「First layer」を含む例文一覧(24476)
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発熱部３１を三方から取り囲むように第１隔壁３４と第２隔壁３５の二層構造からなる隔壁を形成し、この上にオリフィス板３７を積層して吐出ノズル３９を形成し、すり鉢を伏せた形状の上すぼみのインク加圧室３６を形成する。 - 特許庁 - To shorten redundancy switching time when a fault occurs and to realize a default gateway redundant system and a layer 2 redundant system by using a common protocol as to a node which functions as a current system or a standby system by being combined with another node and is capable of connecting first and second networks.
他のノードと組み合わされて現用系又は予備系として機能し、第１ネットワークと第２ネットワークを接続するノードに関し、障害発生時の冗長化切り替え時間を短縮すること、また、デフォルト・ゲートウェイ冗長化方式とレイヤ２冗長化方式を共通のプロトコルで実現する。 - 特許庁 - As the shielding film 47 made of a second-layer aluminum film, the first light-shielding film 47a having the same potential as a source electrode 43 on the source electrode 43, and a second light-shielding film 47b having floating potential on the EQR electrode 45 are alienated by specific distance for arranging on a guard ring electrode 44.
第２層アルミニウム膜からなる遮光膜４７として、ソース電極４３上にソース電極４３と同電位の第１遮光膜４７ａと、ＥＱＲ電極４５上にフローティング電位の第２遮光膜４７ｂとを、ガードリング電極４４上で所定距離離間して配置する。 - 特許庁 - A conductive film is processed in a first etching process, and thinned by reprocessing using light ashing, the conductive film is thinly reprocessed, and at the same time, an exposed portion of an insulating film is etched away in the film thickness direction, thereby forming a step on the insulating film, and implanting impurity ions into the semiconductor layer by an ion implantation.
第１のエッチング工程で導電膜を加工し、ライトアッシングして細く再加工し、導電膜を細く再加工するとともに露出していた部分の絶縁膜を膜厚方向に削り、絶縁膜に段差を作り、イオン注入で不純物イオンを半導体層に注入する。 - 特許庁 - The dry preform includes a first reinforcing fiber layer 11 formed of reinforcing fibers which are wound around an outer periphery of a mandrel 20, are aligned in parallel to a direction (+θ direction) in which the reinforcing fibers intersect with an annular direction (0° direction) of the mandrel 20 and seamlessly continue in the annular direction of the mandrel 20 by an amount of at least one turn.
マンドレル２０の外周に捲回され、マンドレル２０の環方向（０°方向）と交差する方向（＋θ方向）と平行に引き揃えられ、マンドレル２０の環方向で少なくとも一周は継ぎ目なく連続した強化繊維からなる第１の強化繊維層１１を設ける。 - 特許庁 - The wiring board 10 including an electronic component includes: the electronic component 200 arranged in an opening section of a substrate 100; an adhesive 200a (insulating material) formed in gaps between the substrate 100 and the electronic component 200; and a first conductive layer 110a formed on the adhesive 200a.
電子部品内蔵配線板１０が、基板１００の開口部に配置される電子部品２００と、基板１００と電子部品２００との隙間に形成される接着剤２００ａ（絶縁材）と、接着剤２００ａ上に形成される第１導体層１１０ａと、を備える。 - 特許庁 - Insulating resin is applied to the surface of a base 3 provided with blind through-holes 2 and then dried up for the formation of a first resin layer 4, and a crater-shaped recess 5 whose aspect ratio is smaller than that of the blind through-hole 2 is formed on the blind through hole 2.
非貫通式スルーホール２を有する基材３の表面に絶縁樹脂を塗布した後乾燥硬化させて第一の樹脂層４を形成すると共に非貫通式スルーホール２の上方に非貫通式スルーホール２のアスペクト比よりも小さいアスペクト比を有するクレーター状の凹部５を形成する。 - 特許庁 - A first and second buildup layers 13, 14 made of soft resins each having a modulus of elasticity of 5000 MPa or less are formed on one surface of a hard core substrate 12, and an electrode 30 connected to a via 29 is formed on the outer surface of the second buildup layer 14.
硬質のコア基板１２の一方の面に弾性係数が５０００ＭＰａ以下の柔軟な樹脂から成る第１ビルドアップ層１３および第２ビルドアップ層１４を形成し、しかも第２ビルドアップ層１４の外表面にビア２９と接続された電極３０を形成する。 - 特許庁 - By using the first management processing section 165, the additional monitor signal transmission line 167 and the monitor signal transmission line 162, a part of the management signal, set to an OAM layer, in a signal to be transmitted between an OLT 11 and the ONU 100 is outputted to an external node 70.
第１マネージメント処理部１６５と追加監視信号伝送路１６７と監視信号伝送路１６２とを用いることにより、ＯＬＴ１１とＯＮＵ１００との間で伝送される信号のＯＡＭレイヤに設定されている管理信号の一部を外部ノード７０に出力することができる。 - 特許庁 - The method of making a circuitized substrate has at least a step of providing an optical core 33 on a first cladding layer 14 having at least one end portion contiguous at least one upstanding member 15', and is applied to provide an optical pathway for optical signals passing through the optical core 33.
少なくとも１つの直立部材１５'に近接する少なくとも１つの端部部分を有する第１のクラッディング層１４の上に光学コア３３を設ける工程を少なくとも有して、この光学コア３３を通過する光信号用の光学経路を提供するように適合されること。 - 特許庁 - An inter-layer insulating film 16 between a pixel switching element 102 and signal wiring 202 is formed such that a first thickness D1 formed in a region corresponding to a second source/drain region 102b is larger than a second thickness D2 in a region corresponding to a gate electrode 102g.
画素スイッチング素子１０２と信号配線２０２との間の層間絶縁膜１６を、第２のソース・ドレイン領域１０２ｂに対応する領域に形成された第１の厚さＤ１が、ゲート電極１０２ｇに対応する領域の第２の厚さＤ２よりも厚くなるように形成する。 - 特許庁 - If the first layer roof is constituted by slates, its upper part is covered with a comparatively inexpensive thermal insulating sheet being easily affected by ultraviolet rays to prevent scattering of asbestos dust caused by the deterioration of the existing slate roof of the old factory and improve an effect of thermal insulation further at the same time.
又一層目屋根がスレートの場合上部を紫外線に弱い比較的安価な断熱シートで被服することにより、古い工場の既設スレート屋根の劣化によるアスベスト等の粉塵飛散防止と同時に断熱効果をより一層向上させることが出来る。 - 特許庁 - The capacitor 15 for signal storage is constituted in such a manner that high density semiconductor regions 15D, 15S of the first conductivity type are formed on the semiconductor substrate 11 and an electrode 15G is formed via an insulation layer 12b on the region between the semiconductor regions 15D, 15S.
信号蓄積用キャパシタ１５は、半導体基板１１上に第１導電型の高濃度の半導体領域１５Ｄおよび１５Ｓを形成し、半導体領域１５Ｄ，１５Ｓ間の領域上に絶縁層１２ｂを介して電極１５Ｇを形成して構成する。 - 特許庁 - The super junction structure 12 is composed of first semiconductor layers 13 containing n-type impurities, and second semiconductor layers 14 containing p-type impurities which are alternately and repeatedly arranged in a direction perpendicular to that of facing between the semiconductor substrate 11 and the base layer 15.
スーパージャンクション構造１２は、ｎ型の不純物が含有された第１の半導体層１３と、ｐ型の不純物が含有された第２の半導体層１４とが、半導体基板１１とベース層１５が対向する方向と交差する方向に交互に繰り返し配置されて構成されている。 - 特許庁 - The interval of the columnar electrodes 12 arranged on the fourth virtual circulating line from the inner side is such an interval that three of the upper layer wiring 18 pulled out from the columnar electrodes 12 arranged on the first, second and third virtual circulating lines from the inner side can be put around.
内側から４番目の仮想周回線上に配置された柱状電極１２の間隔は、内側から１番目、２番目及び３番目の仮想周回線上に配置された柱状電極１２から引き出された上層配線１８を３本引き回すことができる間隔となっている。 - 特許庁 - The source and drain regions are at least partially formed by a second material of which an effective lattice constant is smaller than that of the first material, are arranged at both the sides of the channel region in a semiconductor layer, and the second material induces tensile stress to the channel region.
ソース領域およびドレイン領域は、実効的な格子定数が第１材料よりも小さい第２材料から少なくとも一部が形成され、半導体層内のチャネル領域の両側に配置され、第２材料はチャネル領域に引っ張り応力を誘起する。 - 特許庁 - Before forming the organic compound thin film, surface treatment is applied to the surface of the first electrode by an organic solvent, and the organic compound thin film, a hole injection layer for example, is deposited by vacuum thin film forming technology with an organic solvent molecule remaining on the surface of the electrode.
有機化合物薄膜を形成する前に、第１の電極の表面を有機溶媒により表面処理し、有機溶媒分子が第１の電極表面に残存する状態で有機化合物薄膜、例えば正孔注入層を真空薄膜形成技術等により成膜する。 - 特許庁 - In the electrode group 10 formed by winding a cathode 11 having the cathode core material 14 and a cathode mixture layer 15 and an anode 12 via a separator 13, a first exposure section 16 where the cathode core material 14 projects is arranged at one end of the electrode group 10.
正極芯材１４と正極合剤層１５とを備える正極１１と、負極１２とを、セパレータ１３を介在させて捲回した電極群１０において、電極群１０の一の端部に正極芯材１４が突出している第１露出部１６を設ける。 - 特許庁 - In this micropattern working method for forming a micropattern on a cutting master 10 used in forming a nest 20, using a cutting tool 40, first a nickel layer to which at least phosphorus or selenium is added is formed on the surface of the cutting master 10 in the blank state.
入れ子２０を形成する際に用いられる切削マスタ１０に対しバイト４０を用いて微細パターンを形成する微細パターン加工方法において、先ずブランク状態の前記切削マスタ１０の表面に少なくともリン或いはセレンの一方を添加したニッケル層を形成する。 - 特許庁 - The apparatus has a control means 204 that controls the potential to be applied to the first electrode and the potential to be applied to the second electrode, the potential periodically changing between positive and negative with respect to the central potential, so as to periodically change the potential into positive and negative to be applied to the liquid crystal layer.
液晶層に与えられる電位差が正と負とに周期的に変化するように、第１電極に与える電位と、第２電極に与える、中心電位に対して正と負とに周期的に変化する電位とを制御する制御手段２０４を有する。 - 特許庁 - The IPv6 address retrieval part 27 is provided with a plurality of repeating tables which store the addresses of the network layer protocols divided into first and second areas, and it retrieves the repeating table, based on the destination address of the received packet and repeats the packet, in accordance with the retrieval result.
ＩＰｖ６アドレス検索部２７は、第１及び第２領域にそれぞれ分割されたネットワーク層プロトコルのアドレスを記憶する複数の中継テーブルを備え、受信したパケットの宛先アドレスに基づいて該中継テーブルを検索すると共に、この検索結果に従ってパケットの中継を行う。 - 特許庁 - The scanning line 806 is covered with a shield electrode 816 through an insulation body, and the hold capacity part 817 is constituted so that a semiconductor layer becoming the source/drain of the transistor, a first insulation film 805 becoming a gate insulation film and the shield electrode 816 are overlapped flatly.
走査線（８０６）は、絶縁体を介してシールド電極（８１６）で覆われており、保持容量部（８１７）は、前記トランジスタのソース・ドレインとなる半導体層と、ゲート絶縁膜となる第1絶縁膜（８０５）と、前記シールド電極（８１６）とが平面的な重なりにより構成されてなる。 - 特許庁 - The manufacturing method of the waveguide type optical device by which the core layer consisting of a polymer is patterned by dry etching to form the optical waveguide is characterized in that first, second and third etching gases used in respective steps have compositions respectively different from each other.
ポリマーからなるコア層を、ドライエッチングによってパターニングし光導波路とする導波路型光デバイスの製造方法であって、各工程に用いられる第１、第２、及び第３のエッチングガスが、それぞれ異なる組成であることを特徴とする導波路型光デバイスの製造方法である。 - 特許庁 - On a second interlayer insulating film 30, a first wiring 33a connected to the control gate electrode 24 and a second wiring 33b connected to the intermediate electrode 22 of the ferrodielectric FET are arranged, thereby forming a wiring layer 33 connected to the gate electrodes 14 of the CMOS.
第２の層間絶縁膜３０の上に、制御ゲート電極２４に接続される第１の配線３３ａと、強誘電体ＦＥＴの中間電極２２に接続される第２の配線３３ｂとを有し、ＣＭＯＳのゲート電極１４に接続される配線層３３を形成する。 - 特許庁 - In the substrate for liquid discharge head, an upper protective layer 107a which is formed in the region corresponding to a heating part is constituted by laminating two or more first layers which dissolve into a liquid by an electrochemical reaction with the liquid and two or more second layers which change into a passivity.
発熱部に対応する領域に形成された上部保護層１０７ａは、液体との電気化学反応により、前記液体中に溶出する第１の層と、不動態となる第２の層とが其々２層以上積層された構成である液体吐出ヘッド用基板。 - 特許庁 - The multilayer piezoelectric element is formed under a condition of T1<T2 where T1 is a temperature for first heat treatment (baking) by stacking a plurality of piezoelectric ceramic sheets having an internal electrode layer formed, and T2 is a temperature for second heat treatment (baking) after the multilayer piezoelectric element is prepared by cutting it from the baked block.
内部電極層が形成された圧電セラミックのシートを複数枚積層して第１の熱処理（焼成）を行う温度Ｔ１と、ブロック焼成体から切り出して多層圧電素子を作製した後に第２の熱処理（焼成）を行う温度Ｔ２において、Ｔ１＜Ｔ２のようにする。 - 特許庁 - The first layer 520 of the wire stem 530 is made to cover a terminal 512 as a contacting region on a semiconductor substrate 508 where the end 502a of the wire 502 is bonded, and the wire 502 of soft gold material is mounted and fixed to the terminal 512.
１つの例示的な実施例の場合、ワイヤステムの自由端が、基板上の接触領域にボンディングされ、ワイヤステムは、弾力のある形状を有するように構成され、ワイヤステムは、自立型となるように、放電により切断されて、自立型ワイヤステムに、メッキにより保護膜が施される。 - 特許庁 - In the coating method of a paper supply roller, an underlayer coating film layer is formed to an outer peripheral surface of a paper supply roller body 100 by using a first nozzle 41 while rotating the paper supply roller body 100 of a horizontal posture around the central axis and spraying a water-based coating material from a substantially horizontal direction.
給紙ローラーの塗装方法は、水平な姿勢の給紙ローラー本体１００をその中心軸線回りに回転させながら、第１ノズル４１を用いて略水平方向から水系塗料を吹き付けて、当該給紙ローラー本体１００の外周面に下地塗膜層を形成する。 - 特許庁 - A first portion of the polarizer is adjacent to a backlight source and has a protective film 212, a linear polarizing film 214, a biaxial film 216 and a quarter-wave retardation film 218 successively arranged from the backlight source to a multi-domain vertical alignment liquid crystal layer 206.
偏光板の第１部分は、バックライト光源と隣り合い、バックライト光源からマルチドメイン垂直配向型液晶層２０６まで順に配列されている、保護フィルム２１２、直線偏光フィルム２１４、二軸延伸フィルム２１６および１／４波長位相差フィルム２１８を備える。 - 特許庁 - Further, the first metal layer 23 has a patterning of a prescribed shape which is composed of a circuit pattern 231 connected electrically to the light emitting device 4 and functioning as an electric circuit and a heat radiating pattern 232 functioning for radiating heat generated by the light emitting device 4.
そして、第１の金属層２３は、所定形状にパターニングされ、発光装置４と電気的に接続された電気回路として機能する回路パターン２３１と、発光装置４で発生した熱を放熱するための機能を有する放熱用パターン２３２とで構成されている。 - 特許庁 - In this case, the refractive index of the scintillator crystal 2 is not less than 1.8 and the peak wavelength of the scintillation light 6 is not more than 400 nm, and the space between the scintillator crystal 2 and the photodetector 5 is filled with a first light wavelength conversion layer 4, having a refractive index of not less than 1.62.
ただし、シンチレータ結晶２は屈折率が１．８以上でシンチレーション光６のピーク波長が４００ｎｍ以下であり、このシンチレータ結晶２と光検出器５との間隙には屈折率が１．６２以上の第一光波長変換層４が充填されている。 - 特許庁 - The field-effect transistor formed on a substrate 1 has a first compound semiconductor layer which has a source region 4, a drain region 5 and a fin-form region 6 formed between the source and drain regions, and a gate electrode 7 so formed on the surface of the fin-form region 6 as to override this fin-form region 6.
基板１上に形成され、ソース領域４、ドレイン領域５およびこれらの間に形成されるフィン状領域６を有する第１の化合物半導体層と、フィン状領域６の表面に、このフィン状領域６をまたぐように形成されたゲート電極７を備える。 - 特許庁 - After the first laminate is stacked, a cutting means penetrates all of the laminate 110 and the internal-layer circuit board 100 across the two slits 24 to form an unnecessary piece and to form the opening 21, thereby performing processing for forming a terminal 20 including the terminal 20a.
積層後、２つのスリット２４に跨って積層板１１０及び内層回路基板１００の全てを貫通するように切断手段を通して、不要な除去片を形成すると同時に開口部２１を形成して、端子２０ａを備えた端子部２０の形状加工を行う。 - 特許庁 - The color filter 22 of the second substrate 20 has at least one opening 22a in the area corresponding to the reflecting area R, and the step of forming the polymer structure 32 is executed by emitting light to the liquid crystal layer 30 from both the first substrate 10 side and the second substrate 20 side.
第２基板２０のカラーフィルタ２２は、反射領域Ｒに対応する領域に少なくとも１つの開口部２２ａを有し、ポリマー構造物３２を形成する工程は、液晶層３０に第１基板１０側と第２基板２０側の両方から光を照射することによって実行される。 - 特許庁 - In the semiconductor light-emitting element, a composite buffer layer 12 formed by alternately laminating a plurality of AlN first layers 12a and a plurality of GaN second layers 12b upon another is provided on a low- resistance silicon substrate 11 one main surface 11a of which is oriented in the (111) crystal plane.
低抵抗のシリコンから成り且つ一方の主面１１ａの結晶面方位を（１１１）ジャスト面とした基板１１の上にＡｌＮから成る第１の層１２ａとＧａＮから成る第２の層１２ｂとを交互に複数積層した複合層構造のバッファ層１２を設ける。 - 特許庁 - The first aluminum alloy layer contains 0.4 to 1.0 mass% Mg, 0.4 to 1.0 mass% Si and 0.3 to 1.0 mass% Mn or contains 0.8 to 1.5 mass% Mg, 4.5 to 6.5 mass% Zn and 0.3 to 1.0 mass% Mn.
第１のアルミニウム合金層は、Ｍｇ：０．４乃至１．０質量％、Ｓｉ：０．４乃至１．０質量％及びＭｎ：０．３乃至１．０質量％を含有するか、又はＭｇ：０．８乃至１．５質量％、Ｚｎ：４．５乃至６．５質量％及びＭｎ：０．３乃至１．０質量％を含有する。 - 特許庁 - A first wiring layer 102, an SiN film 103, an SiO_2 film 104 and an FSG film 105 are formed on the surface of an insulating film 101, and a through-hole 106 and a wiring groove 107 are formed inside the SiN film 103, the SiO_2 film 104 and the FSG film 105.
絶縁膜１０１の表面に第１配線層１０２、ＳｉＮ膜１０３、ＳｉＯ_2膜１０４およびＦＳＧ膜１０５を形成し、ＳｉＮ膜１０３、ＳｉＯ_2膜１０４およびＦＳＧ膜１０５の内部にスルーホール１０６および配線溝１０７を形成する。 - 特許庁 - A first alignment layer 11 is formed so that the film thickness of a non-display wiring region part 11c disposed in a non-display region 4 and laminated on a gate bus line 12 and the film thickness of a display region part 11a disposed in a display region 3 are made different from each other.
第１配向膜１１が、非表示領域４に配置され、かつゲートバスライン１２に積層される非表示配線領域部分１１ｃの膜厚と、表示領域３に配置される表示領域部分１１ａの膜厚とが、相互に異なるように形成される。 - 特許庁 - A packaging method of a semiconductor device includes a step for forming a through hole (12) in a base substrate (10) and a step for forming a conductive layer (18) by depositing a conductive material (14) on a first surface (16) of the base substrate (10) so that the through hole (12) is filled with the conductive material (14).
半導体デバイスのパッケージング方法は、ベース基板（１０）にスルーホール（１２）を形成する工程と、導体材料（１４）がスルーホール（１２）を充填するようにベース基板（１０）の第１の面（１６）に導体材料（１４）を堆積して導体層（１８）を形成する工程と、を含む。 - 特許庁 - A first, a second, a third base parts 22A, 22B, 22C are provided in a region of each the layer 24A, 24B, 24C higher than the other region of the base 22, and substantially cylindrical mound parts 25... are formed at specified intervals, while thereon ring-like small abrasive grain layers are provided.
各砥粒層２４Ａ，Ｂ，Ｃの領域に台金２２の他の領域より高さの高い第一台金部２２Ａ，第二台金部２２Ｂ，第三台金部２２Ｃを設け、所定間隔で略円筒状のマウンド部２５…を多数形成してその上にリング状の小砥粒層部２８を設ける。 - 特許庁 - The hardness after curing a first adhesive 11 for adhering an acoustic matching layer 14 and a case 12 to each other is selected differently from the hardness after curing a second adhesive 13 for adhering the case 12 and a piezoelectric body 16 to each other so as to prevent deterioration in the adhesion under an operating environment.
音響整合層１４とケース１２を接続する第１接着剤１１およびケース１２と圧電体１６を接続させる第２接着剤１３で硬化後の硬度をそれぞれ変えることにより、使用環境における接続の劣化を防止することができる。 - 特許庁 - Since the capacitance insulating film comprises the laminate film consisting of the hafnium oxide films 102, 104 of the first and third layers having a great barrier height, and the hafnium oxide film 103 of the second layer having a great dielectric constant, it is possible to materialize the capacitor having a small leakage current and a large capacitance.
容量絶縁膜は、バリアハイトの大きな第１層、第３層のハフニウム酸化膜１０２、１０４と、誘電率の大きな第２層のハフニウム酸化膜１０３との積層膜で構成されるため、リーク電流が小さく、かつ容量の大きなキャパシタが実現できる。 - 特許庁 - The electronic part 1 has a lower conductor 21 (a first conductor) formed on the planarizing layer 52 of a substrate 51, a dielectric film 31 formed on the lower conductor 21, and an upper conductor (a second conductor) 23 which is formed on the dielectric film 31 and is thinner than the lower conductor 21.
電子部品１は、基板５１の平坦化層５２上に形成された下部導体（第１導体）２１と、下部導体２１上に形成された誘電体膜３１と、誘電体膜３１上に形成されて下部導体２１より薄い上部導体（第２導体）２３とを有している。 - 特許庁 - The pigment absorbs laser energy of a first one or more of pulses, a plasma state of high temp/high pressure is generated on the glass substrate surface, a surface layer glass is fused/removed to form a recessed part 9, further, its surrounding is modified to a composition liable to absorb a beam.
顔料が最初の１つ又はいくつかのパルスのレーザエネルギを吸収して、ガラス基板表面に高温・高圧のプラズマ状態が発生し、表面層のガラスを溶融・除去して凹所９を形成し、かつその周辺部をレーザ光を吸収し易い組成に変質させる。 - 特許庁 - The Al-doped GaInAs active layer 4 is made by performing the growth of GaInAs so as to be doped with Al by mixing TMA as a second material including Al into the first material consisting of TMG(trimethyl gallium), TMIn, and AsH3 used for the growth of GaInAs.
Ａｌ添加ＧａＩｎＡｓ活性層４は、ＧａＩｎＡｓの成長に用いられるＴＭＧ、ＴＭＩｎ、ＡｓＨ_3 からなる第１の原料に、Ａｌを含む第２の原料としてのＴＭＡを混入して、Ａｌが添加されるようにＧａＩｎＡｓの成長を行うことにより形成する。 - 特許庁 - This separator for the fuel cell consists of a plate like carbon 11 (first member) and a metallic plate 12 (second member) having a plurality of protruding pieces 13 laminated on the carbon 11, being brought into elastic contact with a gas diffusion electrode layer 20 of an electrode structural body, and forming a gas flow passage 14.
平板状のカーボン１１（第１の部材）と、このカーボン１１に積層され、電極構造体のガス拡散電極層２０に弾性的に接触させられるとともにガス流路１４を形成する複数の突片１３を有する金属板１２（第２の部材）とからなる。 - 特許庁 - The welding machine, which welds a member to be welded (structural components of an inner layer of the multilayer printed wiring board) at predetermined places, includes a first welding bit 11a and a second welding bit 11b which press and heat the member to be welded by clamping it from both surfaces of the member for welding.
被溶着部材（多層プリント配線板の内層の構成部材）を所定箇所において溶着する溶着機として、被溶着部材を両面から挟むように加圧及び加熱して溶着する第１溶着ビット１１ａ及び第２溶着ビット１１ｂを備える。 - 特許庁 - Between the metal wiring conductors 19A and the first glass substrate 15, a ground layer 120 is disposed which is electrically insulated from the metal wiring conductors 19A, to which a predetermined potential is set and which is comprised of the same material as the transmitting conductors 11 or the receiving conductors 13.
金属配線導体１９Ａと第１ガラス基板１５との間に、金属配線導体１９Ａとは電気的に絶縁されるとともに所定の電位が設定され、送信導体１１または受信導体１３と同一の材料からなるグランド層１２０が配設されている。 - 特許庁 - A propeller shaft 1 has a stub shaft 11 made of an iron based metallic material, formed in a hollow cylindrical shape, and is provided with a protective layer 13 on the outer circumferential face, and a hollow cylindrical first tube 12 made of an aluminum based metallic material, wherein the two components are joined by friction welding.
プロペラシャフト１は、鉄系金属材料からなる中空円筒状に形成され、外周面に保護層１３を有するスタブシャフト１１と、アルミ系金属材料からなる中空円筒状の第１チューブ１２と、を有しており、両者は摩擦圧接によって接合されている。 - 特許庁 - Thus, it can be prevented that a level difference is caused in an upper shield layer 12 by the first lead conductor 31 and magnetic domain structure becoming a noise causing source is formed by its level difference and also it is possible to make the lead conductor 31 and the upper shield player 12 so as not to be overlapped with each other.
これにより、第１のリード導体３１によって上部シールド層１２に段差が生じ、その段差によってノイズの発生源となる磁区構造が形成されることを防ぐことができ、また、リード導体３１と上部シールド層１２が重ならないようにすることができる。 - 特許庁
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