「First layer」を含む例文一覧(24476)
＜前へ 1 2 .... 467 468 469 470 471 472 473 474 475 .... 489 490 次へ＞- The inner electrode layer obtained from the conductive particles is composed of a first metal part with the nickel as a main component and a second metal part having at least one kind of element selected from ruthenium (Ru), rhodium (Rh), rhenium (Re), platinum (Pt), iridium (Ir), and osmium (Os) as a main component.
この導電性粒子により得られる内部電極層は、ニッケルを主成分とする第１金属部と、ルテニウム（Ｒｕ）、ロジウム（Ｒｈ）、レニウム（Ｒｅ）、白金（Ｐｔ）、イリジウム（Ｉｒ）およびオスミウム（Ｏｓ）から選ばれる少なくとも１種の元素を主成分として有する第２金属部とを有する。 - 特許庁 - Between two electrodes 2 and 4 arranged opposite to each other in this organic EL element 9, an organic layer 3 containing a copolymer comprising a first monomer having one polymerizing functional group, and a second monomer having two or more polymerizing functional groups; and a luminescent dopant is formed.
有機ＥＬ素子９の互いに対向して配置された２つの電極２、４間に、１個の重合性官能基を有する第１モノマーと２個以上の重合性官能基を有する第２モノマーとのコポリマー及び発光性ドーパントを含有する有機層３を設ける。 - 特許庁 - A method for manufacturing a semiconductor device contains forming a plurality of through electrodes 54 which penetrate through first and second planes 20, 21 of a semiconductor substrate having an active element region 12, and a conductive layer 38 electrically connected to at least one of the plurality of through electrodes 54.
半導体装置の製造方法は、能動素子領域１２を有する半導体基板の、第１及び第２の面２０，２１を貫通する複数の貫通電極５４と、複数の貫通電極５４の少なくとも１つに電気的に接続してなる導電層３８と、を形成することを含む。 - 特許庁 - The voltage nonlinear resistor porcelain composition which constitutes a voltage nonlinear resistor layer 11 has a main component containing zinc oxide, a first sub-component containing oxide of rare earth metal, a second sub-component containing oxide of Ca, and a third sub-component containing oxide of Si.
電圧非直線性抵抗体層１１を構成する電圧非直線性抵抗体磁器組成物は、酸化亜鉛を含む主成分と、希土類金属の酸化物を含む第１副成分と、Ｃａの酸化物を含む第２副成分と、Ｓｉの酸化物を含む第３副成分と、を有している。 - 特許庁 - In the thermal recording material, a thermal recording layer containing at least first developing particles containing a phenol resin, second developing particles containing a developing substance other than the phenol resin, and coloring substance is formed on a support.
本発明の感熱記録材料は、フェノール樹脂を含有する第１の顕色性粒子と、フェノール樹脂以外の顕色性物質を含有する第２の顕色性粒子と、発色性物質とを少なくとも含む感熱記録層を支持体上に形成した感熱記録材料である。 - 特許庁 - Alternatively, a metal foil to form the negative electrode current collector 21 is prepared separately from the first laminate, and a second laminate 2 is fabricated by forming an adhesive layer 40 composed of an element selected from Si, Al, Ga, Ge, In, Sn, Tl, and Pb on one face side of that metal foil by a vapor-phase method.
一方、第一積層体１とは別個に、負極集電体２１となる金属箔を用意し、その金属箔の一面側に、Ｓｉ，Ａｌ，Ｇａ，Ｇｅ，Ｉｎ，Ｓｎ，ＴｌおよびＰｂから選択される元素からなる接着層４０を気相法により形成して第二積層体２を作製する。 - 特許庁 - Among the incident light, the light reflecting on an upper surface of a gate electrode 504 of the transfer MOS transistor, is reflected on a first layer metal 521 right above a poly silicon, and a plurality times of reflection are repeated before coming into the floating diffusion part, thereby, the light reduces sufficiently, and a false signal becomes very small.
入射光のうち、転送ＭＯＳトランジスタのゲート電極５０４上面で反射した光は、ポリシリコン直上の第一層メタル５２１で反射されるので、フローティングディフュージョン部に入射する前に複数回の反射を繰り返すので、充分に減衰し、偽信号はきわめて小さくなる。 - 特許庁 - By calibrating the correction coefficient, the correction coefficient supposed to be proper is obtained according to a layer position where actual recording is performed, a drive device (optical system), and a difference of disks, so that the shift of an information recording position with the first light can be corrected precisely.
このような補正係数についてのキャリブレーションを行うことで、実際に記録を行う層位置やドライブ装置（光学系）、ディスクの違いに応じて適正とされる補正係数を求めることができ、第１の光による情報記録位置のずれをより高精度に補正できる。 - 特許庁 - On a first dielectric substrate 2, a signal conductor pattern 21, and belt-like surface ground conductor patterns 22a, 22b are formed on the surface, and a cavity 5 is formed by eliminating an interval to the rear surface leaving the surface side layer right under a partial area of the signal conductor pattern 21.
第１の誘電体基板２は、表面に信号導体パターン２１と帯状表面グランド導体パターン２２ａ，２２ｂとが形成され、信号導体パターン２１の一部領域の直下に、表面側層を残して裏面までの間を削除して空洞５が形成されている。 - 特許庁 - In both surfaces of the solid polymer electrolyte membrane 80 of the first electrolyte membrane and electrode structure 16a, an outer peripheral edge part 80b opposite to an inlet buffer part 52 is exposed outside, and a reinforcing film 86 smaller in thickness than a gas diffusion layer 84a is provided only in the outer peripheral edge part 80b.
第１電解質膜・電極構造体１６ａの固体高分子電解質膜８０の両面では、入口バッファ部５２に対向する外周縁部８０ｂが外部に露呈し、前記外周縁部８０ｂにのみ、ガス拡散層８４ａよりも薄膜な補強フイルム８６が設けられる。 - 特許庁 - A channel region 108 of the MOS transistor 106 is provided with a distortion introduction element by a first trench structure 55a and a second trench structure 55b, and also with a silicon-nitride cap layer 130 conformally provided on a surface of the MOS transistor 106 as another distortion introduction element.
ＭＯＳトランジスタ１０６のチャネル領域１０８に、第１トレンチ構造５５ａ、第２トレンチ構造５５ｂによる歪み導入要素だけでなく、別の歪み導入要素として、ＭＯＳトランジスタ１０６表面上にコンフォーマルに設けられた窒化シリコンキャップ層１３０を設ける。 - 特許庁 - The front plate for display includes a glass substrate having a first surface and a second surface and a ceramic layer formed on at least a part of a marginal area of the second surface, wherein stress strain unevenness within the surface is significantly suppressed.
第１の表面および第２の表面を有するガラス基板と、前記第２の表面の周縁部の少なくとも一部に設置されたセラミック層とを有するディスプレイ用の前面板であって、面内の応力ひずみムラが有意に抑制されていることを特徴とするディスプレイ用の前面板。 - 特許庁 - To provide a method of manufacturing a superjunction semiconductor device that is prevented from decreasing in breakdown voltage by preventing variance in impurity concentration due to impurity concentration variation or overdoping when a lightly doped first conductivity type epitaxial layer of a peripheral edge breakdown-voltage structure portion is formed.
周縁耐圧構造部における低濃度第１導電型エピタキシャル層の形成の際の不純物濃度変動またはオートドープによる不純物濃度ばらつきを防ぎ、耐圧の低下を防ぐことのできる超接合半導体装置の製造方法を提供すること。 - 特許庁 - Second low electrical potential wiring conductors 39 arranged mutually separated along the arranged direction of the heating parts 11 are connected in common to one first low electrical potential wiring conductor 33 by a plurality of conductive connectors 43 piercing an electrically insulating layer 23.
発熱部１１の配列方向に沿って互いに離間して配列された複数の第２層低電位配線導体３９が、電気絶縁層２３を貫通する複数の導電接続体４３によって１つの第１層低電位配線導体３３に共通して接続されている。 - 特許庁 - Thus, as the first gold-plated layer 13 with a given film thickness is formed at a part where electric conduction with the female terminal fitting F is necessary, durability unchanged from the prior art is maintained, and, as film thicknesses of gold-plated layers of other sites are lowered, a use volume of gold can be reduced.
このように、雌端子金具Ｆとの電気的導通に必要な部分は所定の膜厚をもった第１の金メッキ層１３を形成することで、従来と変わらぬ耐久性を保持し、他の部位の金メッキ層の膜厚を低下させることで、金の使用量を低減させうる。 - 特許庁 - In the fixing member 62, a surface layer 2 is composed of, for example: a first band section 4 (heat resistance resin section 4) composed of a resin composition containing a heat resistant resin having releasability; and a second band section 6 (reinforcing section 6) having a higher mechanical strength than the resin composition.
定着部材６２において、例えば、離型性を持つ耐熱性樹脂を含む樹脂組成物で構成された第１の帯状部分４（耐熱性樹脂部４）と、樹脂組成物よりも機械的強度が高い第２の帯状部分６（補強部６）とで、表面層２を構成する。 - 特許庁 - A first current collecting part 103 of a current collector 102 is composed of a plane part 105 of the current collector 102, a side 105a of the current collector, and an outside electrode layer 92 of a cell unit 16 of the fuel cell, and includes a space 107 in which a conductive adhesive is arranged.
本発明では、集電体１０２の第１の集電部１０３は、集電体１０２の平面部１０５と、集電体の側面部１０５ａと、燃料電池セルユニット１６の外側電極層９２とで形成され、導電性接着剤が配置される空間部１０７を備えられている。 - 特許庁 - The seal material is provided so as to pile on a recessed part (200) formed so as to surround a region in which the electro-optical layer is provided at a plane facing the second substrate in the first substrate, and the recessed part is formed by at least non-organic insulating film being removed partially.
シール材は、第１基板における第２基板と対向する面に電気光学層が設けられた領域を囲むように形成された凹部（２００）に重なるように設けられており、凹部は、少なくとも無機絶縁膜が部分的に除去されることにより形成されている。 - 特許庁 - The thin film transistor (30) has on a substrate (10) a semiconductor layer (1a) having a source region (1s), a channel region (1c), a drain region (1d), a first LDD region (1sc), and a second LDD region (1cd), and a gate electrode (2a) arranged so as to face the channel region.
薄膜トランジスタ（３０）は、基板（１０）上に、ソース領域（１ｓ）、チャネル領域（１ｃ）、ドレイン領域（１ｄ）、第１ＬＤＤ領域（１ｓｃ）及び第２ＬＤＤ領域（１ｃｄ）を有する半導体層（１ａ）と、チャネル領域に対向配置されたゲート電極（２ａ）とを備える。 - 特許庁 - The plurality of relay connection bodies 51 are arranged between the first base body 11 and the second base body 21, in contact with the plurality of current-collecting electrodes 41 and a translucent conductive layer 14, so as to electrically connect the both 41, 14.
複数の中継接続体５１は、第１基体１１及び第２基体２１間に配置され、複数の集電電極４１及び透光性導電層１４に対して接触することで、複数の集電電極４１と透光性導電層１４とを導通させる。 - 特許庁 - The downwardly convex inner lenses 37b and 37c are formed by performing isotropic etching on a BPSG film, which is a source of a first flattening layer 33, to thereby form concave portions, which are hemispherically concave, in the BPSG film and forming an SiN film on the BPSG film to thereby fill in each concave portion with SiN.
第１平坦化層３３の基となるＢＰＳＧ膜に対して等方性のエッチングを行うことにより、半球状に凹んだ凹部をＢＰＳＧ膜に形成し、この上にＳｉＮ膜を製膜してＳｉＮで各凹部を埋めることにより、下凸型インナーレンズ３７ｂ、３７ｃを形成する。 - 特許庁 - A plurality of holograms are recorded on a hologram recording layer formed on the substrate on which the plurality of light emitting elements are arranged one-dimensionally or two-dimensionally by making a first lightwave and a second lightwave interfere with each other so that the condensing points are arranged in a predetermined arrangement direction at a fixed interval.
複数の発光素子が一次元状又は二次元状に配列された基板上に形成されたホログラム記録層に、集光点が予め定めた配列方向に一定間隔で並ぶように第１の光波と第２の光波を干渉させて複数のホログラムを記録する。 - 特許庁 - A variable resistance layer 63 is composed of a mixture including a first compound 631 including carbon C and at least any element of one kind or more selected from an element group A, and at least any second compound 632 of one kind or more selected from a compound group G2.
可変抵抗層６３は、炭素Ｃ、及び元素群Ａから選ばれる少なくともいずれか１種類以上の元素を含む第１化合物６３１と、化合物群Ｇ２から選ばれる少なくともいずれか１種類以上の第２化合物６３２とを含む混合体にて構成されている。 - 特許庁 - According to the method of manufacturing a silicon wafer, since the n-type first epitaxial film 12 formed under the second epitaxial film 13 in which the device is formed functions as a barrier layer, heavy metal introduced from the reverse-surface side of the silicon wafer in the device post-process never reaches a device region.
本発明によれば、デバイスが形成される第２のエピタキシャル膜１３の下部に形成されるｎ型の第１のエピタキシャル膜１２がバリア層として機能することから、デバイス後工程でシリコンウェーハの裏面側から導入される重金属がデバイス領域に到達することがない。 - 特許庁 - The waste liquid containing the readily water-soluble first organic polymer and the hardly water-soluble second organic polymer is mixed with an adsorbent for adsorbing the second organic polymer, which adsorbent includes a magnetic core particle and an adsorbing layer so formed as to cover the magnetic core particle.
水に易溶解性の第１の有機高分子及び難溶解性の第２の有機高分子を含む廃液に、前記第２の有機高分子を吸着する、磁性体コア粒子及びこの磁性体コア粒子を覆うようにして形成された吸着層からなる吸着材を混合する。 - 特許庁 - The semiconductor device comprises a semiconductor substrate 1 formed with a power MOSFET, a P-type first diffused region 28, a second diffused region 29 and a third diffused region 30 formed on a surface of an N-type diffused region (drift layer) 22 for constituting a drain region of the power MOSFET.
パワーＭＯＳＦＥＴの形成された半導体基板１２において、パワーＭＯＳＦＥＴのドレイン領域を構成するＮ形拡散領域（ドリフト層）２２の表面にＰ形の第１拡散領域２８、第２拡散領域２９及び第３拡散領域３０を形成する。 - 特許庁 - The scanning side driving circuit section of the active matrix substrate 2 is provided with the first circuit forming region existing on the outer peripheral side of the substrate, the second circuit forming region existing between the region and a pixel section 11, and a wiring layer forming region existing between the circuit forming regions.
アクティブマトリクス基板１において、走査線駆動回路部は、基板外周側に位置する第１の回路形成領域と、この領域と画素部１１との間に位置する第２の回路形成領域と、これらの回路形成領域との間に位置する配線層形成領域とを備える。 - 特許庁 - A bump electrode 30 made of metal body with a low fusing point for jointing a first component 10 and a second component 20; and a protective layer 40 formed on at least the side face of the bump electrode 30 for preventing transmission of substance which degrades the behavior of the bump electrode.
低融点の金属単体によって形成され、第１の部品１０と第２の部品２０とを接合するバンプ電極３０と、バンプ電極３０の少なくとも側面に形成され、バンプ電極の特性を劣化させる物質の透過を防止する保護層４０とを有する。 - 特許庁 - In a process in which dielectrics constituting the charge storage films CHS are formed on the bottom dielectric film BTM, the dielectric (the first film CHS1) brought into contact with a boundary with at least the bottom dielectric film BTM in the dielectrics is formed by using atomic-layer deposition(ALD).
電荷蓄積膜ＣＨＳを構成する誘電体をボトム誘電体膜ＢＴＭ上に形成する工程において、その誘電体のうち、少なくとも、ボトム誘電体膜ＢＴＭとの境界に接する誘電体（第１の膜ＣＨＳ１）を原子層堆積（ＡＬＤ）を用いて形成する。 - 特許庁 - An annular seal ring contact 26 made of the same material as a first plating resist film 23 for forming wiring 8 is formed inside a connection terminal 7a, for plating on the upper surface of a substrate metal layer 7 formed on the entire surface of a semiconductor wafer 21.
半導体ウエハ２１上の全面に形成された下地金属層７の上面においてメッキ用接続端子部７ａの内側には、配線８形成用の第１のメッキレジスト膜２３と同一の材料からなるリング状のシールリング接触部２６が形成されている。 - 特許庁 - The boron nitride powder surface is first treated, by a calcination process or by coating the surface with at least an inorganic compound, so as to have a plurality of reactive sites containing at least a functional group that is reactive to at least one functional group of the final coating layer.
窒化ホウ素粉末表面は、最初に、焼成工程により、或いは表面が最終的なコーティング層の少なくとも１つの官能基に反応する少なくとも官能基を含む複数の反応部位を有するように少なくとも無機化合物でコーティングすることにより処理される。 - 特許庁 - First and second amorphous silicon layers 2 and 3 having different impurity concentrations are laminated, a third amorphous silicon layer 4 is formed on the side wall of the laminated structure, and an HSG silicon film 5 is formed on the surfaces of the second and third amorphous silicon layers 3 and 4, thus constituting the storage electrode 1.
不純物濃度の異なる第１，第２のアモルファスシリコン層２，３が積層され、その積層構造の側壁に第３のアモルファスシリコン層４が形成され、第２，第３のアモルファスシリコン層３，４の表面にＨＳＧシリコン膜５が形成されて蓄積電極１が構成される。 - 特許庁 - A GaN intermediate layer relaxing stress generated between a sapphire substrate and a GaN thick film is first grown on the sapphire substrate, and successively, the GaN thick film is grown thereon to obtain a crack- free GaN thick film, and the substrate is separated therefrom, by which a GaN wafer is obtained.
サファイア基板とＧａＮ厚膜との間で発生するストレスを和らげる中間層のＧａＮ中間層をサファイア基板上にまず成長させ、その上に続いてＧａＮ厚膜を成長させることによって無クラックＧａＮ厚膜が得られ、これより基板を分離してＧａＮウェーハを得る。 - 特許庁 - A clearance hole with a diameter D is formed in the first electrode, a via hole having a diameter d smaller than the diameter D is concentrically formed in a region of the dielectric layer exposed as a result of the formation of the clearance hole, and a clearance defined by (D-d)/2 is ≥25 μm.
第一の電極に直径Ｄのクリアランスホールが形成され、かつクリアランスホールの形成により露出した誘電体層の領域内に直径Ｄよりも小さい直径ｄを有するビアホールが同心円状に形成されており、（Ｄ−ｄ）／２で規定されるクリアランスが２５μｍ以上である。 - 特許庁 - A light shielding section is formed by applying coloring resists with a plurality of colors to a substrate for forming a light shielding section for a plurality of times in superposing, and making coloring pigments of the coloring resists applied at least on and after the second application be adsorbed to a coloring resist layer formed with the first application of the coloring resist.
遮光部形成基板上に複数色の着色レジストを複数回重ねて塗布し、１回目の着色レジストの塗布により形成された着色レジスト層に、少なくとも２回目以降に塗布された着色レジストの着色顔料を吸着させて遮光部を形成する。 - 特許庁 - The method includes steps of positioning a macro region 1b in which a macro is to be stored in an upper layer, and positioning a wiring path 2" so as to be passed through the macro region 1b to transmit a transmission signal from a first position 4a outside of the macro region 1b to a second position 4d.
上位レイヤに、マクロが格納されるマクロ領域１ｂを配置するステップと、マクロ領域１ｂの外側にある第１位置４ａから、第２位置４ｄに伝送信号を伝送するための配線経路２”を、マクロ領域１ｂを通るように配置するステップとを備えている。 - 特許庁 - In the liquid crystal display element, a first substrate 21 including at least laminated switching elements 39 and a plurality of pixel electrodes 31, 32 and a second substrate 22 including at least laminated colored layers 62 and a common electrode 33 face each other on both sides between a liquid crystal layer 12.
本発明の液晶表示素子は、積層されたスイッチング素子３９と複数の画素電極３１、３２とを少なくとも含む第１の基板２１と、積層された着色層６２と共通電極３３を少なくとも含む第２の基板２２とが、液晶層１２を挟んで対向している。 - 特許庁 - In a light control device 10 according to one mode of the present invention, a plurality of liquid crystal optical elements 13 are arrayed between two transparent plates 11, 12 having a curved surface, and the liquid crystal optical elements 13 are bonded to a first transparent plate 11 by a gel, elastic, transparent resin layer 14.
本発明の一態様に係る調光装置１０は、曲面を備える二枚の透明板１１、１２の間に複数の液晶光学素子１３が並設され、第１透明板１１と液晶光学素子１３とは、ゲル状の弾性透明樹脂層１４で接合されている。 - 特許庁 - In the pneumatic tire 1, a carcass layer is composed by laminating first carcass plies 41 and 42 divided and separated in a tire width direction in a tread part center region, and a second carcass ply 43 laid between a pair of right and left bead cores 2 and having a single structure.
この空気入りタイヤ１は、トレッド部センター領域にてタイヤ幅方向に分割されて分離された第一カーカスプライ４１、４２と、左右一対のビードコア２、２間に架け渡された単一構造を有する第二カーカスプライ４３とが積層されて、カーカス層が構成されている。 - 特許庁 - The multi- layer substrate 10 is constructed by the first substrate 11 and the second substrate 12 formed by aluminum oxide and a plurality of through holes 12a formed in the second substrate 12 are filled with metal excellent in heat conductivity such as silver or copper.
多層基板１０は、アルミナにより形成された第１基板１１と第２基板１２とから構成されるが、第２基板１２内には複数の貫通孔１２ａが形成されていて、この貫通孔１２ａ内に銀もしくは銅などの熱伝導性が良好な金属が充填されている。 - 特許庁 - Superimposed waveform data obtained by highly hold-recording characteristic information at a magnetic printing track 3 on a layer recording rewriting information (money information) at a first magnetic recording truck 2 and superimposing the two pieces of information one on another are read to obtain characteristic extracting information to record this at a second magnetic recording track 4.
書替え情報（金銭情報）を第１の磁気記録トラック（２）に記録した層の上に、固有情報を磁気印刷トラック（３）に高保持記録し、二つを重畳した重畳波形データを読出して、特徴抽出情報を求めて、これを第２の磁気記録トラック（４）に記録する。 - 特許庁 - The oil recovery apparatus 1 is constituted so that sewage in a grease pit 2 is sucked by a suction part 11, and the sucked sewage is electrolyzed in an electrolytic part 12 to turn oil flocculated by the gas bubbles of hydrogen or the like accompanying electrolysis to form a flocculated layer on the surface of the water in a first chamber 31.
油回収装置１は、グリースピット２内の汚水を吸引部１１で吸引し、吸引した汚水を電解部１２で電気分解し、電気分解に伴う水素等の気泡により油を凝集させて第１室３１の水面に凝集層を形成する。 - 特許庁 - A plurality of kinds of metal ions which have mutually different plasmon absorption wavelengths by metal deposition are included in an electrolytic solution of an electrolytic solution layer, and metal particulates including a metal resulting from reducting at least one kind of metal ions out of the plurality of kinds of metal ions are deposited when a first voltage is given.
析出したときに互いに異なるプラズモン吸収波長を有する複数の金属イオンを電解液層の電解液中に含み、第１の電圧が付与されると、複数種の金属イオンの内の少なくとも１種類が還元された金属を含む金属微粒子が析出される。 - 特許庁 - Then, a thin-film semiconductor layer 11 continuously covering up to the first gate insulation film 7-1 from the source-drain electrodes 9 via the second gate insulation film 7-2 in contact with the electrodes 9 is formed, thereby manufacturing the thin-film semiconductor device 1.
次に、ソース／ドレイン電極９に接する状態で、ソース／ドレイン電極９上から第２ゲート絶縁膜７-2を介して第１ゲート絶縁膜７-1上に掛けてを連続的に覆う薄膜半導体層１１を形成することを特徴とする薄膜半導体装置１の製造方法。 - 特許庁 - In a transfer process, the adhesion between the first electrode and an organic film layer is enhanced, transfer even with laser beams having low energy is made possible, transfer efficiency is enhanced and moreover the light emitting efficiency and the life are enhanced.
また、転写工程の際に、第１の電極と有機膜層との密着度を向上させて、低いエネルギーを持つレーザービームでも転写が可能であり、転写効率を向上させるだけではなく、有機エレクトロルミネッセンス素子の発光効率及び寿命を向上させるといった効果がある。 - 特許庁 - In an atmosphere containing nitrogen gas, sputtering is executed using a first target comprising tungsten to nitride the surface part of the silicon nitriding oxide film 103, while a tungsten nitride film 104 which is to be the lower layer part of a gate electrode is deposited on the silicon nitride oxide film 103.
窒素ガスを含む雰囲気中において、タングステンからなる第１のターゲットを用いてスパッタリングを行なうことにより、シリコン窒化酸化膜１０３の表面部を窒化すると共に、シリコン窒化酸化膜１０３の上に、ゲート電極の下層部となるタングステン窒化膜１０４を堆積する。 - 特許庁 - The rate of change of rigidity of the solid-core rod 2 is made larger than that of the hollow tube 1 and a first line guide 5 is fixed to the outer periphery of the reinforcing and rigidity-controlling sheet layer 4 on the outside of the fixing part 1a outside the end part of the solid core rod 2.
中実竿杆２の剛性の変化率は中空竿管１の剛性の変化率より大きく形成され、中実竿杆２の端部外側になる固着部１ａ外側の補強及び剛性調整シ−ト層４の外周には第１釣糸ガイド５が固定されている。 - 特許庁 - The low-rigidity section (thin section) formed in a first layer by the protrusion 6 is low in rigidity because of being thinner than other parts, and the tip part is separated from the low-rigidity section by applying downward force with the low-rigidity section as the origin, and non-product areas to be removed are reduced.
前記突出部６により、第一層に形成された低剛性部（薄肉部）は、他より薄肉となっているため剛性が低く、低剛性部を起点に、下方へ力を加えることで、低剛性部より先端が分離し、除去すべき非製品領域の部分が小さくなる。 - 特許庁 - Then, a first insulating film 2 is deposited on the structure and, after an n+- source area 64 and an n+-drain area 66 are formed by implanting As and P ions into the structure and annealing the structure at 600-1,000°C, a second insulating layer 72 is deposited by the CVD method and the structure is metallized.
構造体上に第１絶縁層６２を堆積し、Ａｓ、Ｐをイオン注入し６００〜１０００℃で焼鈍してｎ^＋ソース領域６４とｎ^＋ドレイン領域６６を形成した後、ＣＶＤ法で第２絶縁層７２を堆積し、前記構造体を金属化する。 - 特許庁 - A portion of the land is covered with the mask layer, and a sidewall of another portion of the land is exposed by the opening, and the circumference of the opening includes a plurality of second group arcs, and a radius of the outermost arc from among the plurality of first group arcs is equal to a radius of the outermost arc from among the plurality of second group arcs.
ランドの一部分はマスク層によって覆われ、ランドの他部分の側壁は開口によって露出され、開口はその枠に複数の第２群の弧を備え、複数の第１群の弧のうち最外郭弧の半径は、複数の第２群の弧のうち最外郭弧の半径と同じである。 - 特許庁
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