の金属上層膜２８を備える第二の部分２６とを含む。 - 特許庁 - The ultrasonic probe includes a plurality of ultrasonic transducers, a flexible printed wiring board including a plurality of first wiring portions, on the upper surface of a base member, each of which has a width smaller than the width of each ultrasonic transducer in the array direction, and a lining layer provided on the second surface of the base member.
複数の超音波振動子と、ベース材の上面に各超音波振動子の配列方向幅よりも狭い幅を有する複数の第１の配線部を有するフレキシブル印刷配線基板と、ベース材の第２の面に設けられる裏打ち層と、を具備する超音波プローブである。 - 特許庁 - An input and output port of a processing module PM, respective memory interfaces IF and respective memory banks are connected by connection wires wired in matrix (lattice) shape along a Y-direction (the first direction) and an X-direction (the second direction) in an arrangement area (upper layer thereof) for a plurality of memory macros.
処理モジュールＰＭの入出力ポートと、各メモリインタフェースＩＦと、各メモリバンクとは、複数のメモリマクロの配置領域（の上層）にＹ方向（第１方向）およびＸ方向（第２方向）にマトリクス状（格子状）に配線された接続配線により接続されている。 - 特許庁 - A first interior panel 21 and a second interior panel 22 include: panel bodies 23 and 33 that have the light transmission of the grain pattern etc., and are provided with an opaque colored layer that can be visually checked from the surface; and an inorganic EL light emission film that is integrated with the back side of the panel bodies 23 and 33.
第１インテリアパネル21および第２インテリアパネル22は、木目柄などの光透過性を有するとともに不透明の着色層を表面から視認可能に設けたパネル本体23，33と、これらのパネル本体23，33の裏面に一体化した無機ＥＬ発光フィルムとを具備している。 - 特許庁 - The optical film comprises at least a support and a first functional layer which is laminated on the support and contains a hydrophobic compound and an additive, wherein following numerical formulas (1) to (4) are satisfied and the moisture permeability at 60°C, 95% relative humidity is 600 g/m^2×day or less.
支持体と、該支持体上に積層され、疎水性化合物と添加剤とを含む第１の機能性層とを少なくとも有し、下記数式（１）〜（４）を満たし、かつ６０℃、９５％相対湿度での透湿度が、６００ｇ／ｍ^２・ｄａｙ以下であることを特徴とする光学フィルム等である。 - 特許庁 - This protective clothing has a laminated body (first sheet 14 composed of woven fabric of PBO fiber and second sheet 16 made out of polyarylate felt) made out of the fiber of high strength and having tensile strength of 17cN/dtex or more and tensile elastic modulus of 450 cN/dtex or more, and a metallic mesh layer 22 formed between the sheets 14, 16.
防護衣は、引張強度が１７ｃＮ／ｄｔｅｘ以上、引張弾性率が４５０ｃＮ／ｄｔｅｘ以上である高強度繊維の積層体（ＰＢＯ繊維の織物からなる第１のシート１４およびポリアリレートフェルトの第２のシート１６）と、シート１４、１６の間に介在する金属メッシュ層２２とを有する。 - 特許庁 - The particles for an antiglare film have an average particle diameter of 0.8-10 μm and comprise (a) a core particle comprising a first polymer and (b) a shell layer comprising a second polymer, coating at least part of the surface of the core particle (a) and having a thickness of 0.1-2.0 μm.
第一の重合体からなる（ａ）コア粒子と、前記（ａ）コア粒子の表面の少なくとも一部を被覆し、その厚みが０．１〜２．０μｍの範囲である、第二の重合体からなる（ｂ）シェル層と、を備え、その平均粒子径が、０．８〜１０μｍであるアンチグレアフィルム用粒子。 - 特許庁 - In an illumination structure, a side to be illuminated of a light emission device 10 has a double layer structure comprising a first housing case 20 and a second housing case 30, and an EL sheet 40 is laminated between both the cases on a surface on a design side of the second housing case 30.
本発明の照光構造は、発光装置１０の照光させたい側を第一筐体ケース２０と第二筐体ケース３０の二層構造とし、ＥＬシート４０を両ケースの間であり第二筐体ケース３０の意匠側表面に積層する構造を特徴とする。 - 特許庁 - An upper stage (first supporting body) 101a and a lower stage (second supporting body) 101b are formed on the surface of a substrate 101, and a catalyst metal layer 111 which is made of a catalyst metal such as iron or cobalt, etc. and of which thickness is around 0.06-0.5 nm is formed in the upper stage 101a.
基板１０１の表面には、上段部（第１支持体）１０１ａと下段部（第２支持体）１０１ｂが形成され、上段部１０１ａには、例えば鉄やコバルトなどの触媒金属からなる膜厚０．０６〜０．５ｎｍ程度の触媒金属層１１１が形成されている。 - 特許庁 - The housing 16 has a first inserting opening 20 for passing a wire rod 18 through to cut the wire rod, a second inserting opening 24 for passing the wire rod through to remove its peripheral sheath 22, and a third inserting opening 28 for passing the wire rod through to strip off its luminous layer 26.
ハウジング１６は線材１８を切断するために線材を通す第１の挿入口２０と、外周被覆２２を除去するために線材を通す第２の挿入口２４と、発光層２６を剥ぎ取るために線材を通す第３の挿入口２８とを有している。 - 特許庁 - Then, after a contact pad 54 is formed, a protective film 30 is formed, which is composed of a first resin film 30a formed only in the tip of the pole chip 18 and around it, a metal film 30b formed on the full surface of the element layer 16, and a second resin film 30c formed on the metal film 30b.
次に、接触パッド５４を形成した後、ポールチップ１８先端及びその周囲にのみ形成された第１樹脂膜３０ａと、素子層１６全面に形成された金属膜３０ｂと、金属膜３０ｂの上に形成された第２樹脂膜３０ｃからなる保護膜３０を形成する。 - 特許庁 - The laminated piezo-electric element has a ceramic laminated body 10 where a piezo-electric layer 11 and inside electrodes 21, 22 are laminated alternately and where a first side electrode 31 and a second side electrode 32 are located on the sides 101, 102 of the ceramic laminated body 10.
積層型圧電体素子１は、圧電層１１と内部電極２１、２２とを交互に積層してなるセラミック積層体１０を有し、セラミック積層体１０の側面１０１、１０２に第１側面電極３１及び第２側面電極３２を設けた積層型圧電体素子である。 - 特許庁 - The delivery slip D includes a second half cut part 8 cut from a separator 5 toward the layer of an adhesive 4 so that when the separator 5 is peeled, a part of the separator 5 is left as a reinforcing part R below a first half cut part 7.
配送伝票Ｄは、セパレータ５から粘着剤４の層に向けて切り込み形成されるとともに、当該セパレータ５を剥離したときに、第１のハーフカット部７の下方に補強部Ｒとして当該セパレータ５の一部が残るようにする第２のハーフカット部８、を備えるものとする。 - 特許庁 - Subsequently, an insulating material 12 is deposited on the substrate 1 to cover the laminate and the conductive material 11 is polished together with the insulating material 12 thus forming first and second electrode parts 2 and 3 and an insulator layer 4 having flattened upper surface on the substrate 1.
次いで、この積層体を覆うように基板１上に絶縁材料１２を成膜した後、導体材料１１と絶縁材料１２を研磨することにより、基板１上に上面が平坦化された第１および第２の電極部２，３と絶縁体層４を形成する。 - 特許庁 - In the storage capacitance, a first capacitance electrode (13) which is formed of the same film as that of the scanning lines and a second capacitance electrode (33) formed of the same film as that of a barrier layer (34) for relay-connecting between the pixel electrode and the TFT are arranged facing each other through a dielectric film (42).
蓄積容量は、走査線と同一膜からなる第１容量電極（１３）と、画素電極及びＴＦＴ間を中継接続するバリア層（３４）と同一膜からなる第２容量電極（３３）とが、誘電体膜（４２）を介して対向配置されてなる。 - 特許庁 - A reflection type exposure mask comprises a substrate 11, a reflective layer 14 and a mask pattern 15 formed on a first surface side of the substrate 11, a conductive film 12 formed on a second surface side of the substrate 11, and an elastically deformable body 13 formed in a part of a region on the conductive film 12.
基板１１と、基板１１の第１の面側に形成された反射層１４及びマスクパターン１５と、基板１１の第２の面側に形成された導電膜１２と、導電膜１２上の一部の領域に形成された弾性変形体１３とを有する反射型露光マスクを提供する。 - 特許庁 - Since the second light shielding area such as a black matrix is extremely thin in comparison with the first light shielding area such as the peripheral breaking parts, it is difficult to form the respective layers as thickness as designed values in the case of laminating a plurality of layers and the layer thickness of the second light shielding area tends to become thinner.
ブラックマトリクスなどの第２の遮光領域は、周辺見切りなどの第１の遮光領域と比べて非常に細いので、複数の層を積層する際に設計値通りの厚さに各層を形成することが困難であり、第２の遮光領域は層厚が薄くなる傾向がある。 - 特許庁 - The multilayer ceramic body 10 has an internal electrode layer 12 consisting of an internal electrode part 120, formed by calcining a first electrode material, and a bracing part 129 where the outer circumferential end part of the inner electrode part 120 is braced inwardly, from the outer circumferential surface of the multilayer ceramic body 10.
セラミック積層体１０は、第１の電極材料を焼成してなる内部電極部１２０と、該内部電極部１２０の外周端部がセラミック積層体１０の外周面から内方に控えた控え部１２９とよりなる内部電極層１２を有している。 - 特許庁 - The control method comprises a step of monitoring a link signal generated by the Ethernet physical layer transceiver when the power line adapter operates in an active mode, and of cutting off the DC supply voltage from the power line communication circuit to establish the power saving mode when the link signal shows first period cut-off.
制御方法は、電力線アダプタが活動モードで動作する時、イーサネット物理層トランシーバによって生成されるリンク信号を監視し、リンク信号が第１の期間切断を示す時、ＤＣ供給電圧を電力線通信回路から切断し、省電力モードに入る工程を備える。 - 特許庁 - The plurality of hexagonal-pyramid cavities of the second nitride semiconductor stack are filled with the first transparent conductive oxide layer, and a low-resistance ohmic contact is generated on the inner surfaces of the plurality of hexagonal-pyramid cavities so as to decrease the operation voltage and improve light-emitting efficiency of the light-emitting device.
第二の窒化物半導体スタックの複数の六角形のピラミッド型の孔は、第一の透明導電性の酸化物層で満たされ、低い抵抗のオーミック接触は、操作電圧を減じ、発光装置の発光効率を改善するように、複数の六角形のピラミッド型の孔の内面で発生する。 - 特許庁 - The thermal conduction layer 22 is composed of an insulation board 24, a first joining material 26 including an active element for joining the insulation board 24 on the heat sink material 20, a second joining material 28 formed on the insulation board 24, and an electrode 30 formed on the second joining material 28.
熱伝導層２２は、絶縁基板２４と、該絶縁基板２４をヒートシンク材２０に接合するための活性元素を含む第１の接合材２６と、前記絶縁基板２４上に形成された第２の接合材２８と、該第２の接合材２８上に形成された電極３０とから構成される。 - 特許庁 - The semiconductor device is provided with a second capacitor which is formed by providing an upper electrode 540, on the upper side of a first electrode 520 (surface strap) electrically connecting a source diffused layer S of a MOS transistor and a storage electrode 330 of a deep trench capacitor C_DT, by means of a second insulating film 530.
ＭＯＳトランジスタのソース拡散層ＳとディープトレンチキャパシタＣ_ＤＴのストレージ電極３３０を電気的に接続する第一の電極（サーフェスストラップ）５２０上部に、第二の絶縁膜５３０を介して上部電極５４０を形成し、第二のキャパシタを備える。 - 特許庁 - A dichroic dye 12 is added to the nematic liquid crystal constituting the first liquid crystal layer 5 so as to give a function as an absorbing means for external light to absorb the light 14 made incident from the display face side through the polarizing plate 10 in the dark display mode of transmission display.
ここで、第１の液晶層５を構成するネマチック液晶には、二色性色素１２が添加されており、透過表示の暗表示に表示面側から偏光板１０を介して入射する光１４を吸収する外光吸収手段としての機能が付与されている。 - 特許庁 - Then, many second linear metal layers 22B, arranged in other directions different from the one direction, are formed on the transparent base 21 through mask vapor deposition, and the mesh-like metal layer 22 is formed of these first linear metal layers 22A and the second linear metal layers 22B.
次に、透明基材２１上に、マスク蒸着により、一方向と異なる方向の他方向に並ぶ直線状の多数の第２直線状金属層２２Ｂを形成し、これら第１直線状金属層２２Ａと第２直線状金属層２２Ｂとによってメッシュ状金属層２２を形成する。 - 特許庁 - A first and a second magnetic shielding layers 60a, 60b are respectively formed beneath a transistor part 20 on the device-packaging side of an MRAM device 10 and on a bit line 50 of the opposite side of the device-packaging side, and a passivation film 70 is formed on the second magnetic shield layer 60b.
ＭＲＡＭ素子１０の素子実装面側のトランジスタ部２０下面および素子実装面側と反対側のビット線５０上面に、軟磁性金属を用いて第１，第２の磁気シールド層６０ａ，６０ｂをそれぞれ形成し、第２の磁気シールド層６０ｂ上にはパシベーション膜７０を形成する。 - 特許庁 - An electrochemical capacitor comprises separators 110 and 130 of winding type each including at least two stacked layers, which are wound in a spiral manner, and first and second electrodes 120n to 120n-5 and 140n to 140n-4 of stacked layer type which are alternately overlapped between the wound separators 110 and 130.
少なくとも２つが積層され螺旋状に巻き取られる巻取りタイプのセパレータ１１０、１３０と該巻き取られたセパレータ１１０、１３０間に交互に重なって介在する積層タイプの第１及び第２の電極１２０ｎ〜１２０ｎ−５、１４０ｎ〜１４０ｎ−４とを含む。 - 特許庁 - A light-emitting region 41 emitting light and a light-transmissive region 42 transmitting light are provided in a region corresponding to each pixel on a first substrate 31, and a light reflecting layer 13 is provided on a second substrate 32, and the light-emitting region 41 is disposed in an approximate center of each pixel.
第一の基板側３１の各画素に対応する領域に、光を発光する発光領域４１と光を透過する光透過領域４２とを設け、第二の基板側３２に光反射層１３を設け、発光領域４１を各画素のほぼ中央に配置する。 - 特許庁 - In a prism 10, a first translucent substrate 11 and a second translucent substrate 12 adjacent to each other are bonded to each other while sandwiching a polarization separation film 13 and a bonding layer 14 so that the incident light is separated into P polarization and S polarization and the P polarization is reflected and the S polarization is made pass through.
互いに隣り合う第一透光性基材１１及び第二透光性基材１２を偏光分離膜１３と接合層１４とを挟んで接合し入射光をＰ偏光とＳ偏光とに分離するとともにＰ偏光を反射しＳ偏光を透過させるプリズム１０。 - 特許庁 - The protective film 32 has an SiN film of 20 nm thick for generating a compressive stress as a first protective film 32a and an SiO2 film of 20 nm thick for generating a tensile stress as a second protective film 32b in the form of a two-layer laminate structure.
保護膜３２は、第１の保護膜３２ａとして成膜され、圧縮応力を発生させる膜厚２０ｎｍのＳｉＮ膜と、第２の保護膜３２ｂとして成膜され、引っ張り応力を発生させる膜厚２０ｎｍのＳｉＯ_2 膜との２層の積層構造として形成されている。 - 特許庁 - A multilayer film made of a niobium oxide film with the film thickness of 5 nm and the refractive index of 2.30 and a silicon oxide film with the film thickness of 55 nm and the refractive index of 1.45 is formed on a lower layer side of the first light-transmitting electrode pattern 11 and the second light-transmitting electrode pattern 12.
また、第１の透光性電極パターン１１および第２の透光性電極パターン１２の下層側には、膜厚が５ｎｍで屈折率が２．３０のニオブ酸化膜、および膜厚が５５ｎｍで屈折率が１．４５のシリコン酸化膜からなる多層膜が形成されている。 - 特許庁 - First, a positive electrode is formed on the substrate 2, and then an organic material is applied in a lined form passing through a sealing region 11 so that part of the organic material extends from the sealing region 11 where the sealing plate 4 is pasted and sealed thereto, to form the lined organic layer 5.
まず基板２に陽極を形成し、次に封止板４が貼り合わされて封止される封止領域１１から有機材料の一部が延伸するように、封止領域１１を通って有機材料をライン状に塗布して、ライン状の有機層５を形成する。 - 特許庁 - The conductor 10 or the conductor 16 is made a bit line 32, and the first electrode section 12 is made a word line 33 to apply voltage or an electric current to the variable resistance layer 14 containing a metal oxide as a main component, thus achieving the resistance change of the memory bit part 1.
導電体１０あるいは導電体１６をビット線３２とし、第１電極部１２をワード線３３とし、金属酸化物を主成分とした抵抗変化層１４に電圧あるいは電流を印加することにより、メモリビット部１の抵抗変化を実現できる。 - 特許庁 - A second gate electrode 20 is provided on the second surface 14b via a second gate insulating film 21 so that one side of a second inversion layer 24 induced by application of a second gate voltage Vg2 contacts the second impurity region 16, and the other side is spaced apart from the first impurity region 15.
第２ゲート電極２０は、第２ゲート絶縁膜２１を介して第２の面１４ｂに、第２ゲート電圧Ｖｇ２が印加されると生じる第２反転層２４の一側が第２不純物領域１６に接触し、他側が第１不純物領域１５から離間するように配設されている。 - 特許庁 - The recording medium further includes a thermal deformation suppressing layer formed on the second surface of the resin substrate excluding the inner peripheral area of a predetermined width from the center hole, the recording area, and the outer peripheral side nonrecording area, and having a second thermal expansion factor smaller than the first thermal expansion factor.
記録媒体は更に、中心穴から所定幅の内周領域、記録領域及び外周側非記録領域を除き、樹脂基板の第２面上に形成された、第１の熱膨張率より小さな第２の熱膨張率を有する熱変形抑制層を含んでいる。 - 特許庁 - The retardation layer 29 has a function of preventing reduction of contrast of a projected image by controlling a polarization direction of a skew ray R made incident at an angle inclined from an incident axis A1 vertical to the side surface of the first PBS 17 and interrupting needless light which does not contribute as image light.
位相差層２９は、第１ＰＢＳ１７の側面に垂直な入射軸Ａ１から傾いた角度で入射するスキュー光線Ｒの偏光方向を制御し、画像光として寄与しない不要な光を遮断することにより、投映画像のコントラストが低下することを防止する作用をする。 - 特許庁 - A light-shielding electrically conductive layer 80a made of a material different from the material to form the data lines is formed in an island state in the non-opening region of pixels which is between the data lines adjacent to each other on a first interlayer insulating film 4 and which extends along the scanning lines and capacitor lines.
第１層間絶縁膜４上の相隣接するデータ線間であって前記走査線及び容量線に沿って伸びる画素の非開口領域に、データ線の形成材料とは異なる材料からなる遮光性の導電層８０ａを島状に設ける。 - 特許庁 - This adhesive film is equipped with an adhesive layer consisting of (A) a component having a high molecular weight containing a functional group and having ≥100,000 weight-average molecular weight, (B) a thermosetting resin containing a tris-epoxy resin and (C) a resin composition containing a first filler having ≥30 m^2/g BET specific surface area.
（Ａ）官能基を含む重量平均分子量が１０万以上である高分子量成分、（Ｂ）トリスエポキシ樹脂を含む熱硬化性樹脂、及び（Ｃ）ＢＥＴ比表面積が３０ｍ^２／ｇ以上の第１のフィラーを含有する樹脂組成物からなる接着剤層を備える接着フィルム。 - 特許庁 - The overall surface of an edge part of an optical surface (upper spherical surface in the drawing) except for specified width of it is covered with the thin film 11 on an upper spherical surface at the first stage to cover and work a resin layer on the upper spherical surface to form the composite optical element on the base material lens 6 made of glass.
ガラス製の基材レンズ６は複合光学素子を形成するために上球面に樹脂層を被着加工する前段において、その上球面に予め薄膜１１が基材レンズ６の光学面（図の例では上球面）の縁部の所定幅を除く全面に被着されている。 - 特許庁 - An SiO_2 film 48A is formed by a sputtering process on the surface of a first plate 34 before forming a nozzle for discharging a liquid droplet, then a fluorine-based water repellent film 48B is formed on the SiO_2 film 48A by a vapor deposition method and polymerized by heat to form the water repellent layer 48.
液滴を吐出するためのノズルを形成する前の第１のプレート３４表面に、スパッタ法でＳｉＯ_２膜４８Ａを形成し、このＳｉＯ_２膜４８Ａの上にフッ素系撥水膜４８Ｂを蒸着法で形成した後、加熱により重合処理して撥水層４８を形成する。 - 特許庁 - A broad buffer structure is formed by irradiating proton to a semiconductor substrate and performing heat treatment, wherein the carbon concentration of a potion, in which the impurity concentration of a first semiconductor layer 1 become maximum, is 6.0×10^15 atoms/cm^3 or more and 2.0×10^17 atoms/cm^3 or less.
第１半導体層１の不純物濃度が極大となる箇所の炭素濃度が６．０×１０^15ａｔｏｍｓ／ｃｍ^3以上２．０×１０^17ａｔｏｍｓ／ｃｍ^3以下である半導体基板に、プロトンを照射して、熱処理をおこなうことでブロードバッファ構造を形成する。 - 特許庁 - In this case, since luminance distribution of the first display image 105 can be uniformalized by the diffusion layer 4, an image 121 of B in the second display image 110 can be blurred and thus, the occurrence of a duplicated image in the second display image 110 can be suppressed.
この場合、拡散層４により第１の表示像１０５の輝度分布を均一化することができるため、第２の表示像１１０におけるＢの像１２１をぼかすことができ、よって、第２の表示像１１０における２重像の発生を抑制することができる。 - 特許庁 - In the light emitting semiconductor layer 4 and first electrode 6, there are two convexities 41 and 61 projecting ahead in a trapezoidal shape and two concavities 43 and 63 projecting aback in a trapezoidal shape which engage with each other, and both convexities 41 and 61 are positioned with a constant distance.
発光半導体層４及び第１電極６は、対面する方向に略台形状に突出する複数の凸部４１，６１と、これら凸部４１，６１が入り込む略逆台形状の凹部４３，６３を有し、かつ両凸部４１，６１の間隔を略一定にしてなる。 - 特許庁 - The double-woven towel is such that, a first double-sided pile towel cloth 2 and a second double-sided pile towel cloth 3 are laminatedly unified via binding warps 4, and both of them are woven, respectively, with uneven patterns 5 and 6 identified as normal image from the respective obverse surface layer sides.
第１両面パイルタオル地２と第２両面パイルタオル地３を結合経糸４により積層状態に一体化してなり、第１両面パイルタオル地２と第２両面パイルタオル地３にそれぞれの表面層側から正像として識別される凹凸紋様５、６が織成される。 - 特許庁 - Crack resistance is improved in the first and the second interlayer insulating films 13 and 14 because of the adhesiveness of the PSG films 13a and 14a, and the thermal diffusion of phosphorus out of the PSG films 13a and 14a into the semiconductor layer 1a is prevented by the NSG films 13b and 14b.
これにより、ＰＳＧ膜１３ａ，１４ａの粘性によって第１，第２層間絶縁膜１３，１４のクラック耐性を向上させるとともに、ＮＳＧ膜１３ｂ，１４ｂによってＰＳＧ膜１３ａ，１４ａ中のリンが半導体層１ａに熱拡散されることを防止する。 - 特許庁
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