「First layer」を含む例文一覧(24476)
＜前へ 1 2 .... 468 469 470 471 472 473 474 475 476 .... 489 490 次へ＞- The working glove comprises the following: a base material glove having a first base cloth forming a palm side part and made of leather, and a second base cloth forming a part corresponding to the back part of the hand and made of stretchable fabric material; and a covering layer covering the base material glove and made of resin components.
掌側部分を形成するとともに、皮革からなる第１の基布と、甲側部分を形成するとともに、伸縮性を有する布材からなる第２の基布とを有する基材手袋と、前記基材手袋に被覆されるとともに、樹脂成分からなる被覆層とを備える。 - 特許庁 - The liquid crystal device has an air layer 52 interposed between a first substrate 7 as one substrate and a light guide plate 29, and a case 5 which houses a liquid crystal panel etc., and has opening parts 55 and 57 capable of discharging air to the outside and located on the opposite side from a light source side.
少なくとも一方の基板としての第１の基板７と導光板２９との間に介在する空気層５２と、液晶パネル等を収容し、光源側と反対側に外部に空気を排出可能な開口部５５，５７を有するケース５とを備えることとした。 - 特許庁 - Gaps of cells are uniformized over the entire display area and the irregularity of display, etc., can be prevented by raising the bottoms of the respective layers of the second light shielding area by providing the cell thickness adjustment layer and making the entire thickness as approximately equal to the thickness of the whole of the first light shielding area.
セル厚調整層を設けて第２の遮光領域の各層を底上げし、全体の厚さを第１の遮光領域全体の厚さとほぼ等しくすることにより、表示領域全体に渡ってセルギャップが均一化され、表示ムラなどを防止することができる。 - 特許庁 - To provide a terminal detection device, server device including the same, terminal detection method, and program capable of detecting connections of second and subsequent terminals in addition to a first terminal when the multiple terminals are connected to a port of a layer 2 switch via a line concentrator without having a virtual LAN (VLAN) function.
レイヤー２スイッチのポートに、ＶＬＡＮ機能を有していない集線装置を介して、複数の端末が接続された場合に、１台目に加えて２台目以降の端末の接続も検知し得る、端末検知装置、それを備えたサーバ装置、端末検知方法、及びプログラムを提供する。 - 特許庁 - A state of use of its own code number and first and second slave code numbers is recorded to a code number state table corresponding to each code number, and a code number #n denoting a disabled state about the state of the use of its own code number is recorded to assignment preferential tables 101 to 104 corresponding to each hierarchical layer.
そして、各コード番号対応のコード番号状態テーブルに、自コード番号と、第一及び第二の子コード番号との使用状況を記録し、各階層対応の割り当て優先テーブル１０１〜１０４に、自コード番号の使用状況が使用不可状態であるコード番号＃ｎを記録する。 - 特許庁 - When a current is fed to the current support line (33) regardless of a current flowing through the MTJ (37); switching of the MTJ (37) between the first and second states is supported by applying a magnetic field along the hard axis of magnetization in the ferromagnetic layer, and the switching current can be reduced.
ＭＴＪ（３７）の中を流れる電流とは無関係に支援電流線（３３）に電流を流すと、強磁性層内の磁化困難軸に沿う磁界を与えて、ＭＴＪ（３７）を第１の状態と第２の状態との間に切り換えるのを支援し、切換え電流を減らすことができる。 - 特許庁 - The element isolating structure for isolating the photodiodes from each other, such as an STI structure 7b, is formed by a method not using the thermal oxidation of a substrate, and a second conductive type channel stopper layer 6 is formed so as to have contact with and surround the element isolating structure 7b in the first conductive type semiconductor substrate 1.
フォトダイオード間を素子分離する素子分離構造、例えばＳＴＩ構造７ｂを基板の熱酸化によらない方法で形成し、素子分離構造７ｂに接してこれを取り囲む第１導電型の半導体基板１中に第２導電型のチャネルストッパ層６を形成する。 - 特許庁 - A layered chip package 1 includes: a body 2 including a plurality of layer portions 11 to 18; wiring portions 3A and 3B disposed on a side surface of the body 2; a plurality of first terminals 22A disposed on a top surface of the body 2; and a plurality of second terminals 22B disposed on a bottom surface of the body 2.
積層チップパッケージ１は、複数の階層部分１１〜１８を含む本体２と、本体２の側面に配置された配線３Ａ，３Ｂと、本体２の上面に配置された複数の第１の端子２２Ａと、本体２の下面に配置された複数の第２の端子２２Ｂとを備えている。 - 特許庁 - In this case, the specific resistance of the nitride semiconductor substrate is 0.5 Ωcm or less, and the side of the p-type Al_xGa_1-xN layer 5 is mounted face-down, and the light is emitted from the second main surface 1a that is opposite to the first main surface of the nitride semiconductor substrate.
この発光装置では、窒化物半導体基板の比抵抗が０．５Ω・ｃｍ以下であり、ｐ型Ａｌ_xＧａ_1-xＮ層５の側をダウン実装し、窒化物半導体基板の第１の主表面と反対側の主表面である第２の主表面１ａから光を放出する。 - 特許庁 - The radiological image detection device is provided with an intermediate layer which keeps a first surface to be in contact with the photoelectric conversion panel shaped along protrusions and recessions in the surface of the radiological image detection device, and its second surface to be in contact with the scintillator panel shaped along protrusions and recessions in the surface of the scintillator panel.
光電変換パネルと当接する第１の面は該光電変換パネル表面の凹凸に沿った形状とし、シンチレータパネルと当接する第２の面は該シンチレータパネル表面の凹凸に沿った形状とした中間層を設けた放射線画像検出装置とする。 - 特許庁 - Parts M are transferred by giving the elliptic vibration generated by synthesizing the horizontal vibration with the vertical vibration having the differential phase by a drive part to a bowl 21 provided with a single row block 62 of the parts M, a single layer block 72, a first sorting block 82, and a second sorting block 82'.
部品Ｍの単列化ブロック６２、単層化ブロック７２、第１選別ブロック８２、第２選別ブロック８２’を備えたボウル２１に駆動部１１によって位相差を有する水平振動と垂直振動との合成による楕円振動を与えて部品Ｍを移送する。 - 特許庁 - In a cleaning roll 100 for cleaning the charging roll 14, a sponge layer 100B is made to come into contact with the charging roll 14 is formed of a first sponge material 102 and a second sponge material 104 which are different in foam hardness, and also each sponge material is arranged alternately in the circumferential direction of the cleaning roll 100.
帯電ロール１４をクリーニングするクリーニングロール１００において、帯電ロール１４に接触させるスポンジ層１００Ｂを、フォーム硬度の異なる第１スポンジ材１０２及び第２スポンジ材１０４で形成するとともに、各スポンジ材をクリーニングロール１００の周方向で交互に配置する。 - 特許庁 - The method for manufacturing the display device comprises the steps of disposing selectively grown GaN microscopic semiconductor light- emitting elements 11, embedded in a first insulating layer 21 of an epoxy resin except the upper end part and a lower end surface and drawing electrodes 18, 19 at an interval on the upper surface of a base 31, and then fixing the elements.
選択成長させたＧａＮ系の微小な半導体発光素子１１をエポキシ樹脂の第一絶縁層２１で上端部と下端面を除いて埋め込んで電極１８、１９を引き出したものを基体３１の上面に間隔をあけて配置し固定する。 - 特許庁 - The calculation means 45 is controlled so as to determine the capacitor electrostatic capacitance based on the arrival time detected only when time required for reaching of the voltage of the electric double-layer capacitor 42 to the first specified value is prescribed time or more after charging is started.
そして、算出手段４５は、充電が開始されてから電気二重層キャパシタ４２の電圧が第１所定値に達するまでの時間が所定時間以上であるときにのみ検知される到達時間に基いてキャパシタ静電容量を求めるように制御される。 - 特許庁 - To provide a method for forming a copper wiring layer at a lower cost to a semiconductor structure, including a first region including at least one recess and a second region including a plurality of recesses having an aspect ratio different from that of at least one recess.
少なくとも１つの窪みを有する第１領域と、前記少なくとも１つの窪みのアスペクト比とは異なるアスペクト比を有する窪みが複数個並んだ第２領域とを有する半導体構造に、低コストで銅の配線層を形成する方法を提供すること。 - 特許庁 - Then, the laser dicing is performed on a region between the first groove 108a and the second groove 108b along the scribe line 120 from the surface where the second protective film is formed to form a cutting groove 100a that reaches at least a predetermined depth of the multi-layer interconnect 104.
この後、第２の保護膜が形成された面から第１の溝１０８ａと第２の溝１０８ｂとの間の領域をスクライブライン１２０に沿ってレーザダイシングで切断して、多層配線層１０４の少なくとも所定の深さまで達する切断溝１００ａを形成する。 - 特許庁 - By this constitution, even in a case that the direct light from a light source only shines into the photocatalyst layer 13, the photocatalyst of the first and second photocatalyst layers 13 and 14 can be activated to keep both inside and outside surfaces of the anti-staining glass 11 clean.
これにより、光源からの直接光が第１光触媒層１３にしか差し込まない場合でも、第１光触媒層１３及び第２光触媒層１４においてそれぞれ光触媒を活性化させることができ、防汚ガラス１１の表裏両面をクリーンに保つことができる。 - 特許庁 - In this case, the interval of the columnar electrodes 12 arranged on the second virtual circulating line from the inner side is such an interval that one of upper layer wiring 18 pulled out from the columnar electrodes 12 arranged on the first virtual circulating line from the inner side can be put around.
この場合、内側から２番目の仮想周回線上に配置された柱状電極１２の間隔は、内側から１番目の仮想周回線上に配置された柱状電極１２から引き出された上層配線１８を１本引き回すことができる間隔となっている。 - 特許庁 - A semiconductor integrated circuit device includes a plurality of signal wirings of the same width which are arranged parallel to each other and spaced at equal intervals on a first wiring layer with at least two adjoining signal wirings of the plurality of signal wirings being interconnected electrically.
本発明の半導体集積回路装置では、第１の配線層に、互いに平行かつ等間隔に配置された複数の同一幅の信号配線を備え、前記複数の信号配線のうち、少なくとも２本以上の隣接する信号配線が相互に電気的に接続されている。 - 特許庁 - In the liquid crystal panel 10 for display, the layer thickness of resin 30 is made uniform by extending a first polarizing plate 15 arranged on the side of a surface laminated on a patterned optical retardation plate 20 to the reverse side of a display driver terminal 11, i.e, the formation area of the resin 30.
表示用液晶パネル１０において、パターン化位相差板２０との貼り合わせ面側に配置される第１の偏光板１５を、表示ドライバ端子１１の裏側、すなわち、樹脂３０の形成領域にまで延在させ、樹脂３０の層厚を均一化させる。 - 特許庁 - To provide a manufacturing method for activating and forming a second principal surface side p+ collector layer 8 of a substrate by a low temperature heat treatment (anneal furnace) which does not detrimentally affect the existence of the metallic film of a first principal surface side gate and the emitter electrode of the substrate in an n-type semiconductor substrate 7.
ｎ型半導体基板７における該基板の第１主面側ゲート及びエミッタ電極の金属膜の存在に対し、悪影響を及ぼさない低温熱処理（アニール炉）による該基板の第２主面側ｐ^＋ コレクタ層８を活性化し形成する製造方法を提供する。 - 特許庁 - An ohmic contact layer forming film 25 of n-type amorphous silicon is deposited on the top surface of the semiconductor film forming film 21 of intrinsic amorphous silicon, covering the outer surfaces of a first channel protective film 5 of silicon nitride and a second channel protective film 6 of shading metal which are both located above the semiconductor film forming film 21.
窒化シリコンからなる第１のチャネル保護膜５および遮光性金属からなる第２のチャネル保護膜６を含む真性アモルファスシリコンからなる半導体膜形成用膜２１の上面にｎ型アモルファスシリコンからなるオーミックコンタクト層形成用膜２５を成膜する。 - 特許庁 - In the IC card D, which is created by providing an IC module 104 inside an adhesive layer 103 intervening between a first sheet material 101 and a second sheet material 102, the IC card D where it has been discovered that contents of the IC module 104 cannot be read has marking M.
第１のシート材１０１と第２のシート材１０２との間に介在される接着層１０３内にＩＣモジュール１０４を設けて作製されたＩＣカードＤにおいて、ＩＣモジュール１０４内容の読み取りが不良となったことが判明したＩＣカードＤはマーキングＭを有する。 - 特許庁 - A first layer 14 of external terminal electrodes 6, 7 has a wraparound portion 17 that is formed to wrap around from end surfaces 12, 13 to main surfaces 8, 9 and side surfaces of a capacitor body 3, and contains a compound oxide and a glass component that react with Ni or the Ni alloy.
外部端子電極６，７の第１層１４は、コンデンサ本体３の端面１２，１３上から主面８，９上および側面上にまで回り込むように形成された回り込み部１７を有し、かつ上記ＮｉまたはＮｉ合金と反応する複合酸化物とガラス成分とを含有する。 - 特許庁 - Since at least one of the optical recording layers formed on a first and second plates consists of a metal layer mainly containing Ag, the ultraviolet ray irradiated to the plate can be controlled when curing the ultraviolet-ray curable resin.
第１基板及び第２基板に形成された光記録層のうち、少なくとも一方の光記録層をＡｇを主成分とする金属層からなっているので、紫外線硬化性樹脂の硬化の際に基板に向けて照射される紫外線の線量を抑制することが可能となる。 - 特許庁 - On the n^--type semiconductor substrate 1, an accumulation layer 7 is formed on the side of a second principal surface 1b of the n^--type semiconductor substrate 1, and irregular unevenness 10 is formed in regions of a first principal surface 1a and the second principal surface 1b which are opposed to the pn junction.
ｎ^−型半導体基板１には、ｎ^−型半導体基板１の第２主面１ｂ側にアキュムレーション層７が形成されていると共に、第１主面１ａ及び第２主面１ｂにおける少なくともｐｎ接合に対向する領域に不規則な凹凸１０が形成されている。 - 特許庁 - The grid unit has a plurality of electron beam penetrating holes respectively confronting with the electron emitting sources, and is opposed to and arranged at the second plate board, and has a plate-shaped grid 42 to which a prescribed voltage is applied, and a first insulating layer 46 by which the outer face of the grid is covered.
グリッドユニットは、それぞれ電子放出源に対向した複数の電子ビーム通過孔４４を有し、第２基板と対向配置されているとともに、所定の電圧が印加される板状のグリッド４２と、グリッドの外面を覆った第１絶縁層４６と、を有している。 - 特許庁 - First, a center protective film 9 is formed at the center of the upper surface of the semiconductor film 8 made of true zinc oxide, ohmic contact layers 10 and 11 made of n-type zinc oxide and upper surface protective films 12 and 13 are formed thereon, and an upper layer insulation film 16 is formed thereon.
まず、真性酸化亜鉛からなる半導体薄膜８の上面中央部に中央保護膜９を形成し、その上にｎ型酸化亜鉛からなるオーミックコンタクト層１０、１１および上面保護膜１２、１３を形成し、その上に上層絶縁膜１６を成膜する。 - 特許庁 - The semiconductor chip is equipped with a semiconductor substrate 10, a through electrode 40 which is provided through a first surface 20 and a second surface 38 of the semiconductor substrate 10 and equipped with a projection 42 protruding from the second surface 38, and an insulating layer 50 formed so as to cover all over the second surface 38.
半導体チップは、半導体基板１０と、半導体基板１０の第１及び第２の面２０，３８を貫通し第２の面３８からの突出部４２を有する貫通電極４０と、第２の面３８の全面に形成されてなる絶縁層５０と、を有する。 - 特許庁 - A plurality of transparent electrode patterns 11 respectively formed by connecting a plurality of single transparent electrode patterns 11a consisting of a diamond mark in the direction of the X-axis are formed in parallel, and low-resistance metal thin lines 15 of visually unrecognizable thickness are provided on the patterns to form a first transparent electrode layer 12.
Ｘ軸方向に、ダイヤマークからなる単一透明電極パターン１１ａを複数繋げた透明電極パターン１１を複数、平行に形成し、そのパターン上に目に視認できない太さの低抵抗金属細線１５を設けて第１透明電極層１２を構成する。 - 特許庁 - The first configuration of the reflection transmission liquid crystal display device comprises a structure forming the buffer layer on an upper substrate corresponding to a reflection section in order to vary the thickness of color filters and forming a difference in level on a lower substrate corresponding a transmission section in order to vary cell gaps.
本発明による反射透過型液晶表示裝置の第1構成は、カラーフィルタの厚みを異なるようにするために、反射部に対応する上部基板にバッファ層を形成し、また、セルキャップを異なるようにするために透過部に対応する下部基板に段差を形成する構造とする。 - 特許庁 - The liquid crystal display is formed by encapsulating a liquid crystal layer 12 between a first substrate 14 provided with a TFT element (a switching element) 5 and a pixel electrode 3 connected to the TFT element 5 which are formed on the inner surface side and a second substrate 15 provided with a display electrode 18 on the inner surface side.
本発明は、内面側にＴＦＴ素子（スイッチング素子）５、該ＴＦＴ素子５に接続する画素電極３を形成してなる第１の基板１４と、内面側に表示電極１８を備えた第２の基板１５との間に、液晶層１２を封入して成る液晶表示装置である。 - 特許庁 - An opening 7a for allowing video image light from the luminous function layer 6 to pass through is formed in one portion of the second electrode 7, a first luminous region L1 is formed on the side of the glass substrate 2, and a second luminous region L2 is formed on the side of the sealing member 8.
第二電極７の一部には発光機能層６からの映像光を通過させる開口７ａが形成されており、前記ガラス基板２側において第一発光領域Ｌ１ が形成され、封止部材８側において第二発光領域Ｌ２ が形成される。 - 特許庁 - In a liquid crystal device, on a first substrate 10 on which two-terminal nonlinear element 14 is formed, an auxiliary capacitance line 17, an auxiliary capacitance 18, and an interlayer insulating film formed on the upper layer side of the auxiliary capacitance 18 and the two-terminal nonlinear element 14 are further formed.
液晶装置において、二端子型非線形素子１４が形成された第１基板１０には、さらに、補助容量線１７と、補助容量１８と、補助容量１８および二端子型非線形素子１４の上層側に形成された層間絶縁膜とが形成されている。 - 特許庁 - The superheater tube of the marine boiler in the first invention is composed of a high temperature corrosion resistant material, and the superheater tube of the marine boiler in the second invention has the superheater tube body and a high temperature corrosion resistant coating layer formed on the outer surface of the superheater tube body.
第１発明の船舶用ボイラの過熱管は、耐温度腐食性材料で形成されていることを特徴とし、第２発明の船舶用ボイラの過熱管は、過熱管本体と、該過熱管本体の外面に形成された耐熱腐食性の被覆層とを有することを特徴とする。 - 特許庁 - A first insulating film 66a composed of a silicon oxide film, a charge-capturing film 66b composed of a silicon nitride film, and a second insulating film 66c composed of a silicon oxide film are then sequentially formed on the p-type silicon semiconductor substrate 65 thus forming a gate insulating film 66 of three-layer structure.
このようなｐ型シリコン半導体基板６５上に、シリコン酸化膜からなる第１絶縁膜６６ａ、シリコン窒化膜からなる電荷捕獲膜６６ｂ、およびシリコン酸化膜からなる第２絶縁膜６６ｃが順に積層された３層構造のゲート絶縁膜６６が形成される。 - 特許庁 - Refractive indexes n1 to n3 of the first to the third dielectric layers satisfy relations: n1>n2, n3>n2 and by using Cu, Au, Ti and their alloys as the lower reflecting layer, reflectivity of an amorphous part can be raised and absorptivity of the amorphous part can be lowered to enable suppressing cross erasing.
第１〜第３誘電体層の屈折率ｎ１〜ｎ３がｎ１＞ｎ２，ｎ３＞ｎ２の関係を満たし、下部反射層としてＣｕ，Ａｕ，Ｔｉ及びそれらの合金を用いることにより、非晶質部の反射率を高くして、非晶質部の吸収率を低くすることができるのでクロス消去抑制が可能となる。 - 特許庁 - A method is described comprising the steps of a) providing a substrate 1, b) providing a first epitaxial semiconducting layer 3 on top of the substrate 1, and c) forming a one- or two-dimensional repetitive pattern, each part of the pattern having an aspect ratio in the range from 0.1 to 50.
ａ）基板１を用意するステップと、ｂ）第１エピタキシャル半導体層３を基板１の上に設けるステップと、ｃ）１次元または２次元の繰り返しパターンを形成するステップと、を含み、パターンの各部分が、０．１〜５０の範囲のアスペクト比を有するようにした方法を開示する。 - 特許庁 - The P base layer 2 for each IGBT cell has a flat region 2FR, through a bottom 2BF of which a main trench 6 passes and which has an emitter region 3; and also has first and second side diffusion regions 2SDR1 and 2SDR2 having the flat region 2FR disposed therebetween.
各ＩＧＢＴセルのＰベース層２は、１）主トレンチ６によってその底部２ＢＦが貫通され且つエミッタ領域３を有する平坦領域２ＦＲと、２）平坦領域２ＦＲを挟み込む第１及び第２サイド拡散領域２ＳＤＲ１，２ＳＤＲ２を有している。 - 特許庁 - To provide a wiring substrate, in which adhesion between an electronic component to be embedded and embedding resin therefor is enhanced and connections between the electronic component and an internal wiring layer or an IC chip mounted on a first surface is made sure and stable, and to provide a method of manufacturing the wiring substrate.
内蔵される電子部品とこれを埋設する樹脂の密着性を高め、かかる電子部品と内部の配線層や第１主面上に搭載するＩＣチップ間の接続が確実で安定した配線基板およびかかる配線基板の製造方法を提供する。 - 特許庁 - Al_2O_3 films 72 being antireflection film for reducing reflectance on first, third and fifth layers and TiOx films 73 being light absorbing layer for reducing transmittance on second, fourth and sixth layers are alternately laminated above a fine rugged periodic structure 33 on a transparent base plate 31.
透明基板３１上の微細凹凸周期構造３３上には、第１、３、５層に反射率を低減させるための反射防止膜であるＡｌ_2Ｏ_3膜７２と、第２、４、６層に透過率を低減させるための光吸収層であるＴｉＯｘ膜７３を交互に積層する。 - 特許庁 - The upper substrate, which is combined to a lower substrate having a display region and a driving region formed to surround the display region, provides the display region with a drive signal, is interposed with a liquid crystal layer therebetween and displays an image, includes a transparent electrode and a first spacer.
表示領域と前記表示領域の周辺に形成され、前記表示領域に駆動信号を提供する駆動領域を有する下部基板と結合し、その間に液晶層を介在して画像を表示するための上部基板は、透明電極及び第１スペーサを具備する。 - 特許庁 - As to the playback of the DVD having the maximum frequency in use, the discriminating operation for the drive of the second layer source 46 is performed after the discriminating operation of the drive of the first laser source 45, then this operation can shift to the playback operation keeping the successive driving operation of the second laser source 46 as it is.
最大使用頻度のＤＶＤの再生にあたっては、第１レーザ源４５の駆動の判別用動作の後に、第２レーザ源４６の駆動の判別用動作を行い、その第２レーザ源４６の駆動を引続き行ったままで、再生動作に移行することができる。 - 特許庁 - The method of forming a stable depletion layer on the surface of the semiconductor wafer comprises at least a first process of removing an organic matter attached to the surface of the semiconductor wafer and a second process of producing an electric charge on the surface of the semiconductor wafer after removal of the organic matter.
半導体ウエーハの表面に安定した空乏層を形成する方法であって、少なくとも半導体ウエーハの表面に付着した有機物を除去する工程と、有機物除去後の前記半導体ウエーハの表面に電荷を形成する工程とを有するようにした。 - 特許庁 - The rotation adjusting device 15 adjusts the rotation of the first roller 5 when moving the print head 4 toward a pasted end portion 10a relative to the sticky note bundle 11, whereby a central portion 10c of the sticky note 10 of the outermost layer from the sticky note bundle 11.
そして、回転調整装置１５は、印刷後に印刷ヘッド４が付箋紙束１１に対して糊付け端部１０ａ側に移動する際に第１ローラ５の回転を調整することにより、最表層の付箋紙１０の中央部１０ｃを付箋紙束１１から分離する。 - 特許庁 - The lower case part 2 includes a second inner case 2a engaged with and fixed to the first inner case 1a and a lower covering member 2b which is formed of a soft material, covers the second inner case 2a, and constitutes the surface layer portion of the holder section 3a together with the upper covering member 1b.
下部ケース部２は、第１インナーケース１ａに係合固定される第２インナーケース２ａと、軟質な材料により形成され、第２インナーケース２ａを被覆するとともに上部被覆部材１ｂと共にホルダー部３ａの表層部分を構成する下部被覆部材２ｂとを備える。 - 特許庁 - Furthermore, a first insulating layer 131 is formed at a position separated from the solder bump 123 at least a prescribed distance L on the surface of the wiring pattern 122 on the reverse side of the substrate 121, and on the surface of the substrate 121 at a position where there is no wiring pattern 122.
更に、ビア１２５の内部を埋め、かつ、配線パターン１２２の基材１２１側とは反対の面及び配線パターン１２２の無い位置の基材１２１の表面であって、半田バンプ１２３から少なくとも所定距離Ｌだけ離れた位置に、第１絶縁層１３１が形成されている。 - 特許庁 - Then, a second base plate with a second gas flow channel formed in discharge devices 120j, 120k is arranged at a given position on the first base plate to complete manufacturing of the fuel cell with a narrow opening width of the gas flow channel as compared with a particle size of a substance constituting the gas diffusion layer.
そして、吐出装置１２０ｊ、１２０ｋにおいて第２のガス流路が形成された第２の基板を、第１の基板上の所定の位置に配置してガス拡散層を構成する物質の粒径に比較してガス流路の開口幅が狭い燃料電池の製造を完了する。 - 特許庁 - The device is constituted to first rotate the coated optical fiber by the motion of the cutting blades to be closed by a horizontal movement from the open blade state parted to both wings of the coated optical fiber and to cut the circumferential of the coating layer.
上下対向して所定距離離間した直線刃部を有する一対の切断刃を含み、最初に光ファイバ心線の両翼に離間した開刃状態から水平移動により閉刃させる切断刃の動作により光ファイバ心線を回転させ、被覆層の円周を切断する装置。 - 特許庁 - The belt layer 3 is formed by laminating a first belt material 31 restraining a growth phenomenon of a tire diameter due to an internal pressure and a second belt material 32 made of a steel wire material and forming an angle in a steel wire direction of the steel wire material in a range of 30 to 45 degrees relative to a tire peripheral direction.
ベルト層３は、内圧によるタイヤ径の成長現象を抑止する第１ベルト材３１と、スチールワイヤ材から成ると共にスチールワイヤ材のスチールワイヤ方向がタイヤ周方向に対して３０度から４５度の範囲内の角度を成す第２ベルト材３２とを積層して成る。 - 特許庁
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